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MOSFET Bipolar
EL IGBT DE POTENCIA
G
E
R R
P P
N N
D
P P
V2
S1 V2
EL IGBT
G
S
Principio de operación y estructura
Colector
(Collector) Colector (C)
P E
N
D B Puerta (G)
P
C
G Emisor (E)
S
Puerta
(Gate) Símbolo de un IGBT de canal N
Emisor
(Emitter)
Circuito equivalente
simplificado de un IGBT
EL IGBT
Emisor Emisor
Puerta
Puerta
N+
Rbody
Rbody
P
Rdrift
N-
Rdrift
N+
P+
EL IGBT
Colector
Colector
Curvas características de salida de los IGBTs
C
vEB_BJT +
iD [A] - iC [A]
6 vGS = 10V 6 vGE = 10V
vGS = 8V G vGE = 8V
vGS = 6V E vGE = 6V
4 4
vGS = 5V vGE = 5V
2 2
vGS = 4V vGE = 4V
vGS < VGS(TO) = 3V vGE < VGE(th) = 3V
0 vDS [V] 0
2 4 2 4 vCE [V]
vEB_BJT
• Caso de un MOSFET.
• También es así en la parte • Caso de un IGBT.
EL IGBT