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ELECTRONIQUE DE

PUISSANCE
(ELEC032)

A.GENON Charg de Cours


Montefiore B28, local I157
AGenon@ulg.ac.be

Cours : 1er quadrimestre, le vendredi de 8h30 10h15


TP: second quadrimestre
Domaines dutilisation
Fonction

SOURCE
dnergie Convertisseur CHARGE
lectrique
Types de convertisseurs
Entre Sortie U varie? F varie? dnomination
AC DC oui s.o. Redresseur
Variateur DC
AC AC oui non Gradateur
AC AC oui oui Cycloconvertisseur
DC DC oui s.o. Hacheur
Alim. dcoupage
DC AC oui oui Onduleur
Autre convertisseur : combinaison AC/DC + DC/AC
Les CONDUCTEURS
Rseau cristallin liaisons covalentes
lectrons libres (EL) (OG:1023 /cm3)

Cristal de cuivre Cristal de titane


Les CONDUCTEURS

Rseau cristallin liaisons covalentes lectrons


libres (EL) (OG:1023 /cm3)
Champ lectrique force dplacement des EL
EL entrent en collision avec structure qui vibre
(nergie thermique)
perte dnergie (effet JOULE)
Rsistivit: OG : 10-7 ohm*m
La rsistivit diminue avec la temprature
(supraconductivit)
Les ISOLANTS

lectrons libres (dorigine thermique) peu


nombreux la temprature ambiante
(OG de la rsistivit : 1014 ohm*m)
La rsistivit diminue si la temprature
augmente
SEMI-CONDUCTEURS
purs ou intrinsques
Si, Ge: rseau cristallin ttradrique
4 lectrons priphriques
liaisons covalentes
SEMI-CONDUCTEURS
purs ou intrinsques
A la temprature ambiante : lectrons libres + trous
dorigine thermique (OG: 1010/cm3 << 1023/cm3 )
Se crent et se recombinent sans cesse
(OG dure de vie : t =1ms)
W

n0 p0 n C T e
2
i
2 3 kT

n0 p0
+
Loi daction de masse
ni : croissance exponentielle en fonction
de la temprature
SEMI-CONDUCTEURS
purs ou intrinsques
Sous leffet dun champ lectrique:
Les trous se dplacent dans sens du champ
Les lectrons libres dans le sens inverse

+
Dopage N dopage P
Concentration en porteurs = f(T)
Semi-conducteurs : la diode non polarise

Ralit Modle
Semi-conducteurs : la diode polarise
Diode :
caractristique
statique
Semi-conducteurs : la diode
Avalanche effet Zner
Si VAK<0 et si |Emax|>>( > 500 kV/cm)
En plus des porteurs minoritaires
dorigine thermique, il y en a qui sont
arrachs aux atomes dans la zone de
dpltion avalanche et le courant
devient indpendant de la tension.
Effet Zner si |Vz| < 4V
(dVz/dT < 0)
Effet davalanche si |Vz| > 6V
(dVz/dT > 0)
Semi-conducteurs : la diode
comportement dynamique
Diode : mise en
conduction
Diode : blocage
Transistor bipolaire de puissance
Transistor : caractristiques statiques
Transistor de puissance : points de
fonctionnement
Transistor : domaine de fonctionnement
fiable
Thyristor
Thyristor
Thyristor : caractristique statique
Thyristor : grandeurs caractristiques
Thyristor : caractristique damorage
Thyristor : amorage
Possibilits damorage:
courant de gchette + tension directe
dV/dt
claquage direct

Dynamique damorage:
retard lamorage (0,1 10 us)
ncessit de limiter le di/dt
impulsion unique, train dimpulsions
Thyristor: mise
en conduction
Thyristor : blocage

tq : 10 100 us t3

Qrr i (t )dt
t0
Influence dun circuit RC
Thyristor : ordres de grandeur
Pour un thyristor 300A 2000V
paisseur pastille : 0.7 mm
diamtre pastille : 30 mm
tq : 10 100 us
Qrr : 20 uC pour I = 20A
ton : 0.1 10 us
Triac : constitution
Triac : commande
GTO : Gate Turn-Off thyristor
GTO : commande
MOSFET de puissance
MOSFET : caractristiques statique
VMOS : schma
Insulated Gate Bipolar Transistor = IGBT
IGBT : commande
Radiateurs
Evacuation de la chaleur (statique)

P
TJ TA
RJB RBR RRA
Evacuation de la chaleur (dynamique)
Domaines dutilisation
Comparaison entre SC de
puissance
Le composant idal :
Tenue en tension infinie
Tenue en courant infinie
Temps de commutation nulle
Courant de fuite nul
Pertes par commutation et conduction nulles
Puissance de commande nulle
Faible cot
Comparaison entre SC de
puissance
Le thyristor :
Tenues en tension et en courant les plus leves
Tension inverse importante
Robuste, bon march
Faibles pertes par conduction
Temps de mise en conduction long
Courant de fuite nul
Ne peut tre teint en agissant sur sa commande
Comparaison entre SC de
puissance
Selon le type de convertisseur:
Redresseurs 50 Hz : thyristors ou diodes
Hacheurs et onduleurs : (commutations rapides, pas de
tension inverse): transistors bipolaires, IGBT, MOSFET,
GTO
Jusqu 15 kHz, GTO pour puissance (faibles pertes)
Jusqu 100 kHz, transistor bipolaire et IGBT (faibles pertes par
conduction)
au-dessus de 100 kHz, MOSFET uniquement

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