Presentacion Electronica I

UNIVERSIDAD ESTATAL
PENÍNSULA DE SANTA ELENA

FACULTAD DE SISTEMAS Y TELECOMUNICACIONES
CARRERA DE ELECTRÓNICA Y TELECOMUNICACIONES
ASIGNATURA DE ELECTRÓNICA I
ING. LUIS ENRIQUE CHUQUIMARCA JIMÉNEZ M.I.

OCTUBRE 2017 – MARZO 2018
CAPÍTULO I
Semiconductores
1.1 Conductores
1.2 Semiconductores
1.3 Cristales de Silicio
1.4 Semiconductores intrínsecos
1.5 Semiconductores extrínsecos
1.6 El Diodo no polarizado
1.7 Polarización directa
1.8 Polarización inversa
1.9 Niveles de Energía
2
1.1 Conductores
ESTRUCTURA ATÓMICA DEL COBRE
Carga neta
Dado que la atracción entre la parte interna y el electrón de valencia es muy #electrones = 2 n^2
débil, una fuerza externa puede fácilmente arrancar este electrón del átomo del n = # de la capa
cobre. Ésta es la razón por la que se suele denominar al electrón de valencia
electrón libre.
3
CAPÍTULO I
Semiconductores
1.1 Conductores
1.2 Semiconductores
4
1.2 Semiconductores
Un semiconductor es un elemento con propiedades eléctricas entre las

de un conductor y un aislante.
5
CAPÍTULO I
Semiconductores
1.1 Conductores
1.2 Semiconductores
6
Los electrones compartidos están siendo atraído por fuerzas con sentidos
opuestos, el electrón se convierte en un enlace entre las partes internas
opuestas. Este tipo de enlace químico se denomina enlace covalente.
Saturación de valencia: n = 8
En un cristal de silicio, las vibraciones de los átomos ocasionadas cuando la

temperatura ambiente se encuentra por encima del cero absoluto, pueden hacer
que se desligue un electrón del orbital de valencia. Cuando este ocurre, el
electrón liberado gana la energía suficiente como para pasar a un orbital de
mayor nivel energético.
La salida del electrón deja un vacío en el orbital de valencia (ion positivo) que se
denomina hueco.
7
La recombinación es la unión de un electrón libre y un hueco
El intervalo de tiempo entre la creación y la desaparición de un electrón libre se

denomina tiempo de vida.
8
CAPÍTULO I
Semiconductores
1.1 Conductores
1.2 Semiconductores
9
1.4. Semiconductores intrínseco
Un semiconductor intrínseco es un semiconductor puro.
A temperatura ambiente, un cristal de silicio actúa como un aislante.
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CAPÍTULO I
Semiconductores
1.1 Conductores
1.2 Semiconductores
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1.5 Semiconductor extrínseco
Se añade impurezas o se dopa un semiconductor
intrínseco puro.
Mayor dopaje, mayor cantidad de electrones libres.
Semiconductor de tipo n.
Impurezas donadoras
12
1.5 Semiconductor extrínseco
Impureza aceptadora
13
CAPÍTULO I
Semiconductores
1.1 Conductores
1.2 Semiconductores
14
1.6 El diodo no polarizado
Semiconductor tipo n
Flujo de electrones
15
Semiconductor tipo n
16
Semiconductor tipo p
Flujo de electrones
17
Unión P-N
18
Unión P-N
• Electrón de valencia
19
Unión P-N
Voltaje de Potencial de barrera depende:
• Cantidad de dopado
• Depende de la temperatura
• Tipo del material
• 0.7V Silicio
• 0.3V Germanio
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CAPÍTULO I
Semiconductores
1.1 Conductores
1.2 Semiconductores
21
1.7 Polarización en Directa
V = 0,2V
• No hay conducción de
corriente continua a
través del diodo
V > 0,7V
• Existe conducción de
corriente continua en
el circuito
Flujo de electrones
22
Ecuación de Shockley
Voltaje Térmico
23
Características del diodo de silicio
◦ es un dispositivo no lineal
24
CAPÍTULO I
Semiconductores
1.1 Conductores
1.2 Semiconductores
25
A medida que la tensión inversa aumenta, la

anchura de la zona de deplexión también
aumenta.
La zona de deplexión deja de crecer cuando
su diferencia de potencial es igual a la
tensión inversa aplicada.
26
La corriente de saturación alcanza

su nivel máximo con rapidez y no
cambia de manera significativa con
los incrementos en el potencial de
polarización inversa
27
Región Zener
Al aumentar la tensión inversa, aumenta la energía cinética de los
electrones con la que pueden vencer la barrera de potencial y
traspasar la zona de deplexión.
Los electrones logran romper los

enlaces covalentes y liberar muchos
más electrones causando un efecto de
avalancha, la cual determina la región
zener.
28
CAPÍTULO I
Semiconductores
1.1 Conductores
1.2 Semiconductores
1.9 Niveles de Energía (consulta)
29
CAPÍTULO II
Generalidades del Diodo
2.1 Aproximaciones en el análisis de circuitos con diodos
2.2 Detección de averías
2.3 Niveles de Resistencia
2.4 Puntos de Operación y rectas de carga
2.5 Hoja de especificaciones de los diodos
30
2.1 Aproximaciones en el análisis de
circuitos con diodos
DIODO
◦ No lineal
◦ Polarizado en directa
◦ Terminal positivo de la batería está conectado al lado p del diodo a través
de una resistencia, y el terminal negativo está conectado al lado n.
◦ El circuito externo trata de empujar la corriente en la dirección de flujo con
menor resistencia (flecha del diodo).
◦ Polarizado en inversa
◦ Casi no hay corriente inversa hasta que la tensión del diodo alcanza la
tensión de disrupción.
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DIODO IDEAL
• Un diodo se comporta como un
conductor perfecto (resistencia
cero) cuando está polarizado en
directa y como un aislante perfecto
(resistencia infinita) cuando está
polarizado en inversa.
32
DIODO IDEAL
◦ Ejemplo 1: Utilice el diodo ideal para calcular la tensión y la corriente en la carga de los siguientes
circuitos
33
DIODO SIMPLIFICADO
• Habrá corriente hasta que
aparezca los 0,7 V en el
diodo, momento en el que el
diodo empieza a conducir
34
DIODO SIMPLIFICADO
◦ Ejemplo 2: Utilice la segunda aproximación para calcular la tensión en la carga, la corriente en la carga y
la potencia del diodo de los siguientes circuitos.
a) b)
35
DIODO POR SEGMENTOS
• Cuanto mayor sea la corriente,
mayor será la tensión en el diodo,
debido a la caída de tensión en la
resistencia interna.
• Si se coloca un voltímetro a
través de un diodo aislado
sobre un banco de
laboratorio no se obtendrá
• Ignora la resistencia interna si una lectura de 0.7 V
RB < 0,01Rth
36
DIODO POR SEGMENTOS
◦ Ejemplo 3: El 1N4001 de la siguiente figura tiene una resistencia interna de 0,23 Ω. ¿Cuál es la tensión y
la corriente en la carga y la potencia del diodo?. Luego realice el mismo proceso con una resistencia de
carga de 10 Ω.
37
CAPÍTULO II
38
• La relación debe ser alta
entre la resistencia en
inversa y en directa.
• Diodo defectuoso:
• resistencia extremadamente
pequeña en directa y en inversa
(diodo cortocircuitado).
• resistencia muy elevada en
directa o en inversa (diodo en
circuito abierto).
• resistencia algo baja en
inversa (esto es lo que se
denomina diodo con fugas).
39
• Los multímetros disponen de una opción especial para
probar los diodos:
• suministra una corriente constante de
aproximadamente 1mA a cualquier dispositivo
que se conecte a sus terminales.
• tensión directa toma valores entre 0,5 V y 0,7 V
en el caso de diodos de silicio.
• tensión inversa el medidor proporcionará una
indicación de fuera de rango como “OL” o “1”.
Nota: se debe emplear un rango de

resistencia bastante altas en el circuito para
evitar la posibilidad de dañar el diodo.
40
CAPÍTULO II
41
2.3 Niveles de resistencia
RESISTENCIA DE CD
• La resistencia del diodo en el punto de
operación se halla determinando los
niveles correspondientes de VD e ID.
Cuanto mayor sea la corriente a través de un diodo,

menor será el nivel de resistencia de cd.
42
RESISTENCIA DE CD
◦ Ejemplo 4: Determine los niveles de resistencia de cd del diodo mediante la siguiente gráfica, con:
43
RESISTENCIA CA
• La entrada variable moverá el punto de
operación instantáneo hacia arriba y
hacia abajo de una región de la curva
característica del diodo.
Cuanto más bajo esté el punto de operación

(menor corriente o menor voltaje), más alta es
la resistencia de ca
44
RESISTENCIA CA
◦ Ejemplo 5: Para las características de la siguiente gráfica
45
RESISTENCIA CA
La derivada de una función en un punto es igual a la
pendiente de la línea tangente trazada en dicho punto.
Temperatura
ambiente
• Es precisa sólo con valores de ID en la

sección de levantamiento vertical de la
curva.
• Con valores pequeños de ID, n = 2 (silicio).
• Con valores de ID por debajo de la rodilla
de la curva, la ecuación se vuelve
inapropiada.
46
RESISTENCIA CA
• La resistencia del material semiconductor propiamente dicho
(llamada resistencia del cuerpo) y la resistencia introducida
por la conexión entre el material semiconductor y el
conductor metálico externo (llamada resistencia de contacto)
son representadas por rB.
• El factor rB puede variar desde 0.1 Ω para dispositivos de

alta potencia hasta 2 Ω para algunos diodos de uso general
de baja potencia.
47
RESISTENCIA CA PROMEDIO
• La resistencia de ca promedio es, por definición, la
resistencia determinada por una línea recta trazada entre
las dos intersecciones establecidas por los valores máximo y
mínimo del voltaje de entrada.
La señal de entrada es
suficientemente grande para
producir una amplia variación
Cuanto más bajo sea el nivel de
las corrientes, más alto será el
nivel de resistencia promedio.
48
CAPÍTULO II
49
2.4 Puntos de Operación y rectas de
carga.
RECTA DE CARGA
◦ Una herramienta empleada para hallar el valor exacto de la corriente y la tensión del diodo.
Punto Q: es el único punto de

la gráfica que funciona tanto
para el diodo como para el
circuito.
50
CAPÍTULO II
CONSULTA
51

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ING. LUIS ENRIQUE CHUQUIMARCA JIMÉNEZ M.I.

Un semiconductor es un elemento con propiedades eléctricas entre las

En un cristal de silicio, las vibraciones de los átomos ocasionadas cuando la

El intervalo de tiempo entre la creación y la desaparición de un electrón libre se

A temperatura ambiente, un cristal de silicio actúa como un aislante.

Mayor dopaje, mayor cantidad de electrones libres.

A medida que la tensión inversa aumenta, la

La corriente de saturación alcanza

Los electrones logran romper los

Nota: se debe emplear un rango de

Cuanto mayor sea la corriente a través de un diodo,

Cuanto más bajo esté el punto de operación

• Es precisa sólo con valores de ID en la

• El factor rB puede variar desde 0.1 Ω para dispositivos de

Punto Q: es el único punto de

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