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UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

(Universidad del Perú, DECANA DE AMÉRICA)

FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRÓNICA Y ELÉCTRICA

CURSO: CIRCUTOS ELECTRONICOS 2


PROFESOR: ING. PONCE
ALUMNOS: ACUÑA GAMARRA GUILLERMO
CHINGUEL JIMENEZ DIEGO ERNESTO
RAMIREZ ANGELES RICARDO
BECERRA ALIGA JUAN MIGUEL
RUNACHAGUA KEVIN
FECHA:

2018
TRANSISTOR MOSFET
El transistor de efecto de campo metal-oxido –semiconductor o MOSFET es un
transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electronicos-. Es el
transistor mas utilizado en la industria microelectrónica , ya sea en circuitos
analógicos o digitales , aunque el transistor de unión bipolar fue mucho más
popular en otro tiempo-.Prácticamente la totalidad de los microprocesadores
comerciales están basados en transistores MOSFET
Es un tipo especial de transistor FET que tiene una versión NPN y otra PNP .
El NPN es llamado MOSFET de canal N y el PNP es llamado MOSFET de canal P.
Una delgada capa de material aislante formada de dióxido de silicio es colocada del
lado del semiconductor y una capa metal es colocada del lado de la compuerta.
En el MOSFET de canal N la parte N esta conectado a la fuente y al drenaje
En el MOSFET de canal P la parte P está conectado a la fuente y al drenaje
APLICACIONES

La forma más habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipos


CMOS , consistentes en el uso de transistores PMOS Y NMOS complementarios .
Las aplicaciones de MOSFET discretos mas comunes son:
- Resistencia controlada por tensión
- Circuitos de conmutación de potencia
- Mezcladores de frecuencia ,con MOSFET de doble puerta.
RESPUESTA A BAJA FRECUENCIA:
AMPLIFICADOR BJT

PUNTOS IMPORTANTES:
• Los condensadores de acoplo fijan las respuestas
en bajas frecuencias.

• Una vez que se determinen las frecuencias de corte


ocasionadas para cada capacitor, se pueden
comparar para establecer la que determina la
frecuencia inferior de corte para el sistema.
GRAFICA DE RESPUESTA EN BAJA FRECUENCIA
Red con los capacitores que afectan en baja
frecuencia
𝑽𝒄𝒄

𝑹𝟏 𝑹𝑪
𝑪𝑪 𝑽𝒐

𝑪𝑺

𝑹𝑺
𝑽𝒊 𝑹𝟐 𝑹𝑳
𝑹𝑬

𝑽𝒊 𝑪𝑬
𝒁𝒊
FRECUENCIAS DE CORTE:
 Para Cs:
𝒇 𝟏
𝑳𝒔 =
𝟐𝝅(𝑹𝒔 +𝑹𝒊 )𝑪𝒔

𝑹𝒊 𝑽𝒔
𝑽𝒊ൗ =
𝒎𝒆𝒅 𝑹𝒊 + 𝑹𝒔

𝑹𝒊 = 𝑹𝟏 ∥ 𝑹𝟐 ∥ 𝜷𝒓𝒆
𝑪𝑺 𝑪𝑺
+
+

𝑹𝑺 𝑹𝑺
𝑽𝒊 𝑹𝟏 ∥ 𝑹𝟐 𝑹𝑬 = 𝜷𝒓𝒆
𝑽𝒊 SISTEMA
𝑹𝒊
𝑽𝒊 𝑽𝒊

Determinación del efecto Cs Circuito equivalente de ac para Cs


sobre la respuesta a baja
frecuencia.
 Para Cc:
𝒇 𝟏
𝑳𝒄 =
𝟐𝝅(𝑹𝒐 +𝑹𝑳 )𝑪𝒄

𝑹𝒐 = 𝑹𝑪 ∥ 𝒓𝒐

𝑪𝒄
+
𝑪𝒄
+

𝑹𝑳 𝑽𝒐 𝑽𝑪
SISTEMA 𝒓𝒐 𝑹𝑪 𝑹𝑳 𝑽𝒊
𝑹𝒐

𝑹𝒐

Determinación del efecto Cc


sobre la respuesta a baja Circuito equivalente de ac para Cc
frecuencia. con Vi=0V
 Para CE:

𝒇 𝟏
𝑳𝑬 =
𝟐𝝅(𝑹𝒆 )𝑪𝑬

𝑹´𝑺
𝑹𝒆 = 𝑹𝑬 ∥ ( + 𝒓𝒆 )
𝜷

𝑹´𝑺
+ 𝒓𝒆
𝜷

𝑹𝒆
𝑪𝑬
SISTEMA
𝑹𝒆 𝑹𝑬 𝑪𝑬

Determinación del efecto CE Circuito equivalente de ac ajustado


sobre la respuesta a baja para CE
frecuencia.
GANANCIA GENERADA POR CE EN EL
AMPLIFICADOR
−𝑹𝒄
𝑨𝒗 =
𝒓𝒄 + 𝑹𝑬

𝑹𝑪
𝑽𝒐

𝑽𝒊

𝑹𝑬
CONFIGURACIONES FUNDAMENTALES DEL
BJT
¿QUE ES UN BJT?
Se trata de un dispositivo formado por dos uniones y que tiene tres terminales (llamados emisor,
base y colector). Hay dos tipos, npn y pnp:

Figura Estructura y símbolo de un transistor bipolar.


Todos los transistores BJT, NPN, PNP pueden polarizarse de manera que quede una
terminal común en su circuito de polarización; es decir, un elemento que forma parte tanto
de lazo de entrada como del lazo de salida. Este puede ser cualquiera de las tres
terminales del dispositivo (Emisor, Base, Colector). Así entonces se tiene tres
configuraciones.
Emisor Común Base Común y Colector Común son las tres configuraciones básicas del
transistor y están presentes en las estructuras de los amplificadores.
BASE COMÚN
En la configuración base común la entrada
es por el emisor, y la salida por el colector

Presenta las siguientes características:


- Alta ganancia de Voltaje.
- Ganancia de corriente menor a 1.
MODELO HIBRIDO - No inversión de voltaje en la salida.
- Impedancia de entrada pequeña.
- Impedancia de salida grande.

AMPLIFICADOR DE BASE COMUN


EMISOR COMUN

En la configuración de emisor común la entrada es


por la base, y la salida por el colector
Presenta las siguientes características:
- Ganancia alta de voltaje.
- Ganancia alta de corriente.
- Inversión de señal de voltaje en la salida.
MODELO HIBRIDO - Impedancias de entrada grande.
- Impedancia de salida grande.

AMPLIFICADOR DE EMISOR COMUN


COLECTOR COMUN
La configuración colector común también llamada seguidor
de emisor, tiene la entrada por la base, y la salida por el
emisor
Presenta las siguientes características:
- Alta ganancia de corriente.
- Ganancia de voltaje menor a 1.
- No inversión de voltaje en la salida
- Impedancia de entrada grande.
MODELO HIBRIDO
- Impedancia de salida pequeña.
AMPLIFICADOR DE EMISOR COMUN
RESPUESTA A BAJA FRECUENCIA:
AMPLIFICADOR FET
Podemos tener en dos familias los JFET Y MOSFET:
JFET
La polarización de un JFET (Junction Field-Effect Transistor) exige que las
uniones PN estén inversamente polarizadas, para un JFET de canal N,
el voltaje de drenado debe ser mayor que el voltaje de la fuente para
que exista un flujo de corriente a través del canal, además el voltaje de
compuerta debe ser más negativo que el de la fuente para que la unión
PN se encuentre polarizada inversamente.
MOSFET
Los transistores MOSFET son dispositivos de efecto de campo al igual que
los JFET utilizan un campo eléctrico para crear un canal de conducción.
Son dispositivos más importantes que los JFET ya que la mayor parte de
circuitos integrados digitales se construyen con tecnologías MOS.
Al igual que los JFET Y MOSFET tienen una estructura física muy diferente,
pero sus ecuaciones analíticas son muy similares, por eso los
transistores MOS Tiene las mismas regiones de operación que los JFET.
TRANSISTOR JFET:
Configuraciones básicas de los transistores JFET Los JFET pueden utilizarse en tres
configuraciones fundamentales: surtidor Común , drenador común Y PUERTA
COMUN. De igual comportamiento que las tres respectivas configuraciones del
transistor bipolar, sirven para los transistores de efecto decampo con graduador
aislado o IGFET.
CONFIGURACIONES COMUNES DEL FET:
TRANSISTORIES MOSFET:
• Las ventajas que presentan este tipo de transistor, han llevado a que ocupen un lugar
importante dentro de la industria, desplazando a los viejos BJT a otros fines. Los MOSFET de
potencia son muy populares para aplicaciones de baja tensión, baja potencia y conmutación
resistiva en altas frecuencias, como fuentes de alimentación conmutadas, motores sin
escobillas y aplicaciones como robótica, CNC y electrodomésticos.
• Excelentes por su bajo ruido
• Si la impedancia de entrada no es muy alta e puede usar u mosfet.
CONFIGURACIONES COMUNES DEL MOSFET:
CAPACITANCIA PARASITA
• Es el efecto adicional de conductores que sirven como placas
entre un dieléctrico, que normalmente es aire

• Se convierte en un problema con las frecuencias más altas


porque las muy pequeñas capacidades distribuidas que existen
tendrán impedancias más bajos en estas frecuencias.

• Este efecto se puede abordar en la etapa de diseño de circuitos,


donde el posicionamiento de los componentes puede disminuir
los efectos a un punto en el que el funcionamiento satisfactorio
es alcanzable.
CAPACITANCIA PARASITA

Capacitancia parásita en la frecuencia de radio (RF)


amplificadores pueden causar en estos amplificadores
una baja ganancia debido a la pérdida parásita.
En algunos casos, puede causar estos amplificadores a
oscilar. Con capacitancia parásita, el circuito real en el
mundo real es el circuito dibujado en la etapa de diseño
más capacitancias a tierra o entre diferentes puntos del
circuito.
En algunos casos, la solución es simplemente reducir la
resistencia interna despreciable para una posición de
circuito determinado. Para otros casos, la solución
podría ser aumentar una inductancia de mantener una
cierta banda de paso de frecuencia.
CAPACITANCIA PARASITA

Un elemento parásito puede existir debido a la


proximidad de los conductores o las longitudes de
trazas, alambres o cables de componentes. El
enfoque común para reducir la posibilidad de
descubrir un elemento parásito es acortar los
conductores y reducir la superficie de los
componentes y huellas en placas de circuito impreso
(PCB). Sobre la base de las prácticas mencionadas a
evitar efectos parásitos excesivos, la miniaturización
de los componentes y los rastros de PCB se ha
convertido en una práctica habitual.
EFECTO MILLER
• DEFINICION : el efecto Miller da cuenta del incremento en la capacitancia de
entrada equivalente de un amplificador inversor de voltaje debido a la
amplificación de la capacitancia entre los terminales de entrada y salida. La
capacitancia de entrada adicional debida al efecto Miller está dada por:

• Aunque el término efecto Miller normalmente se refiere a la capacitancia, cualquier


impedancia conectada entre la entrada y cualquier otro nodo que exhibe ganancia puede
modificar la impedancia de entrada del amplificador mediante este efecto. Estas propiedades
del efecto Miller son generalizadas por el teorema de Miller.
DEMOSTRACION:
Considérese un amplificador inversor de voltaje ideal de ganancia −𝐴𝑣 con una
impedancia 𝑍 conectada entre sus nodos de entrada y salida. El voltaje de salida
es por consiguiente 𝑉0 = −𝐴𝑣 𝑉𝑖 Asumiendo que la entrada del amplificador no
lleva corriente, toda la corriente de entrada fluye a través de 𝑍 y por consiguiente
está dada por:
EFECTOS
• Como la mayoría de los amplificadores se invierte (es decir, Av <0), la capacidad
efectiva en sus entradas se incrementa debido al efecto Miller. Esto puede
reducir el ancho debanda del amplificador, lo que reduce su ámbito de actuación
a las frecuencias más bajas.
• La unión pequeñas y capacitancias de fuga entre los terminales de base y el
colector de un transistor de Darlington, por ejemplo , puede ser aumentado
drásticamente por los efectos Miller, debido a su alta ganancia, la reducción de la
respuesta de alta frecuencia del dispositivo.
• También es importante señalar que la capacitancia Miller es la capacidad se ve
mirando hacia la entrada.
• El efecto Miller también puede ser explotado para sintetizar grandes
condensadores de los más pequeños.
• Un ejemplo de ello está en la estabilización delos amplificadores de
retroalimentación, donde la capacidad necesaria puede ser demasiado grande
para incluir la práctica en el circuito. Esto puede ser particularmente importante
en el diseño de circuitos integrados, capacitores, donde puede consumir área
significativa, aumentando los costos.