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Amplificador

ptico de
semiconductor
ALUMNO: SNCHEZ HUACHES JOSE
CDIGO: 20100350H
CURSO: DISPOSITIVOS ELCTRNICOS
Descripcin general de un SOA

Esta
consiste en una heterounin p-n alimentada elctricamente en la que la
luz se confina en la gua de onda activa y es amplificada a su paso por la
cavidad.
Las caras de entrada y salida tienen un tratamiento antirreflejante (R< a fin
de evitar la realimentacin ptica que es la principal diferencia con el lser de
semiconductor.
De hecho, el SOA es tambin conocido como SLA, por Semiconductor Laser
Amplifier
La corriente elctrica permite disponer de una gran concentracin de
portadores en la cavidad activa con lo que se consigue inversin de poblacin
y con ello ganancia ptica debido a la emisin estimulada.
Existen mltiples tipos de SOA que presentan diferentes propiedades segn el
diseo de su cavidad activa. La estructura ms sencilla de SOA es aquella en
la que la cavidad activa est formada por semiconductor masivo (bulk en la
literatura en ingls), es decir, la totalidad de la gua onda (de dimensiones
tales que el dispositivo sea monomodo) est compuesta por un solo tipo de
semiconductor
Descripcin general de un SOA
Fenmenos entre bandas de
energa
Las transiciones electrnicas entre las bandas de energa en el
SOA se clasifican en transiciones inter-banda y transiciones intra-
banda.
Las primeras implican recombinaciones entre la banda de
conduccin (BC) y la banda de valencia (BV). Y las transiciones
de intra-banda implican recombinaciones dentro de la misma
banda, por lo que los tiempos de relajacin son menores.
Fenmenos intra-bandas

Los fenmenos intra-banda son procesos que afectan la distribucin de


portadores en las bandas de energa (distribucin de Fermi) sin afectar a la
concentracin global de portadores
Los procesos intra-banda mas relevantes son:
Proceso CH (Carrier Heating): Hace referencia al fenmeno por el cual la
temperatura de los portadores es mayor que la temperatura de red (lattice
temperature). Este fenmeno tiene gran influencia sobre los procesos
fsicos que inducen compresin de ganancia y que reducen la velocidad
mxima de modulacin del SOA,
Proceso SHB (Spectral hole-burning): El pulso ptico estimula los
portadores que se recombinan en un rango reducido en torno a la energa
del fotn del pulso, lo que crea un hueco en la distribucin (el pulso ptico
tambin actuar sobre la emisin estimulada por lo que reducir la
densidad total de portadores en la banda).
Fenmeno inter-banda

En los procesos inter-banda los portadores pasan de una banda de energa a otra.
Estos procesos pueden ser radiativos o no radiativos. En los proceso radiativos, un
electrn de la banda de conduccin se recombina con un hueco de la banda de
valencia liberando o consumiendo energa, lo que produce una variacin de la
cantidad total de portadores y tiene como resultado la saturacin de la ganancia.
Procesos radiativos:
Emisin estimulada: Un fotn que incide en la gua de onda semiconductora
provoca el paso de un portador de la banda de conduccin a la banda de
valencia, lo que genera un nuevo fotn que tiene la misma frecuencia y fase
que el fotn que desencadena el proceso. Este fenmeno es el que da origen a
la amplificacin.
Emisin espontnea: En el proceso de emisin espontnea los electrones
excitados que se encuentran en la BC pierden su energa y pasan a la BV, de
manera que liberan un fotn de frecuencia y fase aleatoria
SOA como elemento no lineal

Los SOAs inicialmente se disearon para su utilizacin como


amplificadores de seal ptica en la transmisin por fibra.
Posteriormente, fueron desplazados por los amplificadores de fibra
dopada con Erbio (EDFA) debido a que la ganancia de los SOAs tiene
un comportamiento no lineal que deteriora la capacidad de
transmisin de los sistemas. De hecho, han surgido diversas
aplicaciones derivadas de esta no linealidad como la conversin en
longitud de onda en nodos WDM, la realizacin de puertas lgicas
pticas, generacin de pulsos.
Los principales fenmenos no lineales existentes en el SOA son la
modulacin cruzada de ganancia XGM (cross gain modulation), la
modulacin cruzada de fase XPM (coss phase modulation) y mezcla
de cuatro ondas FWM (four wave mixing).
SOA como elemento no lineal


Cuando la potencia de entrada al SOA alcanza cierta potencia de
saturacin, la ganancia del amplificador disminuye, donde la
potencia de saturacin viene definida como la potencia a la cual la
ganancia decrece 3dB respecto a la ganancia de pequea seal
(ganancia mxima), e indica el lmite superior de operacin lineal
del SOA. Segn Agrawai:

donde g es la ganancia, la ganancia lineal no saturada y P la


potencia de entrada al SOA.
SOA como elemento no lineal
La caracterstica no lineal de la ganancia se traduce en que una seal modulada en amplitud,
con suficiente potencia media como para saturar el amplificador, experimenta distinta
ganancia segn su nivel de potencia instantnea. Cuando junto con la seal de bombeo
inyectamos al SOA una seal de onda continua. Cuando la potencia de la seal de entrada es
mxima, la potencia total de entrada al SOA es mxima, y ambas seales experimentan una
ganancia