UNIVERSIDAD TÉCNICA DE AMBATO

FACULTAD DE INGENIERÍA EN SISTEMAS, ELECTRÓNICA E INDUSTRIAL

CARRERA DE INGENIERÍA INDUSTRIAL EN PROCESOS DE AUTOMATIZACIÓN

ELECTRONICA DE POTENCIA

Tema:
Mosfet Tipo N

NOMBRES:
Agua Cristian
Calapaqui Ochoa Cinthya Moraima
Chicaiza Cali Mónica Katherine
Regalado Narvaez Alex Fabricio
 Es un transistor de efecto de campo por medio de un semiconductor
óxido que se usa como dieléctrico

Estructura MOSFET de canal N

Los cuatro terminales de la

estructura de la Figura son:
• G:Puerta o Gate
• B:Substrato o Body
• D:Drenador o Drain
• S:Fuente o Source
El MOSFET tipo empobrecimiento El MOSFET tipo enriquecimiento

• En las figuras superiores las terminales del sustrato esta libre

• En las figuras inferiores las terminales del sustrato está
conectada a la fuente.
 El transistor MOSFET es ampliamente el más utilizado sobre los demás (JFET) por poseer ciertas características
que los hacen ventajosos, incluso en ocasiones respecto del transistor bipolar:

Pueden
implementarse tanto
funciones analógicas
Reducido consumo como digitales y/o
de energía (menor mixtas dentro de un
consumo de mismo chip.
Se puede evitar el potencia).
uso de resistencias,
debido a que su
Reducido tamaño, comportamiento se
que conducen a puede modelar
densidades de mediante técnicas de
El proceso de integración circuito.
fabricación es simple elevadas.
(menor número de
pasos)
MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO DE CANAL N

Característica de I-V de un transistor MOS de canal n.

 MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO DE CANAL N

• Polarización en inversión fuerte:

a) Región Óhmica b) Región de Saturación

MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO DE CANAL N

Familia de curvas-Regiones

Región de
Conducción
𝑉𝐺𝑆 ≥ 𝑉𝑇 𝐼𝐷𝑆 ≠ 0
Región de Corte Si 𝑉𝐷𝑆 > 0
• 𝑉𝐺𝑆 = 0 𝐼𝐷𝑆 = 0 * R. de Saturación
𝑉𝐺𝑆 =cte.
* R. Óhmica

En límite entre R. óhmica y R. de Saturación:

𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 = 𝑉𝐷𝑆
 MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO DE CANAL N

• Ecuaciones que predominan en las diferentes regiones:

Región de Saturación
Región Óhmica

Donde:
[20 − 70𝜇 𝐴/𝑉 2 ] = 𝑘𝑛=𝜇𝑛∗𝐶𝑜𝑥 : 𝑃𝑎𝑟á𝑚𝑒𝑡𝑟𝑜 𝑑𝑒 𝑡𝑟𝑎𝑛𝑠𝑐𝑜𝑛𝑑𝑢𝑡𝑎𝑛𝑐𝑖𝑎
𝜇𝑛 : 𝑀𝑜𝑣𝑖𝑙𝑖𝑑𝑎𝑑 𝑑𝑒 𝑙𝑜𝑠 𝑒𝑙𝑒𝑐𝑡𝑟𝑜𝑛𝑒𝑠
𝐶𝑜𝑥 : Capacidad por unidad de área de la estructura del MOS
𝑊
𝛽 = 𝑘𝑛 : Parámetro dependiente de la geometría y parámetros eléctricos de la tecnología
𝐿
 MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO DE CANAL N

Discusión de las ecuaciones que rigen este dispositivo:

En R. óhmica cuando 𝑉𝐷𝑆 ≪ 1: Cuando 𝑉𝑆𝐵 ≠ 0

En R. de Saturación :

Donde: λ  Parámetro de modulación de longitud del canal.

γ  Parámetro del efecto substrato
MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO DE CANAL N

* Incremento de cargas
negativas en el canal
 MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO DE CANAL N

Curvas características:
Región Óhmica

Cuando
𝑉𝐷𝑆 ≪ 1

Región de
Saturación
 MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO DE CANAL N

Análisis de ecuaciones:

Para 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝑛 = 𝑉𝐷𝑆 límite entre regiones (óhmica y de

saturación), cuando 𝑉𝐺𝑆 = 0 ⇒ 𝑉𝐷𝑆 =−𝑉𝑇𝑛 .

• En saturación para 𝑉𝐺𝑆 = 0, 𝐼𝐷𝑆 = 𝐼𝐷𝑆𝑆

 APLICACIÓN DEL MOSFET TIPO N

Los MOSFET de potencia son muy populares para

aplicaciones de baja tensión, baja potencia y conmutación
resistiva en altas frecuencias, como fuentes de alimentación
conmutadas, motores sin escobillas y aplicaciones como
robótica, CNC y electrodomésticos.

La mayoría de sistemas como lámparas, motores, drivers de

estado sólido, electrodomésticos, etc. utilizan dispositivos de
control, los cuales controlan el flujo de energía que se
transfiere a la carga.

Estos dispositivos logran alta eficiencia variando su ciclo de

trabajo para regular la tensión de salida. Para realizar la
parte de conmutación, existen varios dispositivos
semiconductores.
La principal ventaja del transistor MOSFET es que utiliza baja
potencia para llevar a cabo su propósito y la disipación de la
energía en términos de pérdida es muy pequeña.

Lo que hace que sea un componente importante en los modernos

ordenadores y dispositivos electrónicos como los teléfonos celulares,
relojes digitales, pequeños juguetes de robot y calculadoras.
EJERCICIOS