SEMICONDUCTORES

CEREZO REJAS JOS ENRIQUE

ZELADA PADILLA ANDRES IGNACIO
 Estructura atmica
Semiconductores
Semiconductor intrnseco
Semiconductor extrnseco (pentavalente y trivalentes)
Semiconductor tipo n (pentavalente donadora)
Semiconductores tipo p (trivalente aceptadora)
Semiconductores unin p-n
EL Diodo
Union PN
Polarozacion del diodo y polarizacin inversa
ESTRUCTURA ATMICA

Todos los materiales tiene nmero atmico que provee la informacin de cmo es la
estructura de los tomos de los materiales, en pocas palabras nos dice cuntos
electrones y protones tienen los tomos en su conformacin de los materiales
Los Protones estn en el ncleo atrayendo a los electrones, para que los estos no
escapen de sus orbitas, La misma cantidad de protones en el ncleo es la misma
cantidad de electrones que giran en las orbitas el tomo se encuentra a temperatura
ambiente
El nmero mximo de electrones que pueden en cada capa de valencia haber est
dada por una frmula : ne=2(n^2)
 Ejemplo de conductores:
Cobre, numero atomico:29, dividido por la formula en 2,8,18=28. 29-28=1
Plata, numero atomico 47, dividido por la formula en 2,8,18,=28. 48-28=19
Oro, numero atomico 79, dividio por la formula en 2,8,18,32=60. 79-60=19
Por su bajo costo el cobre es mas usado.
Germanio, numero atomico 32, dividido por la formula en 2,8,18=28. 32-28=4
Silicio, numero atomico 14, dividido por la formula en 2,8=10. 14-10=4
Aunque el tomo de germanio tiene una capa ms que el silicio ambos son utilizados
como elementos semiconductores y pero debido a que en este planeta existe ms
silicio que germanio, este se usa ms por los fabricantes
SEMICONDUCTORES

Cuando varios tomos de silicio se juntan entre si se llama cristal de silicio, las
capas de valencia se junta y cada tomo comparte un electrn con los tomos
vecinos, el tomo del centro tiene 4 tomos vecinos y 4 electrones
compartidos, a cada electrn compartido se le denomina enlace covalente.
 Un semiconductor no es un aislante perfecto ni tampoco es un conductor por
excelencia, tiene comportamientos de ambos
SEMICONDUCTOR INTRINSECO

Cuando a un cristal de silicio se lo expone a una temperatura alta, nos daria

como resultado un electron libre, dejando un vacio en el que se encontraba,
este vacio se le denomina como hueco, este mismo hueco atraera a un electron
cercano, y si este cristal es expuesto a una corriente electrica, quedara sin
ningun hueco ni electrons libres. Por lo tanto un semiconductor intrinseco es un
aislante.
SEMICONDUCTOR EXTRINSECO

Incrementa o reduce la conductividad en el semiconductor ya que existen

electrones libres, este cristal de silicio puro ser dopado con un material
pentavalente, cuya estructura tiene 5 electrones en su ltima capa de valencia
como por ejemplo el arsnico y el fosforo (impureza donadora).
SEMICONDUCTORES TIPO P Y TIPO N

Las impurezas donaran un electrn adicional por cada tomo pentavalente,

se las denominara IMPUREZAS DONADORAS, a este semiconductor dopado
con impureza pentavalente, lleva el nombre SEMICONDUCTOR TIPO n,
donde n significa negativo, es decir la impureza pentavalente aporta una
parte negativa (electrn).
 SEMICONDUCTOR TIPO P:
En contra parte existe la posibilidad de donar al cristal de silicio con impurezas
aceptadoras introduciendo un tomo de otro material pero ahora
TRIVALENTES cuyas estructuras llevan 3 electrones en su ltima capa de
valencia como el boro el aluminio y el galio, cuando la impureza trivalente se
introduce al cristal intrnseco este dona un hueco y por lo tanto se denomina
impureza aceptadora. En este caso se formara ion positivo.
LA UNION P-N
El semiconductor tipo n por que fue dopado con impurezas tiene electrones
libres y unos cuantos huecos por la emisin trmica, tiene una resistencia baja.
Cuando lo polarizamos existe un flujo de electrones, los electrones libres se
van al lado positivo y los huecos se van al lado negativo, ahora que el
semiconductor esta en reposo se comporta como un aislante perfecto
 El Semiconductor tipo p, este tiene huecos gracias a sus impuresas trivalentes,
pero tambien tienen algunos electrones gracias a la emision termica, estos
huecos mayoritarios son atraidos por la placa negativa, El semiconductor tipo
p polarizado al ejercer corriente por el, cada hueco acepta un electron del
exterior y el material tipo p se comporta como conductor teniendo una
resistencia muy pequea.
 La union de ambos se la denomina UNION PN es aquella unin de los dos
materiales, la linea que los divide se llama LINEA DE UNION, algunos de los
electrones en el material tipo p pueden atravesar la lnea de unin, estos
tendran poco tiempo siendo electrones libres ya que los huecos los atraern y
se combinaran con ellos. cuando eso ocurre el hueco desaparece y se une con
el electron formando en la lnea de unin una zona llamada zona de
deplexion y en los costados de esta zona, se denomina zona de agotamiento
o empobrecimiento llamada asi por que la regin cercana a la unin se
queda sin portadores de carga o sea electrones del lado n y huecos del lado
p.
 Analizando cada tomo del lado p y de lado n vemos que, cuando un
electrn del lado n pasa al lado p, este se carga positivamente ya que la
cantidad de protones en el ncleo de este tomo no cambia siendo mayor a
la cantidad de electrones que este mismo posee.
Lo mismo pasa en el lado p, el tomo del lado p se carga negativamente ya
que existe mas electrones que protones en su ncleo.
 Estas dos fuerzas de carga forman una diferencia de potencial y como lo que
se encuentra entre estas dos cargas es una BARRERA a esa diferencia de
potencial se la denomina POTENCIAL DE BARRERA medida en volts, todo
electrn que quiera cruzar de n a p deber vencer esta barrera.
El voltaje que habr en este potencial depende de tres cosas, material del
dopaje, temperatura expuesta, tipo de material.
EL DIODO

Es un elemento de circuito no lineal muy simple, tiene una relacin entre el

voltaje.
Un diodo es la unin p-n, polarizamos en directa, colocando al material n una
placa negativa y al material p una placa positiva, para que estas placas
tengan esten polarizadas se pone una fuente de tensin continua, conectamos
positivo con positivo y negativo con negativo, y debido al potencial de la
fuente circula una corriente, colocamos una resistencia delimitadora de
corriente.
 Suponiendo que la fuente es varible la calibramos a una tensin de 0,2 volts
cerramos el switch, los electrones iran directamente al material tipo n atrados
por la placa positiva, pero estos no logran atravesar la zona de deplexion
debido a que el potencial es mayor a los 0,7 volts. Pero si calibramos la
fuente para que el voltaje sea superior a 0,7 volts, los electrones del
conductor tendrn la suficiente fuerza para vencer la zona de deplexion
 Lo que ocurre es que ya el electon en el lado p, ser atrado por un hueco, y
ser transferido de hueco en hueco libre como en cadena hasta la placa
positiva. Ya que los electrones son millones en el lado n, estos al pasar a la
regin p se convierten en electrones de valencia de los atomos trivalentes de
la placa positiva y asi llegar a esta.
 Un diodo polarizado en directa conduce una corriente elctrica siempre y
cuando el potencial de la fuente sea mayor a 0.7volts en el silicio y 0.3 volts
para el germanio
| La direccin convencional de la corriente se la esquematiza de positivo a
negativo, ya que cuando se descubri la corriente elctrica pensaban que se
deba al flujo de cargas positivas y que estas se movan por el circuito de
positivo a negativo, se basaron en eso para los teoremas, formulas y dems
Pero luego descubrieron la naturaleza atomica se dieron cuenta que lo
que
en verdad se movan eran los electrones y la denominaron como direccin de
flujo de electrones, usaremos esta para comprender mejor a los
semiconductores y hablar mejor de la unin p-n.
 Mientras el voltaje no supere la barrera de potencial, no existe conduccin,
por lo tanto no hay corriente. Pero una vez que ya haya superado la barrera
de potencial esta conduce, y la corriente crece abruptamente, cuyo valor
nicamente est delimitado por la resistencia.
LA UNIN PN POLARIZADA A LA INVERSA

Polarizar en inversa es voltear la fuente de tensin, la polaridad en la fuente

esta invertida, la placa positiva est conectada a la regin n donde los
portadores de carga mayoritarios son electrones, y la carga negativa est
conectada a la regin p donde los portadores de carga mayoritarios son los
huecos
 Pasan 3 cosas importantes, este movimiento de electrones en el semiconductor
producen una pequea correinte de transicin llamada IS en sentido inverso
muy pequea, los iones positivos y negativos aumentaron, la zona de
empobrecimiento ahora tiene mayor potencial y tambin la barrera de
potencial tambin aumenta.
 A medida que las regiones n y p se van quedando sin portadores de carga
mayoritarios, la intensidad del campo elctrico entre las zonas de
empobrecimiento aumenta hasta que el potencial a travs de estas regiones
es igual al voltaje de polarizacin de la fuente, en ese momento la corriete
de transicin cesa.
 Al llegar al material tipo n la energa cintica de los electrones es tan fuerte
como para romper enlaces covalentes en los tomos con los que choca, a este
efecto se le conoce como efecto AVALANCHA, ya que un electrn que llego al
lado n al romper un enlace covalente se multiplican los electrones que
generaran abruptamente en sentido inverso. A la magnitud de esta tensin
cuando ocurre el efecto avalancha se le conoce como voltaje de ruptura, las
hojas de especificacin de los semiconductores traen especificados su valor de
ruptura, que suele ser grande, superior los 30 o 40volts.
 Los diodos normalmente no son operados en condicin de ruptura en inversa,
debido a q la multiplicacin de los electrones en conduccin en inversa suele
ser muy grande para pequeas variaciones de tensin de la fuente, el mismo
calentamiento puede daar el semiconductor permanentemente, por ello solo
se les utiliza en polarizacin en directa.