Introduccin

Aunque gran parte de la estructura del diodo IMPATT es similar a

un diodo Schottky o PIN estndar en su esquema bsico, la
teora y el mtodo de operacin son muy diferentes.
El diodo utiliza el desprendimiento de avalancha combinado con
los tiempos de trnsito de los portadores de carga para permitir
que proporcione una regin de resistencia negativa y por lo
tanto acte como un oscilador.
Como la naturaleza de la avera es muy ruidosa, y las seales
creadas por un diodo IMPATT tienen altos niveles de ruido de
fase.
 Estructura del
dispositivo

La sugerencia original
para un dispositivo de
microondas que
emplea efecto de
tiempo de trnsito
fue hecha por W. T.
Read y implic una
estructura n + -p-i-p +
tal como la mostrada
en la figura. Este
dispositivo funciona
inyectando
portadores en la
regin de deriva y se
denomina diodo
IMPATT.
 Estructura del
dispositivo

Al polarizar directamente el diodo y

alcanzar el punto mximo de
conduccin acta como un diodo
comn corriente.
Al polarizar inversamente boquea la
corriente. Sin embargo con un cierto
voltaje el diodo se rompe la barrera y
la corriente fluir inversamente. Se
fijan estos modos para que se
produzca el desprendimiento de
avalancha.
Principio de funcionamiento
En el diodo Impatt se aplica un gradiente de
tensin extremadamente alta (400kv / cm) que
una normal que una unin pn normal no puede
soportar.
Un potencial elevado, polarizacin posterior del
diodo causa un flujo de portador minoritario a
travs de la unin.
La corriente alterna es approxi 180 grados fuera
de fase con la tensin aplicada esto da lugar a la
conduccin negativa y la oscilacin es el circuito
resonante.
 Construccin

El diodo IMPATT est hecho

de silicio, ya que es ms
barato y ms fcil de fabricar
usando capa cristalina sobre
un sustrato cristalino. En la
figura est demostrando un
diodo tpico de Impatt. El
contacto de la aleacin de
oro se utiliza como tiene
baja resistencia hmica y
trmica.
 Clasificacin
La estructura del dispositivo se basa en el perfil de dopado. Los
tres tipos bsicos de diodos Impatt son:
1) Zona de deriva simple (SDR) - El diodo SDR consiste en
una nica zona de avalancha y una nica zona de deriva con
estructura p + n n +.
2) Regin de deriva doble (DDR) - Un diodo DDR tiene un p
+ pnn + Estructura que consta de dos capas de deriva, una
para electrones y otra para agujeros a ambos lados de la
zona central de avalancha.
3) Regin de avalancha doble (DAR) - El diodo DAR tiene
una estructura p + nipn + que consiste en una zona de deriva
intercalada entre dos zonas de avalancha. Los electrones y
los agujeros de las dos uniones se desplazan a travs de la
regin central i en direcciones opuestas y entregan potencia.
 Aplicaciones

Desventajas Estos diodos hacen excelentes

La desventaja. Del diodo generadores de microondas para
IMPATT es que es muy muchas aplicaciones como:
ruidoso porque la avalancha
es un proceso ruidoso. El
hilo de ruido para el diodo
1. Amplificador paramtrico,
IMPATT es 30db no son tan
buenos como klystron / 2. Convertidor paramtrico ascendente,
gunn diode. La gama de
afinacin no es tan buena 3. Convertidor paramtrico,
como los diodos gunn.