DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

TRANSISTOR BJT Y DIODO ZENER

 P N
Simbolo

Diodo
Rectificador

Flujo de
Corriente
ID
 DIODO ZENER
Es un dispositivo semiconductor, que al polarizarlo inversamente mantiene
constante la tension entre sus terminales, sus curvas cracteristicas son
similares al diodo rectificador comun. Pueden ser utilizados los diodos
zener como referencias de voltaje, como reguladores y como limitadores o
recortadores simples.

Direccion del
flujo de corriente

Anodo Catodo
 Con una tension constante para diferentes valores de corriente.
DIODO ZENER COMO REGULADOR DE TENSION
 ZENER EN ELEMENTOS DE MEDICION

 Usado como referencia de tension

 Usado como estabilizador de tension
Los diodos zener se diseñan para operar en condición de ruptura en
inversa; en un diodo tal, los dos tipos de ruptura en inversa son la de
avalancha y zener.

- El efecto de avalancha, ocurre tanto en diodos rectificadores como

en los zener a un voltaje inverso suficientemente alto.
- La ruptura zener ocurre en un diodo zener a voltajes en inversa
bajos.

El diodo zener se dopa en exceso para reducir el voltaje de ruptura;

esto crea una región de empobrecimiento muy estrecha. Cerca del
voltaje de ruptura zener (VZ), el campo eléctrico es suficientemente
intenso para jalar electrones de sus bandas de valencia y crear
corriente.
Los diodos zener con voltajes de ruptura menos de 5 V operan
predominantemente en ruptura zener.
Aquellos con voltajes de más de 5 V operan predominantemente en
ruptura de avalancha.
Ambos tipos, sin embargo, se conocen como diodos zener. Los diodos
zener están comercialmente disponibles con voltajes de ruptura de
menos de 1 V hasta más de 250 V, con tolerancias especificadas de 1 a
20 por ciento.

Características de ruptura
La figura muestra la parte de operación en inversa de la curva
característica de diodo zener. Observe que conforme se incrementa el
voltaje en inversa (VR), la corriente en inversa (IR) permanece
extremadamente pequeña hasta la “inflexión” de la curva.
La corriente en inversa también se llama corriente zener, Iz.
En este punto, se inicia el efecto de ruptura: la resistencia zener
interna, también llamada impedancia zener (Zz), comienza a reducirse a
medida que la corriente se incrementa rápidamente.
Desde la parte inferior de la inflexión, el voltaje de ruptura zener (Vz)
permanece esencialmente constante aunque se incrementa un poco a
medida que se incrementa la corriente zener, Iz.

Fig. Característica en inversa de un diodo zener. VZ normalmente se especifica a un valor de la

corriente del zener conocida como corriente de prueba.
Regulación zener
La característica clave del diodo zener es su capacidad de mantener el
voltaje en inversa esencialmente constante a través de sus terminales.
Un diodo zener que opera en condición de ruptura actúa como
regulador de voltaje porque mantiene un voltaje casi constante a
través de sus terminales durante un intervalo especificado de valores
de corriente en inversa.
Se debe mantener un valor mínimo de corriente en inversa, Izk para
mantener el diodo en condición de ruptura para regulación de voltaje.
En la curva de la figura se ve que cuando la corriente en inversa se
reduce por debajo de la inflexión de la curva, el voltaje se reduce
drásticamente y se pierde la regulación. Además, existe una corriente
máxima, Izm, por encima de la cual el diodo puede dañarse por la
excesiva disipación de potencia. Por lo tanto, básicamente, el diodo
zener mantiene un voltaje casi constante a través de sus terminales,
con valores de corriente en inversa que van desde Izk hasta Izm.
Circuito equivalente ideal de un zener

Fig. Modelo de circuito equivalente del diodo zener

ideal y la curva característica.
 (a) Modelo práctico (b) Curva característica.

Fig. Modelo de circuito equivalente práctico del diodo zener y la curva

característica ilustrando ZZ.
Disipación y reducción de la potencia nominal del zener
Los diodos zener se especifican para que operen a una potencia máxima
llamada disipación de potencia máxima en cd, PD(máx.).
Por ejemplo, el zener 1N746 tiene una PD(máx.) de 500 mW y el
1N3305A de 50 W. La disipación de potencia en cd se determina con la
fórmula, PD = Vz Iz
Reducción de potencia nominal
La disipación de potencia máxima de un diodo zener por lo general se
especifica para temperaturas de, o menos de, un cierto valor (50°C, por
ejemplo). Por encima de la temperatura especificada, la disipación de
potencia se reduce de acuerdo con un factor de reducción nominal. El
factor de reducción nominal se expresa en mW/°C. La potencia reducida
nominal máxima se determina con la fórmula siguiente:
PD (reducida) = PD(máx.) – (mW /°C) ΔT
Características eléctricas La primera columna en la hoja de datos
contiene los números del tipo de zener, 1N4728A a 1N4764A.

Voltaje del zener, Vz y corriente de prueba del zener, Iz Para cada

tipo de dispositivo se dan los voltajes mínimo, típico y máximo del zener.
Vz está medido a la corriente de prueba del zener especificada, Iz. Por
ejemplo, el voltaje del zener para un 1N4728A puede variar desde 3.315
V hasta 3.465 V, con un valor típico de 3.3 V con una corriente de prueba
de 76 mA.

Impedancia máxima del zener Zz es la impedancia máxima del zener

con la corriente de prueba especificada, Iz. Por ejemplo, para un
1N4728A, Zz es de 10 ohmios con 76 mA. La impedancia máxima del
zener, Zzk, en la inflexión de la curva característica se especifica con Izk,
la cual es la corriente en la inflexión de la curva. Por ejemplo, ZZK es de
400 ohmios con 1 mA para un 1N4728A.
Corriente de fuga La corriente de fuga en inversa se especifica para
un voltaje en inversa menor que el voltaje de inflexión. Esto significa
que el zener no está en la condición de ruptura en inversa con estas
mediciones. Por ejemplo IR es de 100 uA con un voltaje en inversa de 1
V en un 1N4728A.
Fig. Diodo zener puede regular idealmente un Fig. Regulador zener con una carga variable.
voltaje de entrada
(a) Símbolo (b) Diagrama de bloques
Fig. Fuente de alimentación regulada de 12 V.
Fig. Hojas de datos parcial y paquetes de regulador 7812. En www,fairchildsemiconductor.com
 Transistor de unión bipolar (BJT)
El BJT (transistor de unión bipolar) se construye con tres regiones
semiconductoras separadas por dos uniones pn, como lo muestra la
estructura plana epitaxial de la figura (a). Las tres regiones se llaman
emisor, base y colector. En las figuras (b) y (c) se muestran
representaciones físicas de los dos tipos de BJT. Un tipo se compone de
dos regiones n separadas por una región p (npn) y el otro tipo consta de
dos regiones p separadas por una región n (pnp). El término bipolar se
refiere al uso tanto de huecos como de electrones como portadores de
corriente en la estructura de transistor.
La unión pn que une la región de la base y la región del emisor se llama
unión base-emisor.
La unión pn que une la región de la base y la región del colector se
llama unión base-colector, como la figura (b) lo muestra: un conductor
conecta a cada una de estas tres regiones.
Estos conductores se designan E, B y C por emisor, base y colector,
respectivamente. La región de la base está ligeramente dopada y es
muy delgada en comparación con las regiones del emisor,
excesivamente dopada, y la del colector, moderadamente dopada (la
siguiente sección explica la razón de esto).

Fig. Construcción básica de un BJT

La figura muestra los símbolos esquemáticos para los transistores npn
y pnp.

Fig. Símbolos de BJT estándar (transistor de unión bipolar)

La unión pn que une la región de la base y la región del emisor se llama
unión base-emisor.
La unión pn que une la región de la base y la región del colector se
llama unión base-colector, como la figura (b) lo muestra:
un conductor conecta a cada una de estas tres regiones.
Estos conductores se designan E, B y C por emisor, base y colector,
respectivamente. La región de la base está ligeramente dopada y es
muy delgada en comparación con las regiones del emisor,
excesivamente dopada, y la del colector, moderadamente dopada (la
siguiente sección explica la razón de esto).
 Fig. Corrientes en el transistor.

IE : Corriente de emisor
IC : Corriente de collector
IB : Corriente de base
 CONFIGURACIONES DEL BJT
Aunque el transistor posea únicamente tres terminales, se puede
realizar su estudio como un cuadripolo (dos terminales de entrada y dos
de salida) si uno de sus terminales es común a la entrada y salida:

– Base Común.
– Emisor Común.
– Emisor Común.
– Colector Común

• Base común(BC): Aicc=1; Re pequeña; Rs muy grande.

• Colector común(CC): Aicc elevada; Re muy grande; Rs muy pequeña.
• Emisor común(EC): Aicc elevada; Re pequeña; Rs grande.
 CONFIGURACION DEL BJT EN EMISOR COMUN
CURVAS CARACTERISTICAS BASICAS
• El presente circuito permite obtener las curvas de entrada (Vbe vs.
Ib) y de salida (Ic vs. Vce) del BJT en EC.
• Se observa que la característica de entrada, es similar a la del diodo.
Así, también disminuirá Vbe con la temperatura a razón de 2mV/ºK.
• Las curvas características de salida muestran la corriente de colector
independiente de la Vce, si es mayor de 0,2 v
 OPERACIÓN BÁSICA DE UN BJT

Para que un BJT opere adecuadamente como amplificador, las dos

uniones pn deben estar correctamente polarizadas con voltajes de cd
externos. La operación del pnp es la misma que para el npn excepto en
que los roles de los electrones y huecos, las polaridades del voltaje de
polarización y las direcciones de la corriente se invierten.

La figura muestra los arreglos para polarización tanto de BJT npn como
pnp para que operen como amplificador.
Observe que en ambos casos la unión base-emisor (BE) está polarizada
en directa y la unión base-colector (BC) polarizada en inversa. Esta
condición se llama polarización en directa-inversa.
Fig. Polarización en directa-inversa de un BJT.
Fig. Circuitos de polarización de cd del transistor.
 EL TRANSISTOR BIPOLAR (BJT) COMO AMPLIFICADOR

Vo

Entrada: VBB +vin (t )= RB⋅ i B (t )+vBE (t )

Salida: VCC= RC⋅ iC (t)+vCE(t)

 RECTA DE CARGA
• Al aplicar la 2ª Ley de Kirchhoff a la malla formada por la tensión de
alimentación, resistencia de colector, colector y emisor, se obtiene la
relación entre la corriente de colector y la tensión colector – emisor,
dependiendo de la resistencia de carga (Rc).

• Refleja todos los puntos posibles de funcionamiento que pueden

darse cumpliendo la ecuación de malla del colector

• Para definir la recta de carga, se hallan los dos puntos de intersección

de la recta con los ejes.
 CIRCUITOS DE POLARIZACION. RECTA DE CARGA
• Punto de trabajo o de reposo (Q)de un transistor es el punto de la
recta de carga que determina el valor de la tensión de colector–emisor
y de las corrientes de colector y base.

• Consiste en situar el punto de trabajo en la región característica donde

responde con mayor linealidad, de manera que cualquier cambio en la
entrada tenga una respuesta proporcional a la salida. Se sitúa en un
determinado lugar en la recta de carga.
• El comportamiento del transistor puede verse afectado por la
temperatura (modifica la corriente inversa en la unión pn polarizada
inversamente). El valor de β no se mantiene constante, pues puede no
coincidir entre transistores del mismo tipo, además de modificarse
según el punto de trabajo (margen dado por los fabricantes).
• Los circuitos de polarización insensibilizan al transistor frente a
variaciones de β.
• La polarización con doble fuente no se suele utilizar por ser caro y
complicado de utilizar.
GRACIAS