MATERIALES SEMICONDUCTORES

Los semiconductores son una clase especial de elementos cuya conductividad se encuentra
entre la de un buen conductor y la de un aislante.
En general, los materiales semiconductores caen dentro de una de dos clases: de un solo
cristal y compuesto. Los semiconductores de un solo cristal como el germanio (Ge) y el silicio
(Si) tienen una estructura cristalina repetitiva, en tanto que compuestos como el arseniuro
de galio (GaAs), el sulfuro de cadmio (CdS), el nitruro de galio (GaN) y el fosfuro de galio y
arsénico (GaAsP) se componen de dos o más materiales semiconductores de diferentes
estructuras atómicas.
Los tres semiconductores más frecuentemente utilizados en la construcción de dispositivos
electrónicos son Ge, Si y GaAs.
 EL DIODO

Son dispositivos semiconductores que permiten hacer fluir la electricidad solo en un

sentido. La flecha del símbolo del diodo muestra la dirección en la cual puede fluir la
corriente. Los diodos son la versión eléctrica de la válvula o tubo de vacío y al
principio los diodos fueron llamados realmente válvulas.
Constitución
Construcción
Construcción
Características
 Funcionamiento
Polarización: aplicación de un
voltaje externo a través de las dos
terminales del dispositivo para
extraer una respuesta.

Sin ninguna polarización

aplicada a través de un diodo
semiconductor, el flujo neto de
carga en una dirección es cero, es
decir, la corriente en condiciones
sin polarización es cero.
 Funcionamiento
Sin polarización (VD = 0V):
Cualesquiera portadores minoritarios (huecos) del material
tipo n localizados en la región de empobrecimiento por cualquier
razón pasarán de inmediato al material tipo p.
Los portadores mayoritarios del material tipo n (electrones)
deben vencer las fuerzas de atracción de la capa de iones
positivos del material tipo n y el escudo de iones negativos en el
material tipo p para poder pasar al área más allá de la región de
empobrecimiento del material tipo p.
El número de portadores mayoritarios es tan grande en el
material tipo n que invariablemente habrá un cierto número de
portadores mayoritarios con suficiente energía cinética para que
atraviesen la región de agotamiento hacia el material p.
 Funcionamiento
Sin polarización (VD = 0V):
 Funcionamiento
Polarización en directa (VD > 0V)
 Funcionamiento
Polarización en directa (VD > 0V):
Efecto: reducción del ancho de la región de agotamiento
debido a la recombinación de los electrones (material tipo n) y
huecos (material tipo p) con los iones próximos al límite.
El flujo de portadores minoritarios no cambia de magnitud.
Producción de un intenso flujo de portadores mayoritarios a
través de la unión.
Conforme se incrementa la magnitud de polarización aplicada,
el ancho de la región de empobrecimiento continuará
reduciéndose, produciendo un crecimiento exponencial de la
corriente.
Cuando la polarización aplicada es mayor que la diferencia de
potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del
cristal n, adquieren la energía suficiente para saltar a los huecos
del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la
unión p-n.
 Funcionamiento
Polarización en inversa (VD < 0V):
 Funcionamiento
Polarización en inversa (VD < 0V):
Efecto: mayor apertura en la región de empobrecimiento, creándose una
barrera demasiado grande para que los portadores mayoritarios la puedan
superar, por lo que el flujo de portadores mayoritarios se reduce a cero.
El polo positivo de la batería atrae a los electrones libres de la zona n,
dejando a los átomos donadores de electrones con una carga eléctrica neta de
+1, con lo que se convierten en iones positivos.
De forma similar, el polo negativo de la batería cede electrones libres a los
átomos aceptores de la zona p, éstos caen dentro de los huecos de los átomos
aceptores quienes adquieren una carga eléctrica neta de -1, convirtiéndose así
en iones negativos.
Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial
adquiere el mismo potencial eléctrico que la batería.
 Funcionamiento
Polarización en inversa (VD < 0V):
Ecuaciones
Ecuaciones
Conversión AC-DC
Conversión AC-DC
Conversión AC-DC
Conversión AC-DC
Conversión AC-DC
Conversión AC-DC
SECUENCIA DE CONDUCCIÓN DE LOS DIODOS DEL PUENTE
RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA CON TRANSFORMADOR
DE TOMA CENTRAL
RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA CON TRANSFORMADOR DE TOMA CENTRAL
Sistemas Eléctricos Monofásicos y Trifásicos
 SISTEMAS MONOFÁSICOS DE POTENCIA
Consta de un generador conectado a través de un par de conductores (una línea de transmisión) a una carga. En la
figura 12.1a) aparece un sistema monofásico de dos conductores, donde Vp es la magnitud de la tensión de fuente y
Φ la fase. Más común en la práctica es un sistema monofásico de tres conductores, como el que aparece en la figura
12.1b). Este sistema contiene dos fuentes idénticas (de igual magnitud y de la misma fase) conectadas a dos cargas
por medio de dos conductores exteriores y el neutro. Por ejemplo, el sistema doméstico normal es un sistema
monofásico de tres conductores, porque las tensiones entre las terminales tienen la misma magnitud y la misma fase.
Tal sistema permite la conexión de aparatos tanto de 120 V como de 240 V.
 SISTEMAS TRIFÁSICO
El generador trifásico de la figura 18.1(a) tiene tres bobinas de inducción colocadas a 120° una de otra en el
estator, como se muestra simbólicamente en la figura 18.1(b). Como las tres bobinas tienen un número igual de
vueltas, y cada una gira con la misma velocidad angular, el voltaje inducido a través de cada una tiene el mismo
valor pico, forma y frecuencia. Cuando algún medio externo hace girar la flecha del generador, los voltajes
inducidos eAN, eBN, and eCN se generan al mismo tiempo, como se muestra en la figura 18.2. Observe el
desplazamiento de fase de 120° entre las formas de onda y la apariencia similar de las tres funciones senoidales.
 RELACIONES TRIFÁSICAS BÁSICAS

Los voltajes de línea (también llamados de línea a línea) se presentan entre líneas. Entonces, EAB, EBC, y ECA son
voltajes línea a línea en el generador, mientras que Vab, Vbc, y Vca son voltajes línea a línea en la carga.
Los voltajes de fase se establecen en las fases. Para una carga en Y, las fases se definen de la línea al neutro como
se indica en (a); entonces, Van, Vbn, y Vcn , son voltajes de fase para una carga en Y. Para una carga en Δ, las fases se
definen de línea a línea como se muestra en (b); entonces, Vab, Vbc, y Vca son voltajes de fase para una . Como se
puede ver, para una carga en , los voltajes de fase y los voltajes de línea son iguales. Para el generador EAN, EBN, y ECN
son voltajes de fase.
Las corrientes de línea se localizan en los conductores de línea. Solo se requiere un subindice. Se puede usar Ia, Ib y
Ic como en la figura 24-7 o IA, IB e IC como en la figura 24-4. (Algunos autores usan doble subindices como IAa.)

Las corrientes de fase se presentan a través de las fases. Para la carga Y de la figura 24-7(a), Ia, Ib y Ic pasan a través
de las impedancias de fase y son por tanto corrientes de fase. Para la carga Δ en (b), Iab, Ibc e Ica son corrientes de fase.
Como se puede observar, para una carga Y, las corrientes de fase y las corrientes de línea son las mismas.

Las impedancias de fase para una carga Y son las que se establecen a partir de a-n, b-n y c-n [(figura 24-7(a)] y se
denotan por los simbolos Zan, Zbn y Zcn. Para una carga como en Δ (b), las impedancias de fase son Zab, Zbc y Zca.
En una carga balanceada, las impedancias para todas las fases tienen el mismo valor, es decir, Zan Zbn Zcn, etcetera
 TENSIONES TRIFÁSICAS BALANCEADAS

Las tensiones trifásicas se producen a menudo con un generador (o alternador) trifásico de ca, la apariencia de cuya sección
transversal se muestra en la figura 12.4. Este generador consta básicamente de un imán giratorio (llamado rotor) rodeado por un
devanado estacionario (llamado estator). Tres devanados o bobinas independientes con terminales a-a, b-b, y c-c se disponen
físicamente alrededor del estator a 120° de distancia entre sí. Las terminales a y a, por ejemplo, representan uno de los extremos
de las bobinas, en dirección hacia la página, y el otro extremo de las bobinas, hacia fuera de la página. Al girar el rotor, su campo
magnético “corta” el flujo de las tres bobinas e induce tensiones en ellas. A causa de que las bobinas se hallan a 120° de distancia
entre sí, las tensiones inducidas en ellas son iguales en magnitud pero están desfasadas 120° (figura 12.5).
 CONEXIÓN ESTRELLA –TRIANGULO

Un sistema trifásico habitual consta de tres fuentes de tensión conectadas a cargas mediante tres o
cuatro conductores (o líneas de transmisión). Un sistema trifásico equivale a tres circuitos
monofásicos. Las fuentes de tensión pueden conectarse en estrella, como se observa en la figura
12.6a), o en delta, como en la figura 12.6b).
 TENSIONES EN ESTRELLA BALANCEADA

Las tensiones de fase balanceadas son de igual magnitud y están desfasadas 120°
entre sí.
VOLTAJES DE LÍNEA Y DE FASE PARA UN CIRCUITO ESTRELLA (Y)
DEMOSTRACION GRAFICA
VOLTAJES DE LÍNEA Y DE FASE PARA CONEXIÓN ESTRELLA (Y)

Fase Línea
CORRIENTES DE LÍNEA Y DE FASE PARA CONEXIÓN ESTRELLA (Y)
DIAGRAMAS FASORIALES QUE ILUSTRAN LA RELACIÓN ENTRE
TENSIONES DE LÍNEA Y LAS DE FASE
CORRIENTES DE LÍNEA Y DE FASE PARA CONEXIÓN DELTA
CORRIENTES PARA UNA CARGA BALANCEADA EN DELTA
ECUACIONES DE CORRIENTES PARA UNA CARGA BALANCEADA EN DELTA.
VOLTAJES DE LÍNEA Y DE FASE PARA CONEXIÓN DELTA
 MEDICIÓN DE POTENCIA TRIFÁSICA
CARGA BALANCEADA CONECTADA EN Y
CARGA BALANCEADA CONECTADA EN Y
CARGA BALANCEADA CONECTADA EN Δ
CARGA BALANCEADA CONECTADA EN Δ
 MÉTODO DE LOS DOS VATÍMETROS

El vatímetro es el instrumento para medir la potencia promedio (o real) en circuitos monofásicos, tal como se
presentó en la sección 11.9. Un vatímetro sencillo también puede medir la potencia promedio en un sistema trifásico
balanceado, de modo que P1 = P2 = P3; la potencia total es tres veces la lectura de ese vatímetro. En cambio, se
necesitan dos o tres vatímetros monofásicos para medir la potencia si el sistema está desbalanceado.
 MÉTODO DE LOS DOS VATÍMETROS

de los dos vatímetros

MÉTODO DE LOS TRES VATÍMETROS
 MÉTODO DE LOS TRES VATÍMETROS

La potencia entregada a una carga balanceada o no balanceada de

cuatro conductores (tetrafilar), conectada en Y, puede encontrarse con
el método de los tres vatímetros, es decir, usando tres vatímetros como
se muestra en la figura 26. Cada vatímetro mide la potencia entregada
a cada fase. La bobina de voltaje de cada vatímetro se conecta en
paralelo con la carga, mientras que la bobina de corriente está en serie
con la carga. La potencia activa total del sistema se puede encontrar
sumando las lecturas de los tres vatímetros, esto es: PT (Y) = P1 + P2 +
P3. Para una carga (balanceada o no balanceada), conectada en Δ los
vatímetros se conectan como se indica en la figura 27. La potencia total
es de nuevo la suma de las tres lecturas en los vatímetros: PT (Δ) = P1 +
P2 + P3. Si en cualquiera de los casos antes descritos la carga está
balanceada, la potencia entregada a cada fase será la misma. Entonces,
la potencia total es precisamente tres veces la lectura de cualquier
vatímetro.
SISTEMAS CON CARGA DESBALANCEADA
SISTEMAS CON CARGA DESBALANCEADA
SISTEMAS CON CARGA DESBALANCEADA