Ciencia e Ingeniera de Materiales

Capitulo 2 Estructura Atmica

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 Objetivos del Capitulo 2

El objetivo de este captulo es describir los conceptos

fundamentales relacionados con la estructura de la
materia.
Examinar la estructura atmica para establecer una
base para comprender la forma en que afecta las
propiedades, los comportamientos y aplicaciones de
los materiales de ingeniera.
Aprender los diferentes niveles de las estructuras:
Macroestructura, microestructura, nanoestructura,
arreglos atmicos de corto y largo alcance, estructura
atmica.

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 Capitulo Adicional
2.1 La Estructura de los Materiales:
Importancia Tecnolgica
2.2 La Estructura del tomo
2.3 La Estructura Electrnica del
tomo.
2.4 La Tabla Peridica
2.5 Enlazamiento Atmico
2.6 Energa de Enlace y Distancia
Interatmica.
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3
 Seccin 2.1
La Estructura de los Materiales:
Importancia Tecnolgica
Nanotecnologia

Sistemas Micro-
electromecanicos
(MEMS)

Nanoestructuras

Figure 2.1
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4
 Tabla 2.1 Niveles de Estructura

Nivel de estructura Ejemplo de Tecnologa

Estructura Atmica Diamante:Herramientas

de corte

Arreglos atmicos: Titanato de Plomo y

Zirconio y PZT
Orden de largo alcance
(LRO)

Arreglos Atmicos: Iones en vidrio de Slice

Orden de Corto
Alcance (SRO) Fibras ptica
Figures 2.2 2.4

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5
 Tabla 2.1 (Continuacin)

Nivel de estructura ejemplo de tecnologa

Nanoestructura Partculas de oxido de

hierro con nanotamao
5 a 10 nm

Microestructura La resistencia mecnica

de muchos metales y
aleaciones dependen del
tamao del grano.

Macroestructura Pinturas para

automviles de gran
resistencia a la corrosin

Figures 2.5 2.7

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6
 Seccin 2.2
La Estructura del Atomo
El Nmero Atmico: Es igual al nmero de electrones o
protones.
La masa atmica es igual a la cantidad promedio de
protones y neutrones en un tomo.
El nmero de Avogadro de un elemento es el nmero de
tomos o molculas en una mol.
La unidad de masa atmica de un elemento (uma) es la
masa de un tomo expresado como 1/12 de la masa del
carbono.

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 Ejemplo 2.1: calcular el nmero de
tomos en la plata
Calcular el nmero de tomos en 100 g de plata.

SOLUCION

El nmero de tomos en 100 g de plata es :

(100 g )(6.023 1023 atomsmol)

=
(107.868 g mol)
=5.58 1023

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 Ejemplo2.2
Particulas de hierro platino en nano tamaos para
almacenamiento de informacin

Los investigadores estn considerando el uso de nano

partculas para el almacenamiento de informacin, tales
como el hierro platino ( Fe-Pt) que tiene altas densidades,
donde se pueden almacenar billones de bit de datos por
pulgada cuadrada, capacidad mayor a 100 veces que otro
dispositivo, como un disco duro. Si se quisiera usar
partculas de hierro Fe de 3 nm de dimetro cual seria la
cantidad de tomos en esa partcula?

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SOLUCIN
El radio de una partcula es 1.5 nm.
El volumen de cada partcula de hierro
= (4/3)(1.5 10-7 cm)3
= 1.4137 10-20 cm3
Densidad del acero = 7.8 g/cm3. La masa
atmica del acero es 56 g/mol.
Masa de cada nano partcula de hierro
= 7.8 g/cm3 1.4137 10-20 cm3
= 1.102 10-19 g.
Una mol o 56 g de Fe contiene 6.023 1023
atomos, en consecuencia,el nmero de tomos
en una nanopartcula de hierro es 1186.

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 Ejemplo 2.3
Concentracin de dopante en cristales de silicio
Los monocristales de silicio se usan mucho para fabricar chips de
computadoras. Calcule la concentracin de tomos de silicio en el
silicio, es decir la cantidad de tomos de silicio por unidad de
volumen de silicio.
Durante el crecimiento de los monocristales de silicio, con
frecuencia se introducen en forma deliberada tomos de otros
elementos,( llamados dopantes) para controlar y cambiar la
conductividad y otras propiedades elctricas del silicio.
Uno de estos dopantes es el fsforo (P) que se agrega para fabricar
semiconductores de tipo n de silicio. Suponga que la concentracin
necesaria en un cristal de silicio es 1017 atoms/cm3.Compare las
concentraciones de los tomos en el silicio y la concentracin de
tomos de P. Que importancia tienen esos nmeros desde el punto
de vista tecnolgico? Asuma la densidad del silicio como 2.33
g/cm3.

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SOLUCION
Masa tomica del silicio = 28.09 g/mol.
entonces 28.09 g de silicio contiene 6.023
1023 atoms.
En consecuencia, 2.33 g de silicio contienen :
(2.33 6.023 1023/28.09) atoms = 4.99
1022 atoms. Masa de un cm3 de Si es 2.33 g.
Entonces,la concentracin de atomos de silicio
en el silicio puro es 5 1022 atoms/cm3.

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2.3 SOLUCION (Continua)
La importancia de comparar las concentraciones
atmicas del dopante y del Si: Si es necesario
agregar (P) a este cristal, en forma tal que la
concentracin de P sea 1017 atoms/cm3, la relacin
de concentracin de tomos en el Si entre la de P
ser:
(5 1022)/(1017)= 5 105. Esto significa que solo
uno de cada 500,000 atomos del cristal dopado
ser de (P)! Equivale a tener una manzana en
500,000 naranjas!Esto explica la razon por la que
los monocristales de Si deben ser de pureza
excepcional y al mismo tiempo deben tener
concentraciones muy pequeas y uniformes de
dopantes.

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 Seccin 2.3 La Estructura
Electrnica del tomo
Nmeros cunticos Son aquellos que asignan
electrones a niveles discretos de energa.
El nmero cuntico de giro o Spin refleja
distintos giros del electrn.
El principio de exclusin de Pauli Especifica
que en un orbital no pueden estar presentes
mas de dos electrones, con giros electrnicos
opuestos.
La valencia de un tomo es la cantidad de
electrones de un tomo que participan en el
enlace o en las reacciones qumicas.
Electronegatividad describe la tendencia de un
tomo para ganar o aceptar un electrn.

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 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson Learning
Figura 2.8 La estructura tomica del Sodio,nmero atmico
11, muestra los electrones en las capas cuanticas K, L, y M .

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Figura 2.9 El conjunto completo de nmeros cuanticos de
cada uno de los 11 electrones del sodio.

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TABLA 2.2 PAUTA PARA ASIGNAR ELECTRONES A NIVELES DE ENERGIA

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Figura 2.10 Electronegatividades de algunos elementos en
funcin de su posicin en la tabla peridica.

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 Ejemplo 2-4
Comparacin de electronegatividades
Use las estructuras electrnicas para comparar las
electronegatividades del calcio y del bromo.
SOLUCION
Las estructuras atmicas obtenidas de tabla, son:
Ca: 1s22s22p63s23p6 4s2
Br: 1s22s22p63s23p63d10 4s24p5
El calcio tiene dos electrones en su orbital externo 4s, y el bromo tiene
siete electrones en su orbital externo 4s4p. El calcio con una
electronegatividad de 1.0,tiende a ceder electrones y tiene baja
electronegatividad. Pero el bromo con una electronegatividad de
2.8,tiende a aceptar electrones y es fuertemente electronegativo, esta
diferencia de valores indica que estos elementos pueden reaccionar
entre si con rapidez para formar un compuesto.

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 Seccin 2.4 La Tabla Peridica

III-V semiconductores basado en los grupos 3A

y 5B de los elementos (ejemplo GaAs).
II-VI semiconductores basados en los grupos
2B y 6B de los elementos (ejemplo CdSe).
Elementos de transicin como el Ti, el V, el Fe,
el Ni, el Co, etc. son especialmente tiles como
materiales magnticos y pticos por su
configuracin electrnica que les permite tener
mltiples valencias.
Electropositivos Es un elemento cuyos tomos
tienden a participar en iteraciones qumicas
donando electrones, y en consecuencia es muy
reactivo.

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Figura 2.11 (a) y (b) Tabla Peridica de los Elementos.

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2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson Learning
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 Seccin 2.5 Enlazamiento Atmico

Enlace Metlico, Enlace Covalente, Enlace Inico, Enlace

van der Waals son los diferentes tipos de enlaces.
Ductilidad Capacidad de los materiales de ser doblados o
estirados sin romperse
Interacciones Van der Waals : Fuerzas de London,
interaccin de Debye, interaccin de Keesom.
Temperatura de transicin Vtrea Es aquella temperatura
en la cual los polmetros y vidrios inorgnicos tienden a
comportarse como materiales frgiles, es decir tienen
poca ductilidad
Compuestos nter metlicos compuestos formados por
dos o mas metales se pueden unir con una mezcla de
enlaces metlicos y inicos. Li, 1.0 y Al 1.5----AlLi
enlace metalico y ionico. El Al y V 1.5----Al3V
principalmente enlace metalico.

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Figura 2.12 El enlace

metlico se forma
cuando los tomos
ceden sus electrones de
valencia, que pasan a
formar un mar de
electrones. Los ncleos
de los tomos con
cargas positivas,
quedan enlazados por
atraccin mutua hacia
los electrones con carga
negativa.

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 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson Learning
Figura 2.13 Cuando se aplica voltaje a un metal, los electrones del
mar de electrones se mueven con facilidad y conducen una corriente.

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 Ejemplo 2.5 Calculo de la conductividad de la plata
Calcule la cantidad de electrones capaces de conducir la carga
elctrica en 10 cc de plata.
SOLUCION
La valencia de la plata es uno, y solo se espera que los electrones de
valencia conduzcan la carga elctrica. La densidad de la plata es 10.49
g/cm3. La masa atmica es 107.868 g/mol.

Masa de 10 cm3 = (10 cm3)(10.49 g/cm3) = 104.9 g

tomos =
(104.9 g )(6.023 1023 atoms / mol)
5.85 1023
107.868g / mol
Electrones = (5.85 1023 atoms)(1 elec. De valenc./atom)
= 5.85 1023 Electrones de valencia/atomo por
cada 10 cm3
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Figura 2.14 El enlazamiento covalente requiere que los
electrones se compartan entre los tomos, de forma tal que
cada tomo tenga lleno su orbital externo. En el Si con una
valencia de 4, se deben formar 4 enlaces covalentes
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 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson Learning
Figura 2.15 Los enlaces covalentes son direccionales. En
el Si se forma una estructura tetradrica con ngulos de
109.5 que se requieren entre cada enlace covalente.
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Ejemplo 2.6 Como se unen los tomos de
O y Si para formar la slice?

Asumiendo que la slice (SiO2) tiene un enlace 100%

covalente, describa como estn unidos los tomos de
oxigeno y silicio que los forman.
SOLUCION
El Si tiene valencia 4 y comparte electrones con 4 tomos
de O, lo que da un total de 8 electrones por cada tomo
de Si, sin embargo el O tiene valencia 6 y comparte
electrones con 2 tomos de Si para que el O tenga un
total de 8 electrones.
En la siguiente figura se muestra una de las posibles
estructuras de la slice.

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Figura 2.16 Estructura tetraedrica de la silice (Si02),con
enlaces covalentes entre los atomos de silicio y oxigeno, para
el caso del ejemplo 2.6

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 EJEMPLO 2.7
Diseo de un Thermistor
Un Termistor es un dispositivo para medir temperaturas que
aprovecha el cambio de conductividad elctrica que se
produce cuando cambia la temperatura. Se pide seleccionar
un material que pueda servir como termistor en el intervalo
de temperatura de 500 a 1000oC.

Figura 2.17 Fotografia de un

termistor comercial. (Cortesia de
Vishay Intertechnology, Inc.)

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30
Ejemplo 2.7 SOLUCION
Variando la temperatura se puede hacer que un
termistor varie su resistencia, hay termistores que se
conocen como de coeficiente termico positivo de la
resistencia (PTCR) o de coeficiente termico negativo de
la resistencia (NTCR). Esta propiedad se aprovecha para
controlar la temperatura o conmutar la operacion de un
ciercuito electrico por ejemplo una refrigeradora, terma,
secadora de cabello, horno, etc. llega a una temperatura
seleccionada.
Para el diseo se debe buscar un material sensible al
cambio de temperatura y con alto punto de fusion.
Pueden ser adecuados materiales con enlaces covalentes
El silicio semiconductor es una opcion, funde a 1410 C y
tiene enlaces covalentes.

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Ejemplo 2.7 SOLUCION (Continuacin)

Varios materiales cermicos tambin tienen alto

punto de fusin y se comportan como materiales
semiconductores. El silicio tiene que ser protegido contra
la oxidacion, debemos tener en cuenta que los cambios
de conductividad sean medibles en el rango determinado.
Los polmeros no seran adecuados, aun cuando el
principal enlace de ellos sean covalentes, se debe a sus
temperaturas de fusion muy bajas, muchos termistores
usan una aleacion en base de titanio de bariooC(TiO3Ba),
y otros muchos materiales de coeficiente trmico
negativo de resistencia se basan en aleaciones en base
De hierro, cromo, zinc, cobre, magnesio, etc, algunos

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Ejemplo 2.7 SOLUCION (Continuacin)
ejemplos tenemos Fe3O4-ZnCr2O4, oxido ferroso ferrico
y cromato de Zinc, Fe3O4-MgCr2O4, oxido ferroso ferrico
y cromato de magnesio, Mn3O4,oxido manganoso
dopado con Ni, Co, or Cu.[4]
En cualquier caso de diseo no olvidarse de
evaluar el costo, la contaminacion, la disponibilidad,
facilidad de produccion, reciclado, etc.

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 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson Learning

Figura 2.18 Un enlace inico se forma entre dos tomos

diferentes con distintas electronegatividades. Cuando el sodio
cede su electron de valencia al cloro, ambos se transforman en
iones, se desarrolla una atraccion y se forma un enlace inico.

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 Ejemplo 2.8
Descripcin del enlace inico entre el
magnesio y el Cloro
Describa el enlace ionico entre el magnesio y el cloro.
Ejemplo 2.8 SOLUCION
Las estructuras electronicas y valencias son:
Mg: 1s22s22p6 3s2 valencia = 2
Cl: 1s22s22p6 3s23p5 valencia = 7
Cada tomo de magnesio cede sus dos electrones de
valencia y se transforma en un ion Mg2+ .Cada atomo de
cloro acepta un electron y se transforma en un ion Cl-.
Para satisfacer el enlazamiento inico debe haber doble
cantidad de iones de cloruro que iones de magnesio, y
se forma el compuesto, MgCl2.

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35
Ejemplo 2.8 SOLUCION (Continuacin)

Los slidos que tienen considerable enlazamiento inico

son tambin, con frecuencia, resistentes debido a la
fuerza de los enlaces. La conductividad elctrica de estos
sidos con frecuencia es muy limitada. Una gran parte de
la corriente elctrica se transfiere a traves del
movimiento de iones.Debido a su tamao los iones no
suelen moverse con tanta facilidad como los electrones,
sin embargo en muchas aplicaciones tecnicas se
aprovecha la conduccin elctrica debido al movimiento
de iones causada por mayor temperatura, gradiente de
potencial qumico o una fuerza motriz electroquimica.
Tenemos las bateras de iones de litio donde se usan
oxidos de litio y cobalto, o los recubrimientos conductores
de oxido de indio y estao, para el vidrio de las pantallas
sensibles al tacto, tambin se usan en celdas de
combustible sidas de oxido, basadas en formulaciones de
zirconia (ZrO2).

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Figura 2.19 Cuando se aplica voltaje a un material inico, se
deben mover los iones completos para que la corriente pueda
pasar. El movimiento de los iones es lento, y la conductividad
elctrica es pobre ( Ejemplo 2-8)
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 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson Learning

Figurea2.20 Ilustracin de las fuerzas de London,

que son una clase de fuerza de van der Waals entre
tomos.

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Figura 2.21 Las interacciones de Keesom Learning
se forman como
2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson

resultado de la polarizacion de molculas o de grupos de

tomos. En el agua los electrones los electrones del oxgeno
tienden a concentrarse en un lugar alejado del hidrgeno. La
diferencia de carga que resulta permite que la molcula se una
dbilmente con otras molculas de agua.

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39
 Figura 2.22 (a) En el
cloruro de polivinilo
(PVC),los tomos de
cloruro fijos a la cadena
polmrica tienen una
carga negativa; los
hidrogenos tienen carga
positiva. Las cadenas
estan unidas debilmente
por enlaces van der
waals, esta unin
adicional hace que el
PVC sea mas rgido. (b)
Cuando se aplica una
fuerza al polmero, los
enlaces de van der
waals se rompen y las
cadenas se deslizan
entre s.
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 Ejemplo 2.9 Determine si la slice est
enlazada en forma inica o covalente
En un ejemplo anterior usamos la slice (SiO2) como ejemplo
de materiales de enlace covalente. En realidad la slice tiene
enlaces inicos y cova lentes. Qu fraccin de los enlaces es
covalente? D ejemplos.
SOLUCION
De acuerdo a la fig. 2-10, se estima que la electronegatividad
es 1.8 y del oxigeno 3.5. La fraccin de los enlaces covalentes
es:
Fraccin covalente = exp[-0.25(3.5 - 1.8)2] = exp(-0.72) =
0.486
Aunque el enlace representa mas o menos la mitad de todos
los enlaces, la naturaleza direccional de ellos sigue
representando un papel muy importante en la estructura final
de SiO2.
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Ejemplo 2.9 SOLUCION (Continuacin)

La slice tiene muchas aplicaciones, se usa en la

fabricacin de vidrios y fibras pticas.
Se agregan nano partculas de slice a los neumticos
para aumentar la rigdez del caucho.
Los cristales de silicio (Si) de alta pureza se fabrican por
reduccin de la slice a silicio.

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42
 Ejemplo 2.10
Estrategas de diseo para las fibras tica de slice

La slice se usa para fabricar tramos largos de fibras

pticas, siendo un material con enlaces covalentes y
inicos, es de esperar que las resistencias de sus
enlaces sea alta. Otros factores como la susceptivilidad
de las superficies de slice para reaccionar con el vapor
de agua de la atmsfera, tienen un efecto adverso sobre
su resistencia. Considerando lo anterior Qu estrategia
de diseo se puede imaginar usted para que las fibras
de slice se puedan doblar en grado considerable sin
romperse?

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43
Ejemplo 2.10 SOLUCION
Con base en el enlace inico y covalente de la slice, se
sabe que los enlaces Si-O son muy fuertes, tambien se
sabe que los enlaces covalentes son direccionales y, en
consecuencia, se puede anticipar que la slice presenta
ductilidad limitada. Por tanto nuestra alternativa de
aumentar la ductilidad de las fibras pticas son
limitadas, por que la composicin es esencialmente fija.
La mayora de los dems vidrios tambien son frgiles.
Podemos pensar que las fibras de slice tengan mejor
ductilidad a mayores temperaturas. Sin embargo hay
que usarlas para fabricar tramos largos de fibras pticas
(la mayoria seran enterradas o tenderan bajo el mar)
en consecuencia no es una opcin prctica mantenerlas
a altas temperaturas.

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44
Ejemplo 2.10 SOLUCION (Continuacn)
Es una propiedad intrinsica del vidrio? O hay
variables externas que causan un cambio en la qumica y
la estructura del vidrio?
Los cientficos e ingenieros de materiales han encontrado
que la falta de ductilidad de las fibras de vidrio ptico se
deben a la falta de capacidad de reaccionar de las capas
de slice con el vapor de agua de la atmsfera. Han
encontrado que el vapor de agua de la atmsfera
reacciona con la superficie de la slice causando
microgrietas en ella. Cuando se someten a esfuerzos
esas grietas crecen con rapidez y las fibras se rompen
con mucha facilidad. Tambin han probado fibras de
slice en el vaco, y encontraron que los niveles a los
cuales se pueden doblar las fibras son mucho mayores.
La solucion es recubrir la superficie con una pelcula de
un polmero. Despus se encapsulan haces de esas
fibras en cables metlicos y se usan en las redes de
fibras pticas.
45
45
 Seccin 2.6 Energa de Enlace y
distancia interatmica
Distancia interatmica La distancia de equilibrio entre
tomos se debe a un balance entre fuerzas de atraccin
y repulsin
Energa de enlace Es la que se requiere para formar o
romper el enlace.
Mdulo de elasticidad Es la pendiente de la curva
esfuerzo-deformacin en la zona elstica, tambin se le
llama mdulo de Young, (E).
Esfuerzo de fluencia Es aquel punto de la fuerza o
esfuerzo en que el material comienza a deformarse con
el mnimo esfuerzo, mantiene una permanente
deformacin.
Coeficiente de dilatacin trmica. El coeficiente de
dilatacin o expansin trmica describe cuanto se dilata
o contrae un material por efecto del cambio de la
temperatura. = (1/L) (dL/dT)
46
46
 Figura 2.23 Los
tomos o los iones
estan separados por
una distancia de
equilibrio que
corresponde a la
energa interatmica
mnima de un par de
tomos o iones,
cuando la fuerza que
atrae o repele a los
tmos es cero.

2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson

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TABLA 2.3 ENERGIAS DE ENLACE PARA LOS
CUATRO MECANISMOS DE ENLAZAMIENTO

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 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson Learning

Figura 2.24 Curva fuerza-distancia para dos materiales,

donde se observa la relacin entre enlazamiento atmico y
mdulo de elasticidad. Una pendiente dFlda muy pronunciada
determina un mdulo grande.

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 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson
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Figura 2.25 Curva de energa intertomica (IAE)en funcin de

la distancia entre dos tomos. Los materiales que tienen una
curva pronunciada con un valle hondo tienen bajos
coeficientes de dilatacin trmica lineal.
50
50
 Ejemplo 2.11
Diseo de un brazo para transbordador espacial
Los transbordadores espaciales de la NASA, tienen un
largo brazo robtico manipulador remoto del
transbordador (Shuttle Remote Manipulator System o
SRMS (Figure 2-26), que permite a los astronautas
lanzar o recuperar satlites. Tambin se usa para ver o
vigilar el exterior del transbordador usando una cmara
de video remota, montada en el. Seleccione un material
adecuado para este dispositivo.

Figura 2.26 El sistema

manipulador remoto del
transbordador de la NASA :
SRMS (para el ejemplo
2.11. Cortesia de Getty
Images)

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Ejemplo 2.11 SOLUCION
Escogeremos dos de las muchas posibilidades para
los materiales:
a. El material debe ser rgido para que no haya
flexin al aplicar una carga, esto permite
manipalar con precisin. Los materiales con
enlaces fuertes y altos puntos de fusin tambien
tienen un mdulo de elasticidad o rigdez alta.
b. El material debe ser ligero, y que permita manejar
grandes cargas. En consecuencia se necesita baja
densidad. ! Se estima que cuesta unos $ 100,000
poner en el espacio el peso de una lata de
gaseosa! En consecuencia, la densidad debe ser lo
mas baja posible.

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Ejemplo 2.11 SOLUCION (Continuacin)
Una buena rigdez se obtiene con metales de alto punto de fusin,
como berilio y tungsteno, con cermicos y ciertas fibras como las
de carbono. Sin embargo, el tungsteno tiene una densidad muy
alta, mientras que los cermicos son muy frgiles. El berilio, que
tiene un mdulo de elasticidad mayor que del acero y una
densidad menor que del aluminio, podra ser un buen candidato,
sin embargo se debe tener en cuenta la toxicidad del Be y sus
compuestos.
El material preferido es un compuesto formado por fibras de
carbono embebido en una resina epoxica. Las fibras de carbono
tiene un mdulo de elasticidad excepcionalmente grande, mientras
combinado con la resina tiene una densidad muy baja. Tambin se
debe tener presente otros factores, como la exposicin a
temperaturas muy bajas y altas, tanto en el espacio como en la
tierra. El brazo robotico actual tiene 15 m de largo, 38 cm de
dimetro y pesa 410 kg. En el espacio puede manipularse pesos
de hasta 260 tn.

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