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Presentado por
Andrs Jaramillo Roldan
DOPADO DE UN
SEMICONDUCTOR
La adicin de un pequeo porcentaje de
tomos extraos en la red cristalina
regular de silicio o germanio, produce
unos cambios espectaculares en sus
propiedades elctricas, dando lugar a los
semiconductores de tipo n y tipo p.
En resumen:
Tipo p(donadores de huecos)
Tipo n (donadores de electrones)
IMPUREZAS PENTAVALENTES
Los
tomos de impurezas con 5
electrones de valencia, producen
semiconductores de tipo n, por la
contribucin de electrones extras.
IMPUREZAS TRIVALENTES
Los
tomos de impurezas con 3
electrones de valencia, producen
semiconductores de tipo p, por la
produccin de un "hueco" o deficiencia
de electrn.
DIODO NO POLARIZADO