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– DIREÇÕES NO CRISTAL
• a, b e c definem os eixos
de um sistema de
coordenadas em 3D.
Qualquer linha (ou
direção) do sistema de
coordenadas pode ser
especificada através de
dois pontos: · um deles
sempre é tomado como
sendo a origem do
sistema de coordenadas,
geralmente (0,0,0) por
convenção;
– DIREÇÕES NO CRISTAL
– DIREÇÕES NO CRISTAL
DIREÇÕES NOS CRISTAIS
• São representadas entre colchetes= [hkl]
• Quando passa pela origem
Direções Cristalográficas – Índices de Miller
Exercício: Determine os Índices de Miller das direções A, B e C, da figura abaixo.
Direção A:
1. alvo= 1, 0, 0; origem= 0, 0, 0
2. alvo - origem = 1, 0, 0
3. sem frações
4. [1 0 0]
Direção B:
1. alvo= 1,1,1; origem= 0, 0, 0
2. alvo - origem = 1, 1, 1
3. sem frações
4. [1 1 1]
Direção C:
1. alvo= 0, 0, 1; origem= 1/2, 1, 0
2. alvo - origem = -1/2, -1, 1
3. 2 (-1/2, -1, 1) = -1, -2, 2
4. [1 2 2]
– DIREÇÕES NO CRISTAL
– DIREÇÕES NO CRISTAL
DIREÇÕES PARA O SISTEMA CCC
• No sistema ccc os
átomos se tocam ao
longo da diagonal do
cubo, que corresponde a
família de direções <111>
• Então, a direção <111> é
a de maior
empacotamento atômico
para o sistema ccc
Direções Cristalográficas – Índices de Miller
Algumas observações importantes:
Exemplo para
simetria cúbica:
Direções Cristalográficas em Metais – FATOR DE
EMPACOTAMENTO LINEAR
As propriedades de muitos materiais são direcionais, por isso é importante saber
alguns parâmetros que definem estas propriedades.
DADOS
n° raios na direção: 2r, 4r
Unidade de comprimento: ao, dFACE, DCUBO
Direções Cristalográficas em Metais – DENSIDADE LINEAR
DADOS
n° átomos da direção: cada 2r = 1 átomo
Unidade de comprimento: ao, dFACE, DCUBO
Direções Cristalográficas em Metais – DISTÂNCIA DE
REPETIÇÃO LINEAR
DEFINIÇÃO: De quanto em quanto o centro de um átomo se repete em uma dada
direção. É o inverso da densidade linear. A resposta é dada em A.
DADOS
Unidade de comprimento: ao, dFACE/2, DCUBO/2
Direções Cristalográficas em Metais
Dr = a0 √3
Dr = 3,6151 x √3
Dr = 6,262 A
Direções Cristalográficas em Metais
Densidade linear
RESPOSTA
LI = n° átomos
Dados: K: Estrutura CCC
unid comprimento
Raio Atômico: 0,2312 nm ou 2,312A
LI = 1/2 + 1/2
ao
ao= 4r/√3
Planos (111)
• Cortam os 3 eixos
cristalográficos
• 1/ 1, 1/1, 1/ 1 = (111)
– PLANOS CRISTALINOS
Planos (020) a esquerda e (110) a direita:multiplicidade 12
– PLANOS CRISTALINOS
PLANOS CRISTALINOS
– PLANOS CRISTALINOS
PLANOS CRISTALINOS (120) e (121)
– PLANOS CRISTALINOS
Planos Cristalográficos – Índices de Miller
Família de planos: em cada célula unitária os planos formam um grupo
equivalente que tem índices particulares devido a orientação de suas
coordenadas.
Exemplo: planos da família {1 1 0}:
(1 1 0) (1 0 1) (0 1 1)
(1 1 0) (1 0 1) (0 1 1)
Planos Cristalográficos – Índices de Miller
FAMÍLIA DE PLANOS {110} é paralelo a um eixo
z
y
x
Planos Cristalográficos – Índices de Miller
FAMÍLIA DE PLANOS {111} é paralela a um eixo
Planos Cristalográficos – Índices de Miller
A simetria do sistema cúbico faz com que a família de planos tenha o mesmo arranjo e
densidade;
DADOS
N° de átomos no plano: 1 átomo = 1 círculo completo
Área do círculo: r2
Área do plano: ?????
Planos Cristalográficos em Metais – DENSIDADE PLANAR
DADOS
N° de átomos no plano: 1 átomo = 1 círculo completo
Área do plano: ?????
Planos Cristalográficos em Metais – DISTÂNCIA
INTERPLANAR
DEFINIÇÃO: É a distância de dois planos com mesmos índices de Miller. A
resposta é dada em A. Depende do tipo de célula unitária e do Índice de Miller.
DI (h k l) = a0 .
√(h2 + k2 + l2)
DADOS
a0 = CS, CCC, CFC
(h k l) = índices de Miller de um dos planos
Planos Cristalográficos em Metais
Exercício: Calcule o fator de empacotamento planar, a densidade planar e a
distância interplanar para os planos (0 1 0) e (0 2 0) do sistema cúbico simples do
polônio, o qual tem a0 = 3,34 10-8 cm.
1. Desenhar uma célula unitária genérica e marcar os planos a partir dos índices de
Miller;
2. Fazer a projeção dos planos;
(020)
3. Realizar os cálculos necessários;
(010)
Planos Cristalográficos em Metais
Exercício: Calcule o fator de empacotamento planar, a densidade planar e a
distância interplanar para os planos (0 1 0) e (0 2 0) do sistema cúbico simples do
polônio, o qual tem a0 = 3,34 10-8 cm.
DI (h, k, l) = a0 .
ρPL = (nº de átomos no plano) √(h2 + k2 + l2)
(área do plano)
DI (h, k, l) = a0 .
ρPL = (nº de átomos no plano) √(h2 + k2 + l2)
(área do plano)
1. Desenhar uma célula unitária genérica e marcar os planos a partir dos índices de
Miller;
2. Fazer a projeção dos planos;
3. Realizar os cálculos necessários;
Planos Cristalográficos em Metais
Exercício: Calcule o fator de empacotamento planar, a densidade planar e a
distância interplanar para o planos (1 0 0) do sistema CCC do do potássio, o qual
tem um raio atômico igual a 0,2312 nm.
O FENÔMENO DA DIFRAÇÃO
onde “n” é a ordem de reflexão, que pode ser qualquer inteiro (1,2,3,....)
consistente com “sen “ não excedendo a unidade; “” é o comprimento de
onda; “d” é o espaçamento atômico (equivalente a distância interplanar ); “” é o
ângulo de difração com a superfície e “2” é o ângulo de difração medido
experimentalmente;
ABC = n
AB = BC = d sen
A magnitude da distância entre os dois planos adjacentes e paralelos de átomos
(isto é, o espaçamento interplanar dhkl ) é uma função dos índices de Miller (h, k e
l) bem como os parâmetros da rede.
CS CCC CFC
DI (h, k, l) = a0 .
√(h2 + k2 + l2)
O DIFRATÔMETRO
• T= fonte de raios X
Fonte • S= amostra
• C= detector
• O= eixo no qual a amostra e o
detector giram
Detector
Exemplo de difração de raios X em ferro policristalino.
Exercício: Uma amostra de ferro CCC foi colocada num difratômetro de raios X
incidentes com =0,1541nm. A difração pelos planos {110} ocorreu para 2=
44,704o. Calcule o valor do parâmetro de rede do ferro CCC (considere a difração
de 1a ordem, com n=1).
RESPOSTA
d[110] = ???
2= 44,704o e = 22,352o
1= 2.d[hkl] sen
d[110]= / 2 sen = 0,1541nm / 2(sen 22,35o) = 0,2026 nm
ao(Fe)
d[110]= ao / √(h2+k2+l2)
ao(Fe)= d[110] x √(h2+k2+l2) = 0,2026nm x (1,414) = 0,287 nm
INTRODUÇÃO
Os sólidos cristalinos reais não apresentam uma organização estrutural perfeita
como os sólidos ideais. A sua estrutura é composta por uma variedade de
defeitos e imperfeições que afetam as propriedades dos materiais. Controlar as
imperfeições, significa obter materiais com diferentes propriedades e com novas
aplicações. Podem existir diferentes tipos de imperfeições na rede e eles são
classificados segundo a ordem de grandeza da estrutura:
1) vibrações da rede
2) defeitos pontuais
3) defeitos lineares
4) defeitos planares
5) defeitos volumétricos
Defeitos possíveis em um material a partir da dimensão em que ocorrem
na estrutura
Vibrações de Rede
São movimentos da rede cristalina que são quantizadas por fônons (partículas
que designam um quantum de vibração em um retículo cristalino rígido).
nv = n exp (-Q/RT)
DADOS
nv: n° de vacâncias/cm3
n: n° de pontos na rede/cm3
Q: energia necessária para produzir a vacância (J/mol)
R: cte dos gases (8,31 J/molK)
T: temperatura em °K
Defeitos Pontuais Quanto a Forma – VAZIOS - VACÂNCIAS
Exercício : Calcule o n° de vacâncias por centímetro cúbico e o n° de vacâncias
por átomos de cobre, quando o cobre está (a) a temperatura ambiente, (b) 1084°C.
Aproximadamente 83600 J/mol são requeridos para produzir uma vacância no
cobre. Dados: a0 = 3,6151 x 10-8 cm, Q = 83600 J/mol e R = 8,31J/mol K.
nv = n exp (-Q/RT)
Linha da
discordância
de aresta
Linha da
discordância
de aresta
RESPOSTA
D(hkl)= ao/(h2+k2+l2)0,5
D(222)= 4/(22+22+22)0,5 = 1,15 A
Defeitos Planares ou Interfaciais
DEFINIÇÃO: São fronteiras que apresentam duas dimensões e normalmente
separam regiões dos materiais que apresentam diferentes estruturas cristalinas
ou orientações cristalográficas.
SUPERFÍCIES EXTERNAS