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•UNIDAD 3 El efecto fotovoltaico

Historia de la energía solar FV.


Principios fundamentales
Teoría de semiconductores
Efecto fotovoltaico
La célula solar
Tecnologías y proceso de fabricación
Desarrollo de la energía solar fotovoltaica

Unidad 3 El efecto Fotovoltaico 2


Principios fundamentales: El Átomo
• Unidad mas pequeña de un elemento químico. Su núcleo está formado por
neutrones y protones, y girando en diferentes órbitas, hay una cantidad igual de
electrones. En cada órbita "n“ se pueden alojar un máximo de 2n2 electrones.

H=1, Cu=29, Al=13,


Ge=32, SI=14, Ga=31,
Bo=5, Sb=51
electrones.

• Atendiendo a la carga eléctrica, los átomos, se pueden clasificar en +, - y neutros.


• En los neutros, cuando están completas sus órbitas , hay igual cantidad de electrones que
de protones; los electrones de la última órbita son los más alejados del núcleo y por
tanto, perciben menos su fuerza de atracción y pueden salirse de dicha órbita llamada
de valencia, dejando al átomo cargado positivamente por contener más protones que
electrones, si por el contrario en el último orbital del átomo hubiese alojado un electrón
libre exterior al átomo habría adquirido carga negativa, a estas dos situaciones se les
denomina iones.
Unidad 3 El efecto Fotovoltaico 3
Materiales Semiconductores
Tabla periódica

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ÁTOMOS ESTABLES E INESTABLES: Se llama estable al que tiene completa de electrones
su última órbita o al menos dispone en ella de ocho electrones. Los inestables, no
tienen llena su órbita de valencia ni tampoco ocho electrones en ella, tienen una gran
inclinación a convertirse en estables, desprendiéndose de los electrones de valencia o
bien absorbiendo del exterior electrones libres hasta completar la última órbita.
CONDUCTORES y AISLANTES: En los conductores los átomos permiten fácilmente el paso de
electrones, ejemplo el Cu con un electrón inestable en su cuarta órbita con gran tendencia a
desprenderlo. En los aislantes la resistencia es alta, tienen 8 electrones de valencia .

Átomo de Cu Cristal de SI

SEMICONDUCTORES INTRINSECOS: No poseen impurezas, no están contaminados por otros


átomos, representan un estado intermedio, tienen 4 electrones de valencia, como el Si y el Ge. Con
esta estructura el átomo es inestable, para hacerse estable se le presenta un dilema: y es que le cuesta
lo mismo desprenderse de 4 electrones y quedarse sin una órbita, que absorber otros 4 electrones
para hacerse estable y tener 8 electrones. En estas circunstancias, el Si y el Ge agrupan sus átomos,
formando una estructura en la que cada átomo queda rodeado por otros 4 iguales, formando los
llamados enlaces covalentes. Esta estructura sólida, ordenada, se llama cristal.
Aumento de temperatura en un semiconductor intrínseco
Cuando se eleva la temperatura de la red cristalina de un elemento semiconductor
intrínseco, algunos de los enlaces covalentes se rompen y varios electrones
pertenecientes a la banda de valencia se liberan de la atracción que ejerce el núcleo
del átomo sobre los mismos. Esos electrones libres saltan a la banda de conducción y
allí funcionan como “electrones de conducción”, pudiéndose desplazar libremente de
un átomo a otro dentro de la propia estructura cristalina, siempre que el elemento
semiconductor se estimule con el paso de una corriente eléctrica.

Teoría de las bandas de


energía en un sólido

En los semiconductores el espacio correspondiente a la banda prohibida es mucho


más estrecho en comparación con los materiales aislantes. La energía de salto de
banda (Eg) requerida por los electrones para saltar de la banda de valencia a la de
conducción en el Si es de 1.14-1.21 eV y en el Ge es de 0.75-0.785 eV
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Teoría de las bandas de energía en
metales, aislantes y semiconductores

Movimiento de
electrones

Movimiento y
Electrones difusión de
libres huecos

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C :Velocidad de
la luz
h. Constante de
PLANCK.
V. frecuencia

La luz es una onda electromagnética, está formada por fotones, la energía E de


éstos corresponde con las diferentes longitudes de onda que componen el
espectro electromagnético solar. El espectro visible se sitúa entre 1.6(IR) y
3.1 eV (UV). Cuando un fotón incide sobre un semiconductor, si tiene suficiente
energía genera un par electrón hueco, si no es suficiente lo atravesará sin
producir efecto. En el Si, fotones con longitud de onda mayor de 1100 nm
que tienen una energía inferior a 1.12 eV no pueden producir pares
electrón-hueco.

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Influencia del espectro solar
1 Å= 1 x 10-10 m = 0,1 nm

Entre 400 y 700 nm,


corresponde a la luz
visible

Eg Si= 1.14 eV
Eg Ge= 0.75 eV
Aislantes mas 100 eV

El rango de
energía de las
diferentes λ del
espectro
electromagnético
varía de 6.2 a 0.4
eV

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Respuesta espectral del silicio
El intervalo de 200 a 1100 nm, corresponde a las radiaciones útiles para la
fotovoltaica, la irradiación integrada representa aproximadamente el 75% del
total.
Visible
Ultravioleta Infrarrojo Infrarrojo
2000 100%

% de irradiancia solar total


Irradiancia espectral (Wm-2m-1)

1500 75%

1000 50%

500 25%

0 0%
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 4,5
Longitud de onda (m)
Respuesta espectral del silicio

En el eje Y también puede expresarse el nivel energético en vatios


por m cuadrado por micra. 10
Eg

Longitud de onda micrómetros


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SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS: las corrientes que se producen en un semiconductor
intrínseco a la temperatura ambiente ta son insignificantes, dado el bajo valor de
portadores libres, para aumentarlas se les añaden impurezas.
• Diferentes tipos de enlaces
• Na=11 Cl=17 Enlace iónico NaCl Enlace covalente H2

Iónico
• 12121212

• Enlace covalente. Ocurre cuando dos átomos comparten sus electrones , ejemplo,
cuando se unen 2 átomos de hidrógeno (H + H = H2) u otros similares, (N2), (O2),
(Cl2), etc. Crea una estructura cristalina..
• Enlace iónico o electrovalente. Debido a la fuerza de atracción que se ejerce entre
los iones con cargas positivas y negativas, se originan enlaces iónicos o electrovalentes,
creando moléculas de elementos químicos compuestos, ejemplo, las cargas de un ión
cloro negativo (Cl–) o anión y la de un ión sodio positivo (Na+) o catión, se atraen
mutuamente formando una molécula de cloruro de sodio o sal común (NaCl).
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SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS TIPO N: se produce al introducir, dopar,
a la estructura cristalina del Si=14, con un átomo de Antimonio Sb=51.

La carga neta del cristal siempre es 0

El átomo de Sb, con 5 electrones en su banda de valencia, cumple con los cuatro
enlaces covalentes y aún le sobra un electrón, que tiende a salirse de su órbita para que
quede estable el átomo de Sb.
Por cada átomo de impurezas añadido aparece un electrón libre en la estructura. Aunque
se añadan impurezas en relación de uno a un millón, en la estructura del silicio además de
los 1010 electrones y 1010 huecos libres que existen por cm3, a la temperatura ambiente,
hay ahora que sumar una cantidad de electrones libres equivalente a la de átomos de
impurezas. En estas condiciones el Si con impurezas de Sb alcanza 1016 electrones libres y
1010 huecos libres por cm3, por tanto el numero de portadores eléctricos -, mayoritarios,
es mayor que el de los +, minoritarios ,TIPO N.
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SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS TIPO P: se produce al introducir, dopar,
a la estructura cristalina del Si=14, con un átomo de Galio Ga=31.

La carga neta del cristal siempre es 0,


cada átomo tiene igual número de
protones y electrones

El átomo de Ga, con 3 electrones en su banda de valencia, forma enlaces


covalentes con el silicio, quedando un hueco con defecto de electrones en la
estructura cristalina del silicio y convirtiéndolo en semiconductor P.
Añadiendo un átomo de impurezas trivalente por cada millón de átomos de
semiconductor existen: 1016 huecos libres y 1010 electrones libres por cm3, a la
temperatura ambiente. Como en este semiconductor hay mayor numero de cargas
positivas o huecos, se les denomina a estos, portadores mayoritarios; mientras que los
electrones , únicamente propiciados por los efectos de la agitación térmica son los
portadores minoritarios
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UNION DEL SEMICONDUCTOR P CON EL N: Al colocar un TIPO P junto a otro
TIPO N, por la ley de difusión, los electrones mayoritarios de la zona N,
tienden a dirigirse a la zona P, por el contrario los huecos, tratan de dirigirse
a la zona N. Al encontrarse un electrón con un hueco desaparece el electrón
libre y el hueco, formándose en dicha zona de unión una estructura estable y
neutra.

la zona N, pierde electrones libres, tendiendo a ser más positiva, la zona P, al


perder huecos, se hace cada vez más negativa. Así aparece una diferencia de
potencial entre las zonas N y P, separadas por la zona de unión que es neutra. La tensión que
aparece entre las zonas, llamada barrera de potencial, se opone a la ley de difusión, puesto
que el potencial positivo que se va creando en la zona N repele a los huecos que se acercan
de P, y el potencial negativo de la zona P repele a los electrones de la zona N, impidiendo el
paso indefinido de electrones. Unidad 3 El efecto Fotovoltaico 15
Cuando ambas zonas han perdido cierta cantidad de portadores mayoritarios que se han
recombinado, la barrera de potencial creada impide la continuación de la difusión
y por tanto la igualación de las concentraciones de ambas zonas. La barrera de
potencial es del orden de 0.2V cuando el semiconductor es de Ge y de unos
0.5V cuando es de Si.

Unión PN en equilibrio

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Efecto Fotovoltaico
Se produce al incidir la radiación solar (fotones) sobre el material N. La energía que recibe
de los fotones, provoca un movimiento caótico de electrones en el interior del material,
rompiendo enlaces, algunos de estos electrones atraviesan la barrera de potencial siendo
expulsados fuera del semiconductor al circuito externo. La célula solar es una unión PN.

H: constante de Planck
C: velocidad de la luz

En teoría la eficiencia máxima de la célula a base de Si, puede alcanzar un 26%, sin embargo
los valores comerciales son del 17% al 20%.

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Balance de energía en una celda solar cristalina

• 100% energía solar irradiada;


• 3% reflexión y sombra causada por los contactos frontales;
• 23% Fotones con poca energía a largas longitudes de onda de radiación;
• 32% Fotones con alta energía a cortas longitudes de onda de radiación.;
• 8.5 Pérdidas por recombinación;
• 20 % diferencia de potencial en la celda , en la región de carga espacial;
• 0.5 % pérdidas en la resistencia serie.;
• = 13% utilizable en energía eléctrica.

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Estructura de la Celda Fotovoltaica CFV

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CÉLULA SOLAR FOTOVOLTAICA

100 mm  100 mm

Tensión:
Circuito abierto = 0,6 V
Punto de máxima potencia = 0,45 V
Corriente de máxima potencia = 3 A
Potencia máxima = 1,35 Wp

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Una célula solar es un dispositivo capaz de convertir la energía proveniente de la radiación solar en
energía eléctrica. La mayoría de las células solares actualmente en el comercio son de Silicio mono o
policristalino, y silicio amorfo. El primer tipo aunque su proceso de elaboración es complicado, es
mas eficiente. También han aparecidos las células Bifaciales que aprovechan la radiación por las 2 caras
La experiencia con Telurio de Cadmio o el Diseleniuro de Indio-Cobre CIS, ha mejorado las
aplicaciones comerciales y en edificios, obteniéndose láminas delgadas y módulos transparentes.

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Proceso de producción celdas mono cristalinas

Para obtener la
unión PN

Para instalar los Provee propiedades anti


contactos eléctricos reflejantes

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Proceso de fabricación. Método Czochralsky Cz

A partir de la sílice, rocas ricas en cuarzo, se obtiene Si altamente puro, el cual se funde en un
crisol, junto con una pequeña porción de Boro, formando una masa a 1400ºC.Una vez liquido, se
introduce una varilla, en cuyo extremo hay un cristal germen de Si. El resultado es un mono cristal
cilíndrico, lingote, al enfriarse se corta en obleas.

Obleas de unos 0.3mm, tratadas


químicamente en su superficie
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Estas obleas semi elaboradas se limpian, decapado, ya que presenta irregularidades y defectos por
el corte, después se exportan a las diferentes fábricas para completar el proceso de formación de la
unión PN, introduciendo la célula de silicio dopado con boro en hornos especiales, para
formar N, y con fósforo para formar P, seguidamente en una cámara al vacío y por
evaporación del metal, laser o serigrafía, se instalan los contactos eléctricos, en forma de rejillas en
la parte iluminada por el sol y tiras metálicas en la cara posterior, tratando de no cubrir demasiada
área útil, luego hay un tratamiento anti reflectante, texturizado, para absorber mejor la radiación
solar, después de su comprobación y control de calidad, las células se encapsulan, interconectan y
forman un módulo.

Difusión para obtener la unión PN


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METODO DE WACKER, PARA LA
FABRICACIÓN DE
POLICRISTALINOS

Existe otra tecnología en la cual se produce una fina tira continua poli cristalina, que
se corta en trozos rectangulares
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Celdas Mono cristalinas

• Eficiencia: 13-16 % .
• Forma : cuadrada.
• Tamaño usual: 10cm x 10cm; 12.5cm x 12.5cm; 15cm x 15cm; 15.6cm x
• 15.cm2; and 21cmx 21cm (4 inch; 5 inch; 6 inch; 6+ inch; and 8 inch).
• espesor: 0.24mm a 0.3mm.
• Apariencia:

• Color: azul oscuro

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Celdas policristalinas

• Eficiencia: 14 %
• Forma: Cuadrada.
• Tamaño: 12.5cm2 x 12.5cm2.
• Espesor promedio: 0.24mm.
• Apariencia

• Color azul

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Celdas Amorfas
• Eficiencia: 5 a 7 %, módulo en condiciones estables
• Tamaño: máximo Std. 0.79m2 x 2.44m2; módulos especiales máximo2m2 x 3m2 .
• Espesor: 1mm a 3mm , ocasionalmente 0.05mm plastic
• Appearance: uniforme.

• Color: Azul o azul violeta


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Comparación entre Celdas Cristalinas a la derecha y Amorfas a la
izquierda, en cuanto a espesor, material consumido durante su
producción y energía gastada por kWp

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Celdas Cobre-Indio-Selenio CIS
Tipo de celda poli componente

i Efficiency: 9 per cent to 11 per cent module efficiency.


13 Size: standard modules, maximum 1.2m x 0.6m.
• Thickness: 2mm to 4mm substrate material (non-hardened glass) with 3um to
4um
coating, of which approximately lum to 2um CIS.
• Appearance: uniform appearance.
• Colour: dark grey to black

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Celdas Hibridas HIT
• • Efficiency: 18.5 per cent.
• • Form: square (rounded corners).
• • Size: 10.4cm x 10.4cm; 12.5cm x 12.5cm.
• • Thickness: 0.2mm.
• Appearance: uniform.
• • Colour: dark blue to almost black.

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Comparación entre diferentes tecnologías

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Bifasiales

Hay técnicas de películas delgadas, que


no producen células individuales, sino
un módulo continuo, que no requiere
interconexiones interiores.
La Si-H o TFS es amorfa utilizada en
calculadoras.

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Celdas multijuntura, pueden captar un espectro luminoso mas grande que las normales,
es un conjunto de celdas individuales de una sola juntura. La celda más alta captura los
fotones de alta energía y deja pasar el resto de los fotones hacia abajo para ser absorbidos
por las demás celdas.

Muchas celdas multijuntura están enfocadas al uso del arseniuro de galio , en una o
todas las capas. Se han alcanzado eficiencias del 35% bajo luz solar concentrada Otros
materiales estudiados para su uso en dispositivos multijuntura son por ejemplo, el
silicio amorfo y el diseleniuro de indio con cobre.

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Tecnología de triple unión capa fina, láminas FV, PVL
Módulos FV Cilíndricos, aprovechan la radiación en todas
direcciones

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Área necesaria dependiendo de la tecnología

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