Dispositivos de Microondas

UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERIA ELECTRONICA
DISPOSITIVOS DE MICROONDAS
INTEGRANTES:
Cruz Rivera Erick Nicolás Código: 022045H
Marí Salcedo Miguel Ángel Código: 1313220516
Portugués Hilares Nhilton Alexander Código: 062936K
Reynoso Silva Carlos Andrés Código: 044229D
CURSO: SISTEMAS DE MICROONDAS

CICLO: 2018 A
CALLAO - PERU
INTRODUCCION
En los años 50, los dispositivos semiconductores para
microondas aumentaron en gran cantidad debido a los
diferentes requerimientos de la humanidad; aumentando así
las características de los dispositivos.
DISPOSITIVOS DE MICROONDAS
• AMPLIFICADORES
• OSCILADORES
• CIRCULADORES
• MULTIPLICADORES
• AISLADORES
• DESFASADORES
AMPLIFICADORES
Se utilizan amplificadores de potencia, hay

distintos tipos. Por ejemplo los amplificadores
de estado solido se usan solo hasta los 10KW.
Por encima de este valor se utiliza la técnica
del “BUNCHING” o agrupamiento en paquetes
de energía (tubos de vacio de microondas).
KLISTRON
UN Klistrón es un tubo de vacio lineal de haz especializado, inventado en
1937.
Se utiliza como un amplificador de altas frecuencias, a partir de las
frecuencias de radio UHF arriba en el rango de microondas.
Su salida puede ser controlada con precisión en amplitud, frecuencia y fase.
TWT
• Traveling wave tube (tubo de onda
progresiva).
• Amplificador de gran ancho de banda y gran
ganancia entre 25 y 50 dB. Se llama así porque
consta de un generador de haz electrónico
que es una especie de cañón.
El cañón consta de:
• Calefactor y cátodo, cuya superficie de emisión de electrones es mucho
mayor que el área del haz lo cual permite trabajar con menor densidad de
electrones en un orden de 15 a 50 veces.
• Electrodo de enfoque que rodea al cátodo y regula el campo eléctrico y
• Ánodo para acelerar y concentrar el haz de electrones lo cual actúa sobre
la ganancia del amplificador.
• Colector de electrones, es una estructura que desacelera el haz en varias
etapas de tensión positiva para restar energía cinética y disminuir la
disposición de calor.
AMPLIFICADOR A TRANSISTORES
• Los amplificadores mas interesantes por la
relación entre el costo, consumo, tamaño,
reproductividad y distorsiones son los
realizados mediante transistores SSPA (Solid
State Power Amplifier). El semiconductor
silicio es útil en transistores bipolares hasta ls
3000 MHz, mientras que el Arseniuro de Galio
( As Ga) se utiliza por encima de dicha
frecuencia en la configuración de transistores
de efecto de campo (FET).
CARACTERISTICAS:
• Nivel máximo de potencia de salida es de 10
watts en las bandas de 4/6 GHz y de 2,5 w en
11/14 GHz.
• Potencia de salida limitada frente a los
amplificadores tradicionales usados en estaciones
terrenas.
• En los amplificadores de bajo ruido se selecciona
la configuración FET con barrera Shottky que
permite una figura de ruido muy reducida.
OSCILADORES
• Es un sistema electrónico que genera una
señal de RF periódica sin necesidad de que
exista una excitación alterna a la entrada.
• La señal alterna de salida se obtiene a partir
de la energía continua de polarización de
algún dispositivo.
• Componentes:
• Diodo o un transistor
DIODO GUNN
• Usado en la electrónica de alta frecuencia. Los diodos Gunn
son usados para construir osciladores en el rango de
frecuencias comprendido entre la 10 GHz y frecuencias aún
más altas (hasta Terahertz).
EFECTO GUNN
Este efecto es un instrumento eficaz para la generación de
oscilaciones en el rango de las microondas en los materiales
semiconductores. Gunn observo esta característica en el arsenjuro
de galio (GaAs) y el fosfuro de indio (InP).
Este efecto no depende dela unión misma, ni de los contactos,
tampoco depende de los valores de tensión y corriente y no es
afectado por campos magnéticos.
Cuando se aplica una pequeña tensión continua a través de una
placa delgada de arseniuro de galio, ésta presenta características de
resistencia negativa. Si dicha placa es conectada a una cavidad
resonante, se producirán oscilaciones y todo el conjunto se puede
utilizar como oscilador.
Este efecto solo se da en materiales tipo N.
DIODO IMPATT
Diodo de alta potencia, funcionan a frecuencias entre aproximadamente 3
y 100 GHz o más.
Un gran inconveniente de la utilización de diodos IMPATT es el alto nivel
de ruido de fase que generan. Esto es consecuencia de la naturaleza
estadística del proceso de avalancha. Sin embargo, estos diodos son
excelentes generadores de microondas para muchas aplicaciones.
APLICACIONES DE LOS DIODOS GUNN-IMPATT
A. Radio aficionados
(debido a la utilización
de baja potencia).
B. Radares de posición y
velocidad (radar es
equivalente a sensor)
OTRAS APLICACIONES
• Radar anticolisión
aerotransportado.
•Sistema de seguridad de
peatones.
•Detectores de movimiento
(emite una onda de 5.8 GHz).
CIRCULADORES
• Un circulador es un dispositivo pasivo de tres o más puertas
donde la potencia se transfiere de una puerta a la siguiente
en un orden preestablecido.
AISLADORES
Los aisladores de RF son dispositivos pasivos de microondas de 2
puertos que ayudan a proteger los componentes de RF de una
reflexión excesiva de corriente o de señal. Estos aisladores de RF
actúan como una trampa unidireccional, aislando una fuente y su
carga de manera que cualquier energía reflejada en la carga es
atrapada o se disipa.
MULTIPLICADORES
Los multiplicadores de frecuencia de RF ( también
conocidos como dobladores de frecuencia) son
componentes pasivos de microondas que crean una
frecuencia de salida cuya señal es mayor que la señal de
entrada, conocida como la señal armónica. La señal de
entrada es conducida a través de un filtro paso-banda que
selecciona el armónico deseado (multiplicado) de la señal.
DESFASADORES
Los desfasadores de RF son dispositivos pasivos de microondas que se
utilizan para cambiar el ángulo de fase de una señal de RF. Los diseños de
estos desfasadores analógicos se mantienen la amplitud en todos los
estados de fase y sus bajas perdidas de inserción los hacen ideales para
aplicaciones de RF, tales como moduladores de fase, “up-converters”,
instrumentación de medida, “phased array antennas”, etc.
Operan con frecuencias que oscilan entre DC y 40 GHz. Los Desfasadores
admiten potencias nominales de 100 vatios con potencias de pico de
3.000 vatios. Estos desfasadores tienen un rango de fase de 0o a 360o y un
ajuste de fase de 30o y 60o por GHz dependiendo del tipo y diseño. Las
perdidas de Inserción máximas de estos Desfasadores de banda ancha van
de 0.5dB a 2.5 dB.

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