UNIDAD I DIODO Y TRANSISTOR DE POTENCIA

INTRODUCCIÓN
 Durante muchos años ha existido la necesidad de
controlar la potencia de los sistemas de tracción y los
controles industriales impulsados por motores
eléctricos.

 La electrónica de potencia ha revolucionado la idea del

control para la conversión de potencia y para el control
de los motores eléctricos.

 Podemos afirmar que la electrónica de potencia

integra la electrónica, el control y la potencia.
¿En que se basa la
electrónica de potencia?
 La electrónica de potencia se basa principalmente en la
conmutación de dispositivos semiconductores de potencia.

 El desarrollo de los microprocesadores y la tecnología de

las microcomputadoras tiene un gran impacto sobre el
control y la sintetización de la estrategia de control para los
dispositivos semiconductores de potencia.

 Semiconductores de potencia que se pueden considerar

como el músculo.

 La microelectrónica, que tiene el poder y la inteligencia de

un cerebro.
CONVERTIDORES DE POTENCIA
 Entrada CA - Salida CC.

 Entrada CC - Salida CA.

 Entrada CC - Salida CC.

 Entra CA - Salida CA.

TIPOS DE SEÑALES
SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
 Se estudian las características de los dispositivos cuando
operan como un interruptor que se cierra y se abre
(impedancia nula o infinita).

 Tener dos estados definidos, uno de bloqueo de corriente y

soportando la caída de tensión correspondiente (estado de
alta impedancia) y un segundo de conducción con una
caída de tensión mínima (estado de baja impedancia).

 Capacidad para soportar altas tensiones en bloqueo y altas

intensidades en conducción, lo que les capacitará para
controlar grandes potencias.

 El paso de un estado a otro debe ser fácil de conseguir con

poca potencia, y debe ser rápido.
 No existe un semiconductor que englobe todas las características
mencionadas de una manera óptima, y será necesario elegir el
que mejor se adecue a la aplicación.

 Si no existe ningún semiconductor capaz de cubrir las

necesidades de intensidad o de voltaje puede ser necesario
conectar varios en serie (caída de tensión alta) o en paralelo
(altas corrientes).

 El factor más importante de estos dispositivos es la curva

característica estática directa e inversa, que relaciona la
intensidad que circula por el semiconductor con la caída de
tensión entre ánodo y cátodo.

 También tienen especial relevancia las características dinámicas,

que proporcionan información sobre los tiempos de
conmutación, los picos de tensión y voltaje que se generan en
conmutación y las pérdidas que se generan en conmutación.
DIODOS DE POTENCIA
CARASTERÍSTICA V-I DEL DIODO EN ESTADO PERMANENTE

 Ecuación de diodo de Schockley

𝑉𝐷
𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 𝑒 𝑛∙𝑉𝑇 −1

ID = corriente a través del diodo, A;

VD = voltaje del diodo, polarizado en forma directa, V;

Is = corriente de fuga (o de saturación en sentido inverso), normalmente

entre 10-6 y 10-15 A;

n = constante empírica llamada coeficiente de emisión o factor de

idealidad, cuyo valor varía de 1 a 2.
 𝑘∙𝑇
𝑉𝑇 =
𝑞

Donde q = carga del electrón: 1.6022 X 10-19 C (coulomb);

T = temperatura absoluta en kelvin (K = 273 + 0C);
k = constante de Boltzmann: 1.3806 X 10-23 J/K.

A una temperatura de 25°C en la unión, la ecuación da

como resultado:

𝑘 ∙ 𝑇 1.3806 ∙ 10−23 ∙ (273 + 25)

𝑉𝑇 = = −19
= 25,7𝑚𝑉
𝑞 1.6022 ∙ 10
Características estáticas
Parámetros en bloqueo (polarización inversa)
 Tensión inversa de trabajo (VRWM): Máxima tensión inversa
que puede soportar de forma continuada sin peligro de
avalancha.
 Tensión inversa de pico repetitivo (VRRM): Máxima tensión
inversa que puede soportar por tiempo indefinido si la
duración del pico es inferior a 1 ms y su frecuencia de
repetición inferior a 100 Hz.
 Tensión inversa de pico único (VRSM): Máxima tensión
inversa que puede soportar por una sola vez cada 10 ó más
minutos si la duración del pico es inferior a 10 ms.
 Tensión de ruptura (VBD): Valor de la tensión capaz de
provocar la avalancha aunque solo se aplique una vez por
un tiempo superior a 10 ms.
 Parámetros en conducción

 Intensidad media nominal (IFW(AV)): es el valor medio de la

máxima intensidad de impulsos sinusoidales que el diodo
puede soportar en forma continuada .
 Intensidad de pico repetitivo (IFRM): es aquella que puede ser
soportada cada 20 ms, con una duración de pico a 1 ms, a
una determinada temperatura de la cápsula (normalmente
25º).
 Intensidad directa de pico no repetitiva (IFSM): es el máximo
pico de intensidad aplicable, una vez cada 10 minutos, con
una duración de 10 ms.
CARACTERÍSTICAS DE RECUPERACIÓN INVERSA
 Cuando el diodo pasa del estado de conducción a bloqueo, el diodo
sigue conduciendo debido a los portadores minoritarios que se
almacenan en la unión PN, se requiere un determinado tiempo para
recombinarse con cargas opuestas y quedar neutralizados. Este tiempo
se llama, tiempo de recuperación inverso del diodo.

 En la siguiente figura se muestran dos curvas características de

recuperación inversa de diodos de unión. El tipo de recuperación suave
es el más común.
 El tiempo de recuperación inversa se representa por trr y se mide a partir del
cruce inicial de la corriente en el diodo con cero, hasta que la corriente en
sentido inverso llega el 25% de su valor máximo IRR.
 El trr está formado por dos componentes, ta y tb. El ta variable se debe al
almacenamiento de cargas en la región de agotamiento de la unión, y representa
el tiempo desde el cruce con cero hasta el peak en sentido de corriente en
sentido inverso IRR.
 El tb se debe al almacenamiento de carga en la masa del material
semiconductor.
𝑡𝑏
 La razón se llama factor de suavidad (SF, de sus siglas en inglés softness
𝑡𝑎
factor).
 𝑡𝑟𝑟 = 𝑡𝑎 + 𝑡𝑏

 La corriente peak en sentido inverso se puede expresar en función de

di/dt (cambios bruscos de corriente) en sentido inverso como sigue:

𝑑𝑖
 𝐼𝑅𝑅 = 𝑡𝑎
𝑑𝑡

 La carga de recuperación inversa QRR es la cantidad de portadores de

carga que atraviesan al diodo en el sentido dirección inversa, debido a
un cambio de conducción directa a una condición de bloqueo inverso.

1 1 1
 𝑄𝑅𝑅 ≅ 𝐼𝑅𝑅 𝑡𝑎 + 𝐼𝑅𝑅 𝑡𝑏 = 𝐼𝑅𝑅 𝑡𝑟𝑟
2 2 2

2𝑄𝑅𝑅
 𝐼𝑅𝑅 =
𝑡𝑟𝑟
2𝑄𝑅𝑅
 𝑡𝑟𝑟 ≈ 𝑑𝑖ൗ
𝑑𝑡

 𝐼𝑅𝑅 ≈ 2𝑄𝑅𝑅 ∙ 𝑑𝑖Τ𝑑𝑡

Ejercicios propuestos

La caída directa de voltaje de un diodo de potencia es VD = 1.2 V a ID = 300A. Suponiendo

que n = 2 y V T = 25mV, calcular la corriente de saturación inversa ls.

El tiempo de recuperación inversa de un diodo es trr = 3 us, y la velocidad de caída de la

corriente por el diodo es di/dt = 30 A/us. Determinar a) la carga QRR de almacenamiento
y b) la corriente peak en sentido inverso IRR.
DIODOS CONECTADOS EN SERIE
 En Aplicaciones de alta potencia, un diodo no podrá
soportar un voltaje especifico, ya que no existe
comercialmente. Sin embargo se conectan en serie
para soportar las capacidades de bloque inverso.
 Tenemos que tener en cuenta que los diodos no se
compartan de igual manera aunque sean del mismo
tipo, esto se debe a la tolerancia en su proceso de
producción.
Una solución para el problema, es obligar a cada diodo que comparta el mismo
voltaje, esto se logra conectando una resistencia a cada diodo.
DIODOS CONECTADOS EN PARALELO
 En alta potencia, los diodos conectados en paralelo se
utilizan para aumentar la conducción de corriente.
 Se pueden conectar una resistencia e inductancia en serie.
 El problema se encuentra en los peak de corriente cuand0
una rama se encuentra en baja impedancia.
 ENCAPSULDO DE DIODOS
 En dependencia de la tensión o voltaje que soportan,
la intensidad de la corriente de trabajo, la función
específica que tendrán asignada dentro de un circuito
electrónico y la potencia que disipan en watt, los
diodos se comercializan con diferentes tipos de
encapsulados. Además, un diodo específico puede
tener tamaño y características de trabajo diferentes, así
como diferente forma de encapsulado.
TIPOS DE DIODOS
 Los diodos rectificadores de propósito (o uso) general
tienen un tiempo de recuperación inversa
relativamente grande, en el caso típico de unos 25 us, y
se usan en aplicaciones de baja velocidad, donde no es
crítico el tiempo de recuperación (por ejemplo, en
rectificadores.
 Los diodos de recuperación rápida tienen tiempo de
recuperación corto, en el caso normal menor que 5us.
Se usan en circuitos convertidores de CC a CC y de CC a
CA, donde con frecuencia la velocidad de conmutación
tiene importancia crítica.
 El diodo Schottky , un es dispositivo semiconductor que
proporciona conmutaciones muy rápidas entre los
estados de conducción directa e inversa y muy bajas
tensiones umbral.
 Diodos de Carburo de Silicio (SiC)

Al sustituir el sustrato de silicio por carburo de silicio los

diodos pueden soportar mayores tensiones con unas
características de recuperación inversa mejores, y la
temperatura máxima que puede soportar la unión es
mucho mayor. Actualmente se comercializan diodos de
1200V y pronto existirán en el mercado diodos de SiC de
mayor tensión.
EL TRANSISTOR DE POTENCIA
 Los transistores de potencia operan como elementos
de conmutación, es decir operan en la región de
saturación y corte a una frecuencia elevada.
 Los transistores de potencia se pueden clasificar de
manera general en cuatro categorías:

 Transistor de unión bipolar (BJT).

 Transistor de efecto de campo de metal oxido
semiconductor (MOSFET).
 Transistor de Inducción estática (SIT).
 Transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT).
Corte: al igual que en los transistores de señal la corriente que circulara será mínima.

Activa: En los transistores de potencia no vamos a trabajar en esta zona, ya que las
pérdidas que tendríamos serian grandes, así como el calentamiento que sufrirá el
transistor, debido a que en esta zona trabajaríamos tanto como corrientes elevadas
como con tensiones elevadas, mientras que en las restantes zonas solo trabajamos con
alguno de los dos parámetros elevado, mientras que el otro es casi nulo.

Saturación: Al igual que en los transistores de señal, es la zona en la cual circula la

corriente por el transistor, y por lo tanto la tensión en sus bornes es casi nula.
Transistor como interruptor
𝑉𝐵 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 = 𝐼𝐶 ∙ 𝑅𝐶

𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵

𝛽 𝑉𝐵 − 𝑉𝐵𝐸
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 = ∙ 𝑅𝐶
𝑅𝐵

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐵 + 𝑉𝐵𝐸

𝑉𝐶𝐵 = 𝑉𝐶𝐸 − 𝑉𝐵𝐸

 La última ecuación indica que siempre que 𝑉𝐶𝐸 ≥ 𝑉𝐵𝐸 , la unión
CB tendrá polarización inversa y el transistor estará en la región
activa. La corriente máxima del colector en la región activa, que
se puede obtener al ajustar 𝑉𝐶𝐵 = 0 y 𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝐶𝐸 es:

𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐶𝐸 𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐵𝐸

 𝐼𝐶𝑀 = =
𝑅𝐶 𝑅𝐶

 Y el valor correspondiente de la máxima corriente de base es:

𝐼𝐶𝑀
 𝐼𝐵𝑀 =
𝛽

 Si la corriente de base se incrementa por arriba de IBM, tanto VBE

como la corriente de colector aumentarán y se reducirá VCE por
debajo de VBE. Esto continuará hasta que la unión CB quede en
polarización directa con un VBC de aproximadamente 0,4 a 0,5V.
El transistor entonces pasa a saturación.
 En saturación la corriente de colector permanece
prácticamente constante. Si el voltaje de saturación del
colector emisor es VCE(sat), la corriente de colector
saturado es.
𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐶𝐸(𝑠𝑎𝑡)
 𝐼𝐶𝑆 =
𝑅𝐶
𝐼𝐶𝑆
 𝐼𝐵𝑆 =
𝛽
 Normalmente, el circuito se diseña de tal forma que IB
sea mayor que IBS. La relación entre IB e IBS se conoce
como factor de sobre excitación.
𝐼𝐵
 𝑂𝐷𝐹 =
𝐼𝐵𝑆
 Y la relación entre ICS e IB se conoce como la β forzada
o βf donde:

𝐼𝐶𝑆
 𝛽𝑓 =
𝐼𝐵

 La pérdida total de potencia es las uniones es:

 𝑃𝑇 = 𝑉𝐵𝐸 𝐼𝐵 + 𝑉𝐶𝐸 𝐼𝐶
 El transistor bipolar de la figura tiene una β en el rango 8 a
40. La resistencia de carga es 11ohm. El voltaje de
alimentación en cd es de Vcc = 200v y el voltaje de entrada
al circuito de VB = 10v, si VCE(sat) =1v y VBE(sat) = 1.5v.
Encuentre:
 El valor de RB que resulta en saturación con un factor de
sobre-excitación de 5.
 La β forzada.
 La pérdida de potencia PT en el transistor.
Características dinámicas: Conmutación y pérdidas.
 Tiempos de conmutación

 Cuando el transistor está en corte no existe

almacenamiento de carga, pero en el estado de
conducción se genera un exceso de carga en varias
zonas del BJT. El paso de un estado a otro requiere la
generación de estas cargas (encendido) o su
recombinación (apagado), por lo que la transición no
es instantánea. El tiempo necesario para pasar de un
estado a otro será mayor cuanto mayor sea la
capacidad de soportar tensión del BJT.
  Dentro del tiempo de conmutación
podemos distinguir entre tiempo de
excitación o encendido (ton) y tiempo de
apagado (toff)

 Tiempo de encendido: ton = td + tr

 Tiempo de apagado: toff = ts + tf

 Tiempo de retardo (Delay Time, td): Es

el que transcurre desde que se aplica la
señal de entrada (Vbe) en el dispositivo
conmutador, hasta que la señal de salida
(Ic) alcanza el 10% de su valor.

 Tiempo de subida (Rise Time, tr):

Tiempo que emplea la señal de salida (Ic)
en evolucionar entre el 10% y el 90% de su
valor final.
Tiempo de almacenamiento (Storage Time, ts): Tiempo que transcurre desde que
se quita la excitación de entrada (Vbe) y el instante en que la señal de salida (Ic) baja al
90% de su valor final.

Tiempo de caída (Fall time, tf ): Tiempo que emplea la señal de salida (Ic) en
evolucionar entre el 90% y el 10% de su valor final.
 Disipación de potencia en el BJT

 La mayor parte de las pérdidas se deben al estado de conducción y vienen dadas por:

 Las pérdidas en corte suelen despreciarse al ser la corriente muy baja.

 La energía perdida en el encendido y apagado será:

1
 𝑊𝑟 = 𝑉𝑐𝑐 𝐼𝑐𝑚𝑎𝑥 𝑡𝑟
6

1
 𝑊𝑓 = 𝑉𝑐𝑐 𝐼𝑐𝑚𝑎𝑥 𝑡𝑓
6

 Por lo tanto la potencia media disipada en el periodo T (de conmutación) será por tanto:

𝑊𝑐𝑜𝑚
 𝑃𝑐𝑜𝑚 = = 𝑓 𝑊𝑟 + 𝑊𝑓
𝑇

 Los transistores bipolares de potencia son utilizados fundamentalmente para frecuencias por debajo de
10KHz y son muy efectivos en aplicaciones que requieran hasta 1200V y 400A como máximo, a partir
de estos niveles de frecuencia, corriente y tensión, existen otros dispositivos más adecuados. Hoy en día
el uso de los BJT en aplicaciones de potencia está muy limitado.
 TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO

 Los MOSFET de potencia difieren de los BJT-s en principio de operación,

especificaciones y rendimiento. En general el rendimiento de los MOSFET es
superior al de los BJT-s, tienen velocidades de conmutaciones mayores,
circuitos de control de puerta más sencillos, no existe avalancha secundaria,
son capaces de funcionar en paralelo, y su comportamiento es estable en un
amplio rango de temperaturas.

 No obstante presentan una serie de inconvenientes, su protección es difícil, son

sensibles a descargas electrostáticas, son más caros y las pérdidas en
conducción son mayores que en el BJT, especialmente en aquellos MOSFET
capaces de soportar mayores tensiones ya que su resistencia en conducción es
muy alta.

 Un transistor BJT n-p-n convencional es un dispositivo controlado por

corriente con sus tres terminales conectadas al cuerpo por contactos de silicio.

 Los transistores bipolares se pueden describir como dispositivos de portadores

minoritarios en los cuales los portadores minoritarios se recombinan con los
portadores mayoritarios. El problema de la recombinación es que limita la
velocidad de operación del dispositivo. Además debido a que es un dispositivo
controlado por la corriente base-emisor, presenta una baja impedancia al
circuito de control haciendo que este sea más complejo.
 El transistor de efecto de campo basa su funcionamiento en un
principio físico totalmente diferente al bipolar. En esta tecnología,
mediante técnicas planares, se difunde en un sustrato P dos zonas N
que actúan como drenador y surtidor. La zona intermedia entre las dos
zonas N se metaliza externamente tras pasivarla y aislarla con una capa
de óxido (Dióxido de silicio: SiO2). De ahí el nombre MOSFET (metal
oxide semiconductor FET). Esto hace que la compuerta este
eléctricamente aislada y presente una alta impedancia al circuito de
control.

 En el MOSFET de enriquecimiento o acumulación el canal se induce al

polarizar positivamente la puerta respecto al surtidor de forma que la
repulsión de los huecos crea un canal enriquecido en electrones libres
que permite la conducción de drenador a surtidor. El MOSFET deja de
ser un dispositivo n-p-n en estas circunstancias.

 Los Mosfets son de dos tipos:

 Mosfet de agotamiento.
 Mosfet de enriquecimiento.
 Mosfet de empobrecimiento

 Existe un canal por el cual circula la corriente aunque

no se aplique tensión en la puerta o compuerta.

Canal P Canal N
 Mosfet de Enriquecimiento

 El canal por el cual circula la corriente se crea cuando

se aplica una tensión en la puerta.
 La curva característica nos da información como varía la corriente de drenador
ID, para una tensión fija VDS, y variando la tensión aplicada entre la compuerta y
surtidor VGS.

 La curva se divide en tres regiones, una en la que la no circula más que una
pequeña corriente de fugas, llamada región de corte, una en la que la corriente
crece linealmente con la tensión de puerta, llamada región activa, y otra en la
que, la relación entre corriente y tensión es similar a la de una resistencia que
llamaremos región óhmica.
Características

Alta velocidad de conmutación (de kHz a Mhz), los tiempos de conmutación son del
orden de 30ns a 300ns.
No presenta fenómeno de segunda ruptura, por lo que el área de trabajo seguro (SOA),
mejora respecto al BJT.
El control on-off se realiza mediante la tensión aplicada entre las terminales de
compuerta y fuente (VGS), lo que reduce la complejidad del circuito de disparo, así
como la potencia.
Las tensiones máximas de bloqueo son relativamente bajas en los Mosfets de alta
tensión (<1000v) y las corrientes máximas son moderadas (<500A).
 Aplicaciones Puente H
 Un puente H es un tipo de circuito electrónico que
permite a un motor eléctrico de corriente directa
cambiar de sentido al girar, le permite ir en ambos
sentidos, en el sentido horario y anti horario.