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silicio Germanio.
La materia prima se somete primero a una serie de
reacciones químicas y a un proceso de refinación de
zona para formar un cristal poli cristalino del nivel
deseado de pureza. Los átomos del cristal poli
cristalino se acomodan al azar, mientras que en el
cristal deseado los átomos se acomodan en forma
simétrica, uniforme, con estructura geométrica en
enrejado.
La operación final antes de que la fabricación
del semiconductor se lleve a cabo es la
formación de un solo cristal de germanio o
silicio. Esto se puede lograr usando la técnica
de Czochralski o la de zona flotante, la última
es la que se ha diseñado recientemente. El
aparato empleado en la técnica de Czochralski
se muestra en la siguiente diapositiva.
Este método es utilizado para la
obtención de silicio monocristalino
mediante un cristal semilla depositado
por un baño de silicio. Es de amplio uso
en la industria electrónica para la
obtención de wafers u obleas, destinadas
a la fabricación de transistores y circuitos
integrados.
El método consiste en tener un crisol (generalmente de
cuarzo) que contiene el semiconductor fundido, por
ejemplo germanio. La temperatura se controla para que esté
justamente por encima del punto de fusión y no empiece a
solidificarse. En el crisol se introduce una varilla que gira
lentamente y tiene en su extremo un pequeño monocristal
del mismo semiconductor que actúa como semilla. Al
contacto con la superficie del semiconductor fundido, éste
se agrega a la semilla, solidificándose con su red cristalina
orientada de la misma forma que aquella, con lo que el
monocristal crece. La varilla se va elevando y, colgando de
ella, se va formando un monocristal cilíndrico. Finalmente se
separa el lingote de la varilla y pasa a la fusión por
zonas para purificarlo.
El proceso parte de un cilindro de silicio
policristalino
Se sostiene verticalmente y se conecta uno de sus
extremos a la semilla
Una pequeña zona del cristal se funde mediante un
calentador por radio frecuencia que se desplaza a lo
largo de todo el cristal desde la semilla
El Si fundido es retenido por la tensión superficial
entre ambas caras del Si sólido
Cuando la zona flotante se desplaza hacia arriba, el
silicio monocristalino se solidifica en el extremo
inferior de la zona flotante y crece como una
extensión de la semilla
• Las obleas de Si se montan en un carrete de cuarzo
• Este se mete dentro de un tubo de cuarzo situado dentro de un
horno de apertura cilíndrica calentado por resistencia
Oxidación Húmeda
Se introduce vapor de agua en el horno
Si(s) +2H2O(g) → SiO2(s) + 2H2(g)
Es mucho mas rápida y se utiliza para crear óxidos gruesos
Oxidación seca
Se introduce gas de oxigeno puro
Si(s) + O2(g) → SiO2(s) + 2H2(g)
Se consiguen óxidos de mayor calidad pero es más lenta
Esta técnica no es apropiada para la creación de óxidos gruesos ya que se
puede producir una redistribución de las impurezas introducidas en los
anteriores procesos
Tipos de Hornos
Horno vertical
Horno horizontal
Se cubre la oblea con una fotoresina
+o-
Se hace incidir luz U.V. a través
de una mascara
Se elimina la fotoresina no
polimerizada con tricloroetileno
(a) Húmedo:
• Baño de ácido fluorhídrico o
clorhídrico que ataca SiO2 no
protegido, pero no ataca al Si.
• Gran selectividad
• Problema: ataque isotrópico igual
en todas las direcciones
(b) Seco:
• Se usa un plasma con un gas ionizado
• Grabado Físico o químico
• Ataque anisótropo
• Menor selectividad
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4) Impurificación (adición de dopantes)
Difusión
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a) Con fuente ilimitada: cuando se mantiene la misma
concentración de impurezas durante el proceso
b) Con fuente limitada: se parte de una concentración inicial y no
se añaden mas dopantes
Normalmente se usan los dos métodos uno seguido del otro.
La profundidad de la difusión dependerá del tiempo y de la
temperatura.
La concentración de dopante disminuye monótonamente a medida
que se aleja de la superficie.
La técnica de difusión tiene el problema de que las impureza se
difunden lateralmente
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