Características

1. Su operación depende del flujo de portadores mayoritarios

solamente.
2. Es más sencillo de fabricar y ocupa menos espacio en forma
integrada.
3. Exhibe una gran resistencia de entrada, típicamente de
muchos megaOhms.
4. Es menos ruidosa que el transistor bipolar.
5. No exhibe voltaje offset a corriente de drenaje cero, y por
tanto lo hace un excelente recortador de señales.
 Construcción
El FET consiste de una región de tipo n la cual tiene es su parte media dos
regiones de tipo p. Una terminal de la región n se llama Fuente (Sourse) y la
opuesta Drenaje (Drain). Las regiones tipo p están conectadas. La terminar de
las regiones p se llama Compuerta (Gate).
Drenaje (D)

Contactos óhmicos

Canal-n

p n p
Compuerta (G)

Región de
agotamiento

Fuente (S)
 VGS = 0 y VDS > 0

D +
Región de
ID
agotamiento
VDS

G
VDD
p n p

S IS -
Potencial dentro de FET
 Nivel de saturación
Voltaje de estrechamiento VP (pinch-off)
Para VDS>VP en FET tiene características de
fuente de corriente con ID = IDSS.
 VGS < 0

El nivel de VGS que da como

resultado ID = 0 mA se
encuentra definido por VGS
= VP siendo VP un valor
negativo para los
dispositivos de canal-n y un
voltaje positivo para los
FET de canal-p.
Características de FET de canal-n
 Resistor controlado por voltaje

La pendiente de las curvas en la región óhmica es función del

voltaje VGS, por tanto es un resistor controlado por voltaje.

ro
rd 
1 - VGS / VP 
2

Donde ro es la resistencia con VGS = 0.

 Dispositivos de canal-p

Los voltajes de las fuentes

se invierten para el FET de
canal-p.
Las corrientes se definen
sentido contrario.
 Características del FET canal-p
La corriente en la región de ruptura está limitada solo por el
circuito externo.
 Símbolos

FET canal-n FET canal-p

Resumen