Universidad Nacional Experimental Politécnica

“Antonio José de Sucre”

Vicerrectorado Puerto Ordaz
Cátedra: Electrónica II.

UNIDAD I:
TRANSISTORES
FET`S
CLASE 1

Prof. Mabel Pardo

Introducción.
 F.E.T. = Field Effect Transistor = Transistor de efecto de campo.
Dispositivo de tres terminales que funciona bajo la aplicación de un
campo eléctrico.
 Tabla comparativa BJT – FET

BJT
Dispositivo controlado por corriente.
Dispositivo Bipolar.
Un parámetro de salida (I) es
controlado por un parámetro a la
entrada (I)
Mayor sensibilidad a los cambios de
señal aplicada (mayor ganancia).
FET
Dispositivo controlado por tensión.
Dispositivo Unipolar.
Un parámetro de salida (I) es
controlado por un parámetro a la
entrada (V).
Alta impedancia de entrada.
Mas estable a la temperatura.
Posibilidad de alta escala de
integración.
 Clasificación:

•Canal n
•JFET (Transistor de efecto de campo de unión.)
•Canal p

•MOSFET (Transistor de efecto de campo de •Decremental •Canal n

FET semiconductor de óxido metálico.)
•Incremental •Canal p
•MESFET (Transistor de efecto de campo de
metal - semiconductor)

* Para efectos del curso se estudiaran los tipo JFET y MOSFET.

 Estructura interna
transistor JFET canal n.
Fuente

Drenaje

Compuerta

La corriente en un JFET circula a través de la región semiconductora conocida como

canal, la acción básica del transistor es la modulación de la conductancia del canal
por medio de un campo eléctrico perpendicular que es función del voltaje en la
Compuerta.
Polarización JFET canal n.
 El JFET tiene dos uniones pn
en polarización en inverso
(IG=0), con VDS positivo fluye
la carga negativa hacia la
terminal D, y establece una
corriente ID=IS.
 La corriente ID establece los
niveles de voltaje a través del
canal, por lo tanto existirá una
región de agotamiento que
tiende a ensancharse mas
debido a una tensión inversa
mayor.
 El punto de toque de las zonas
se conoce como
estrechamiento. ID se
mantiene constante.
Curvas características.
VDSsaturacion = (VGS – Vp) ID
ID

VGS VDS
Región Ohmica. Región corte.
Región corriente cte.
Ecuaciones.
 JFET canal n: IG=0,Vp (-), VGS(-), VDS(+).
 VDSsat= VGS - Vp
 Región corte (VGS≤Vp)
ID=0
 Región corriente cte. (VGS>Vp y 0<VDS>VDSsat)
ID= K. (VGS – Vp )2 ;K=(IDss/Vp2)

 Región Ohmica (VGS>Vp y 0<VDS≤VDSsat)

ID= K.[2.(VGS-Vp).VDS – VDS2]
JFET canal p
 JFET canal p: IG=0,Vp (+),
VGS(+), VSD(+).
 VSDsat=Vp - VGS
 Región corte (VGS≥Vp)
ID=0
 Región corriente cte. (VGS<Vp
y 0<VSD>VSDsat)
ID= K. (VGS – Vp )2
;K=(IDss/Vp2)

 Región Ohmica (VGS<Vp y

0<VSD≤VSDsat)
ID= K.[2.(VGS-Vp).VDS – VDS2]
Símbolos.

(a) JFET canal n (b) JFET canal p

Ejemplo numérico.
Analizar el circuito de la figura, determinar el valor de ID, VDS. Considere los
siguientes valores para el JFET: Vp=-4, IDss=10mA, R1=100K, (a)RD=1K
(b)RD=1,8K.

V1
20V dc
RD

J1 0

R1

0 0