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Estudos e Caracterização de
Filmes Finos CdTe e CdHgTe
para Utilização em Células
Solares Fotovoltaicas
Autor: José Miranda da Silva Filho
Orientador: Prof.
Conteúdo
• Introdução
• Justificativa
• Metodologia de Caracterização
• Tecnologia de Fabricação
• Infra-Estrutura Necessária
• Resultados Esperados
INTRODUÇÃO
VISÃO GERAL DAS FONTES DE ENERGIA
Fontes de Energia Renováveis
Todas as Fontes Energéticas (7.0 quadrilhões BTU)
(94.2 quadrilhões BTU)
Geotérmica
Eólica
Renovável
Energia
8%
Hidroelétrica
Carvão
Energia Nuclear 23%
8%
Os totais pode não igualar a soma dos componentes devido ao arredondamento independente
MOTIVAÇÃO
Fronteiras do Estado
Menos que
Sistema de bateria
Matriz PV
Saídas Corrente
Direta
Célula Solar de Filme Fino
Corrente de
Uma camada de CdTe pode Saída
corrente
Luz do sol
Sílica Tipo n
Junção
Sílica Tipo p
fóton
Fluxo elétrico
Fluxo de
buracos
JUSTIFICATIVA
CdTe
• Custo de produção do Filme Fino CdTe e
HgCdTe
• O processo de fabricação amplamente
conhecido e de pouca sofisticação
comparado com de outros Filmes Finos
• Uma maior capacidade de absorção de
energia solar comparada com a Si
CdTe
Máxima Eficiência
Tecnologia Demonstrada por Célula Vantagens Desvantagens
Pequena
• Desafio para a
• Elevada Eficiência uniformidade do filme sobre
CIGS 19.9% • Vidro ou Substrato substratos grandes
Flexível • Processos tradicionais
dispendiosas
METODOLOGIA DE
CARACTERIZAÇÃO
DIFRAÇÃO DE RAIOS-X
Difração de Raios-X
Padrões de Raios X
Disposição Cristalográfica do CdTe
ESPECTROSCOPIA
INFRAVERMELHO
Espectroscopia Infravermelho
MICROSCOPIA ELETRON
DE VARREDURA
MEV
Micrografia
ESPECTROSCOPIA RAMAN
Espectroscopia Raman
TECNOLOGIA DE
FABRICAÇÃO
Eletrodeposição
Becker com
água
aquecida Saída de
água Substratos carregados mantendo o
quente óxido de latão no lado superior.
CdTe se deposita sobre ambos os
lados, porém ele estará muito melhor
no lado do óxido de latão
Entrada Apoiador de
de água Quartzo para
quente Substrato
Bastão de
Agitação
Filmes Finos CdTe
Técnicas de Deposição
Os substratos estão
na parte superior
SnO2
(sem condutividade),
100 nm
Vidro, 1 mm
CdS, 80 – 100 nm SnO2 (condutor), 500 nm
CdTe, 5 – 10 μm