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Universit Hassan II de Casablanca

Facult des Sciences et Techniques


Dpartement de Gnie Electrique

Electronique de puissance
LST GEII - 2015/2014

Y. SAYOUTI
Plan
Chap1: Gnralits
Chap2: Composants de lEP
Chap3: Redresseurs
Chap4: Hacheurs
Chap5: Onduleurs
Chap6: Gradateurs

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Chapitre 1

Gnralits sur llectronique de


puissance
Gnralits sur llectronique de
puissance
Llectronique de puissance a pour objet de modifier la prsentation de lnergie
lectrique par des moyens statiques dans le but dutiliser cette nergie avec le
rendement maximum.
Cette nouvelle technique aussi appele lectronique des courants forts se situe
entre lectronique gnrale et l'lectrotechnique classique.
La gamme de puissance des montages de llectronique de puissance va de
quelques watts (variateur de vitesse de moteur de ventilateur lectrique
prsent dans les ordinateurs domestiques) plusieurs gigawatts (liaisons
courant continu trs haute tension pour linterconnexion de rseaux
lectriques).
Les moyens statiques dont il est question dans la dfinition sont, d'une part, les
composants lectroniques non commands (diodes), ou commands
(thyristors, transistors, Triacs, GTO,...) et d'autre part, les lments statiques de
l'lectrotechnique classique (inductances, condensateurs, transformateurs, ...)

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Gnralits sur llectronique de
puissance
En quoi l'lectronique de puissance diffre-t-elle d'lectronique gnrale ?

Dans un quipement de l'lectronique gnrale, l'lment actif travaille en


modulation. La performance que le concepteur recherche est le coefficient de
l'amplification ou gain; rapport entre les niveaux des signaux de sortie et
d'entre.

Vi Ampli Vo

Amliorer le gain
Source Puissance
dnergie

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Gnralits sur llectronique de
puissance
En quoi l'lectronique de puissance diffre-t-elle d'lectronique gnrale ?

Dans un quipement de l'lectronique de puissance, l'lment actif travaille


en commutation (fonctionnement par tous ou rien). La performance
recherche dans l'laboration du convertisseur est le rendement.
Puissance

Convertisseur
Pei Peo
de puissance

Amliorer le rendement

Circuit de
comande
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Gnralits sur llectronique de
puissance
Ncessit de la conversion dnergie
Les diffrents rseaux lectriques industriels alimentent de nombreux
actionneurs. Cette nergie apparat sous deux formes :
alternative (tensions ou courants sinusodaux valeur moyenne nulle)
continue.
Suivant le type dactionneur, il est ncessaire dadapter la forme de lnergie
fournie par le rseau.

Source Action sur la valeur moyenne Rcepteur


continue Hacheur continue

Redresseur Onduleur

Source Rcepteur
Alternative Action sur la valeur efficace Alternatif
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Gnralits sur llectronique de
puissance
Mode de conversion alternatif- continu (AC-DC)
Redresseurs diodes

Uo

Ui Um
~
fi Uo

Io
Ils imposent une tension de sortie fixe.

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Gnralits sur llectronique de
puissance
Mode de conversion alternatif- continu (AC-DC)
Redresseurs thyristor

Ils sont composs de thyristors


Uo

Ui Um
~
fi Uo
Io
- Um

Ils permettent de varier la tension de sortie de Um - Um.

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Gnralits sur llectronique de
puissance
Mode de conversion alternatif- continu (AC-DC)
Redresseurs Mixtes

Ils sont composs de diodes et thyristors

Uo

Ui Um
~
fi Uo

Io
Ils permettent de varier la tension de sortie de 0 Um.

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Gnralits sur llectronique de
puissance
Mode de conversion alternatif- continu (AC-DC)
Onduleurs non autonomes:

ces montages sont composs uniquement de thyristors et pour pouvoir


fonctionner en onduleur, il faut que la tension de sortie soit ngative et la
charge soit capable de fournir de l'nergie et en mesure d'absorber le
courant de sortie positif. Uo

Um
Ui
~
fi Uo
Io
- Um

Ils permettent de varier la tension de sortie de Um - Um.


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Gnralits sur llectronique de
puissance
Mode de conversion continu- continu : Hacheur

En faisant varier le signal de commande de faon continue, il est possible de


faire varier la valeur moyenne de la tension de sortie soit :
de 0 la tension d'entre Ei (hacheur srie),
de Ei une autre tension suprieure Ei (hacheur parallle).
Ces montages sont quivalent un transformateur de tension en alternatif.

Ei Hacheur Eo

Circuit de Commande

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Gnralits sur llectronique de
puissance
Mode de conversion continu- alternatif: Onduleur autonome.

Ces montages permettent de produire une tension de sortie dont la forme


d'onde et la frquence sont tout fait indpendante du rseau.

Mode de conversion alternatif- alternatif.

On distingue deux types de conversion:


Gradateur: ces montages permettent la variation de la valeur efficace de la
tension de sortie dont la frquence est celle du rseau.
Cycloconvertisseur: ces montages permettent d'avoir une tension de sortie
dont la forme d'onde et la frquence sont diffrends des celles du rseau.

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Chapitre 2

Composants actifs
Composants actifs
Le principe des convertisseurs consiste faire commuter des courants entre
mailles adjacentes, ce qui ncessite l'emploi de composants permettant de
raliser la fonction interrupteur.

Idalement:
- l'interrupteur ferm aura une tension pratiquement nulle ses bornes alors
que le courant sera fix par le reste du dispositif.
- l'interrupteur ouvert aura une tension impose par l'extrieur ses bornes,
mais ne sera travers par aucun courant.

On distinguera les actions (blocage ou amorage) commandes (grce un


signal lectrique extrieur) des actions spontanes (suite l'annulation ou au
changement de signe d'une tension ou d'un courant par exemple).

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Composants actifs
- Diode -
Cest un composant unidirectionnel qui nest pas commandable, ni la
fermeture, ni louverture.
Elle nest pas rversible en tension et ne supporte quune tension anode-
cathode ngative (VAK < 0) ltat bloqu.
Elle nest pas rversible en courant et ne supporte quun courant dans le sens
anode-cathode positif ltat passant (IAK > 0).

La diode permet de raliser des montages redresseurs en monophas ou en


triphas. La tension continue obtenue en sortie du redresseur possde une
valeur moyenne constante.
En lectronique de puissance, on emploie que le modle le plus simple de la
diode, celle-ci est un interrupteur qui se ferme si VAK > 0 et qui est ouvert
sinon.

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Composants actifs
- Diode -
Critres de choix dune diode
Avant tout dimensionnement en vue de choisir les composants, ltude du
fonctionnement de la structure de conversion dnergie permet de tracer les
chronogrammes de VAK et IFav .
Ce sont les valeurs extrmes de ces grandeurs qui sont prises en considration :
la tension inverse de VAK ltat bloqu ;
la valeur moyenne de I FAV ltat passant ;
ventuellement le courant maximum rptitif (sans dure prolonge) IFSM.
Par scurit, on applique une marge de scurit pour le dimensionnement de
ces grandeurs, de 1,2 2.

Cest avec ces valeurs que le choix du composant est ralis.

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Composants actifs
- Diode -
Caractristiques statiques dune diode

La diode est linterrupteur lectronique non command ralisant les


fonctions suivantes :
Ferm dans un sens (direct),
Ouvert dans lautre (inverse).

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Composants actifs -
Diode

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Composants actifs
- Diode -
Caractristiques dynamiques dune diode
Dans la majorit des applications, les diodes sont utilises en redressement ou
en commutation ; Elles sont alternativement rendues conductrices ou
bloques. Il est donc important de connatre le comportement dune diode lors
de ltablissement du courant et du blocage.
Commutation ltablissement

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Composants actifs
- Diode -
Pertes dnergie en commutation la fermeture.
=

= t

Lnergie dissipe dans la diode au cours de la transition est :

1
= = +
0 2
Si la fermeture est idale

= = =
0
Les pertes dnergie supplmentaire sexprime donc par :
1
= =
2
La puissance supplmentaire dveloppe dans le composant se calcule par :
1
() =
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Composants actifs
- Diode -
Commutation au blocage
Lorsquon applique brusquement une tension inverse aux bornes dune diode
en commutation, on constate quelle ne se bloque pas instantanment.

Il scoule en effet un certains temps avant quelle ne retrouve son pouvoir de


blocage, cest le temps de recouvrement inverse trr.

charges emmagasines dans la diode durant la


conduction

Pendant la commutation, une partie de


ces charges svacue par recombinaison
spontane de ce cristal. Lautre partie,
appele charge recouvre QR est vacue
par le courant inverse circulant dans la
Y.diode.
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Composants actifs
- Diode -
Les pertes par commutation entranes par ce recouvrement sont
proportionnelles la frquence de commutation et peuvent sexprimer, en
premire approximation, par :

=
Avec = +

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Composants actifs
- Diode -

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Composants actifs
- Thyristor -
Le thyristor (SCRsilicon controlled rectifier) est un composant command la
fermeture, mais pas louverture.

Critres de choix dun thyristor


Les critres principaux de choix dun thyristor sont :
I0 : le courant direct moyen ltat passant
IT (RMS) :le courant efficace ltat passant
VRM: la tension inverse de crte rptitive
VDRM : la tension directe de crte rptitive ltat bloqu
Les temps damorage et de dsamorage

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Composants actifs
- Thyristor -
Caractristique statique

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Composants actifs
- Thyristor -
Caractristique statique des thyristors
Un thyristor possde deux tats stables :

Etat bloqu : Un thyristor est bloqu dans deux situations :


- Il est polaris sous tension ngative VAK<0; il peut supporter une tension
inverse VRRM ou VRROM en rgime rptitif ou VRSM en rgime non rptitif.
- Il est polaris en direct VAk> 0 mais lintensit du courant de gchette iG est
insuffisante pour avoir le courant anodique en-dessous du courant de
maintien ITh.

Etat passant : On lobtient si le thyristor, initialement polaris en direct


(VAK>0), reoit une impulsion de courant iG suffisante.

Le thyristor peut samorer par une croissance trs rapide de la tension


directe VAk
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Composants actifs
- Thyristor -
Caractristique dynamique des thyristors
Amorage
tON = td + tr + tp
tON : temps dtablissement
Td: : temps de retard lenclenchement
Tr: temps de croissance
Tp: temps de peak

Blocage
Identique une diode de puissance

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Composants actifs
- Thyristor -

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Composants actifs
- GTO -
Seuls les thyristors GTO (gate turn off) peuvent tre bloqus par une
impulsion ngative sur la gchette alors quils sont passants.

Pour le thyristor, le blocage se fait par suppression du courant dans le circuit


principal (extinction naturelle),
ou par mise sous tension inverse ( extinction force) laide dun circuit de
blocage.

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Composants actifs
- GTR -
Le GTR est un transistor jonction bipolaire qui peut supporter des
tensions et des courants forts,
Il est aussi appel BJT de puissance ( transistor bipolaire de puissance).
Cest un composant compltement command lamorage et au blocage.

En lectronique de puissance en fait fonctionner le transistor en


commutation,

Amorage : VCE > 0 ET IB > 0 (amorage command)


Blocage : IB = 0 OU VCE << 0 (blocage command)
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Composants actifs
- GTR -
Caractristique statique:

Le transistor fonctionne en deux Zones:


(1) Zone de saturation
(2) Zone de blocage
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Composants actifs
- GTR -
Caractristique dynamique:
Amorage
Lamorage est caractris :
Un temps de retard td delay
time entre linstant
dapplication de iB et le
passage de iC 10% de sa
valeur finale,
Un temps de monte r t rise
time entre linstant de
passage de B i entre 10% et
90% de sa valeur finale.

Le constructeur indique le temps


de fermeture ton = td + tr
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Composants actifs
- GTR -
Blocage
Le blocage est caractrise :
- Un temps dvacuation de la
charge stocke ts storage time
entre la
suppression de iB et le passage
de c i 90% de sa valeur initiale,
- Un temps de descente tf fall
time entre linstant de passage
de iB
entre 90% et 10% de sa valeur
initiale.
Le constructeur indique le temps
douverture toff = ts + tf .
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Composants actifs
- Power MOSFET -
Le transistor effet de champ grille isol (MOS) est un composant
totalement command la fermeture et louverture. Cest le composant le
plus rapide se fermer et souvrir. Il est classiquement utilis jusqu 300
kHz, voire 1MHz.

Cest un composant trs facile commander. Il est rendu passant grce une
tension VGS positive (de lordre de 7 V 10 V). La grille est isole du reste du
transistor, ce qui procure une impdance grille-source trs leve. La grille
nabsorbe donc aucun courant en rgime permanent. Cela nest pas vrai lors
des commutations.
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Composants actifs
- Power MOSFET -
La jonction drain-source est alors assimilable une rsistance trs faible : RDSon
de quelques m. On le bloque en annulant VGS, RDS devient alors trs leve.

Les MOS les plus courants supportent des tensions allant jusqu 500 V. On
trouve des MOS pouvant supporter jusqu 1400 V.

Le MOS nest intressant pour les tensions leves que dans le cas des
convertisseurs de faible puissance (< 2kW) ou lorsque la rapidit est
indispensable.

Le grand avantage du transistor MOS est quil se commande seulement avec


une tension. En rgime permanent, aucun courant nest ncessaire pour le
maintenir satur.

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Composants actifs
- Power MOSFET -
Caractristique statique:

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Composants actifs
- Power MOSFET -
On remarque deux zones sur ce rseau :
une zone faible tension VDS et fort courant ID dans laquelle le MOS se
comporte comme une rsistance RDS on.
une zone tension VDS plus leve dans laquelle le courant drain ID est
quasiment indpendant de la tension VDS . Cette zone est la zone de
fonctionnement en amplification (fonctionnement linaire).

Le paramtre RDSon est extrmement important pour les applications de


commutation de puissance puisqu'il dtermine les pertes l'tat passant.

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Composants actifs
- Power MOSFET -
Caractristique dynamique:
Amorage
la fermeture (ou turn on) :
ton = td(on) + tr.
td(on) : temps de retard la fermeture. S'il
est nanmoins bien infrieur celui des
bipolaires, sa valeur n'est pas ngligeable.
Il est mesur entre les 10% de la tension
VGS et les 90% de VDS.

tr : temps de croissance du courant ID (ou


de descente de la tension drain-source
sur charge rsistive). Il est mesur entre les
90% et les 10% de la tension VDS

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Composants actifs
- Power MOSFET -
Caractristique dynamique:
Blocage
l'ouverture ( ou turn off) :
toff = td(off) + tf
td(off) : temps de retard l'ouverture.
Il est mesur entre les 90% de la tension
VGS et les 10% de la tension VDS

tf : temps de descente du courant drain ID.


Il est mesur entre les 10% et les 90% de la
tension VDS (sur charge rsistive).

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Composants actifs
- IGBT-
LIGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) est lassociation des deux
transistors MOSFET et le BJT.
Cette combinaison permet davoir les avantage de lun et de lautre:
Le BJT
- une faible tension de dchet ltat passant
- le pouvoir de commuter de forts courants,
- mais il ncessite une puissance de commande non ngligeable et sa
frquence de travail est relativement basse.
Le MOS,
- connu pour ses frquences de travail plus leves
- une puissance de commande presque nulle,
- limit par sa tension de dchet qui est importante pour des dispositifs
mettant en jeu des hautes tensions (quelques centaines de Volts).

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Composants actifs
- IGBT-

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Composants actifs
- IGBT-
Caractristique dynamique et statique

Elles sont similaire un MOSFET

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Composants actifs
- Pertes-
Pertes statiques

Les pertes statiques valent :


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Composants actifs
- Pertes-
Pertes dynamiques

Les nergies dissipes pendant les commutations valent :

Les pertes dynamiques valent :


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Composants actifs
- comparaison-

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Composants actifs
- Applications-

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Protection des composants
Protection contre les surintensits
Cette protection est assure par un fusible ultra rapide (UR) dont la
contrainte thermique (I.t ) est plus faible que celle du composant, si bien
quil fond avant le composant.

Protection contre les surtensions


Les surtensions peuvent tre attnues en insrant un circuit RC-srie en
parallle avec le commutateur ou un lment non linaire supplmentaire,
la diode transil : place en parallle avec llment ou en tte de
linstallation, elle dissipe lnergie de la surtension.

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Protection des composants
Protection contre les dv/dt et di/dt
Les semi-conducteurs sont trs sensibles aux variations brutales de tension
et de courant qui apparaissent lors des commutations.

Contre les variations de courant, on utilise une inductance, qui retarde


ltablissement du courant, tandis que le condensateur bypasse la
variation de tension trs rapide.

Pour amortir les oscillations induites par le circuit LC, les circuits daide la
commutation (CALC ou snubber) ou adoucisseurs sont insrs.

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Protection des composants
Aire de scurit en direct
Un composant de puissance ne peut pas faire passer un courant infini, ni
supporter des tensions infinies. On dfinit une aire de scurit en direct (Safe
Operating Area SOA) qui correspond aux performances maximum du
composant.
Elle se dcoupe en 3 parties :
1. Limitation du courant maximum par la section des connexions de sortie;
2. limitation par la puissance maximum que peut dissiper le composant
IAK x VAK < Pmax ;
3. limitation par lavalanche (tension inverse maximum).

Ces trois paramtres sont essentiels pour le choix dun composant de


puissance.

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Protection des composants
SOA

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Refroidissement des semi-conducteurs
L'vacuation des pertes dans les semi-conducteurs est un point dlicat car
celles-ci sont concentres dans la puce de silicium. Dans la majorit des cas,
un radiateur est ncessaire pour vacuer vers l'extrieur ces pertes, radiateur
ailettes ou bien par circulation d'un fluide en fortes puissances.

Le contrle de la
temprature des jonctions
des semi-conducteurs est
primordial pour garantir le
bon fonctionnement de
lensemble.

En particulier, il faut assurer :


- une temprature de jonction maximale de 125C ou 150C pour le silicium,
- des variations de tempratures damplitude rduite pour minimiser les contraintes
mcaniques.
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Refroidissement des semi-conducteurs
Rsistance thermique
Le semi-conducteur est caractris par sa rsistance thermique entre la puce
de silicium et son botier qui sera fix au radiateur.
Cette rsistance thermique dpend essentiellement de la surface de la puce et
de la prsence ou non d'un isolant lectrique.
Le calcul de la rsistance thermique s'effectue, en rgime tabli, de faon
classique en utilisant le modle lectrique quivalent bas sur les rsistances
thermiques.

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Drivers
Thyristor
Signal continu

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Drivers
Thyristor
Oscillateur UJT

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Drivers
Thyristor

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Drivers
Thyristor
Signal alternatif

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Drivers
Thyristor
Connection srie - parallle

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Commutation force du Thyristor
Class C

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Commutation force du Thyristor
Class D

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Commutation force du Thyristor
Class E

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Drivers
MOSFET -IGBT

TTL

CMOS
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Drivers
MOSFET -IGBT

Circuits Linaires

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Drivers
MOSFET -IGBT

Isolation Transfo dimpulsion

Isolation Optocoupleur
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