COOLMOS

El COOLMOS, es una tecnología nueva de MOSFET de potencia para alto voltaje. Se implementa
mediante una estructura de compensación en la región vertical de desplazamiento de un MOSFET,
para mejorar la resistencia en estado activo. Para un mismo encapsulado, tiene menor resistencia
en estado activo en comparación con la de otros MOSFET. Las perdidas de conducción son 5 veces
menores, cuando menos en comparación con las de la tecnología MOSFET convencional. El
COOLMOS es capaz de manejar de dos a tres veces mas potencia de salida que la de un MOSFET
convencional en el mismo encapsulado. El área activa de microcircuito de un COOLMOS es unas 5
veces menor que la de un MOSFET normal.
La figura muestra el corte transversal del
COOLMOS. En el dispositivo se ha
aumentado el dopado de la capa
conductora de corriente, sin alterar la
capacidad de bloqueo. Un alto voltaje
VBR de bloqueo del transistor requiere
una capa epitaxial relativamente gruesa
y poco dopado. Existe una ley que
relaciona la resistencia drenaje - fuente
con VBR. RD(enc) = VBRKc
Por ejemplo la resistencia es de 70 mΩ para un COOLMOS de 600 V, 70
A. El COOLMOS tiene una característica v-i lineal con un bajo voltaje
umbral. Los dispositivos COOLMOS se pueden usar en aplicaciones
hasta limites de potencia de 2 KVA, como suministros de corriente
para estaciones de trabajo y servidor, fuentes ininterrumpibles de
energía (UPS), convertidores de alto voltaje para sistemas de
microondas, hornos de inducción y equipos de soldadura. Estos
dispositivos pueden reemplazar a los MOSFET convencionales de
potencia en todas sus aplicaciones en la mayor parte de los casos sin
adaptación alguna del circuito. A frecuencias de conmutación mayores
a 100 KHZ, los dispositivos COOLMOS ofrecen una mejor capacidad de
manejo de corriente, como por ejemplo un área mínima requerida de
microcircuito para determinada corriente. Tienen la ventaja de tener
un diodo inverso intrínsico. Toda oscilación parasita que pudiera
causar disparos negativos del voltaje entre drenaje y fuente se fija a
un valor definido por el diodo.
EL TRANSISTOR SIT
Un SIT es un dispositivo para alta potencia y alta frecuencia. En esencia es la
versión del tubo tríodo al vacío, pero en estado sólido. La siguiente figura muestra
un corte transversal de la estructura de silicio de un SIT:
Es un dispositivo de estructura vertical con
multicanales cortos. De esta forma no esta
sujeto a limitaciones de área, y es adecuado
para funcionamiento de alta velocidad con alta
potencia. Los electrodos de compuerta están
enterrados dentro de capas, epitaxiales, n de
drenaje y fuente. Un SIT es idéntico a un JFET,
excepto por la construcción vertical y de
compuerta enterrada que produce una menor
resistencia de canal y causa menor caída de
voltaje.
Las curvas características típicas se observan en la figura:
EL TRANSISTOR IGBT
En los transistores IGBT se combinan las ventajas de los BJT y de los MOSFET. Un IGBT tiene una alta impedancia de entrada,
como los MOSFET y pocas perdidas por conducción en estado activo como los BJT. Sin embargo, no tiene el problema de
segunda avalancha, como los BJT. Por el diseño y la estructura del microcircuito, se controla la resistencia equivalente de
drenaje a fuente, RDS, para que se comporte como la de un BJT. Veamos el dibujo del corte transversal del IGBT:

Como se puede observar la estructura de silicio de un IGBT, es

idéntica a la de un MOSFET, a excepción del substrato p+ . Sin
embargo, el rendimiento de un IGBT se parece mas al de un BJT
que al de un MOSFET. Esto se debe al substrato p+ , causante
de la inyección de portadores minoritarios en la región n. En el
dibujo también se