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Chap1.

:
Introduction aux semi-
conducteurs
Structure atomique de semi-
conducteurs
• Couches d’électrons et orbites

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Structure atomique de semi-
conducteurs
• Électrons de valence

♪ les électrons les plus éloignés du noyaux sont moins fortement liés à
l’atome que ceux plus près du noyau.

♪ la couche la plus éloignée est connue sous le nom de couche de


valence.

♪ les électrons de la couche de valence sont appelés électrons de


valences.

♪ les électrons de valence participent aux liaisons à l’intérieur du matériau.

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Structure atomique de semi-
conducteurs
• Atomes de silicium et de germanium

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Semi-conducteurs intrinsèques
• Liaison atomique

Liaisons covalentes du silicium

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Semi-conducteurs intrinsèques
• Liaison atomique

Structure cristalline du silicium


intrinsèque

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Semi-conducteurs intrinsèques
• Conduction des semi-conducteurs
♪ Diagramme de bandes d’énergie à la température du zéro absolu

Bandes d’énergie pour un


atome de silicium non excité
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Semi-conducteurs intrinsèques
• Électrons de conduction et trous

a) Diagramme énergétique

Création d’une paire électron-trou


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dans un atome excité de silicium
Semi-conducteurs extrinsèques
• Le dopage
Les semi-conducteurs intrinsèques ne conduisent pas très bien le courant
du fait de leur nombre limité d’électrons libres dans la bande de conduction.
Ainsi la conduction d’un semi-conducteur est bien inférieure à celle d’un
conducteur.

Les conductibilités du silicium et du germanium peuvent être augmentée


par l’addition d’impuretés dans le semi-conducteur intrinsèque. Ce procédé,
appelé dopage.

il ya deux types de dopage:


- dopage de type N
- dopage de type P

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Semi-conducteurs extrinsèques
• Semi-conducteur de type N

Dopage de type N

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Semi-conducteurs extrinsèques
• Semi-conducteur de type N

Dopage de type N

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Semi-conducteurs extrinsèques
• Semi-conducteur de type P

Dopage de type P

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Semi-conducteurs extrinsèques
• Semi-conducteur de type P

Dopage de type P

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Jonction PN
• Formation
La jonction PN est à la base de la plupart des
applications des semi-conducteurs. Elle est créée par la
mise en contact d'un semi-conducteur de type P et d'un
semi-conducteur de type N. Dans la zone de contact,
les électrons libres du segment N pénètrent dans le
segment P et se recombinent avec les trous. De même,
les trous du segments P pénètrent dans le segment N et
se recombinent avec les électrons. Ce phénomène est
appelé diffusion.

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Jonction PN
• Formation de la
barrière de potentiel
Chaque électron qui traverse la jonction et se
combine avec un trou, laisse un ion chargé
positivement dans la région N. aussi quand
l’électron se combine avec un trou de la région
P, il donne naissance à un ion négatif dans la
région P.

L’existence d’ions positifs et négatifs sur les


cotés opposés de la jonction crée un champ
électrique E, et par là même une barrière de
potentiel V0.. (V0 = 0.7V pour le silicium et 0.3V
pour le germanium à 25°C)

Le champ électrique tend à maintenir les


porteurs majoritaires dans leurs zones
respectives.

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