Vous êtes sur la page 1sur 68

UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

(Universidad del Perú, DECANA DE AMÉRICA

FACULTAD DE I NGENIERIA ELECTRÓNICA Y EL ÉCTRICA

CURSO: CI RCUI TOS E L EC T RONI COS 2


TEMA: O S CI L A DO RES
PROFESOR : I N G . P ON CE
EAP: I NG. DE TELECOMUNICACIONES
NOMBRE DE LOS ALUMNOS:
CHI N G U EL JI ME NEZ DI EG O E R E NESTO
ACU Ñ A G A MA RR A G UI L L ERM O A LON SO
R UN ACHAGUA A S CE N CIO K E V I N DA N N Y
BECE R R A A L I AGA JUA N M I G U EL
R A M I REZ A N G E LES R I CA R DO

2018
2. Osciladores
Osciladores con elementos discretos

• de Baja Frecuencia (RC)

• de Alta Frecuencia y • Colpitts


Tipos de Frecuencia Variable (LC) • Hartley
Osciladores • Otros (Clapp, ...)
• de Alta Frecuencia y • Colpitts
Frecuencia Fija (a cristal) • Hartley
• Pierce
• Otros (Clapp, ...)

ATE-UO EC osc 01
Teoría básica de sistemas realimentados
• Se linealiza el sistema
• Se toman transformadas de Laplace

xe(s) xer(s) G(s) xs(s)


Entrada - Planta Salida

xr(s) H(s)
Observaciones: Red de
xe: magnitud de entrada realimentación
xer: magnitud de error
xr: magnitud realimentada
xs: señal de salida
xx: magnitudes que pueden ser de distinto tipo
G(s): función de transferencia de la planta
H(s): función de transferencia de la red de realimentación
ATE-UO EC osc 02
Cálculo de funciones de transferencia

xe(s) xer(s) G(s) xs(s)


Entrada - Planta Salida

xr(s) H(s)
Red de
realimentación

Lazo abierto Lazo cerrado


xs(s) xs(s) G(s)
G(s) = =
xer(s) xe(s) 1 + G(s)·H(s)

ATE-UO EC osc 03
Casos particulares

xe(s) G(s) xs(s) xs(s) G(s)


Entrada - Planta Salida =
xe(s) 1 + G(s)·H(s)
H(s)
Red de
realimentación

Realimentación negativa  1 + G(s)·H(s) > 1


Alta ganancia de lazo xs(s)/xe(s) = 1/H(s)
Realimentación positiva  1 + G(s)·H(s) < 1
Oscilación  1 + G(s)·H(s) = 0
Situación indeseada en servosistemas
Situación deseada en osciladores
ATE-UO EC osc 04
Caso de oscilación
xe(s) G(s) xs(s)
xs(s) G(s)
= Entrada - Planta Salida
xe(s) 1 + G(s)·H(s)
H(s)
Red de
realimentación

 1 + G(s)· H(s) = 0 xs(s)/xe(s)  

Cuando está oscilando:


Se genera Xs aunque no haya Xe
 G(s)· H(s) = 1
G(s)· H(s) = 180º
G(s) xs(s)
-1 Por tanto:
Planta Salida
 G(jwosc)· H(jwosc) = 1
H(s) G(jwosc)· H(jwosc) = 180º
Red de
realimentación

ATE-UO EC osc 05
Condición de oscilación (I)

En oscilación:
-1
G(jwosc)
 G(jwosc)· H(jwosc) = 1 Planta Salida
G(jwosc)· H(jwosc) = 180º
H(jwosc)
Red de
realimentación

¿Qué tiene que suceder para que comience la oscilación?

xe(jwosc)
G(jwosc)
Entrada - Planta Salida

H(jwosc)
Red de
realimentación

xe(jwosc)·G(jwosc)·H(jwosc)
ATE-UO EC osc 06
Condición de oscilación (II)
xe(jwosc)
G(jwosc)
Entrada - Planta Salida

H(jwosc)
Red de
xe(jwosc)·G(jwosc)·H(jwosc) realimentación

Si |xe(jwosc)·G(jwosc)·H(jwosc)| > |xe(jwosc)| (es decir, |G(jwosc)·H(jwosc)| > 1)


cuando el desfase es 180º, entonces podemos hacer que la salida del
lazo de realimentación haga las funciones de la magnitud de entrada.

G(jwosc)
- Planta Salida

H(jwosc)
Red de
realimentación
ATE-UO EC osc 07
Condición de oscilación (III)
En realidad si |G(jwosc)·H(jwosc)| > 1 cuando el desfase es 180º,
las magnitudes empezarán a crecer constantemente

G(jwosc)
- Planta Salida

H(jwosc)
Red de
realimentación

¿Existe un límite a este crecimiento?


Evidentemente sí, por razones energéticas hay límites. Incluso
el sistema podría destruirse al crecer la magnitud de salida.

ATE-UO EC osc 08
Condición de oscilación (IV)

G(jwosc)
- Planta Salida

H(jwosc)
Red de
realimentación

|Gpm(jwosc)·H(jwosc)| > 1

|Ggm(jwosc)·H(jwosc)| = 1

Observaciones:
Gpm(s): función de transferencia de pequeña magnitud
Ggm(s): función de transferencia de gran magnitud

ATE-UO EC osc 09
Condición de oscilación (V)
xe(jwosc)
G(jwosc)
Entrada - Planta Salida

H(jwosc)
Red de
xe(jwosc)·G(jwosc)·H(jwosc) realimentación

Si |G(jwosc)·H(jwosc)| < 1 cuando el desfase es 180º, entonces la


oscilación se extinguirá

G(jwosc)
- Planta Salida

H(jwosc)
Red de
realimentación

ATE-UO EC osc 10
Condición de oscilación (VI)

Formulación formal: -1
G(jwosc)
Criterio de Nyquist Planta Salida

H(jwosc)
Red de
realimentación

 Para que empiece la oscilación:


• Tiene que existir una wosc a la que se se cumpla
G(jwosc)·H(jwosc) = 180º
• A esa wosc tiene que cumplirse |G(jwosc)·H(jwosc)| > 1

 Cuando se estabiliza la oscilación:


• Disminuye la G(jwosc) hasta que |G(jwosc)·H(jwosc)| = 1
cuando G(jwosc)·H(jwosc) = 180º
ATE-UO EC osc 11
|G(jw)·H(jw)| [dB]
Condición de oscilación (VII) 80

Interpretación con 40
Oscilará
Diagramas de Bode 0

 Para que empiece la oscilación. -40

1 102 104 106


-1
G(jwosc)
Planta Salida G(jw)·H(jw) [º]
H(jwosc) 0
Red de
realimentación -60
-120
-180
-240
1 102 104 106
wosc
ATE-UO EC osc 12
Condición de oscilación (VIII)
 Cuando ya oscila.  Para que no oscile.
|G(jw)·H(jw)| [dB] |G(jw)·H(jw)| [dB]
80 80

40 40
0 0
No
-40 -40 oscilará

G(jw)·H(jw) [º] G(jw)·H(jw) [º]


0 0
-60 -60
-120 -120
-180
wosc -180
wosc
-240 -240
1 102 104 106 ATE-UO EC osc 13 1 102 104 106
Condición de oscilación en osciladores

 Caso general  Oscilador

G(jw) A(jw)
-1
Planta Salida Amplificador Salida

H(jw) (jw)
Red de
realimentación Red pasiva

Para que empiece la oscilación:


• Existencia de wosc tal que • Existencia de wosc tal que
G(jwosc)·H(jwosc) = 180º A(jwosc)·(jwosc) = 0º
• A wosc se cumple • A wosc se cumple
|G(jwosc)·H(jwosc)| > 1 |A(jwosc)·(jwosc)| > 1
Cuando ya oscila:
|G(jwosc)·H(jwosc)| = 1 |A(jwosc)·(jwosc)| = 1
ATE-UO EC osc 14
Tipos de Osciladores

BJT, JFET, MOSFET, Amp. Integrados, etc

A(jw)
Amplificador Salida

(jw)
Red pasiva

• RC en baja frecuencia.
• LC en alta frecuencia (y variable).
• Dispositivo piezoeléctrico en alta frecuencia (y constante).
• Líneas de transmisión en muy alta frecuencia.
ATE-UO EC osc 15
Osciladores LC con tres elementos reactivos (I)
G D

+
vgs g·vgs Rs
-
S
FET

A(jw)
Amplificador Salida

(jw)
Red pasiva

Z2
Z1
Z3

ATE-UO EC osc 16
Osciladores LC con tres elementos reactivos (II)

G D
+ + +
ve vgs g·vgs Rs vs
- - -
S

Z2 +

Z1 ver
+
vsr Z3 -
-
ATE-UO EC osc 17
Osciladores LC con tres elementos reactivos (III)
G D
+ + + Z1·(Z2+Z3)
ve g·vgs vs Rs·
vgs Rs Z1+Z2+Z3
- - -
vs = -g· ·ve
S Z1·(Z2+Z3)
Rs +
Z1+Z2+Z3
Z2 +
Z3
Z1 ver vsr = ·ver
+
Z3 Z2+Z3
vsr -
-
ver = vs
Z1·Z3
Por tanto: Rs·
Z1+Z2+Z3
vsr = -g· ·ve
Z1·(Z2+Z3)
Rs +
Z1+Z2+Z3 ATE-UO EC osc 18
Osciladores LC con tres elementos reactivos (IV)
Rs·Z1·Z3
De otra forma: vsr = -g· ·ve
Rs·(Z1+Z2+Z3)+Z1·(Z2+Z3)
Rs·Z1·Z3
Por tanto: A· = vsr/ve = -g·
Rs·(Z1+Z2+Z3)+Z1·(Z2+Z3)
G D
+ + +
ve g·vgs vs
Puesto que usamos sólo
vgs Rs
- - bobinas y condensadores:
-
S Z1 = j·X1
Z2 = j·X2
Z2 + Z3 = j·X3
Z1 ver
+
vsr Z3 -
- Por tanto:
-Rs·X1·X3
A· = -g·
j·Rs·(X1+X2+X3)-X1·(X2+X3)
ATE-UO EC osc 19
Osciladores LC con tres elementos reactivos (V)
Si el circuito debe oscilar al cerrar el interruptor, debe cumplirse que:
• Existe wosc tal que A(jwosc)·(jwosc) = 0º (es decir, REAL)
• A wosc se cumple |A(jwosc)·(jwosc)| > 1
-Rs·X1·X3
Por tanto: A(jwosc)·(jwosc) = -g·
j·Rs·(X1+X2+X3)-X1·(X2+X3)
=0
Como: X1(wosc)+X2(wosc)+X3(wosc) = 0, los tres elementos
reactivos no pueden ser iguales. Tiene que haber dos bobinas y un
condensador o dos condensadores y una bobina.
Rs·X3(wosc)
Queda: A(jwosc)·(jwosc) = -g·
X2(wosc)+X3(wosc)
Y como: X2(wosc)+X3(wosc) = -X1(wosc),
ATE-UO EC osc 20
Osciladores LC con tres elementos reactivos (VI)
Rs·X3(wosc)
queda: A(jwosc)·(jwosc) = g·
X1(wosc)
Como: A(jwosc)·(jwosc) = 0º (es decir, POSITIVO), X3 y X1
deben ser del mismo tipo (los dos elementos bobinas o los dos
condensadores).
Z2
Z1
Z3 Hartley
Z2
Z1
Z3
Z2
Z1
Z3 Colpitts

ATE-UO EC osc 21
Osciladores LC con tres elementos reactivos (VII)
Como para que el circuito oscile al cerrar el interruptor debe
cumplirse que |A(jwosc)·(jwosc)| > 1, entonces queda:

Rs·X3(wosc)
g· >1
X1(wosc)
X2= -1/wC2
X1=wL1
Rs·L3
g· >1
X3=wL3 Hartley L1

X2=wL2 X1= -1/wC1 Rs·C1


g· >1
C3
X3= -1/wC3 Colpitts
ATE-UO EC osc 22
Osciladores LC con tres elementos reactivos (VIII)
La frecuencia de oscilación se calcula a partir de la condición:
X1(wosc)+X2(wosc)+X3(wosc) = 0

X2= -1/wC2
X1=wL1
1
fosc =
X3=wL3 2p (L1+L3)C2
Hartley

X2=wL2 X1= -1/wC1 1


fosc =
C1·C3
2p ·L2
X3= -1/wC3 Colpitts C1+C3

ATE-UO EC osc 23
Resumen
G D
Hartley +
g·vgs Rs
Rs·L3
vgs g· >1
- L1
S
1
C2 fosc =
L1
2p (L1+L3)C2
L3

G D
Colpitts + Rs·C1
vgs g·vgs Rs g· >1
- C3
S
1
fosc =
L2 C1 C1·C3
2p ·L2
C3 C1+C3

ATE-UO EC osc 24
Realización práctica de un Colpitts en “fuente común”
G D
G D +
+ +
vs osc
vgs g·vgs Rs vs osc S
- - * -

L2 C1
L2 C1
C3
C3
+ Vcc + Vcc
LCH LCH
CD
G D
D +
G CG D
G vs osc
L2
S
S S -

* CS
CS

C3
C1

ATE-UO EC osc 25
Realización práctica de un Colpitts en “puerta común”
G D G D +
+ + vs osc
S

-
vgs g·vgs Rs
-
vs osc
* -

L2 C1
L2 C1
C3
C3
+ Vcc
+ Vcc
L2
LCH CD

G D D G
D +
G vs osc
S C1
S -
S
* C3

ATE-UO EC osc 26
Realización práctica de un Colpitts en “drenador común”
G D
G D
+
vgs g·vgs Rs S
- *
S

L2 C1 +
L2 vs osc
C1 +
C3 -
vs osc
C3 -
+ Vcc
+ Vcc G D
G D
S CS
D S L2 C3
G +
C1 LCH vs osc
S LCH

* -

ATE-UO EC osc 27
Realización práctica de un Hartley en “fuente común”
G D
+ +
vgs g·vgs Rs vs osc
- -
S
+ Vcc
C2
L1 L1
L3 CD
C2 +
D
G
+ Vcc vs osc
LCH L3 S -
CS
D
G
S
CS

ATE-UO EC osc 28
Realización práctica de un Hartley en “puerta común”
G D
+ +
g·vgs Rs + Vcc
vgs vs osc
- -
LCH
S
CD1

C2 +
L1 D vs osc
G CD2 -
L3 S

+ Vcc L1 C
2
L3
LCH
CM
D
G
S

ATE-UO EC osc 29
Realización práctica de un Hartley en “drenador común”
G D
+
vgs g·vgs Rs
-
S
+ Vcc
CG G D
C2 C2 CS
L1 + S
vs osc L3 +
L3 - vs osc
-
L1
+ Vcc CM
G D

LCH

ATE-UO EC osc 30
Osciladores LC con más de tres elementos reactivos:
El oscilador de Clapp (I)
G D
Condiciones de oscilación:
+
vgs g·vgs Rs·C1
Rs g· >1
- C3
S 1
fosc =
C2 C1·C2·C3
2p ·L2
C1·C2+C1·C3+C2·C3
L2
C1
• C2 no influye en la condición
C3 |A(jwosc)·(jwosc)| > 1
• C2 influye en la frecuencia de
oscilación, especialmente si C2 << C1,C3

• Especialmente útil para osciladores de frecuencia variable.


ATE-UO EC osc 31
Osciladores LC con más de tres elementos reactivos:
El oscilador de Clapp (II)
Realización práctica en “drenador común”

+ Vcc
G D
RG S CS
L2 C3
+
C1 LCH vs osc
C2
-
R1

ATE-UO EC osc 32
Osciladores de frecuencia variable (I)
Hay que hacer variar uno de los elementos reactivos de la red de
realimentación.
Tipos:
• Con control manual
• Controlado por tensión (Voltage Cotrolled Oscillator, VCO)

Con control manual de la frecuencia


Usando un condensador variable

ATE-UO EC osc 33
Osciladores de frecuencia variable (II)
+ Vcc + Vcc
G D G D
RG S CS CS
S
L2 C3 C2 C3
+ L2
+
C1 LCH vs osc LCH
C1 vs osc
C2
- -
R1 R1

Clapp (Colpitts sintonizado en serie) Colpitts sintonizado en paralelo


en “drenador común” en “drenador común”

Rs·C1
Condiciones de oscilación: g· >1 (común)
C3
1 1
fosc = fosc =
C1·C2·C3 C1·C3
2p ·L2 2p ( +C2)·L2
C1·C2+C1·C3+C2·C3 C1+C3
ATE-UO EC osc 34
Osciladores de frecuencia variable (III)
Osciladores Controlado por Tensión (VCOs)
Se basan en el uso de diodos varicap (también llamados “varactores”)

+ Vcc
G D
RG S CS
L2 C3
+
RCF LCH vs osc
C1
C21 -
+ R1
vCF C22
-

C2 ATE-UO EC osc 35
Hojas de características de un diodo varicap (BB131) (I)

ATE-UO EC osc 36
Hojas de características de un diodo varicap (BB131) (II)

ATE-UO EC osc 37
Osciladores de frecuencia muy constante
• Se basan en el uso de cristales de cuarzo (u otro
material piezoeléctrico)

• Símbolo:

• Interior del dispositivo:

Cristal
Contacto
metálico Cápsula
• Aspecto:

Terminales

ATE-UO EC osc 38
Cristales piezoeléctricos (I)
• Circuito equivalente de un cristal de cuarzo:

R1 R2 R3
L1 L2 L3

C1 C2 C3
CO

ATE-UO EC osc 39
Cristales piezoeléctricos (II)

R1 R2 R3 Z(f)
L1 L2 L3

C1 C2
CO
C3
Im(Z(f)) [kW]

50
Comportamiento
inductivo

Comportamiento
-50 capacitivo

f1 f2

ATE-UO EC osc 40
Cristales piezoeléctricos (III)
Modelo simplificado (alrededor de una de las frecuencias
en las que se produce comportamiento inductivo)

Ejemplo: cristal de mP de 10 MHz


R R = 20 W L = 15 mH
L C = 0,017 pF CO = 3,5 pF
CO
XL(10 MHz)= 2p·107·15·10-3 = 942 kW
C
Z(f)
Im(Z) [MW]
1

0
200 Hz

-1
10,0236 10,024 10,0244
f [MHz] ATE-UO EC osc 41
Cristales piezoeléctricos (IV)
Ejemplo: cristal de mP de 10 MHz
En otra escala
R = 20 W L = 15 mH C = 0,017 pF CO = 3,5 pF
Im(Z) [kW]
600
Margen de R
comportamiento inductivo
L
25 kHz CO
C
0

-600
10 10,01 10,02 10,03
f [MHz] ATE-UO EC osc 42
Cristales piezoeléctricos (V)
Calculamos la impedancia del modelo del cristal
L 1
(L·s +
1
)
CO·s C·s 1 (L·C·s2 + 1)
Z(s) = = ·
1 1 CP·s (L·CS·s2 + 1)
C CO + L·s +
CO·s C·s
C·CO
siendo: CS = CP = C+CO
C+CO

Análisis senoidal: s = jw

-j (1 - L·C·w2 ) -j(w1/w2)2 (1 – (w/w1)2)


Z(jw) = · = ·
CP·w (1 - L·CS·w2) CO·w (1 – (w/w2)2)

1 1
siendo: w1 = w2 =
L·C L·CS

ATE-UO EC osc 43
Cristales piezoeléctricos (VI)
L
-j(w1/w2)2 (1 – (w/w1)2) 1 1
Z(jw) = · w1 = w2 =
CO CO·w (1 – (w/w2) )
2
L·C L·CS
C

Como CS < C, entonces: w2 > w1

• Si w < w1, entonces también w < w2 y entonces:


Z(jw) = -j·(cantidad positiva) < 0, es decir, comportamiento capacitivo.

• Si w1 < w < w2, entonces:


Z(jw) = -j·(cantidad negativa) > 0, es decir, comportamiento inductivo.

• Si w2 < w, entonces también w1 < w y entonces:


Z(jw) = -j·(cantidad positiva) < 0, es decir, comportamiento capacitivo.

Solo se comporta de modo inductivo si w1 < w < w2


ATE-UO EC osc 44
Cristales piezoeléctricos (VII)
1 C·CO 1
L
Resumen: w1 = CS = w2 =
L·C C+CO L·CS
C CO
-(w1/w2)2 (1 – (w/w1)2)
Z(jw) = jX(w) X(w) = ·
CO·w (1 – (w/w2)2)

X(w) Comp.
inductivo

0
w1 w2
Comportamiento
capacitivo

ATE-UO EC osc 45
Hojas de características de cristales de cuarzo

ATE-UO EC osc 46
Osciladores a cristal
Se basan en el uso de una red de realimentación que incluye un
dispositivo piezoeléctrico (típicamente un cristal de cuarzo). Tipos:
• Basados en la sustitución de una bobina por un cristal de cuarzo
en un oscilador clásico (Colpitts, Clapp, Hartley, etc.)  El cristal
de cuarzo trabaja el su zona inductiva.
• Basados en el uso del cristal de cuarzo en resonancia serie.

Basados en la sustitución de una bobina por un cristal (I)


+ Vcc + Vcc
G D D
G
RG S CS RG CS
C3 S
L2 C3
+ +
Xtal
C1 LCH vs osc LCH vs osc
C1
C2
- -
R1 R1

ATE-UO EC osc 47
Osciladores basados en la sustitución de una bobina
por un cristal (II)
+ Vcc Condiciones de oscilación:
G D
CS
Rs·C1
RG
C3
S g· >1 (no depende del cristal)
+
C3
Xtal
C1 LCH vs osc Cálculo de la frecuencia de oscilación :
-
R1 XC1(wosc)+XC3(wosc)+XXtal(wosc) = 0
Cristal de 10 MHz
Gráficamente:
L = 15 mH R = 20 W
C = 0,017 pF CO = 3,5 pF -(XC1(w)+XC3(w)), XXtal(w)
1000
XXtal(w)
C1 = C3 = 50pF

500
[W]

C1 = C3 = 100pF

C1 = C3 = 500pF
0
f [MHz]

ATE-UO EC osc 48 10 10,002 10,004


Osciladores basados en la sustitución de una bobina
por un cristal (III)
Analíticamente:
XC1(wosc)+XC3(wosc)+XXtal(wosc) = 0
-(w1/w2)2 (1 – (wosc /w1)2)
XXtal(wosc) = ·
CO·wosc (1 – (wosc /w2)2)
-1 -1
XC1(wosc) + XC3(wosc) = +
C1·wosc C3·wosc

Despejando wosc se obtiene:


C
wosc = w1 1+
C1·C3
+ CO
C1+C3
Nótese que w1 < wosc < w2 ya que:
C
w2 = w1 1+
CO
ATE-UO EC osc 49
Osciladores basados en la sustitución de una bobina
por un cristal (IV)
Ajuste de la frecuencia de oscilación: modificar el valor de CO
externamente poniendo un condensador Cext en paralelo con el cristal

+ Vcc
C G D
wosc = w1 1+ CS
RG S
C1·C3 C3
+ CO + Cext Cext Xtal +
C1+C3 C1 LCH vs osc
10 MHz -
R1
XXtal, -(XC1 + XC3) [W]
1500
Cext = 15pF 10pF
1000
-(XC1 + XC3)
5pF fosc(Cext= 0pF) = 10.002,9622 kHz
fosc(Cext= 5pF) = 10.002,5201 kHz
500 C1 = C3 = 50pF xXtal
0pF fosc(Cext= 10pF) = 10.002,1929 kHz
0
fosc(Cext= 15pF) = 10.001,9408 kHz

9,999 10 10,001 10,002 10,003


f [MHz] ATE-UO EC osc 50
Osciladores basados en el uso del cristal de cuarzo
en resonancia serie (I)
G D G D
+ + + + + +
ve vgs g·vgs Rs vs ve vgs g·vgs Rs vs
- - - - - -
S S

CO
+ + + +
Xtal L C
vsr R1 ver vsr ver
- - - R1 ZXtal = jXxtal -

Rs·R1
En este caso: A(jw)·(jw) = -g·
jXXtal + R1 + RS

ATE-UO EC osc 51
Osciladores basados en el uso del cristal de cuarzo
en resonancia serie (II)
G D
En oscilación:
+ + +
ve vgs g·vgs Rs vs • XXta = 0 ya que A(jwosc)·(jwosc) = 0º
- - -
S
jXxtal • 0 > -(R1+RS)/(R1·RS) > g ya que
|A(jwosc)·(jwosc)| > 1
+ +
Xtal
vsr R1 ver Amplificador
con g’ > 0
- -
+ Rs +
ve g’·ve vs
- -

Xtal
R1

ATE-UO EC osc 52
Conexión de la carga a un oscilador (I)
+ Vcc
G D

S CS
L2 C3
+ RL CL
C1 LCH vs osc
-
R1 Carga

• CL influye en la frecuencia de oscilación y RL influye en la


ganancia del transistor.
• Hay que conectar etapas que aíslen al oscilador de la carga.

ATE-UO EC osc 53
Conexión de la carga a un oscilador (II)

+ Vcc
G D R2
S CS
L2 C3 CE

C1 LCH + RL CL
R3
vs osc
R1
-
Carga

Etapa en “colector común” para minimizar


la influencia de la carga en el oscilador.

ATE-UO EC osc 54
Osciladores con transistores bipolares (I)

ib
B C
Estudio y resultados
Re ·ib
prácticamente idénticos
al caso de transistores
de efecto de campo.
E

Z2 Z1 = j·X1
Z1 Z2 = j·X2
Z3 Z3 = j·X3

-X3·X1
En este caso: A(jwosc)·(jwosc) = -·
j·Re·(X1+X2+X3)-X3·(X1+X2)
=0
X1(wosc)
queda: A(jwosc)·(jwosc) = ·
X3(wosc) ATE-UO EC osc 55
Osciladores con transistores bipolares (II)
• Como: A(jwosc)·(jwosc) = 0º (es decir, POSITIVO), X1 y X3 deben
ser del mismo tipo (dos bobinas o dos condensadores).

• Como para que el circuito oscile debe cumplirse que


|A(jwosc)·(jwosc)| > 1, entonces queda: X1(wosc)
· >1
+ Vcc X3(wosc)

R1
CB R3 Colpitts en colector
común con transistor
CE1 bipolar + seguidor de
L2 C3 CE2 tensión.

C1 LCH
+
R4 vs osc
R2 -

ATE-UO EC osc 56
Circuitos para limitar automáticamente la ganancia en
el transistor (ejemplo con JFET) (I)
+ Vcc
G D
RG D1 C2 C3 S CS

L2 C1 +
LCH vs osc
Resistencia de -
arranque

Diodo para polarizar negativamente la


puerta con relación a la fuente

ATE-UO EC osc 57
Circuitos para limitar automáticamente la ganancia en
el transistor (ejemplo con JFET) (II)
G Circuito equivalente
RG C2 C3 S
D1
L2 C1 ids
RS
LCH

G Thévenin
RG C2 C3 S
D1
L2 C1 +
RS
LCH ids·RS

ATE-UO EC osc 58
Circuitos para limitar automáticamente la ganancia en
el transistor (ejemplo con JFET) (III)
Corriente despreciable
(resistencia muy grande) Corriente media nula (por
ser condensadores)
G
RG C2 C3 S
D1
L2 C1 +
RS
LCH vSO

Luego: la corriente media por el Tensión media nula


diodo debe ser nula. Para ello, C3 (por ser una bobina)
debe cargarse de tal forma que no
conduzca el diodo.

ATE-UO EC osc 59
Circuitos para limitar automáticamente la ganancia en
el transistor (ejemplo con JFET) (IV)
G
RG D1 + C3 + S
vC3 i
vG
+ -
C2 C1 + RS +
vC1
- L2 LCH
vC1 - vSO
0
i = 0 (resonancia)
0 vC1  vSO (ZLCH >> RS)
vC3 nivel de cc

vC3 = vC1·C1/C3 + nivel de cc


0 vG = vC1+ vC3
vG nivel de cc

ATE-UO EC osc 60
Circuitos para limitar automáticamente la ganancia en
el transistor (ejemplo con JFET) (V)
G
RG D1 + C3 + S
vC3 i=0
vG
+ -
C2 C1 + RS +
vC1
- L2 LCH
- vSO
0 nivel
vC3 de cc vC3 (=vGS) tiene un nivel de cc negativo
proporcional al nivel de las señales
0 que supone una polarización negativa
nivel
vG de cc
de la puerta con respecto a la fuente
que disminuye la ganancia al crecer el
nivel de las señales

ATE-UO EC osc 61
Condensadores adecuados para osciladores
de alta frecuencia
Deben ser condensadores cuya capacidad varíe muy poco
con la frecuencia. Ejemplos:
• Condensadores cerámicos NP0.
• Condensadores de aire (los variables)
• Condensadores de mica.
• Condensadores de plásticos de tipo Styroflex.

Cerámicos NP0 Styroflex.


Mica

ATE-UO EC osc 62
Ejemplos de esquemas reales de osciladores (I)
(obtenidos del ARRL Handbook 2001)

ATE-UO EC osc 63
Ejemplos de esquemas reales de osciladores (II)
(obtenidos del ARRL Handbook 2001)

Hartley
Alimentación estabilizada

Diodo para polarizar


negativamente la puerta

Separador basado en MOSFET de doble puerta Transformador para


adaptación de impedancias
ATE-UO EC osc 64
Ejemplos de esquemas reales de osciladores (III)
(obtenidos en http://www.qrp.pops.net/VFO.htm)

Colpitts

ATE-UO EC osc 65
Ejemplos de esquemas reales de osciladores (IV)
(obtenidos del ARRL Handbook 2001 y de notas de aplicación de
National Semiconductor)

ATE-UO EC osc 66
Parámetros características de los osciladores
• Margen de frecuencia.
• Estabilidad  Mayor cuanto mayor es el factor de calidad “Q” de la
red de realimentación.
• Potencias (absoluta de salida sobre 50W ) y rendimientos
(Potencia de señal / potencia de alimentación).
• Nivel de armónicos y espurias  potencias relativas de uno o
varios armónicos con relación al fundamental.
• “Pulling” o estabilidad frente a la carga  uso de separadores.
• “Pushing” o estabilidad frente a la alimentación  uso de
estabilizadores de tensión (zeners, 78LXX, etc.).
• Deriva con la temperatura  Condensadores NP0, de mica, etc.
• Espectro de ruido  Se debe fundamentalmente a ruido de fase.

ATE-UO EC osc 67