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Átomo de Cu Cristal de SI
Movimiento de
electrones
Movimiento y
Electrones difusión de
libres huecos
Eg Si= 1.14 eV
Eg Ge= 0.75 eV
Aislantes mas 100 eV
El rango de
energía de las
diferentes λ del
espectro
electromagnético
varía de 6.2 a 0.4
eV
1500 75%
1000 50%
500 25%
0 0%
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 4,5
Longitud de onda (m)
Respuesta espectral del silicio
Iónico
• 12121212
• Enlace covalente. Ocurre cuando dos átomos comparten sus electrones , ejemplo,
cuando se unen 2 átomos de hidrógeno (H + H = H2) u otros similares, (N2), (O2),
(Cl2), etc. Crea una estructura cristalina..
• Enlace iónico o electrovalente. Debido a la fuerza de atracción que se ejerce entre
los iones con cargas positivas y negativas, se originan enlaces iónicos o electrovalentes,
creando moléculas de elementos químicos compuestos, ejemplo, las cargas de un ión
cloro negativo (Cl–) o anión y la de un ión sodio positivo (Na+) o catión, se atraen
mutuamente formando una molécula de cloruro de sodio o sal común (NaCl).
Unidad 3 El efecto Fotovoltaico 12
SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS TIPO N: se produce al introducir, dopar,
a la estructura cristalina del Si=14, con un átomo de Antimonio Sb=51.
El átomo de Sb, con 5 electrones en su banda de valencia, cumple con los cuatro
enlaces covalentes y aún le sobra un electrón, que tiende a salirse de su órbita para que
quede estable el átomo de Sb.
Por cada átomo de impurezas añadido aparece un electrón libre en la estructura. Aunque
se añadan impurezas en relación de uno a un millón, en la estructura del silicio además de
los 1010 electrones y 1010 huecos libres que existen por cm3, a la temperatura ambiente,
hay ahora que sumar una cantidad de electrones libres equivalente a la de átomos de
impurezas. En estas condiciones el Si con impurezas de Sb alcanza 1016 electrones libres y
1010 huecos libres por cm3, por tanto el numero de portadores eléctricos -, mayoritarios,
es mayor que el de los +, minoritarios ,TIPO N.
Unidad 3 El efecto Fotovoltaico 13
SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS TIPO P: se produce al introducir, dopar,
a la estructura cristalina del Si=14, con un átomo de Galio Ga=31.
Unión PN en equilibrio
H: constante de Planck
C: velocidad de la luz
En teoría la eficiencia máxima de la célula a base de Si, puede alcanzar un 26%, sin embargo
los valores comerciales son del 17% al 20%.
100 mm 100 mm
Tensión:
Circuito abierto = 0,6 V
Punto de máxima potencia = 0,45 V
Corriente de máxima potencia = 3 A
Potencia máxima = 1,35 Wp
Para obtener la
unión PN
A partir de la sílice, rocas ricas en cuarzo, se obtiene Si altamente puro, el cual se funde en un
crisol, junto con una pequeña porción de Boro, formando una masa a 1400ºC.Una vez liquido, se
introduce una varilla, en cuyo extremo hay un cristal germen de Si. El resultado es un mono cristal
cilíndrico, lingote, al enfriarse se corta en obleas.
Existe otra tecnología en la cual se produce una fina tira continua poli cristalina, que
se corta en trozos rectangulares
Unidad 3 El efecto Fotovoltaico 31
Unidad 3 El efecto Fotovoltaico 32
Unidad 3 El efecto Fotovoltaico 33
Unidad 3 El efecto Fotovoltaico 34
Unidad 3 El efecto Fotovoltaico 35
Celdas Mono cristalinas
• Eficiencia: 13-16 % .
• Forma : cuadrada.
• Tamaño usual: 10cm x 10cm; 12.5cm x 12.5cm; 15cm x 15cm; 15.6cm x
• 15.cm2; and 21cmx 21cm (4 inch; 5 inch; 6 inch; 6+ inch; and 8 inch).
• espesor: 0.24mm a 0.3mm.
• Apariencia:
• Eficiencia: 14 %
• Forma: Cuadrada.
• Tamaño: 12.5cm2 x 12.5cm2.
• Espesor promedio: 0.24mm.
• Apariencia
• Color azul
Muchas celdas multijuntura están enfocadas al uso del arseniuro de galio , en una o
todas las capas. Se han alcanzado eficiencias del 35% bajo luz solar concentrada Otros
materiales estudiados para su uso en dispositivos multijuntura son por ejemplo, el
silicio amorfo y el diseleniuro de indio con cobre.