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Dpartement de chimie, FS

2017 M1. Chimie des matriaux


Dr. Halladja

Semi-conducteurs
et leurs applications
Traitement dair

Settara khaoula & Karoui Khouloud


Settara Khaoula & Karoui Khouloud 06/01/2017
Plan de lexpos
Introduction
Principe
Exemple: Le dioxyde de titane TiO2
Composs dgrads par oxydation photocatalytique
Paramtres physiques influenant la photocatalyse
Les capteurs de gaz
Caractristique dun capteur de gaz
Principe de fonctionnement
Proprit de dtection
Matriaux choisis pour la dtection de gaz
Rfrence
Introduction:
Purification de l'air, limination des odeurs,
nettoyage des revtements de surface, limitation
de la prolifration bactrienne en milieu
hospitalier et mdical, purification de l'eau, Les
applications industrielles de la photocatalyse
sont nombreuses aujourd'hui.

Exemples des polluants chimiques.

POLLUANTS INORGANIQUES POLLUANTS ORGANIQUES

Sulphure d'Hydrogne (H2S) Composs Organiques Volatils (COVs)


Oxydes d'Azote (NOx) Hydrocarbures Aromatiques Polycycliques
Dioxyde de Souffre (SO2) (HAPs)
Principe:
C'est l'absorption d'un photon, dont l'nergie est suprieure au gap entre
la bande de valence et la bande de conduction, On a donc l'mission
d'un lectron au niveau de la bande de conduction et la formation d'un
trou sur la bande de valence. Cette paire lectron-trou va permettre la
formation de radicaux libres qui vont soit ragir avec des composs
prsents dans le milieu ou alors se recombiner suivant divers
mcanismes.
Exemple: Le dioxyde de titane TiO2

O2, accepteurs

Rduction: e- + R R.

Formation
hn: 400 nm

O2-, HO2, OH,R +


despces
e- oxydantes en
surface
e-/h+

Bande de conduction
Dgradation des
e-
molcules prsentes
proximit de la
3.2 eV h+
surface

h+
Oxydation: h+ + D D+
Bande de valence

H2O, donneurs
Domaines dapplication

Photocatalyse au contact de TiO2 :


Dpollution de leau (insecticides, herbicides, colorants)
Purification de lair (Composs Organiques Volatiles )
Verres et matriaux autonettoyants

Proprits photolectrochimiques de TiO2 :


Systmes lectrochromes et photochromes
(affichage d'information, vitrages et filtres teinte modifiable ou auto-
adaptatifs, stockage d'information).
Photovoltaque, Photobatterie,
Photolectrolyse de leau.
Composs dgrads par oxydation photocatalytique
Inorganiques Organiques
H2S + 2 O2 SO42- + 2 H+ Tous les composs organiques
SH- + 2 O2+ SO42- + H+ (alcanes, alcools, aldhydes,
ctones, aromatiques,)
S2- + 2 O2 SO42-
Composs organiques + O2
SO32- + 1/2 O2 SO42-
.. CO2 + H2O
S2O32- + 2 O2 + H2O 2 SO42- + 2 H+
NO2- + 1/2 O2 NO3-
NH4+ + 1/2 O2 + H2O NO3- + 2 H2O + 2 H+
H3PO3 + 1/2 O2 H3PO4
CN- + 1/2 O2 OCN- [ OCN- + 2 H2O CO32- + NH4+]
Paramtres physiques influenant la photocatalyse

r A
r B

mopt
EG

EG
m

r log r r
C D E
E a = Et
0 R F
R F
1/2

r = k[KC/(1+KC)]
Ea = E t - Ea = Et + aQP
aQA
C0
1/t (C) F
80C 20C

(A): masse de catalyseur; (B): longueur donde;


(C): concentration initiale en ractif; (D): temprature;
(E): flux photonique.
Les capteurs de gaz
"Un capteur chimique est un
composant qui transforme une
information quantitative ou
qualitative en un signal
lectrique reprsentant une
interaction chimique ou un
processus entre le gaz analys
(analyte) et le composant".
Cette dfinition est
reprsente schmatiquement.

CAPTEURS DE GAZ A BASE D'OXYDE METALLIQUE SEMICONDUCTEUR


Caractristique dun capteur de gaz

Sensibilit

Temprature de Stabilit
fonctionnement

Capteur
de Gaz

Temps de
Slectivit
repense
Principe de fonctionnement

Proprit de dtection

Il faut inclure deux influences principales dans les proprits de dtection :


influence de la temprature : la temprature joue un rle crucial car cest elle qui
fournit lnergie ncessaire la chimisorption.
influence de l'humidit : les molcules deau peuvent sadsorber la surface de
loxyde mtallique semi-conducteur et conduire la formation despces chimiques
trs ractives.
Matriaux choisis pour la dtection de gaz

Oxyde d'Etain (SnO2) : Oxyde de Tungstne Oxyde de Zinc (ZnO)


L'oxyde d'tain (IV) ou (WO3) : ZnO est un
SnO2 est un semi- WO3est un semi- semiconducteur de type
conducteur large conducteur de type n n (3.37eV), mais ZnO de
bande interdite (3.6eV) (2.7eV) de structure type p a aussi t
qui a seulement une provskite (ABO3) obtenu sous des
phase stable, nomme conditions spcifiques
cassitrite (forme Chaque ion tungstne de synthse . La phase
minrale), ou rutile est entour par six stable de ZnO est la
(structure atomes d'oxygne structure hexagonale
cristallographique). formant un octahdre. wurtzite.
Installation de production de semi-conducteurs et systemes
de traitement a recyclage des effluents gazeux

L'invention concerne des appareils et des procds pour l'utilisation des


effluents gazeux recycls dans des systmes de production de semi-
conducteurs, cette utilisation se faisant d'une faon rduisant
sensiblement la charge en effluents du systme de traitement d'effluents
gazeux et de l'infrastructure de l'installation de traitement de semi-
conducteurs. Un autre aspect de l'invention concerne une installation de
traitement pour la production de semi-conducteurs ncessitant
l'utilisation de l'air vacu pour fonctionner, une telle installation
comprenant une salle propre et une salle grise, la salle propre comprenant
au moins un outil de production de semi-conducteurs et une rgion de
cette salle propre tant traverse par l'air vacu. L'installation de
traitement pour la production de semi-conducteurs comprend un appareil
de traitement d'air vacu dispos pour (i) recevoir l'air vacu aprs qu'il
a travers ladite rgion de ladite salle propre, (ii) produire de l'air vacu
trait et (iii) renvoyer l'air vacu trait dans l'air ambiant de l'installation,
par exemple dans la salle grise de l'installation.
Rfrence:
-Capteurs de gaz semi-conducteurs par Marc DEBLIQUY

Stetter JR, Penrose WR and Yao S, Sensors, chemical sensors, electrochemical sensors and ECS, Journal
of the Electrochemical Society, 2003

Capteurs chimiques pour la dtection dexplosifs par Pierre MONTMEAT, Frdric THERY-MERLAND et
Lionel HAIRAULT

Techniques de lIngnieur : Mtrologie relative aux gaz

Marc J. Ledoux La photocatalyse pour dpolluer lair intrieur