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ENSA Tanger Prof. HADDI

Les Gradateurs

Convertisseur Analogique Numérique


&
Convertisseur Numérique Analogique

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Les chronogrammes

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Qui peut être représentée comme suit:

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Qui peut être représentée comme suit:

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Gradateurs triphasés
montage « étoile »

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 montage « triangle » sur charge résistive

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 montage « triangle » sur charge inductive

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Calcul des pertes dans les
semiconducteurs

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Introduction
Si les semiconducteurs étaient idéaux, ils ne
dissiperaient pas d’énergie.
En pratique, ils consomment de la puissance
qui cause une perte, par suite une baisse du
rendement et échauffement des
semiconducteurs.
Le courant de fuite qui traverse les
semiconducteurs est souvent très petit, et
n’occasionne donc pas de pertes de puissance
significatives
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 On distingue donc deux types de pertes
 pertes de conduction liées au courant
 pertes de commutation (souvent négligeables à 50 Hz,
mais augmentent avec la fréquence).
 Pour évaluer les pertes, il faut déterminer
l’évolution des courants et tensions dans les
semiconducteurs. Comme les pertes sont
normalement petites, ceci se fait
généralement sans tenir compte des
imperfections des semiconducteurs.
 On utilise alors ces évolutions pour calculer
les pertes en tenant compte de ces
imperfections.
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Pertes de conduction
Une façon simple de calculer ces pertes est de modéliser la relation
tension-courant du semi-conducteur à l’état passant sous la forme

u = useuil + Rinc i
(Dans les MOSFETs, useuil est nul. Par contre, Rinc est plus grand )

La puissance dissipée vaut alors, en moyenne

<p> = <ui> = useuil <|i|> + Rinc <i2> = useuil Iredr. moy. + Rinc I2

Importance de pouvoir calculer Iredr. moy. et I pour diverses formes


d’onde !
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Pertes dues à la vitesse de commutation limitée
Idéalement, les changements d’état des
semiconducteurs sont instantanées, et ne
donnent donc pas lieu à une perte d’énergie. En
pratique, il faut un certain temps (ton) pour la
mise en conduction et un certain temps (toff)
pour le blocage.
Pendant les commutations, le courant et la
tension sont tous deux différents de zéro.
w commutatio n   u i dt
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Pertes dues à la vitesse de commutation limitée
Ainsi, lors de la mise en conduction, la tension passe d’une
valeur u à une valeur 0 et le courant d’une valeur 0 à une
valeur i. En supposant que ces évolutions se font
simultanément et de façon linéaire en le temps, on calcule
sans peine (à faire comme exercice) que l’énergie dissipée
est
won = u i ton / 6 Très approché !
On a de même woff = u i toff / 6 .
Si ces phénomènes se répètent, la puissance moyenne
perdue vaut (won+woff) f
En pratique, les pertes de commutation sont plus élevées
que ce que prévoient ces formules car il faut tenir compte de
l’environnement du composant.
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Pour réduire les pertes de commutation, on a intérêt à
réduire ton et toff .
Les valeurs minimum de ton et toff sont parfois
imposées par le semiconducteur lui-même (ainsi, les
mosfet sont plus rapides que les transistor bipolaires
et les igbt).
Cependant, on utilise souvent les semiconducteurs
avec des temps de commutation plus grands que ce
que le semiconducteur permet, car une commutation
rapide est source :

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• desurtension lors du blocage à cause des
inductances « parasites » en série avec le
semiconducteur
• de surcourant lors de la mise en conduction à cause
notamment des capacités « parasites » en parallèle
avec le semiconducteur.
Pour commuter rapidement, il faut donc non
seulement que le semiconducteur le permette, mais
encore qu’il supporte la surtension et le surcourant
qui en résultera, ce qui augmentera son prix !

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Augmentation des pertes de commutation
dues au circuit
Si le semiconducteur est en série avec une
inductance, l’énergie accumulée dans cette
inductance, soit Li2 /2 si elle est linéaire, sera inclue
dans woff lors du blocage du semiconducteur.
De même, si le semiconducteur est en parallèle
avec une capacité, l’énergie accumulée dans cette
capacité, soit Cu2 /2 si elle est linéaire, sera inclue
dans won lors de la mise en conduction du
semiconducteur.

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