Unidade 3a

Transistor Bipolar de Junção

(TBJ) - parte 1

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 Descrição do Transistor Bipolar de Junção

► Dispositivo com 3 camadas de cristais

semicondutores: Emissor, Base e Coletor.

► Função: amplificar sinais.

► TBJ npn 2 camadas de cristal tipo n intercaladas

por uma camada do tipo p .

► TBJ pnp  2 camadas tipo p intercaladas por

tipo n .
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Estrutura de um TBJ

►Emissor: alta dopagem.

►Base: média dopagem, fina espessura.
►Coletor: baixa dopagem, grande espessura.
Esquemas de Polarização dos TBJ’s

• E-Emissor

• B-Base

• C-Coletor 4
Encapsulamentos Típicos do TBJ
 Polarização do TBJ
► Polarização CC estabelece a região apropriada de
operação para a amplificação CA.

► Bipolar significa que lacunas e elétrons participam

da injeção na parte do TBJ com polarização reversa.

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 Funcionamento da junção Emissor/Base
►Semelhante ao diodo polarizado diretamente.

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 Funcionamento da junção Base/Coletor

►Semelhante ao diodo polarizado reversamente.

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 Funcionamento conjunto das 2 junções
► Junção E-B: polarizada diretamente (com VEE ).
Junção B-C: polarizada reversamente (com VCC ).
► Corrente de base: muito pequena(caminho de alta resistência)

. IB : ordem de μA.
. IC : ordem de mA.

Lei dos Nós:

IE = IC + IB
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 Componentes de IC
►IC tem 2 partes: majoritários do p e minoritários do n.
►Minoritários (ICO ) : “corrente de fuga” ou “corrente IC com
terminal emissor aberto”.

IC=IC.majoritário+ICO.minoritário

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Corrente de Saturação Reversa (em TBJ npn )
TBJ – Configuração Base-Comum

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 TBJ Base-Comum  Entrada (Região Base-Emissor)

► Conjunto de
Curvas
Características da
Entrada ( B-E ).

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 TBJ Base-Comum  Saída (Região Base-Coletor)
IC (mA)
► Conjunto de
Região Ativa
Curvas
Características
da Saída ( B-C ).

VCB (V)
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 TBJ Base-Comum Saída (Região Ativa)
► Parte mais baixa da região ativa: IE = zero e IC = ICO ≅ zero
IC (mA)
► Se IE aumenta, IC
aumenta até bem Região Ativa
próximo de IE .
► Daí: IC ≅IE

►Influência de VCB
em IC é desprezível.

►E-B: polarizada diretamente.

►B-C: polarizada reversamente.

VCB(V)
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 TBJ Base-Comum Saída (Região de Corte)
► Região de Corte: abaixo da curva IC = 0 A.
► As junções E-B e B-C são polarizadas reversamente.
IC (mA)

VCB(V)
Região de Corte 16
 TBJ Base-Comum Saída (Região de Saturação)

► Região de Saturação:
região à esquerda de VCB=0 V.

► Aumento exponencial de IC
à medida que VCB aumenta em
direção a 0 V.

►Junções E-B e B-C são

polarizadas diretamente.

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 TBJ Base-Comum Entrada: Modelo Simplificado

►Curvas de entrada lembram curvas do diodo para cada VCB.

►Redesenhamos, até chegar ao modelo simplificado.

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 TBJ Base-Comum Parâmetro Alfa

► Alfa(α): parâmetro devido a portadores majoritários (modo cc)

αcc = IC.maj / IE (valores no ponto de operação)

► Valor ideal de Alfa: 1.

► Na prática: Alfa varia de (0,9 a 0,998).

► IC , ao incluir portadores minoritários: IC = IC.maj. + ICBO

IC = α. IE + ICBO

► Alfa no modo CA: αca = ∆IC / ∆IE (para VCB constante)

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 TBJ Base-Comum Polarização

► Usamos aproximações: IC ≅ IE ; IB ≅ 0 μA

► Para o transistor npn, as polaridades serão invertidas.

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TBJ Base-Comum: Transistor como Amplificador (Exemplo)

polarização cc: existe, apesar de não aparecer na figura

Na configuração base-comum:
• resistência de entrada ca é pequena ( entre 10 e 100 Ω ).
• resistência de saída é alta (entre 50 kΩ e 1 MΩ).

Neste exemplo: resistência de entrada- Ri = 20 Ω

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TBJ Base-Comum: Transistor como Amplificador (Exemplo)

IE = Ii = Vi / Ri = 200mV / 20Ω = 10 mA
Considerando αca= 1 ( IC = IE )
IL≅ Ii = 10mA  VL = IL.R = 10mA . 5kΩ = 50 V
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TBJ Base-Comum: Transistor como Amplificador (Exemplo)

Amplificação de tensão: Av= VL / Vi = 50V/ 200mV = 250

• Valores típicos para o arranjo base-comum: entre 50 e 300.

• Amplificação de corrente (αca) : sempre menor que 1.

• Origem do nome transistor:

transferência + resistor  transistor
(o que produz amplificação ao transferir uma corrente de
um circuito de baixa resistência para um circuito de alta
resistência).

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