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DIODOS
SEMICONDUCTORES
INTRODUCCION
En esta sesión comenzaremos el estudio de los circuitos no lineales, haremos
referencia a las propiedades químicas de los materiales semiconductores,
posteriormente definiremos las características del diodo, las formas de polarización
de los mismos, tipos de diodos y finalmente aplicaciones electrónicas de los diodos.
OBJETIVO
-Identificar las características de los diodos semiconductores.
-Conocer el principio de Funcionamiento de los diodos.
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Electrónica Básica
INTRODUCCIÓN
La electrónica trata de la teoría y de la aplicación de los
dispositivos que controlan la corriente, en ellos están incluidos
los dispositivos de semiconductor y hasta hace algunos años los
tubos de vacío. Los semiconductores son sólidos, cuya
resistividad es intermedia entre la de los conductores eléctricos y
la de los aislantes.
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Electrónica Básica
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Electrónica Básica
Electrones de Valencia
Los electrones de valencia son los electrones que se
encuentran en los mayores niveles de energía del
átomo, siendo éstos los responsables de la
interacción entre átomos de distintas especies o
entre los átomos de una misma.
Electrónica Básica
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Electrónica Básica
Semiconductores Intrínsecos
Un semiconductor intrínseco es un semiconductor puro, tienen el mismo número de
electrones libres y el mismo número de huecos. A menudo a los electrones libres y
huecos se denominan portadores.
Para incrementar el número de huecos se añaden átomos que tengan sólo tres
electrones de valencia.
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Electrónica Básica
Semiconductores extrínsecos
Un semiconductor se puede dopar para tener exceso de electrones libres o exceso de
huecos, por tanto existen dos tipos de semiconductores dopados.
Semiconductor tipo N
El silicio que ha sido dopado con impurezas pentavalentes (antinonio, arsénico y
fósforo) se denomina semiconductor tipo n, donde n hace referencia a negativo.
Los electrones libres son los portadores mayoritarios y los huecos son los
portadores minoritarios.
Semiconductor tipo P
El silicio que ha sido dopado con impurezas trivalentes (Boro, galio e indio) se
denomina semiconductor tipo p, donde p hace referencia a positivo. Los huecos
serán los portadores mayoritarios y Los electrones libres los portadores
minoritarios.
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Electrónica Básica
Semiconductores
• Silicio y Germanio.
• Valencia 4
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Electrónica Básica
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Electrónica Básica
• Dopado de Boro,
Galio o Indio:
• Tipo P. (adición + 3
electrones de
valencia)
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Electrónica Básica
EL DIODO
Un diodo es la unión de dos zonas de material semiconductor, una de tipo N y
la otra de tipo P, entre las dos se forma una zona llamada de agotamiento
(Z.A.) donde es mínima o nula la presencia de portadores de carga.
ANODO P N CATODO
(A) (K)
Electrónica Básica
Presentación Física
Electrónica Básica
DIODO SEMICONDUCTOR
Zona libre de cargas.
Solo quedan los iones fijos.
Zona de Transición
Región de Agotamiento
P N
- +
ÁNODO CÁTODO
- +
- +
- +
ÁNODO CÁTODO
SÍMBOLO
I I I I I I
+ + +
V V
V
- V - V - V
Abierto Corto Resistencia
(R = ∞) (R = 0) (R)
I I I I
+ +
V V
- V - V
Batería Fuente
Corriente
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Electrónica Básica
POLARIZACIÓN DIRECTA
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Electrónica Básica
POLARIZACIÓN INVERSA:
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Electrónica Básica
I I
+
P
N V
-
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Electrónica Básica
DIODO REAL
ID (mA)
1
ánodo cátodo Si
Ge
p n
VD (V)
A K
0
-0.25 0.25 0.5
Símbolo
ID IS e 1
TK para Si
VD = Tensión diodo
T = temperatura (ºK)
ID = Corriente diodo
Ge Si
VD
-0.25 0
0.25 0.5
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Electrónica Básica
Curva Característica del Diodo
Electrónica Básica
DIODO: DISTINTAS APROXIMACIONES
I I I Tensión de
Solo tensión umbral y
Ideal de umbral Resistencia
Ge = 0.3 directa
Si = 0.7
V V V
I I
Curva real
Corriente de fugas con (simuladore
Tensión de umbral y s, análisis
Resistencia directa gráfico)
V V
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Electrónica Básica
DIODO: Parámetros facilitados por fabricantes
id
IOmax
VR = 1000V Tensión inversa máxima
IOMAX (AV)= 1A Corriente directa máxima
VF = 1V Caída de Tensión directa
IR = 50 nA Corriente inversa
VR
iS Vd
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Electrónica Básica
DIODOS ESPECIALES
Diodo Zener
La ruptura no es destructiva.
(Ruptura Zener).
Tensión I
Zener En la zona Zener se
(VZ) comporta como una fuente
de tensión (Tensión Zener).
Necesitamos, un límite de
V corriente inversa.
Aplicaciones en pequeñas
Límite máximo fuentes de tensión y
referencias.
Normalmente,
límite de potencia
máxima
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Electrónica Básica
A K
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Electrónica Básica
Fotodiodos
I = f(T)
El modelo puede ser una fuente
de corriente dependiente de la
luz
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Electrónica Básica
-
-
-
+
+
+
+
+ Notar, que al aumentar la tensión inversa
- - + +
VI
10 V
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Electrónica Básica
Diodo Schottky
Unión Metal-semiconductor N
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Electrónica Básica
ASOCIACIÓN DE DIODOS Puente rectificador
DISPLAY -
Trifásico
+
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Electrónica Básica
Display a 7 Segmentos
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Electrónica Básica
APLICACIONES DE DIODOS
Detectores reflexión de
objeto
Detectores de barrera
Detectores reflexión de espejo
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Electrónica Básica
APLICACIONES DE DIODOS
Objetivo Fotodetector
LED azul
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Electrónica Básica
Ejercicio 1
• Para la siguiente configuración calcule ID, VR.
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Electrónica Básica
Ejercicio 2
• Para la siguiente configuración calcule ID, VR.
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Electrónica Básica
Ejercicio 3
En la siguiente red determinar ID, Vo, voltaje en cada resistencia y
potencia del diodo.
Si
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Electrónica Básica
Ejercicio 4
Para el circuito mostrado determinar el valor de Vo
Uo
4,7k Si
+20V +5V
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Electrónica Básica
Ejercicio 4
Determinar ID , Vo y el voltaje en cada resistencia
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