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OTROS SEMICONDUCTORES

DE POTENCIA
El transistor Bipolar de Puerta Aislada
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

Este dispositivo aparece en los años 80


Mezcla características de un transistor bipolar y de un MOSFET
La característica de salida es la de un bipolar pero se controla por
tensión y no por corriente

MOSFET Bipolar
EL IGBT DE POTENCIA

G
E

Alta capacidad de manejar corriente (como un bipolar)


Facilidad de manejo (MOSFET)

Menor capacidad de conmutación (Bipolar)


No tiene diodo parásito
Estructura del IGBT

Es similar a la de un MOSFET
Sólo se diferencia en que se añade un sustrato P bajo el sustrato N

Es el dispositivo más adecuado para tensiones > 1000 V


EL IGBT DE POTENCIA

El MOSFET es el mejor por debajo de 250 V


En los valores intermedios depende de la aplicación, de la frec.,etc.
El IGBT se suele usar cuando se dan estas condiciones:

• Bajo ciclo de trabajo


• Baja frecuencia (< 20 kHz)
• Aplicaciones de alta tensión (>1000 V)
• Alta potencia (>5 kW)

Aplicaciones típicas del IGBT


EL IGBT DE POTENCIA

• Control de motores
• Sistemas de alimentación ininterrumpida
• Sistemas de soldadura
• Iluminación de baja frecuencia (<100 kHz)
y alta potencia
Gran capacidad de manejo de corriente

Comparación IGBT-MOSFET con el mismo área de semiconductor

El IGBT tiene menor caída de tensión

Menores pérdidas en conducción

Problema:
Coeficiente de temperatura negativo
EL IGBT DE POTENCIA

A mayor temperatura, menor


caída de tensión

Conduce más corriente

Se calienta más

Esto es un problema para paralelizar IGBTs


Encapsulados de IGBT

Módulos de potencia
TO 220

MTP
TO 247
EL IGBT DE POTENCIA
Parámetros fundamentales para seleccionar un MOSFET

• Tensión de ruptura
• Corriente máxima
• Tensión colector-emisor
en saturación
EL IGBT DE POTENCIA

Tensiones de ruptura de dispositivos comerciales

Media tensión Alta tensión

250 V 600 V
300 V 900 V
1200 V
(Poco usuales)
Características básicas
EL IGBT DE POTENCIA

En ocasiones, el encapsulado incorpora


internamente un diodo
G
E
Características eléctricas

Tensión de saturación colector-emisor (como en bipolares)

Tensión umbral de puerta (como en MOSFETS)

Características térmicas
EL IGBT DE POTENCIA
Características dinámicas
Circuito equivalente del IGBT

La base del bipolar no del accesible


La circuitería exterior no puede solucionar el
problema de la eliminación de los minoritarios
de la base

Esto da lugar a la llamada


EL IGBT DE POTENCIA

“cola de corriente”
(current tail)

Problema: aumento de
pérdidas de conmutación

Cola de corriente
Características dinámicas
Al contrario que en el MOSFET, los tiempos de conmutación del IGBT
no dan información sobre las pérdidas de conmutación

Causa:
No tienen en cuenta el efecto de cola de corriente
Este efecto es muy significativo en el conjunto de pérdidas
Además, el tiempo de caída de la tensión VCE no queda definido
Este tiempo es muy importante para definir las pérdidas

Se hace mediante gráficos que proporciona el fabricante


EL IGBT DE POTENCIA
Tipos de Tiristores

SCR (Silicon Controlled Rectifier)


A este dispositivo se le suele llamar Tiristor

DIAC

TRIAC

GTO
TIRISTORES
SCR (Silicon Controlled Rectifier)

Es uno de los semiconductores más antiguos


1957 General Electric Research Laboratories

Tiene una enorme capacidad de manejar potencia


Son muy robustos
Seguirá teniendo aplicaciones debido a que es de los
semiconductores con mayor capacidad de manejar potencia
TIRISTORES

Estructura de 4 capas
SCR IA Ánodo
A
Característica V-I
Puerta VAK

Cátodo K
IA Polarización directa: una vez
disparado, conduce como un diodo

Polarización directa: si no se
ha disparado, no conduce

VAK
Zona de transición
TIRISTORES

Con polarización inversa se comporta como un diodo: no conduce

El SCR se apaga de forma natural cuando la corriente pasa por cero


Encapsulados de SCR

ADD A PACK MAGN A PACK

PACE PACK

TO-200
TIRISTORES
Parámetros fundamentales para seleccionar un SCR
• Tensión de ruptura
• Corriente máxima
• Velocidad de conmutación

Tensiones de ruptura de dispositivos comerciales


TIRISTORES

400 V
Alta tensión Soportan tensión directa (VDRM)
800 V
e inversa (VRRM)
1000 V
1200 V
Características de disparo

Para disparar el SCR hay que introducir corriente por la puerta

Para que el disparo sea efectivo, se deben de cumplir dos condiciones:

1. La corriente de puerta debe ser superior a un cierto valor

IG Zona de disparo seguro

Ningún SCR se dispara


TIRISTORES

VGK

No se garantiza el disparo
Características de disparo
El circuito de disparo debe tener una recta de carga tal que el
punto de corte esté en la zona de disparo seguro

Z1

V1

IG
V1 / Z1

Zona de disparo seguro


TIRISTORES

VGK
V1
Características de disparo

2. Hay que mantener el disparo hasta que la corriente ánodo-cátodo


sobrepase un cierto valor que se llama Corriente de Enclavamiento
(Latching Current)

IA Sigue conduciendo

ILATCHING

Se apaga

IG
TIRISTORES

Una vez disparado, el SCR sigue conduciendo


aunque no tenga corriente en puerta
Características de disparo
Podríamos disparar el SCR con un pulso de corriente
Esto funciona con carga resistiva ya que la corriente crece
rápidamente y se alcanza fácilmente la corriente de enclavamiento

IA
Z1 = R

IA
V1 Z1
Z1 = Ls
IG Se apaga

IG
TIRISTORES

Para evitar esto, se suele disparar los SCR con trenes de pulsos

IG
Características de disparo

El SCR se puede llegar a disparar por derivada de tensión


Si la tensión ánodo-cátodo cambia muy bruscamente, puede
inducirse corriente en la puerta y entrar en conducción

i
VAK dVAK
grande
dt
TIRISTORES
Apagado del SCR

Idealmente, cuando la corriente que circula entre ánodo y cátodo


llega a cero, el SCR se apaga de forma natural

En realidad, se apaga cuando la corriente baja hasta un cierto valor


llamado Corriente de mantenimiento (holding current)

IA

Corriente de Corriente de
enclavamiento mantenimiento
(p.ej 1 A)
(p.ej 600mA)
TIRISTORES
Apagado del SCR

Hay dos tipos de apagado:

• Apagado estático
IA
• Apagado dinámico

IMANTENIMIENTO
El apagado estático se utiliza en
aplicaciones de red (50 Hz) VAK
El tiristor se apaga de forma natural

El apagado dinámico se utiliza en


aplicaciones de frecuencia más elevada IA
s
(1 - 20 kHz)
TIRISTORES

Se requiere un circuito externo para


apagar el SCR de forma forzada VAK
Ejemplo de funcionamiento
V1

Disparo

R1 VR

V1
VR
VT
TIRISTORES

VT
TRIAC

Funciona como un tiristor


Al dispararlo, conduce hasta que la corriente pasa por cero

Es bidireccional. Conduce en ambos sentidos


Se puede disparar con corrientes entrantes y salientes

T1 G T2

Su uso es común en aplicaciones de “baja” potencia (pero relativamente


TIRISTORES

alta comparada con la potencia de muchos sistemas de alimentación)

200, 400, 600, 800, 1000 V


Especificaciones típicas
1- 50 A
TRIAC
Hay 4 posibilidades de funcionamiento
No todas son igual de favorables

T2 + T2 + T2 - T2 -

IG IG IG IG
T1
- - + +
T1 T1 T1

IG > 35 mA 35 mA 70 mA 35 mA

IH < 30 mA 30 mA 30 mA 30 mA
TIRISTORES

IL < 40 mA 60 mA 60 mA 40 mA

IH Corriente de mantenimiento IL Corriente de enclavamiento


TRIAC Ejemplo Nivel de
comparación

RL (Carga)

C
Comp. con
Histéresis
VG
VRL
R

: ángulo de disparo 
Controlando el ángulo de VComp
disparo se controla la
potencia que se le da a RL
TIRISTORES

A este tipo de control se


VG
le llama control de fase
DIAC
No es un interruptor

Una vez disparado se comporta como un diodo


Cuando su corriente pasa por cero, se apaga
Para dispararlo hay que sobrepasar una tensión característica VDIAC
que suele ser de 30 V.
Es totalmente simétrico
IT12
T1

T2 VT12
- 30 V 30 V
TIRISTORES

Aplicaciones: se suele usar para disparar TRIACs y tiristores


GTO Gate Turn-Off Thirystor

K
G

• En muchas aplicaciones, el hecho de no poder


apagar el SCR es un grave problema
• El GTO solventa ese inconveniente
• Con corriente entrante por puerta, se dispara
• Con corriente saliente por puerta, se apaga

• Se utiliza en aplicaciones de mucha potencia


TIRISTORES

• Es muy robusto
GTO

• Soporta altas tensiones


• Puede manejar corrientes elevadas
• La caída de tensión en conducción es relativamente baja

• El GTO es básicamente igual que un SCR


• Se han modificado algunos parámetros constructivos para
poder apagarlo por puerta
• Se pierden algunas características (solución de compromiso).
Por ejemplo, la corriente de disparo es mayor.

• Caída de tensión en conducción ligeramente superior al SCR


• Algo más rápido que un SCR
TIRISTORES

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