Rectificadores No Controlados

UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍA
FACULTAD DE INGENIERIA QUIMICA Y TEXTIL
CONTROLES ELECTRICOS Y AUTOMATIZACION

EE - 621
RECTIFICADORES
MONOFASICOS NO
CONTROLADOS
TEMAS
Diodos semiconductores, Rectificadores monofásicos de
media onda, Rectificadores monofásicos de onda completa,
Rectificadores trifásicos de media onda, Rectificadores
trifásicos de onda completa
Representación de componentes eléctricos en diagrama V-I
I I I I I I
+ + +
V V
V
- V - V - V
Abierto Corto Resistencia
(R = ∞) (R = 0) (R)
I I I I
+ +
V V
- V - V
Batería Fuente
Corriente
TIPOS DE CONVERSORES DE ENERGIA
ELECTRONICOS
CA / CC CC / CC
Rectificador Regulador
de continua
CA / CA CC / CA
•Cicloconvertidor Inversor
•Reg. alterna
DIODOS SEMICONDUCTORES
MOMENTO DE REFLEXIÓN:
A la vista de lo anterior y sin mas consideración
¿Como debería ser la característica de un diodo?
I I
+
V
FALSO
-
Dos trozos de material, relativamente buen conductor, podríamos

pensar que debe comportarse como una resistencia bastante
pequeña (idealmente un corto).
Zona libre de cargas.
Solo quedan los iones fijos.
ZONA
TRANSICIÓN
P N
- +
ÁNODO CÁTODO
- +
- +
- +
ÁNODO CÁTODO
SÍMBOLO
Fue descubierto accidentalmente el

los laboratorios Bell por Russel Ohl en
1940
POLARIZACIÓN DIRECTA:
LA CONSIDERACIÓN INTUITIVA ES BASTANTE CIERTA
I Huecos (zona P) y electrones (zona N) mayoritarios se

ven empujados a "invadir" la zona de transición.
P
La zona de transición se ve reducida drásticamente.
La corriente se debe a mayoritarios y la corriente directa

N puede llegar a ser importante.
La aproximación de una resistencia pequeña (idealmente

un cable es razonable)
P
+
N
-
POLARIZACIÓN INVERSA:
FALLA LA INTUICIÓN.
Huecos (zona P) y electrones (zona N) mayoritarios se
I ven empujados a "escapar" de la zona de transición.
P La zona de transición aumenta drásticamente.
La corriente se debe a minoritarios y la corriente directa

será muy pequeña (idealmente nula).
N
La mejor aproximación es un cable roto (falla la intuición)
P
-
N
-
-
-
-
+
+
+
+ +
- - + +
- - + +
CARACTERÍSTICA DEL DIODO (CONCLUSIONES)
Idealmente, permite corriente directa (se comporta como un cable) y

bloquea o no permite la corriente inversa (se comporta como un cable
roto)
I I
¡¡ PRESENTA UN
+ COMPORTAMIENT
P O NO LINEAL !!
V
N V
-
ANÉCDOTA
Un símil hidráulico podría ser una válvula anti-retorno, permite pasar el
agua (corriente) en un único sentido.
DIODO REAL
i [mA]
ánodo cátodo 1
p n Ge Si
A K
V [Volt.]
Símbolo -0.25
0
0.25 0.5
Silicio
Germanio
IS = Corriente Saturación Inversa
K = Cte. Boltzman
VD = Tensión diodo
 VKDTq  q = carga del electrón
I D  I S   e  1 T = temperatura (ºK)
ID = Corriente diodo
 
DIODO REAL (Distintas escalas)
i [mA]
Ge: mejor en conducción
i [mA] Si: mejor en bloqueo 30
Ge
1 Si
Ge Si
V [Volt.] V [Volt.]
-0.25 0 -4 0 1
0.25 0.5
i [A] i [pA]
V [Volt.] V [Volt.]
-0.5 0 0
-0.5
Si
Ge -0.8 -10
DIODO: DISTINTAS APROXIMACIONES
I I I
Solo tensión
Ideal de codo Tensión de codo y
Ge = 0.3 Resistencia directa
Si = 0.6
V V V
I I
Curva real
Corriente de fugas con (simuladore
Tensión de codo y s, análisis
Resistencia directa gráfico)
V V
DIODO: CARACTERISTICAS Y/O LIMITACIONES
I Corriente máxima
Tensión inversa
máxima Límite térmico,
sección del
Ruptura de la Unión conductor
por avalancha
600 V/6000 A
1000 V /1 A
200 V /60 A
DIODO: Parámetros facilitados por fabricantes id
IOmax
VR = 1000V Tensión inversa máxima VR

IOMAX (AV)= 1A Corriente directa máxima
VF = 1V Caída de Tensión directa iS Vd
IR = 50 nA Corriente inversa
NOTA:
Se sugiere con un buscador
obtener las hojas de características
VR = 100V Tensión inversa máxima de un diodo (p.e. 1N4007).
IOMAX (AV)= 150mA Corriente directa máxima Normalmente aparecerán varios
VF = 1V Caída de Tensión directa fabricantes para el mismo
IR = 25 nA Corriente inversa componente.
DIODOS ESPECIALES
Diodo Zener (Zener diode)
La ruptura no es destructiva.
(Ruptura Zener).
En la zona Zener se
Tensión I comporta como una fuente
Zener de tensión (Tensión Zener).
(VZ)
Necesitamos, un límite de
corriente inversa.
V Podemos añadir al modelo

lineal la resistencia Zener.
Aplicaciones en pequeñas
Límite máximo
fuentes de tensión y
referencias.
Normalmente,
límite de potencia
máxima
DIODOS ESPECIALES
Diodo LED (LED diode)
Diodo emisor de Luz = Light Emitter Diode
El semiconductor es un compuesto III-V (p.e. Ga As). Con la unión

PN polarizada directamente emiten fotones (luz) de una cierta
longitud de onda. (p.e. Luz roja)
A K
DIODOS ESPECIALES
Fotodiodos (Photodiode)
Los diodos basados en compuestos III-V,
presentan una corriente de fugas proporcional a la
luz incidente (siendo sensibles a una determinada
longitud de onda).
Estos fotodiodos se usan en el tercer cuadrante.

i Siendo su aplicaciones principales:
Sensores de luz (fotómetros)
V Comunicaciones
0
COMENTARIO
iopt Los diodos normales presentan variaciones en la
corriente de fugas proporcionales a la Temperatura y
pueden ser usados como sensores térmicos
i
El modelo puede ser una fuente
de corriente dependiente de la I = f(T) V
luz o de la temperatura según el
caso
T1 0
T2>T1
DIODOS ESPECIALES
Células solares (Solar Cell) Cuando incide luz en una unión PN, la
característica del diodo se desplaza hacia el
4º cuadrante.
i En este caso, el dispositivo puede usarse

como generador.
VCA V
Zona
uso
iCC
Paneles de células
solares
DIODOS ESPECIALES
Diodo Varicap La unión PN polarizada inversamente

(Varicap , Varactor or Tuning diode) puede asimilarse a un condensador de
placas planas (zona de transición).
Esta capacidad se llama Capacidad de

P
-
N
Transición (CT).
-
-
-
-
+
+
+
+
+ Notar, que al aumentar la tensión inversa
- - + +
- - + + aumenta la zona de transición. Un efecto

parecido al de separar las placas de un
condensador (CT disminuye).
Dieléctrico
Tenemos pues una capacidad
dependiente de la tensión inversa.
Un diodo Varicap tiene calibrada y

caracterizada esta capacidad.
CT
30 pF Uso en equipos de comunicaciones (p.e.
Control automático de frecuencia en
d sintonizadores)
VI
10 V
DIODOS ESPECIALES
Diodo Schottky (Schottky diode)
Unión Metal-semiconductor N. Produciéndose el llamado

efecto schottky.
La zona N debe estar poco dopada.
Dispositivos muy rápidos (capacidades asociadas muy

bajas).
Corriente de fugas significativamente mayor.
Menores tensiones de ruptura.
Caídas directas mas bajas (tensión de codo  0.2 V).
Aplicaciones en Electrónica Digital y en Electrónica de

Potencia
El efecto Schottky fue predicho
teóricamente en 1938 por Walter H.
Schottky
DIODOS ESPECIALES
Diodo tunel y diodo GUNN (Gunn diode and Tunnel diode)
Tienen dopadas mucho las dos zonas del diodo (105
veces mayor).
Zona de resistencia Aparece un efecto nuevo conocido como efecto

ID negativa. túnel. (Descubierto por Leo Esaki en 1958).
Efecto Túnel
Un efecto parecido (GUNN) se produce en una
cavidad tipo N de Ga As.
El diodo GUNN fue descubierto por Ian Gunn en

1962.
VD Los efectos se traducen en una zona de resistencia

negativa en la característica directa del diodo.
Diodo GUNN Esta zona se aprovecha para hacer osciladores de

microondas.
(El diodo GUNN aparece en el oscilador local del

receptor del radar. Está presente en todos los
radares marinos actuales).
CIRCUITOS CON DIODOS
ASOCIACIÓN DE DIODOS Puente rectificador
Monofásico +
Diodo de alta tensión

(Diodos en serie)
-
Trifásico
+
DISPLAY
-
APLICACIONES DE DIODOS
Detectores reflexión de
objeto
Detectores reflexión de espejo Detectores de barrera

Sensores de luz: Fotómetros

Sensor de lluvia en vehículos
Detectores de humo
Turbidímetros
Sensor de Color
LED
Objetivo Fotodetector
LED azul
LED verde LED

LED rojo Fotodiodo
El rectificador
•Convierte la tensión alterna en continua
Transformador Fuente de alimentación
Rectificador
Regulador
6V
Filtro
220 V 5V
50 Hz
50 Hz
RECTIFICADORES MONOFASICOS NO
CONTROLADOS DE MEDIA ONDA
Rectificador
c.a. + +
(positiva y vE vS Continua pulsante
negativa) – – vS  0
Entrada D Salida
+ +
vE RL
Rectificador vS  vR
– –
vE T
 
t
T
2
vS
t
CONTROLADOS DE ONDA COMPLETA
TIPO PUENTE
TIPO PUENTE
RECTIFICADORES TRIFASICO NO
CONTROLADOS
RECTIFICADORES TRIFASICOS NO

Rectificadores No Controlados

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UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍA

FACULTAD DE INGENIERIA QUIMICA Y TEXTIL

CONTROLES ELECTRICOS Y AUTOMATIZACION

¿Como debería ser la característica de un diodo?

Dos trozos de material, relativamente buen conductor, podríamos

Fue descubierto accidentalmente el

I Huecos (zona P) y electrones (zona N) mayoritarios se

La corriente se debe a mayoritarios y la corriente directa

La aproximación de una resistencia pequeña (idealmente

P La zona de transición aumenta drásticamente.

La corriente se debe a minoritarios y la corriente directa

Idealmente, permite corriente directa (se comporta como un cable) y

VR = 1000V Tensión inversa máxima VR

V Podemos añadir al modelo

El semiconductor es un compuesto III-V (p.e. Ga As). Con la unión

Estos fotodiodos se usan en el tercer cuadrante.

i En este caso, el dispositivo puede usarse

Diodo Varicap La unión PN polarizada inversamente

Esta capacidad se llama Capacidad de

- - + + aumenta la zona de transición. Un efecto

Un diodo Varicap tiene calibrada y

Unión Metal-semiconductor N. Produciéndose el llamado

La zona N debe estar poco dopada.

Dispositivos muy rápidos (capacidades asociadas muy

Corriente de fugas significativamente mayor.

Menores tensiones de ruptura.

Caídas directas mas bajas (tensión de codo  0.2 V).

Aplicaciones en Electrónica Digital y en Electrónica de

Zona de resistencia Aparece un efecto nuevo conocido como efecto

El diodo GUNN fue descubierto por Ian Gunn en

VD Los efectos se traducen en una zona de resistencia

Diodo GUNN Esta zona se aprovecha para hacer osciladores de

(El diodo GUNN aparece en el oscilador local del

Diodo de alta tensión

Detectores reflexión de espejo Detectores de barrera

Sensores de luz: Fotómetros

LED verde LED

Transformador Fuente de alimentación

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