LA ESPECTROSCOPIA

FOTOELECTRNICA DE RAYOS X
INTEGRANTES:
Melisa Cardona Taborda
Jessica Daniela Ortiz Gonzalez
Anglica Mara Jimnez Villa
 AGENDA
Objetivos
Caracterizacin de superficie - Antecedentes
Instrumentacin
Modos de trabajo
Mediciones
Aplicaciones
Cuando la materia interacta con luz de suficiente
Conclusiones energa, se produce ionizacin
 OBJETIVOS
Objetivo principal
Se pretende abordar la temtica de la Espectroscopia Fotoelectronica de Rayos X, y
entenderla desde su fenmeno fsico.
Objetivos especficos:
Se trataran algunas de las diferentes tcnicas de contraste presentes en el
microscopio.
Se realizara una comparacin entre los diferentes tipos.
Visualizar algunas de las aplicaciones de la microscopia ptica en las diferentes
reas.
Antecedentes
Espectroscopia por fotoemisin: se basa
en el efecto fotoelctrico.
Heinrich Hertz(1887) Albert Einstein(1905)
La emisin de fotoelectrones tambin
se acompaa de una emisin de
electrones Auger o fluorescencia
(emisin de fotones)
Ne requiri el desarrollo de la tcnicas
de vaco.
Aos 60
En qu consiste la tcnica...
Dos partes fundamentales de un
espectrmetro XPS son:
- Fuente de fotones excitante
- Analizador que permita separar los
electrones en funcin de su energa
cintica

Energa total disponible para excitar Energa de enlace con la cual estaba
un e- de un nivel de energa en el ligado el e- al tomo
tomo
Como es el proceso en Slidos
1. Emisin del fotoelectrn desde el tomo: 2. Propagacin del fotoelectrn en el slido:

funcin trabajo:
ruptura de la
simetra
traslacional
Solido

Depende del camino medio libre inelstico de los e- foto

emitidos
Caracterizacin de superficie - Antecedentes
La distancia que los
electrones pueden
viajar en el interior de
un slido depende de
su energa cintica y de
la naturaleza del slido.
Tipos de espectroscopia
1.Rayos X: monocromticos XPS
2.haz de iones: Auger (AES), un e- de un nivel
interno es expulsado tras la salida de otro y la
relajacin del sistema
3.Radiacin UV: optoelectrnica ultravioleta
UPS, expulsin de las capas ms externas de
los tomos
 Caracterizacin de superficie - Antecedentes
Caracterizacin de superficies (cualitativa &
cuantitativa)
Corrosin
Catlisis
Tratamientos de superficies de materiales
Fenmenos de flotacin
Adherencia
Segregacin en metalurgia fsica
Informacin de la composicin elemental de la
superficie con error<10%
informacin de aspectos qumicos,de
organizacin y morfologia de una superficie
Superficie: capa atmica ms
externa
El campo de aplicacin de las tcnicas
de anlisis de superficies se limita a
las capas ms externas del slido, lo
que desde un punto de vista
cuantitativo equivale a espesores
entre 1 y 10 monocapas
Caracterizacin de superficie - Antecedentes
Permite medir la Energa de enlace:
parmetro que identifica al electrn
de forma especfica, en trminos del
elemento y nivel atmico, en todos
los elementos, excepto el H y He
Permite identificar elementos
qumicos y sus estados de oxidacin
(cationes y aniones) en
concentraciones >0.1%
 Alcanza la superficie sin interactuar inelasticamente

proceso de emisin de fotoelectrones en una

muestra que contiene un xido

A la derecha de la figura 1.2 a se muestra uno

de los dos procesos de desexcitacin primaria
que siguen la emisin de fotoelectrones, es
numerosas colisiones
decir, el proceso de Auger. El otro proceso,
llamado fluorescencia, da como resultado la
emisin de fotones.

Se observan picos de los fotoelectrones y

electrones de Auger en los espectros XPS.
work function of the
instrument
initiating
photon
energy ( Eph)
Para evaluar la capacidad del XPS
(A)Especificacin de superficie o la capacidad de separar la seal de la
superficie con respecto a la de la regin subyacente, normalmente
<10 nm, se pierde la seal espectral
concentrations down
(A)La sensibilidad o la capacidad de detectartola0.1
seal de inters
atomic % dada
la restriccin del volumen reducido del que emana la seal: funcin
de la seccin transversal del fotoelctrn (describe el rendimiento
de los electrones producidos en funcin de la energa de los fotones
que impacta) y el nivel de fondo espectral, el vaco tambien afecta
Instrumentacin
Sistema de vaco
Fuente de rayos X
Analizador de energa del electrn
Sistema de datos.
 El haz de e- es desviado a
travs de un campo
magntico, para que los e- se

Instrumentacin mueva en una trayectoria

curva, donde el radio depende
de Ek y del campo aplicado

El haz incidente de rayos X no puede

focalizarse, como los haces electrnicos, por lo
que su resolucin lateral es mala

Obtencin de profundidad

Ultravaco <10^-10 Torr

Destructivo No Destructivo
30nm en adelante espesores de 5 a 10 nm
Bombardeo por iones argn (AIB)
Fuentes de Fotones
Orbitales Moleculares

Orbitales Atmicos

Rayos X, Niveles
Profundos de los
tomos XPS

Rango UV: ideales para

estudiar electrones en la
banda de valencia UPS
 Modos de trabajo
Transicin electrnica Proceso Auger
desde la capa. AES
Un fotoelectrn emitido
deja detrs de s un hueco
interno en el tomo y se
ocupa mediante una
transicin electrnica
Mediciones
(i) El anlisis XPS efectivo slo puede llevarse a cabo con el
conocimiento de los diversos factores que pueden influir en las
intensidades y energas de las seales que se estn recogiendo.
(ii) Evitar la acumulacin de carga pues puede cambiar la
seal(desplazarla); se puede controlar irradiando la muestra con
electrones de baja energa o sumergiendo la muestra en un campo
magntico
 Recordar que la intensidad de la seal depende de:
(a) Secciones transversales de fotoelectrones: Tabulado
(b) Interacciones de los electrones con el slido circundante: rango de energa (0 -
1486 eV) se relaciona con colisiones inelsticas, descrito por IMFP.
(c) Parmetros del instrumento que controlan la seal que llega al detector:

el ngulo entre la fuente y el analizador

el ngulo en el que se registran las

emisiones con respecto a la superficie de la muestra
takeoff angle controls the volume analyzed
Ventajas
No es una caracterizacin
destructiva
sensible a la superficie(mapping)
mediciones cuantitativas y
cualitativas
informacin de enlaces qumicos
Desventajas
costosa
requiere alto vaco
procesamiento lento
H-He no son identificados
 Aplicaciones
Improving hemocompatibility and accelerating endothelialization of vascular stents by a
copper-titanium film
(Liu et al. 2016)

Liu et al. 2016, caracterizan la superficie

agregada de Cu y Ti a un Stent para promover
que crecimiento de tejido se acelere. Se estudia
la composicin qumica usando XPS y se
analiza el comportamiento de las clulas
variando la concentracin de Cu/Ti
 An ultrafast rechargeable aluminium-ion battery
Lin et al. 2015, realizaron espectroscopa de rayos X (XPS) y espectroscopa de electrones Auger (AES) para
investigar la naturaleza qumica de las especies intercaladas en diferentes ctodos grafticos; XPS revel que al
cargar grafito prstino, el pico de C 1s de 284,8 eV desarroll en un pico de mayor energa (285,9 eV, Fig. a),
confirmando la oxidacin electroqumica de carbono graftico por intercalacin de AlCl4-. La intercalacin de
cloroaluminato fue evidente a partir de la aparicin de picos de Al 2p y Cl 2p (Fig. b, c).
Tras la descarga, el espectro C 1s XPS del ctodo volvi a ser el de grafito prstino, se registr una reduccin
sustancial de las seales de Al2p y Cl2p sobre la muestra de grafito (vase la figura 4b, c). Las restantes seales de
Al y Cl observadas se atribuyeron a especies atrapadas / adsorbidas en la muestra de grafito,

Energa de Enlace (EV )

CONCLUSIONES
 Referencias
Liu et al 2016 Improving hemocompatibility and accelerating endothelialization of vascular stents by a copper-titanium film