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filière : Physique

spécialité: physique des matériaux

THEME

Présentée par : Encadrer par:


MERABET WAFA KABIR ABDENNORE
Introduction n
Les couches minces représentent un secteur important dans le développement
industriel de nouveaux matériaux.
Dans le cas de l’oxyde d’étain (SnO2), ces propriétés électriques, optiques et
chimiques lui permettent d’être utilisé dans des applications divers telles que
les fenêtres à effet thermique contrôlé, les capteurs chimiques de gaz ou bien
encore les applications photovoltaïques. En effet, ce semi-conducteur de
type n possède, dans le cas des couches minces, une conductivité électriques
élevée couplée à une forte transmission optique dans le visible. De plus, son
inertie chimique et sa résistance physique importante lui confère une grande
stabilité dans le temps.
 Ce travail est une étude qui porte sur la caractérisation optique et électrique de
couches minces de SnO2 obtenues par oxydation de couches minces d’étain déposés
sur des substrats en verre par évaporation sous vide. Cette étude sera effectuée en

en utilisant 4 modes de recuit déférents. Nous avons caractérisé nos films par :
l’UV-visible et la technique des quatre pointes.
 Ce mémoire est organisé de la façon suivante :
 Le premier chapitre expose les propriétés de couches minces ainsi que
quelques techniques de dépôts. Une revue sur les propriétés essentielles
d’oxyde d’étain et quelques applications sera aussi présentée
 Le deuxième chapitre décrit la méthode d’élaboration des couches minces
SnO2. Dans une seconde partie nous citons les différentes techniques
utilisées pour la caractérisation.
 Dans le troisième chapitre, nos exposons et discutons les résultats obtenus.
Introduction

Etude bibliographique les couches minces des sno2


Plan de
Elaboration des couches de SnO2
travail
Résultats et Discussion

Conclusion
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COUCHES MINCES

Une couche mince d’un matériau donné représente un


élément de ce matériau dont l’une des dimensions qu’on
appelle épaisseur est fortement réduite de telle sorte que
cette faible distance entre les deux surfaces limites reste
de l’ordre du µm, ce qui confère à la couche la quasi-
bidimensionnallité, entrainant une perturbation de la
majorité des propriétés physiques .
Quelques
applications
Ecrans plats d’affichage Cellules solaires
Techniques de déposition des couches minces

Procédé chimique
Procédé physique

En milieu vide En milieu plasma En milieu gaz réactif En milieu liquide

 CVD 
 Evaporation Spray
sous vide  Pulvérisation
 LPCVD  Sol gel
cathodique
 Ablation laser  Bain chimique
 PECVD

Figure I.2: Classification des procédés de dépôts de couches minces.


OXYDE D’ETAIN
L’oxyde d’étain ou « oxyde stannique » se trouve à l’état
naturel sous forme cassitérite minéral. La cassitérite est un
oxyde de couleur variable, allant du jaunâtre au noir, il est
connue et exploitée depuis les temps les plus anciens. Son
nom (du grec Kassiteros, " étain ") lui a été donné par le
minéralogiste français BEUDANT en 1832. Le SnO2 est
sans doute le plus utilisé des oxydes dans le domaine de la
surveillance de la pollution atmosphérique et la détection
des gaz toxiques.
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Paramètre SnO2
Minérale Cassitérite
Réseau Tétragonale
Structure Rutile
A=b, c (Å) 4.737 Å , 3.186 Å
Eg (eV) Vairée entre3.6 eV et 4.2eV (direct)
Transmission moyenne dans le gamme
du visible (%) 85%

Concentration en électrons libre


(cm3 ) 1019 à 1020

Dopants extrinsèque comme type n F, Sb

Tableau 1.1: Propriétés fondamentaux de l’oxyde d’étain. 10


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II. 1. Procédé d’élaboration :

L’élaboration des couches minces d’étain a été effectuée à


Laboratoire de Recherche sur Physico-chimie des Surfaces
et Interfaces « LRPCSI » à l’Université de Skikda en suivant
deux étapes :

Dépôt des couches minces d’étain par évaporation sous une


pression de 10-6 Torr en utilisant un évaporateur de type
EDWARDS Auto 306.

Recuit de couches obtenues dans un four à moufle à 500°C


suivant quatre modes différents représentés sur les figures
II.1-II-4.
M1

500

400
Température(°c)

300

200

100

M2
0 1 2 3 4 5
Temps de recuit (heure)
500

400

Température(°C)
Figure II 1: Premier mode de recuit 300

200

100

0 1 2 3 4
Temps de recuit(heure)

Figure II2:deuxième mode de recuit


M3

500

400
Tenpératures(°C)

300

200

100

0 1 2 3 4
Temps de recuit (heure)
M4

500

FIGURE II 3:TROISIÈME MODE DE 400


RECUIT

température (°c)
300

200

100

0
0 1 2 3
Temps de recuit (heure)

Figure II 4:quatrième mode de recuit


LOGO

Technique de Caractérisation:

Caractérisation
optique  Spectroscopie UV-visible, de type (UV-1700 PC Schumadzu)

Mesure de la  Quatre pointes, modèle Jandel relié à une source mètre


résistivité électrique Keithley 2400

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Propriétés Propriétés T(%)= T(800)+T(400)
RS= 2
électrique optiques de

ρ=Rs×d

a défini un rapport entre la transmittance T et la résistance surfacique Rs,


appelé la figure de mérite selon la relation suivante:

16
17
Transmission:

M1
M2
M3
50 M4

40
Transmittance T(%)

30

20

10

0
300 400 500 600 700 800
L'àngueur d'onde (nm)

Figure III.1: Spectres de transmission des échantillons de SnO2

18
La diminution de la transmission peut être
expliquée par l’insuffisance de temps de
recuit pour oxyder complètement nos couches.
D’après

19
 Evolution LA TANSMISSION pour chaque mode: :

40

30

Transmission %
20

10

M1 M2 M3 M4

Figure III.2: transmission moyenne pour


chaque mode
figure III.2, nous constatons que la transmission maximale
est obtenue dans le mode 4.
3. 3. Gap optique

0,00020 M1

0,00018

0,00016

0,00014
(alpha*hv)^2(ev/cm)^2

0,00012

0,00010

0,00008

0,00006

0,00004
Eg=3.18 ev
0,00002

0,00000
1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 M2
0,00025
hv(ev)

0,00020

(alpha*hv)^2(ev/cm)^2
0,00015

0,00010

Eg=3.11 ev
0,00005

0,00000
1,5 2,0 2,5 3,0 3,5
hv(ev)
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3. 3. Gap optique

M3
0,00025

0,00020
(alpha*hv)^2(ev/cm)^2

0,00015

0,00010

0,00005
Eg=3.13ev

0,00000 M4
1,5 2,0 2,5 3,0 3,5
hv(ev) 0,00028

0,00024

(alph*hv)^2(ev/cm)^2
0,00020

0,00016

0,00012

0,00008

0,00004
Eg=3.86 ev

0,00000
1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5
hv(ev)
23
On remarque que le gap optique vari selon le mode de
recuit. Une valeur acceptable de ce gap est obtenue mode
4.

36
de la figure III. 3, les énergies de bandes interdites
varient entre 3.11 et 3.86 eV.
 Evolution Eg pour chaque mode:

4,0

3,5

3,0

2,5
GAP(ev)

2,0

1,5

1,0

0,5

0,0

M1 M2 M3 M4

Figure III.11: l’énergie de gap optique Eg en fonction du nombre de mode


On remarque que le gap optique vari selon le mode de
recuit. Une valeur acceptable de ce gap est obtenue mode
4.

36
4. Résistivité électrique

20

Résistivité electrique (ohm*cm)


15

10

M1 M2 M3 M4

Figure III.5: résistivité électrique pour chaque mode

28
Nous remarquons que la valeur acceptable de la
résistivité est obtenue dans le mode 2 ce qu’il n’est pas le
cas pour la transmission.

29
5. figure de mérite:

25

Figure de mérite (* 10^-8 ohm^-1)


20

15

10

1 2 3 4
Numéro de mode

Figure III. 18: Variation de figure de mérite de SnO2 en fonction du


Numéro de mode

30
La figure (III.6) donne la figure de mérite Ø pour
chaque mode du recuit. Nous constatons que le mode 4 est
le mode qui donne des couches de bonnes propriétés.

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Dans le cadre de ce travail, des couches minces d’oxyde d’étain ont
été obtenues par recuit des films d’étain à 500°C sous atmosphère
ambiante, selon 4 modes différents. Les couches minces d’étain ont été
déposées sur des substrats en verre par évaporation sous vide.
Les caractéristiques optiques des couches de SnO2 sont modifiées
par les traitements thermiques. La transmission située dans la gamme du
visible varie entre 32% et 42% selon le mode utilisé, Elle est maximale
dans le mode 4. La diminution de la transmission peut être expliqué par
le temps de recuit qui n’est pas suffisant pour l’oxydation complète de
nos couches. A partir de la variation de (αhυ)2 en fonction de (hυ) nous
avons trouvé que le gap optique vari entre 3.11 et 3 .86 eV.
Nous avons trouvé que la résistivité électrique est meilleure dans le
mode 2 et pas le mode 4 comme pour la transmission. C’est pourquoi
nous avons utilisé la figure de mérite. D’après ces valeurs, le mode
souhaitable pour l’oxydation des films d’étain est le mode 4.
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