UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA DE CAMPECHE

MANTENIMIENTO INDUSTRIAL

MATERIA:

Electrónica Analógica

PROFESOR:

Ing. Luis Esteban Lara chan

EQUIPO:

No. 5

INTEGRANTES:
Pérez Jiménez Kimberley
De los Santos Magaña Yesenia
Flores Lara Esther
Chi Kantún Ángel Gabriel

PRESENTACIÓN:

TRANSISTORES
 Transistores
El transistor: es un dispositivo electrónico
semiconductor que cumple funciones de
amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.
Actualmente se los encuentra prácticamente en todos
los aparatos domésticos de uso diario: radios,
televisores, grabadoras, reproductores de audio y
video, etc.
 Transistores
Transistores bipolares
Amplificación
Conmutación
Fallas en circuitos con
transistores bipolares.
 característica
Es un dispositivo
electrónico de estado sólido
consistente en dos uniones PN muy
cercanas entre sí, que permite
controlar el paso de la corriente a
través de sus terminales. La
denominación de bipolar se debe a
que la conducción tiene lugar gracias
al desplazamiento de portadores de
dos polaridades (huecos positivo
y electrones
negativos), y son de gran utilidad en
gran número de aplicaciones; pero
tienen ciertos inconvenientes, entre
ellos su impedancia de entrada
bastante baja.
 PARÁMETROS
• El parámetro α de un transistor indica la relación de
semejanza que se produce en la corriente de colector
y las variaciones de las corrientes del emisor.

• Así por ejemplo, en el caso de que en un transistor se

haya medido una variación de la corriente de
colector de 7.92 mA, entre dos puntos de
funcionamiento, y una variación de 8 mA en la
corriente de emisor, tendremos que:

• Dado que la corriente de base, suele ser muy

pequeña, en la mayor parte de los transistores el
valor del parámetro α se acerca a la unidad
configuraciones y polarización de los
transistores bipolares NPN y PNP.
En efecto, al polarizar y configurar en sentido directo
la unión emisor-base, se inyecta un exceso de huecos en
la base, exceso que se difunde hacia el colector. Si el
espesor de la base es muy pequeño (menor que una
longitud de difusión) una gran parte de los huecos
inyectados desde el emisor llega hasta la unión base-
colector por lo que la corriente que atraviesa esta unión
es mucho más intensa que la corriente inversa
correspondiente a una unión p-n aislada.
 transistores BJT
Internamente, el BJT se compone de tres capas de silicio, según la
configuración mostrada en la Figura.

Estructura interna del transistor bipolar

Como puede apreciarse, la flecha que indica el tipo de transistor, apunta al

sentido de la corriente en polarización directa del diodo BE. En principio,
parece una estructura simétrica, en la que es imposible distinguir el emisor
del colector. Sin embargo la función que cumple cada uno es completamente
distinta, y en consecuencia, se fabrican con diferentes características. Por lo
tanto no es un componente simétrico.
Un transistor tiene dos formas principales de operación: como un interruptor
o como una resistencia variable.
 Amplificación
La necesidad de amplificar las señales es casi una necesidad
constante en la mayoría de los sistemas electrónicos. En este
proceso, los transistores desarrollan un papel fundamental, pues
bajo ciertas condiciones, pueden entregar a una determinada
carga una potencia de señal mayor de la que absorben.
El análisis de un amplificador mediante su asimilación a un
cuadrípolo (red de dos puertas), resulta interesante ya que
permite caracterizarlo mediante una serie de parámetros
relativamente simples que nos proporcionan información sobre
su comportamiento.
 características, parámetros y
Aplicaciones.
para comprender el funcionamiento del transistor como
amplificador, se partirá del circuito de la figura, en el que
el transistor se conecta en la configuración denominada
de emisor común.

El generador Veb asegura que la unión base-emisor esté

polarizada en sentido directo. Una batería Vc (Vc>> Vbe)
proporciona la tensión de polarización inversa a la unión
del emisor.
El circuito de entrada, en el que se aplicará la señal que se
desea amplificar, es el que contiene a la base y el emisor.
El circuito de salida está conectado a las terminales del
colector y del emisor. Rc es la resistencia de carga del
circuito de salida.
 Conmutación

cuando el transistor está en saturación o en corte las pérdidas

son despreciables. Pero si tenemos en cuenta los efectos de
retardo de conmutación, al cambiar de un estado a otro se
produce un pico de potencia disipada, ya que en esos instantes
el producto IC x VCE va a tener un valor apreciable, por lo que la
potencia media de pérdidas en el transistor va a ser mayor.
Estas pérdidas aumentan con la frecuencia de trabajo, debido a
que al aumentar ésta, también lo hace el número de veces que se
produce el paso de un estado a otro.
 EL BJT EN CONMUTACION
Los circuitos de conmutación son aquellos en los que
el paso de bloqueo a saturación se considera
inmediato, es decir, el transistor no permanece en la
zona activa. Los circuitos típicos del transistor en
conmutación son los multivibradores y la báscula de
Schmitt. Los multivibradores se aplican en los
sistemas electrónicos de temporización, generación
de señales cuadradas, intermitencias, etc.
temporización, generación de señales cuadradas,
intermitencias, etc. Las básculas de Schmitt tienen
su principal aplicación en sistemas de detección que
utilizan sensores, de forma que se comporta como
un interruptor activado por las variaciones de algún
parámetro físico detectado por el sensor .
Las aplicaciones de los transistores no se limitan
únicamente a la amplificación de señales. Mediante
un diseño apropiado, se pueden utilizar como
interruptores para aplicaciones de cómputo y de
control. puede emplearse como un inversor para
circuitos lógicos de cómputo.

Observe que el voltaje de salida Vc es el opuesto del

que se aplica en la terminal de la base o de entrada.
Además, la ausencia de una fuente de corriente directa
conectada al circuito de la base.

La única fuente de corriente directa se encuentra

conectada al colector o lado de salida y para
aplicaciones de cómputo, este es generalmente igual a
la magnitud “alta” de la señal aplicada, que para este
caso son 5V.
 características, parámetros y
configuración de los transistores
bipolares
Los transistores son dispositivos activos con características
altamente no lineales. • Efecto Transistor: el transistor es un
dispositivo cuya resistencia interna puede variar en función de
la señal de entrada. Esta variación de resistencia provoca que
sea capaz de regular la corriente que circula por el circuito al
que está conectado. (Transfer Resistor).

BJT (Bipolar Junction Transistor) • Los transistores de unión

bipolares, son dispositivos de estado sólido de tres terminales,
núcleo de circuitos de conmutación y procesado de señal.

El transistor se ha convertido en el dispositivo más empleado en

electrónica, a la vez que se han ido incrementando sus
capacidades de manejar potencias y frecuencias elevadas, con
gran fiabilidad. (No existe desgaste por partes móviles).
 TRANSISTOR BIPOLAR NPN

Está formado por una capa fina tipo p entre dos capas n,
contenidas en un mismo cristal semiconductor de germanio o
silicio, presentando las tres zonas mencionadas (E, B, C). El
emisor emite portadores de carga hacia el interior de la base. En
la base se gobiernan dichos portadores. En el colector se recogen
los portadores que no puede acaparar la base. En el colector se
recogen los portadores que no puede acaparar la base. • Unión
emisor: es la unión pn entre la base y el emisor. Unión colector:
es la unión pn entre la base y colector. Cada una de las zonas está
impurificada en mayor o menor grado. La base 100 veces menos
que el colector o emisor. La base tiene menor tamaño, después el
emisor y a 2 veces de espesor el colector.
 TRANSISTOR BIPOLAR PNP

El BJT pnp está formado también por un cristal

semiconductor con tres regiones definidas por el tipo
de impurezas. Las tensiones de continua aplicadas
son opuestas a las del npn. Las corrientes fluyen en
sentido contrario al del npn. Por lo demás, este
dispositivo es similar al npn. El BJT pnp desde el
emisor emite huecos, controlada por la base. El
exceso de huecos que no pueden recombinarse en la
base van a parar al colector
.
 Fallas en circuitos con
transistores bipolares
Los fallos típicos originan grandes desviaciones en las
corrientes y las tensiones de un transistor. Quienes
detectan averías rara vez buscan diferencias de décimas
de voltio. Lo que buscan son tensiones que se
manifiesten distintas a los valores normales. Por ello,
el transistor idea es tan útil como punto de partida en
la Torreón detección de fallos. Además, explica por qué
muchos detectores de averías ni siquiera usan
calculadoras para determinar la tensión colector-
emisor.
 Fallas en transistores
FALLO VB(V) VC(V) COMENTARIO

NINGUNO 0.7 12 NO HAY PROBLEMA

RB (CORTOCIRCUITO) 15 15 TRANSISTOR DESTRUIDO

RB (ABIERTA) 0 15

NO HAY CORRIENTE NI EN LA
RC (CORTOCIRCUITO) 0.7 15
BASE NI EN EL COLECTOR

RC (ABIERTA) 0.7 0

VBB ES CERO 0 15
VERIFICAR LA FUENTE Y SU
VCC ES CERO 0.7 0 CONEXION