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DE POTENCIA
El transistor Bipolar de Puerta Aislada
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
MOSFET Bipolar
EL IGBT DE POTENCIA
G
E
Es similar a la de un MOSFET
Sólo se diferencia en que se añade un sustrato P bajo el sustrato N
• Control de motores
• Sistemas de alimentación ininterrumpida
• Sistemas de soldadura
• Iluminación de baja frecuencia (<100 kHz)
y alta potencia
Gran capacidad de manejo de corriente
Problema:
Coeficiente de temperatura negativo
EL IGBT DE POTENCIA
Se calienta más
Módulos de potencia
TO 220
MTP
TO 247
EL IGBT DE POTENCIA
Parámetros fundamentales para seleccionar un MOSFET
• Tensión de ruptura
• Corriente máxima
• Tensión colector-emisor
en saturación
EL IGBT DE POTENCIA
250 V 600 V
300 V 900 V
1200 V
(Poco usuales)
Características básicas
EL IGBT DE POTENCIA
Características térmicas
EL IGBT DE POTENCIA
Características dinámicas
Circuito equivalente del IGBT
“cola de corriente”
(current tail)
Problema: aumento de
pérdidas de conmutación
Cola de corriente
Características dinámicas
Al contrario que en el MOSFET, los tiempos de conmutación del IGBT
no dan información sobre las pérdidas de conmutación
Causa:
No tienen en cuenta el efecto de cola de corriente
Este efecto es muy significativo en el conjunto de pérdidas
Además, el tiempo de caída de la tensión VCE no queda definido
Este tiempo es muy importante para definir las pérdidas
DIAC
TRIAC
GTO
TIRISTORES
SCR (Silicon Controlled Rectifier)
Estructura de 4 capas
SCR IA Ánodo
A
Característica V-I
Puerta VAK
Cátodo K
IA Polarización directa: una vez
disparado, conduce como un diodo
Polarización directa: si no se
ha disparado, no conduce
VAK
Zona de transición
TIRISTORES
PACE PACK
TO-200
TIRISTORES
Parámetros fundamentales para seleccionar un SCR
• Tensión de ruptura
• Corriente máxima
• Velocidad de conmutación
400 V
Alta tensión Soportan tensión directa (VDRM)
800 V
e inversa (VRRM)
1000 V
1200 V
Características de disparo
VGK
No se garantiza el disparo
Características de disparo
El circuito de disparo debe tener una recta de carga tal que el
punto de corte esté en la zona de disparo seguro
Z1
V1
IG
V1 / Z1
VGK
V1
Características de disparo
IA Sigue conduciendo
ILATCHING
Se apaga
IG
TIRISTORES
IA
Z1 = R
IA
V1 Z1
Z1 = Ls
IG Se apaga
IG
TIRISTORES
Para evitar esto, se suele disparar los SCR con trenes de pulsos
IG
Características de disparo
i
VAK dVAK
grande
dt
TIRISTORES
Apagado del SCR
IA
Corriente de Corriente de
enclavamiento mantenimiento
(p.ej 1 A)
(p.ej 600mA)
TIRISTORES
Apagado del SCR
• Apagado estático
IA
• Apagado dinámico
IMANTENIMIENTO
El apagado estático se utiliza en
aplicaciones de red (50 Hz) VAK
El tiristor se apaga de forma natural
Disparo
R1 VR
V1
VR
VT
TIRISTORES
VT
TRIAC
T1 G T2
T2 + T2 + T2 - T2 -
IG IG IG IG
T1
- - + +
T1 T1 T1
IG > 35 mA 35 mA 70 mA 35 mA
IH < 30 mA 30 mA 30 mA 30 mA
TIRISTORES
IL < 40 mA 60 mA 60 mA 40 mA
RL (Carga)
C
Comp. con
Histéresis
VG
VRL
R
: ángulo de disparo
Controlando el ángulo de VComp
disparo se controla la
potencia que se le da a RL
TIRISTORES
T2 VT12
- 30 V 30 V
TIRISTORES
K
G
• Es muy robusto
GTO