PROPIEDADES FUNCIONALES DE LOS MATERIALES

• Propiedades eléctricas
• Propiedades térmicas
• Propiedades magnéticas
• Propiedades ópticas

Chapter 19 -
 Conducción Eléctrica

• Ley de Ohm:

Caída de voltaje V=IR

(volts = J/C)
C = Coulomb
Resistencia
(Ohms=V/A))

I=corriente (amps = C/s)

Ohm=J*s/C2

Chapter 18 - 2
 Conducción Eléctrica

• Resistividad, ρ (.m):
-- Una propiedad del material
independiente de la geometría
Área de sección
de la muestra
Transversal al flujo de
corriente

Longitud donde se
mide el Voltaje
• Conductividad, σ

Chapter 19 - 3
 Electrical Properties
• Cuál tendrá la mayor resistencia?
2
D

2D

• Análogo al flujo de agua en una tubería.

• La resistencia depende de la geometría y
tamaño de la muestra.

Chapter 18 - 4
 Conductividad: Comparación
• Valores a temperature ambiente (Ohm-m)-1 = (Ω - m)-1
METALES CONDUCTORES CERÁMICOS
-10
Plata 6.8 x 10 7 Soda-lime glass 10 -10-11
Cobre 6.0 x 10 7 Concreto 10 -9
Hierro 1.0 x 10 7 Aluminum oxide <10-13

SEMICONDUCTORES POLíMEROS
-14
Silicio 4 x 10 -4 Poliestireno <10
Germanio 2 x 10 0 Polietileno 10-15-10-17
GaAs 10 -6
SEMICONDUCTORES AISLANTES

Selected values from Tables 18.1, 18.3, and 18.4, Callister & Rethwisch 9e. Chapter 18 - 5
Ejemplo: Problema de Conductividad
Cuál es el diámetro mínimo (D) de un alambre de Cu para aplicar
un voltaje V < 1.5. La conductividad de Cu es 6.07 x 107 (Ohm-m)-1
= 100 m
- I = 2.5 A +
Alambre de Cu
V

100 m
< 1.5 V

2.5 A
pD 2
4 6.07 x 107 (Ohm-m)-1
Resolviendo se obtiene que D > 1.87 mm

Chapter 18 - 6
Ejemplo: Problema de Conductividad
Cuál es el diámetro mínimo (D) de un alambre de Cu para aplicar
un voltaje V < 1.5. La conductividad de Cu es 6.07 x 107 (Ohm-m)-1
= 100 m
- I = 2.5 A +
Alambre de Cu
V

100 m
< 1.5 V

2.5 A
pD 2
4 6.07 x 107 (Ohm-m)-1
Resolviendo se obtiene que D > 1.87 mm

Chapter 18 - 7
Estructura de bandas de energía
de electrones

Adapted from Fig. 18.2, Callister & Rethwisch 9e.

Chapter 18 - 8
Representación de Estructuras de
Bandas

Fig. 18.3, Callister &

Rethwisch 9e.

Chapter 18 - 9
Conducción & Transporte de Electrones
• Metales (Conductores):
-- Para metales los estados de energía vacíos están
adyacentes a los estados llenos
Bandas parcialmente Bandas Solapadas
llenas
-- Energía térmica Energía Energía
excita electrones banda
a estados de mayor vacía
energía vacíos GAP Banda
. Dos tipos de estructura vacía
--
Banda
de banda en metales

Estados llenos
Llena Banda

Estados lenos
- Banda parcialmente llena solo Llena
parcial
- Banda vacía que se solapa
con banda llena Banda Banda
llena llena

Chapter 18 - 10
 Estructuras de bandas de energía:
Aislantes & Semiconductores
• Aislantes: • Semiconductores:
-- Elevado band gap(> 2 eV) -- band gap estrecho (< 2 eV)
-- Pocos e- excitados -- Mas e- excitados através
através del band gap del band gap
Energía Banda de Energía Banda de
conducción conducción
vacía vacía
GAP ?
GAP

Banda Banda de

filled states
filled states

de Valencia valencia
llena llena

Banda Banda
llena llena

Chapter 18 - 11
Estructuras de bandas de energía:
Aislantes & Semiconductores

Semiconductores
Aislantes: :

Chapter 18 -
 Metales: Influencia de la Temperatura e
Impurezas sobre la Resistividad
• Presencia de imperfecciones incrementa la resistividad
-- Bordes de grano
Dispersan los electrones
-- dislocaciones Toman un camino menos directo.
-- átomos de impurezas
-- vacancias
6
• Resistividad
Resistivitidad, ρ,
(10 -8 Ohm-m)

5
incrementa con:
4 -- temperatura
3 ρd -- wt% impureza
-- %CW
2 ρi
1
ρt
ρ = ρtérmica
0 -200 -100 0 T (ºC) + ρimpureza
Fig. 18.8, Callister & Rethwisch 9e. [Adapted from J. O. Linde, Ann.
Physik, 5, 219 (1932); and C. A. Wert and R. M. Thomson, Physics of Solids,
+ ρdeformación
2nd edition, McGraw-Hill Book Company, New York, 1970.]

Chapter 18 - 13
 Estimación de la Conductividad
• PREGUNTA:
-- Estime La conductividad eléctrica σ de una aleación Adapted from Fig.
Cu-Ni con esfuerzo de fluencia de 125 MPa. 18.9, Callister &
Rethwisch 9e.
180
Yield strength (MPa)

(10 -8 Ohm-m)
50

Resistivity, r
160
140 40
125
120 30
100 20
21 wt% Ni 10
80
60 0
0 10 20 30 40 50 0 10 20 30 40 50
wt% Ni, (Concentración C) wt% Ni, (Concentración C)
Adapted from Fig. 7.16(b), Callister & Rethwisch 9e.

De paso 1:

CNi = 21 wt% Ni

Chapter 18 - 14
 Portadores de carga en aislantes y
semiconductores.
Fig. 18.6 (b), Callister &
Rethwisch 9e.
Dos tipos de portadores de carga
electrónica:
Electrón libre
– Carga negativa
– En banda de conducción

Hueco
– Carga positiva
– Electron en estado vacante
en banda de Valencia
Se mueven a diferentes velocidades- Velocidades de movimiento

Chapter 18 - 15
 Semiconductores Intrinsicos
 Semiconductor de metal puro: ej., silicio y germanio
Materiales del Grupo IVA en Tabla periódica

• Semiconductores compuestos
– Compuestos de elementos del Grupo III-V
Ej: GaAs y InSb
– Compuestos de elementos del Grupo II-VI
Ej: CdS y ZnTe
–Mientras más amplia es la diferencia en
electronegatividad de los elementos, mayor es el
gap de energía

Chapter 18 - 16
 Número de portadores de carga
Conductividad intrínseca
  n e e  p e  h
n: Número de electrones/m3
p: Número de hueco
: Movilidad de electrón (e) y hueco (h)
e: Carga del electrón (1,6 × 10−19 C)

• Para semiconductor instrínseco n = p = ni

 σ = ni|e|(μe + μh)

• Ex: GaAs

For GaAs ni = 4.8 x 1024 m-3

For Si ni = 1.3 x 1016 m-3
Chapter 18 - 17
 Semiconductor intrínseco en térmicos
de migración de electrones y huecos

• Concepto of electrones y huecos

: Eletrón de Átomo de electrón hueco electrón hueco
Valencia Si Creación de un par Migración de un par

- + - +

Sin campo eléctrico Campo eléctrico Campo eléctrico

aplicado aplicado aplicado
• Conductividad eléctrica dada por :
Adapted from Fig. 18.11,
Callister & Rethwisch 9e.
# huecos/m3

Movilidad del hueco

# electrones/m3 Movilidad del electrón
Chapter 18 - 18
 Semiconductores Intrinsecos:
Conductividad vs T
• Data para Silicio Puro:
-- σ incrementa con T
-- opuesto a metales

material band gap (eV)

Si 1.11
Ge 0.67
GaP 2.25
CdS 2.40
Selected values from Table 18.3,
Callister & Rethwisch 9e.

Adapted from Fig. 18.16,

Callister & Rethwisch 9e.
Chapter 18 - 19
 Conducción Intrinseca vs Extrinseca
• Intrínseca:
-- Caso de Si puro
-- # electrones = # holes (n = p)
• Extrinseca:
-- Comportamiento eléctrico es determinado por la presencia de
impurezas que introducen exceso de electrones o huecos
-- n ≠ p
• tipo-n Extrínseco: (n >> p) • tipo-p Extrínseco: (p >> n)
Ätomo de Fósforo Átomo de Boro
hueco
4+ 4+ 4+ 4+ 4+ 4+ 4+ 4+
electrón de
4+ 5+ 4+ 4+ conducción 4+ 3+ 4+ 4+
Electrón de
4+ 4+ 4+ 4+ valencia 4+ 4+ 4+ 4+

Adapted from Figs. 18.12(a)

Sin campo eléct. Átomo de Si Sin campo eléctrico
& 18.14(a), Callister & aplicado aplicado
Rethwisch 9e. Chapter 18 - 20
 Semiconductores extrínsecos:
Conductividad vs. Temperatura
• Data para Silicio dopado:
-- σ incrementa con el doping dopadp
-- razón: Los sitios de Sin dopar
imperfecciones bajan la 3

concentration (1021/m3)
energía de activación para

Conduction electron
producir electrones móviles .

freeze-out

Extrinseco
2

Intrinseco
• Comparación: coducción 1
intrinseco vs extrinseca
-- extrinseca: nivel de dopaje: 0
1021/m3 de una impureza donora
tipo (como P). 0 200 400 600 T (K)
-- para T < 100 K: “congelado“, Adapted from Fig. 18.17, Callister & Rethwisch
Insuficiente energía térmica para 9e. (From S. M. Sze, Semiconductor Devices, Physics
and Technology. Copyright © 1985 by Bell Telephone
excitar electrones Laboratories, Inc. Reprinted by permission of John Wiley
& Sons, Inc.)
-- para 150 K < T < 450 K:
"extrinsico"
-- para T >> 450 K: "intrínseco" Chapter 18 - 21
 Resumen
• Conductividad eléctrica y resistivitdad son:
-- Parámetros del material
-- Independientes de la geometría
• Conductores, semiconductores, y aislantes...
-- difieren en rangos de valores de conductividad
-- difieren en la disponibilidad de electrones en estados excitados
• Para metales, resistividad es incrementada con
-- Incremento e la temperatura
-- Adición de imperfecciones
-- Deformación plástica
• Para semiconductors puros, conductividad incrementa con
-- Incremento e la temperatura
-- dopaje [ej., adición de B a Si (tipo -p) o adiicón de P a Si (tipo-n)
• Otras características eléctricas
-- ferroelectricidad
-- piezoelectricidad
Chapter 18 - 22
 Propiedades ELÉCTRICAS: Resumen
ESTRUCTURAS DE BANDAS DE ENERGÍA DE LOS SÓLIDOS
• Semiconductores:
Banda Bandas -- GAP pequeño(< 2 eV)
parcialmente solapadas -- Más electrones excitados
llena a través del GAP
Energía Banda de
Banda conducción
Vacía Banda vacías
GAP GAP ?
vacía GAP

Estados llenos
Banda

Estados llenos
Estados llenos
Banda de
de Bandas de
Estados llenos

valencia
valencia Valencia
Parcialmente llena llena
llena

METALES AISLANTES SEMICONDUCTORES

GAP: Intervalo prohibido de energía Chapter 19 - 23

 Propiedades Térmicas

Contenido...
• Cómo responden los materiales a la aplicación de calor?
• Cómo definimos y medimos...
-- Capacidad de calor?
-- Expansión térmica?
-- Conductividad térmica?
-- Resistencia al choque térmico?

• Cómo difieren las propiedades térmicas de

metales, cerámicos y polímeros ?

Chapter 19 - 24
 Capacidad de calor
La habilidad de un material de absorber calor
• Cuantitativamente: La energía requerida para producir un
aumento de una unidad en temperatura por mol de material.

Capacidad Cambio de calor (J/mol)

de calor
(J/mol-K) Cambio de temperatura(K)

• Dos formas de medir la capacidad de calor:

Cp : Calor específico a presión constante.
Cv : Calor específico a volumen constante.
Cp usualmente > Cv

• Unidades
Chapter 19 - 25
 Dependencia de la capacidad de calor
con la Temperatura
• Capacidad de calor...
-- Incrementa con la temperatura
-- Para sólidos alcanza un límite al valor de 3R

R = Constante 3R Cv = constante
de los gases
= 8.31 J/mol-K

D = h/KB Adapted from Fig. 19.2,

34
h  Constante de Planck (6.62 x 10 J s Callister & Rethwisch 9e.
Kb: Contante de Boltzmann
0 T (K)
(1.38064852(79)×10−23 0 J/K
θD Temperatura de Debye
: Frecuencia (1/s)
(usualmente menor a Tamb.)
• Perspectiva atómica:
-- La energía es almacenada como vibraciones atómicas.
-- Al aumentar T, la energía promedio de las vibraciones atómicas incrementa.

Temp. Debye: Considera la contribución de los fonónes al calor específico

Chapter 19 - 26
 Vibraciones atómicas
Las vibraciones atómicas se presentan en forma de ondas
de red o fonones (Ondas térmicas).

Adapted from Fig. 19.1,

Callister & Rethwisch 9e.

Chapter 19 - 27
Calor específico: Comparación
Material cp (J/kg-K)
• Polímeros at room T
Polipropileno 1925 cp (Calor específico): (J/kg-K)
Polietileno 1850 Cp (Calor específico): (J/mol-K)
Poliestireno 1170
Teflón 1050
Icremento de cp

• Cerámicos ¿? Porqué cp es
Magnesia (MgO) 940 significativamente mayor en
Alumina (Al2O3) 775 los polímeros ?
Vidrio 840
• Metales
Acero 486
Tungsteno 138 Selected values from Table 19.1,
Oro 128 Callister & Rethwisch 9e.

Chapter 19 - 28
 Expansión Térmica
Los materiales cambian de tamaño al cambiar T

Tinicial
 inicial
Tfinal > Tinicial
Tfinal
 final

 final   inicial
   (Tfinal  Tinicial )
 inicial
Coeficiente de expansión térmica lineal (1/K o 1/°C)

https://www.youtube.com/watch?v=aT4tkbM38Fg

Chapter 19 - 29
 Perspectiva atómica: Expansión
térmica

Curva asimétrica: Curva simétrica:

-- Incremento de T, -- incremento de T,
-- Incrementa separación -- No incrementa la separación
interatómica promedio interatómica
-- Hay expansión térmica -- No hay expansion térmica
Fig. 19.3, Callister & Rethwisch 9e. Chapter 19 - 30
 Comparación del Coeficiente de
Expansión Térmica
Material α (10-6/°C)
at room T
• Polímeros
Polímeros tienen los
Polipropileno 145-180
mayores valores de α
Polietileno 106-198
debido a sus enlaces
Polistireno 90-150
Teflon 126-216 secundarios débiles.

• Metales • ¿?: Porqué α

increasing 

Aluminio 23.6 generalmente disminuye

Acero 12 con el incrementa de
Tungsteno 4.5 la energía de enlace?
Oro 14.2
• Cerámicos
Magnesia (MgO) 13.5 Selected values from Table 19.1,
Alúmina (Al2O3) 7.6 Callister & Rethwisch 9e.

Vidrio Soda-lima 9
Sílice (crist. SiO2) 0.4

Chapter 19 - 31
 Expansión térmica: Ejemplo
Un alambre de Cu de 15 m de longitud es enfriado
desde 40 a -9°C. Cuantificar el cambio en longitud que
experimentará?
•Para Cu

Chapter 19 - 32
 Conductividad térmica
La habilidad de un material de transportar calor.
Ley de Fourier
Gradiente de temperatura
Flujo de
calor
(J/m2s)
Conductividad térmica(J/mKs)

T1 T2
T2 > T1
x1 Flujo de calor x2

• Perspectiva atómica: Vibraciones atómicas y electrones

libres en regiones más calientes transportan energía a las
regiones más frías.

Chapter 19 - 33
 Conductividad térmica:
Comparación
Mecanismo de
Material k (W/m-K) transferencia de energía
• Metales
Aluminio 247 Vibraciones
Acero 52 atómicas y
Tungsteno 178 movimiento de
Oro 315 electrons libres
• Cerámicos
increasing k

Magnesia (MgO) 38
Alumina (Al2O3) 39 Vibraciones atómicas
Vidrio Soda-lima 1.7
Sílice (crist. SiO2) 1.4
• Polímeros vibración/rotación
Polipropileno 0.12 de cadenas de
Polietileno 0.46-0.50 moléculas
Poliestireno 0.13
Teflón 0.25
Selected values from Table 19.1, Callister & Rethwisch 9e.
Chapter 19 - 34
 Tensiones térmicas
• Ocurren debido a :
-- Contracción/expansión térmicas restringidas
-- Gradientes de temperaturas que conducen a
cambios de dimensiones diferenciales.

Tensiones térmicas = s

Chapter 19 - 35
 Problema ejemplo
-- Una barra de latón está libre de tensiones a Tamb. (20°C).
-- La barra es calentada, pero previniendo su alargamiento.
-- A cuál temperatura la tensión alcanza -172 MPa?
Datos: = 20 x 10-6/°C y E=100GPa
Solución:
T0 Condiciones originales
0
Paso 1: Asumir expansion térmica sin restricciones
0 D
Tf
Paso 2: Comprimir la barra a la dimensión original
0 D
σ σ

Chapter 19 - 36
 Problema ejemplo (cont.)
0 La tension térmica puede ser
directamente calculada
σ σ

Note que compress = -ethermal y sustituyendo se obtiene

Rearreglando y resolviendo paraTf tenemos:

20°C
-172 MPa (porque es compresión)

Respuesta: 106°C100 GPa

20 x 10-6/°C

Chapter 19 - 37
 Resistencia al choque térmico (TSR)
• Ocurre debido a: calentamiento y enfriamiento no uniforme
• Ej: Asuma que la capa superior es rápidamente enfriada desde T1 a T2
Enfriamiento rápido
σ
T2
Trata de contraerse durante el enfriamiento Tensión desarrollada en la superficie
Resiste a la contracción T1
Diferencia de temperatura que puede Diferencia de T crítica
producirse por el enfriamiento: para fractura (set σ = σf)
Velocidad de temple
(T1  T2 ) 
k
set equal
fk
• (Velocidad de temple) para fractura  (TSR) 
E 
• Alto TSR cuando es grande
Chapter 19 - 38
 Sistema de protección térmica
Re-entry T
• Applicación: Distribution
Space Shuttle Orbiter

reinf C-C silica tiles nylon felt, silicon rubber

(1650°C) (400-1260°C) coating (400°C)
Chapter-opening photograph, Chapter 23, Callister 5e
(courtesy of the National Aeronautics and Space Fig. 19.2W, Callister 6e. (Fig. 19.2W adapted from L.J.
Administration.) Korb, C.A. Morant, R.M. Calland, and C.S. Thatcher, "The

• Azulejos de Silica (400-1260C):

Shuttle Orbiter Thermal Protection System", Ceramic
Bulletin, No. 11, Nov. 1981, p. 1189.)
-- Gran escala de aplicaciones -- microstructure:
~90% porosidad!
Fibras de Silica

100 m
Fig. 19.3W, Callister 5e. (Fig. 19.3W courtesy the Fig. 19.4W, Callister 5e. (Fig. 219.4W courtesy
National Aeronautics and Space Administration.) Lockheed Aerospace Ceramics
Systems, Sunnyvale, CA.)
Chapter 19 - 39
 Resumen
Las propiedades térmicas de los materiales incluyen
• Capacidad calórica:
-- energía requerida para incrementar la T de un material en 1 grado
-- La energía en almacenada como vibraciones atómicas
• Coeficiente de expansión térmica:
-- el tamaño del material cambia con cambio en T
-- Polímeros tienen los mayores valores
• Conductividad térmica:
-- Habilidad de un material para transportar calor
-- Materiales tienen los mayores valores
• Resistencia al choque térmico:
-- Habilidad de un material para enfriar rápidamente sin fracturar

-- es proporcional a

Chapter 19 - 40
 Propiedades Magnéticas

TEMAS...
• Porqué son importantes las propiedades magnéticas?

• Cómo se puede explicar el fenómeno de magnetismo?

• Cómo se clasifican las propiedades magnéticas de los materiales?

• Cómo trabajan los almacenadores magnéticos?

• Qué es superconductividad y cómo el campo magnético

afecta el comportamiento de superconductores?

Chapter 20 -
4
 Generación de un campo magnético
• Creado por corriente a través de una bobina :
B0 N = Número total de vueltas
 = Longitud de cada vuelta(m)
I = corriente (Amper)
H H = Campo magnético aplicado(A-vueltas/m)
B0 = Densidad del flujo magnético en vacío
I (tesla)

• Cálculo del campo magnético aplicado, H:

• Cálculo de la densidad de flujo magnético en vacío, B0:

B0 = μ0H
Permeabilidad en vacío
(1.257 x 10-6 Henry/m)
Chapter 20 - 42
 Generacion de un Campo Magnético--
dentro de un material sólido
• Un campo magnético es inducido en el material
B
B = Magnetismo Inducido (tesla)
Campo dentro del material
magnético
aplicado
B = μH
H
corriente Permeabilidad de un sólido
I

• Permeabilidad relativa (adimensional)

Chapter 20 - 43
 Orígenes de Momentos Magnéticos
• Momentos magnéticos provienen del movimiento de
electrones y de espines de los electrones

Momentos magnéticos
electrón electrón
espin
núcleos Adapted from Fig. 20.4,
Callister & Rethwisch 9e.

Movimiento del electrón Espín del

alrededor del núcleo en el Orbital electrón
• Momento magnético atómico neto :
-- suma de todos los momentos de todos los electrones.

• Cuatro tipos de respuestas...

Chapter 20 - 44
 Tipos de Magnetismo

(3) Ferromagnético ej. Fe3O4, NiFe2O4

Densidad de flujo magnético

(4) Ferrimagnético ej. ferrite(α), Co, Ni, Gd

( cm es tan grande como 106 !)
B (tesla)

(2) paramagnético (cm ~ 10-4)

e.g., Al, Cr, Mo, Na, Ti, Zr
vacío (cm = 0)
(1) diamagnético (cm ~ -10-5)
ej., Al2O3, Cu, Au, Si, Ag, Zn

H (amper-vueltas/m) Campo Magnético

Plot adapted from Fig. 20.6, Callister & Rethwisch 9e.

Values and materials from Table 20.2 and discussion in
Section 20.4, Callister & Rethwisch 9e.

Chapter 20 - 45
 Respuestas magnéticas para los 4 tipos
Campo magnético
Campo magnético
aplicado (H)
No aplicado(H = 0) Flechas azules:
Momentos magnéticos
atómicos dipolares

Ninguno

opuestos
(1) diamagnético Adapted from Fig.
20.5(a), Callister &
Rethwisch 9e.

alineados
al azar
(2) paramagnético Adapted from Fig.
20.5(b), Callister &
Rethwisch 9e.

alineados
Alineado

(3) ferromagnético Adapted from Fig.

20.7, Callister &
(4) ferrimagnético Rethwisch 9e.

Chapter 20 - 46
 Dominios en Materiales
Ferromagnéticos & Ferrimagneticos
• Cómo se aplica (H) incrementan los dominios magnéticos
camban de forma y tamaño por movimiento de bordes de
dominios.
B sat
H
Inducción Magnética

H Fig. 20.13, Callister &

“Dominios” con Rethwisch 9e.
(Adapted from O. H. Wyatt
H Momento magnético and D. Dew-Hughes, Metals,
i (B)

Ceramics and Polymers,

alineado crecen a Cambridge University Press,

Cambridge, 1974. Reprinted
with the permission of the
H expensas de los Cambridge University Press.)

pobremente
H alineados
0 Campo magnético aplicado (H)

H=0
Chapter 20 - 47
 Histeresis y Magnetización
Permanente
• El fenómeno de histéresis magnética

B
Etapa 2. Aplicar H
Etapa 3. Remover H, alineamiento los dominios se alinean
permanece! => magnetos
permanentes!
Adapted from Fig. 20.14,
Callister & Rethwisch 9e.
H
Etapa 4 . Coercitividad,HC
H negativa necesario para Etapa 1. Inicial (estado no magnetizado)
demagnetizar!

Etapa 6 . Se Cierra
Etapa 5. Aplicar H -,se el lazo de histéresis
alinean los dominios
Coercitividad: Intensidad del campo magnético que se debe aplicar a un
material para reducir su magnetización a cero luego de que la muestra ha
sido magnetizada hasta saturación
Chapter 20 - 48
 Materiales Magnéticos duros y blandos

Materiales Magnéticos duros: B

-- Grandes coercitividades
-- usado para magnetos permanentes
-- adiciones se partículas o huecos para

Duros
inhibir movimiento de paredes de dominios
magnéticos
-- ejemplo: aceros al tungsteno-- H
Hc = 5900 amp-vueltas/m)

Materiales de magnéticos
blandos:
-- Pequeñas coercivitividades
-- Usados para motores eléctricos
-- ej.: Hierro comercial 99.95 Fe
Fig. 20.19, Callister & Rethwisch 9e.
(From K. M. Ralls, T. H. Courtney, and
J. Wulff, Introduction to Materials Science
and Engineering. Copyright © 1976 by
John Wiley & Sons, New York. Reprinted by
permission of John Wiley & Sons, Inc.)
Chapter 20 - 49
 Almacenadores Magnéticos
• Data digitalizada en la forma de señales eléctricas son
transferidas y almacenadas digitalmente en un medio magnético
• Esta transferencia se logra mediante un sistema de grabación
que consiste de un cabezal de lectura/escritura

-- “Escritura” o registro de dato

aplicando un campo magnético que
alinea los dominios magnéticos en
pequeñas regiones de un medio de
grabación.

-- “Lectura” o recuperación de datos

de un medio, cambiando el sentido
de la magnetización
Fig. 20.23, Callister &
Rethwisch 9e.

Chapter 20 - 50
 Superconductividad
Encontrado en 26 metales y cientos de aleaciones & compuestos
Mercurio

Cobre
(normal)

4.2 K Fig. 20.26, Callister &

Rethwisch 9e.
• TC = Temperatura crítica
= temperatura por debajo de la cual el material es superconductor

Chapter 20 - 51
 Efecto Meissner
• Superconductores expelen los campos magnéticos

normal superconductor
Fig. 20.28, Callister &
Rethwisch 9e.
• Esta es la razón porque un superconductor puede
flotar encima de un magneto

Chapter 20 - 52
 Avances en Superconductividad
• Investigación sobre materiales superconductores se
estancó por muchos años.
– Se asumió TC,max era alrededor de 23 K
– Muchas teorías sostenían que es imposible incrementar TC más
allá de ese valor
• 1987- se descubrieron nuevos materiales TC > 30 K
– cerámicos de la forma Ba1-xKxBiO3-y
– Comenzaron nuevas investigaciones
– YBa2Cu3O7-x TC = 90 K
• Tl2Ba2Ca2Cu3Ox TC = 122 K
• Difíciles de elaborar debido a que el estado de oxidación es
muy importante.
• El mayor problema: materiales cerámicos son inherentemente
frágiles.

Chapter 20 - 53
 Resumen

• Un campo magnético se produce cuando fluye una corriente

eléctrica a través de una bobina de alambre.

• Inducción Magnética (B):

-- Se induce un campo magnético interno en el material situado entre un

campo magnético externo (H).

-- Los momentos magnéticos resultan de las interacciones de los

electrones con el campo magnético aplicado

Chapter 20 - 54
 Resumen

• Tipos de respuestas magnéticas a campos magnéticos

-- ferrimagnético y ferromagnético (Grandes susceptibilidades
magnéticas)

-- paramagnético (pequeñas y positivas susceptibilidades magnéticas

-- diamagnético (pequeñas y negativas susceptibilidades magnéticas)

• Tipos de materiales ferrimagnéticos y ferromagnéticos:

-- Duros: Coercitividad alta -- Blandos: Coercitividad pequeña

Chapter 20 - 55
 Propiedades ópticas

Temas...
• Qué fenómenos ocurren cuando el la luz incide sobre
el material?
• Qué determina los colores característicos de los materiales?
• Porqué unos materiales son transparentes y otros son
translúcidos u opacos?
• Cómo opera un láser?

Chapter 19 - 56
 Propiedades ópticas
La luz tiene características tanto de partícula como
de onda
– Fotón – Un cuantum de unidad de luz

E  energía de un fotón
  Longitud de onda de la radiación
  Frequencia de radiación
h  Constante de Planck (6.62 x 10 34 J  s)
c  Velocidad de la luz en un vacío (3.00 x 108 m/s)

Chapter 19 - 57
 Refracción
• La luz transmitida distorsiona la nube de electrones
Nube
Luz no Luz
+ + de electrones
transmitida transmitida distorsionada

• La velocidad de la luz en un material es menor que en un

vacío.
c(velocidad de la luz en vacío)
n = índice de 
v(velocidad de la luz en el medio)
refracción

Material n
Vidrios típicos . 1.5 -1.7
Plásticos 1.3 -1.6
PbO 2.67
Diamante 2.41
Selected values from Table 21.1,
Callister & Rethwisch 9e.

Chapter 19 - 58
 Interacción de la luz con sólidos
• La luz incidente es deflectada, absorbida, dispersada, y/o
transmitida: I0 = IT + IA + IR + IS

Reflectada: IR Absorbida:
IA
Transmitida: IT
Incidente: I0 Dispersada: IS

• Clasificación óptica de los materiales :

Transparente Translucente Opaco Fig. 21.10, Callister &
Rethwisch 9e.
(Specimen preparation
P.A. Lessing.)

Monocristal Policristalino Policristalino

denso pororso
Chapter 19 - 59
 Propiedades ópticas de Metales:
Absorción
• Absorción de fotones por transiciones de electrones:
Energía del electrón
Estados vacíos

DE = hν requerido!

Estados llenos
Constante de Planck freq.
of
(6.63 x 10-34 J/s) incident
Adapted from Fig. 21.4(a),
Callister & Rethwisch 9e.
light
• Estados de electrones vacíos están adyacentes a los llenos
• Los electrones cerca de la superficie absorben la luz visible.

Chapter 19 - 60
 Reflexión de Luz por Metales
• Transiciones electrónicas desde un estado excitado
produce un fotón.

Energía del electrón

IR Estados vacíos
“conducción”
fotón emitido de Transición electrónica
la superficie de
un metal
Estados llenos

Adapted from Fig. 21.4(b),

Callister & Rethwisch 9e.

Chapter 19 - 61
Reflexión de luz para metales (cont.)
• Reflectividad = IR /I0 varía entre 0.90 y 0.95.
• Superficies del metal luce brillante

• La mayoría de la luz absorbida es reflejada a

la misma longitud de onda

• Color de la luz reflejada depende de la

longitud de onda

– Ej: Cu y Au absorben luz en azul y verde, =>

luz reflejada tiene un color oro
Chapter 19 - 62
 Reflectividad de no metals
• La luz pasando por un sólido tienen un índice de
refracción n:
 n 1 
2

Rreflectivi dad  
 n 1

• Ej: Para diamante n = 2.41

 17% de luz es reflejada

Chapter 19 - 63
 Dispersión de luz en polímeros
• Para polímeros altamente amorfos y libre de poros
– Poca o ninguna dispersión
– Estos materiales son transparentes
• Polímeros semicristalinos
– Las zonas amorfas y cristalinas tienen diferentes
índices de refracción
– Dispersión de luz en los bordes
– Polímeros altamente cristalinos son opacos
• Ejemplos:
– Poliestireno (amorfo) – claro y transparente
Polietileno de baja densidad para cartones de leche
– opaco
Chapter 19 - 64
 Absorción de luz en semiconductores
Absorción de luz de frecuencia ν por transiciones
electrónicas ocurre si hν > Egap
Energía del electrón
Ejemplo para fotones de energía :
Estados vacíos
Luz azul: hν = 3.1 eV
Luz roja: hν = 1.8 eV

Egap
Energía del fotón
incidente hν
Estados llenosAdapted from Fig. 21.5(a),
Callister & Rethwisch 9e.

• Si Egap < 1.8 eV, toda la luz es absorbida; material es opaco (ej., Si, GaAs)
• Si Egap > 3.1 eV, no hay absorción el luz; el material es transparente y sin
color (ej., diamante)
• Si 1.8 eV < Egap < 3.1 eV, Absorción parcial de luz; material es coloreado

Chapter 19 - 65
 Color de No-metales
• El color es determinado por la distribución de longitudes
de ondas:

-- Luz transmitida
-- Luz re-emitida por transiciones electrónicas

• Ejemplo 1: Sulfato de cadmio(CdS), Eg = 2.4 eV

-- absorbe alta energía de luz visible (azul, violeta)
-- el color resulta de la luz rojo/naranja/amarillo que es transmitida

Chapter 19 - 66
 Color de No-metales
• Ejemplo 2: Rubí = zafiro (Al2O3) + (0.5 to 2) at% Cr2O3
-- zafiro es transparente y
sin color (Eg > 3.1 eV) 80
zafiro

Transmitancia (%)
70
-- adición de Cr2O3 : rubí
• altera el GAP 60
50
Longitud de onda λ, (= c/ν)(μm)
• azul y naranja/amarillo/verde 40
son absorbidos 0.3 0.5 0.7 0.9

• la luz roja es transmitida

Fig. 21.9, Callister & Rethwisch 9e.
• Resulta: Rubí de un color rojo from “The Optical Properties of Materials,” by
A. Javan. Copyright © 1967 by Scientific American, Inc.
profundo All rights reserved.)

Chapter 19 - 67
 Luminiscencia
• Luminiscencia – reemisión de luz por un material
– Material absorbe luz a una frecuencia y reemite la luz a otra
frecuencia menor.
– Estados atrapados(donor/aceptor) introducidos por
impurezas/defectos
• Si el tiempo de residencia en el
Banda de conducción estado atrapado es relativamente
largo (> 10-8 s)
-- fosforescencia

• Para tiempos de residencia cortos (<

Estados E 10-8 s)
Eg atrapados emission
-- fluorescencia
Ejemplo: Juguetes que brillan en la
Nivel obscuridad. Juguetes cargados al
activador exponerlos a la luz . Reemisión de
la luz con el tiempo—fosforescencia
Banda de valencia
Chapter 19 - 68
 Catododoluminiscencia
• Usado en dispositivos de tubos de rayos X (Ej. TVs, monitores de
computadoras)
• El tubo en su interior es recubierto con un material fosforado.
• El material se fósforece bombardeado con electrones.
• Los electrones en átomos de fósforo son excitados a mayores
estados de energía
– Fotón (luz visible) es emitido por la caída de regreso de los
electrones a estados más bajos de energía (tierra)
– Color de la luz emitida (i.e., fotón de longitud de onda)
depende de la composición del material fosforado
– ZnS (Ag+ & Cl-) azul
(Zn, Cd) S + (Cu++Al3+) verde
Y2O2S + 3% Eu rojo

Chapter 19 - 69
 El LASER
• El láser es generado por las ondas que estan en fase
(coherente) y viajan paralelas unas a otras
– LASER
• Light
• Amplification by
• Stimulated
• Emission of
• Radiation
• ( Amplificación de la luz por emisión estimulada de radiación)

Chapter 19 - 70
 Laseres de onda continua
• Materiales incluyen semiconductores (e.g., GaAs), gases (e.g.,
CO2), etc)
• Usos
1. Soldadura
2. Perforaciones
3. Corte – cirugía de ojos
4. Tratamientos de superficie
5. Escrituras– ceramicos, etc.
6. Fotolitografía–

Chapter 19 - 71
 Aplicaciones de laser de
Semiconductores
• Reproductor de Disco compacto (CD)
• Usa luz roja
• Reproductores de alta resolución (DVD)
• Usan luz azul
– La luz azul tiene longitud de onda más corta que la
luz roja por lo tanto produce mayor densidad de
almacenamiento.
• Comunicaciones usando fibras ópticas
• Celdas solares

Chapter 19 - 72
 Resumen
La radiación de luz que incide sobre un material puede
ser reflejada absorbida,dispersada y/o transmitida

• Características de la transmisión de luz:

-- transparente, translucente, opaca

• Propiedades ópticas de metales:

-- opacos y altamente reflectivos debido a la estructura de la

energía de banda electrónica

Chapter 19 - 73
 Resumen

• Propiedades ópticas de no metales:

-- Para Egap < 1.8 eV, absorción de todas las ondas de radiación
de luz: Opacos
--Para Egap > 3.1 eV, no absorción de radiación de luz visible:
Transparentes
-- Para 1.8 eV < Egap < 3.1 eV, absorción de algunos rangos de
longitudes de ondas de la radiación. Translúcidos
-- color determinado por la distribución de longitudes de ondas
transmitidas
• Aplicaciones ópticas importantes /dispositivos:
-- luminiscencia, fotoconductividad, diodos de emisión de luz,
celdas solares y fibras ópticas

Chapter 19 - 74