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Généralité sur les technologies des éléments

programmables

On trouve les éléments programmables dans les blocs logiques des PLD, afin de leur
donner une fonctionnalité, mais aussi dans les matrices d'interconnexions entre ces
blocs. Un élément programmable peut être considéré comme un interrupteur. Afin de
respecter les contraintes imposées à l'ingénieur, les éléments programmables doivent
posséder plusieurs qualités :

- Ils doivent occuper une surface la plus petite possible (Ce point s'explique pour des
raisons évidentes de coût. Ceci est d'autant plus vrai que l'on désire en disposer d'un
grand nombre).

- Ils doivent posséder une résistance de passage faible et une résistance de coupure
très élevée.

- Ils doivent apporter un minimum de capacité parasite.

Les deux derniers points s'expliquent quant à eux pour des raisons de performance
en terme de fréquence de fonctionnement du PLD. Plus la résistance et la capacité
sur le chemin d'un signal sont faibles, plus la fréquence de ce signal peut être
élevée (RC effet).
les technologies des éléments programmables
Les technologies à fusibles
-Technologie fusible-diode -Technologie fusible-transistor
Les fusibles sont grillés en appliquant des tensions élevées (12V)
Mémoire ROM 32 × 16.
La technologie anti fusible
Un anti-fusible est un composant électronique qui effectue la fonction
inverse à celle d'un fusible. Alors qu'un fusible est initialement à l'état
de faible résistance et est conçu pour interrompre un circuit
électrique de façon permanente (typiquement lorsque le courant
excède une valeur limite), un anti-fusible est initialement à l'état de
haute impédance et est conçu pour créer un chemin électrique
permanent (typiquement lorsque la tension électrique excède la
consigne : par exemple par tension de claquage).
les technologies des éléments programmables
Les technologies à anti-fusibles (Actel, QuickLogic, Crosspointet Xilinx)
Pour la technologie anti fusible on utilise transistor cmos
Principe de fonctionnement d’un
MOSFET
• Voir vidéo
les technologies des éléments programmables
Les technologies à anti-fusibles (Actel, QuickLogic, Crosspointet Xilinx)
un anti-fusible est un élément programmable qui à l'inverse des fusibles n'est
passant qu'après programmation.
La connexion s’effectue en détruisant un diélectrique
Le silicium amorphe considéré
comme isolant, on lui appliquant une
tension élevée ,il devient un silicium
polycristallin (conducteur)

Petite taille (grande capacité d’intégration) Technologie difficile à maîtriser


Base impédance (rapidité) ne permettent pas la reprogrammation
La technologie flash

La mémoire flash est une mémoire de masse à semi-conducteurs


réinscriptible, c'est-à-dire une mémoire possédant les caractéristiques
d'une mémoire vive mais dont les données ne disparaissent pas lors
d'une mise hors tension. La mémoire flash stocke dans des cellules de
mémoire les bits de données qui sont conservées lorsque
l'alimentation électrique est coupée.
Sa vitesse élevée, sa durée de vie et sa faible consommation (qui est
même nulle au repos) la rendent très utile pour de nombreuses
applications : appareils photo numériques, téléphones cellulaires,
imprimantes, assistants personnels (PDA), ordinateurs portables ou
dispositifs de lecture et d'enregistrement sonore comme les baladeurs
numériques, clés USB. De plus, ce type de mémoire ne possède pas
d'éléments mécaniques, ce qui lui confère une grande résistance aux
chocs.
Le principe

pour pouvoir conserver les données Le point mémoire est constitué de deux
transistors MOS disposés en sandwich Ces deux transistors constituent respectivement
la grille de commande et la grille flottante. Dans la base d'un transistor classique, une
grille flottante est isolée par un oxyde. Cette grille peut être chargée (0) ou
déchargée (1) en électrons. Pour cela, il faut forcer le passage des électrons à
travers la barrière de l'isolant. Cette opération est réalisée par le truchement d'un
processus quantique, baptisé « l'effet tunnel ». Il permet aux électrons de franchir
la barrière de l'isolant. Pour cela, une forte tension positive entre les deux
électrodes de la base est appliquée. Les électrons vont alors traverser la couche
isolante et se déplacer vers la grille pour s'y agglutiner. Une fois chargé en
électrons, elle bloque la conductivité du transistor. La donnée inscrite est alors un
0. En revanche, si la tension est négative, les électrons vont migrer de la grille
flottante et celle-ci laissera passer le courant. La donnée retenue est alors un 1.
Pour ne pas que les électrons fuient progressivement de la grille, il faut que
l'isolant soit suffisamment épais.
les technologies des éléments programmables

Les technologies à EPROM/FLASH (Actel, AMD...)


Il existe deux variantes de l'EPROM,
- Erasable Programmable Read Only Memory classique (EPROM)
- Electrically Erasable Programmable Read Only Memory (EEPROM).

Cellule à grille flottante d’une EPROM Système d’interconnexion


Petite taille (grande capacité d’intégration) Possibilité de reprogrammation a loisir
Base impédance (rapidité)
différence entre mémoire flash et anti
fusible
les technologies des éléments programmables
Les technologies à EPROM/FLASH (Actel, AMD...)

Le système à Grille flottante :


Fonctionnement de la RAM statique
• Principe : 1 information = 1 bascule.

• Pour ces mémoires, pas besoin de rafraîchissement. La lecture et


l'écriture sont directes et se font donc plus rapidement.

• Avantage : ces mémoires sont très rapides, elles ne font pas


attendre le microprocesseur. Le temps d'accès est seulement de
quelques nanosecondes.

• Inconvénient : elles sont plus volumineuses, et leur coût est très


élevé.
principe
• La mémoire statique (ou SRAM pour l'anglais Static Random
Access Memory est un type de mémoire vive utilisant des
bascules pour mémoriser les données. Au contraire de la
mémoire dynamique, il n'y a pas besoin de rafraîchir
périodiquement son contenu. Cependant, comme la mémoire
dynamique, elle est volatile : elle ne peut se passer
d'alimentation sous peine de voir les informations effacées
irrémédiablement.
La mémoire statique est plus onéreuse, mais plus rapide et
moins consommatrice d'énergie que la mémoire dynamique.
Elle est par conséquent réservée aux applications où il faut
soit des temps d'accès faibles, soit une faible consommation.
Ainsi, on la rencontre dans les mémoires caches et les
tampons, mais aussi dans les applications embarquées.
les technologies des éléments programmables

Les technologies à RAM statique -SRAM (XILINX, ALTERA...)


Elle fait appel à une phase de chargement de la configuration depuis l'extérieur

Grande possibilité de programmation Place importante


Technologie de type CMOS (très bien Mémoire volatile (reprogrammation
maîtrisée) obligatoire)
les technologies des éléments programmables
Les technologies à RAM statique -SRAM (XILINX, ALTERA...)

Exemples de structure SRAM implantées


les technologies des éléments programmables

Récapitulatif :

La technologie EEPROM
Les PLD à EPROM se programment électriquement et s’effacent aux UV,Par contre
Les PLD à EEPROM se programment quasi instantanément, et gardent la configuration
jusqu’à une nouvelle programmation (même en l’absence de tension)
La technologie EEPROM
Facile et rapide à programmer, la configuration disparaît sans alimentation.