9 Introduction Si les semiconducteurs étaient idéaux, ils ne dissiperaient pas d’énergie. En pratique, ils consomment de la puissance qui cause une perte, par suite une baisse du rendement et échauffement des semiconducteurs. Le courant de fuite qui traverse les semiconducteurs est souvent très petit, et n’occasionne donc pas de pertes de puissance significatives 10 On distingue donc deux types de pertes pertes de conduction liées au courant pertes de commutation (souvent négligeables à 50 Hz, mais augmentent avec la fréquence). Pour évaluer les pertes, il faut déterminer l’évolution des courants et tensions dans les semiconducteurs. Comme les pertes sont normalement petites, ceci se fait généralement sans tenir compte des imperfections des semiconducteurs. On utilise alors ces évolutions pour calculer les pertes en tenant compte de ces imperfections. 11 Pertes de conduction Une façon simple de calculer ces pertes est de modéliser la relation tension-courant du semi-conducteur à l’état passant sous la forme
u = useuil + Rinc i (Dans les MOSFETs, useuil est nul. Par contre, Rinc est plus grand )
Importance de pouvoir calculer Iredr. moy. et I pour diverses formes
d’onde ! 12 Pertes dues à la vitesse de commutation limitée Idéalement, les changements d’état des semiconducteurs sont instantanées, et ne donnent donc pas lieu à une perte d’énergie. En pratique, il faut un certain temps (ton) pour la mise en conduction et un certain temps (toff) pour le blocage. Pendant les commutations, le courant et la tension sont tous deux différents de zéro. w commutatio n u i dt 13 Pertes dues à la vitesse de commutation limitée Ainsi, lors de la mise en conduction, la tension passe d’une valeur u à une valeur 0 et le courant d’une valeur 0 à une valeur i. En supposant que ces évolutions se font simultanément et de façon linéaire en le temps, on calcule sans peine (à faire comme exercice) que l’énergie dissipée est won = u i ton / 6 Très approché ! On a de même woff = u i toff / 6 . Si ces phénomènes se répètent, la puissance moyenne perdue vaut (won+woff) f En pratique, les pertes de commutation sont plus élevées que ce que prévoient ces formules car il faut tenir compte de l’environnement du composant. 14 Pour réduire les pertes de commutation, on a intérêt à réduire ton et toff . Les valeurs minimum de ton et toff sont parfois imposées par le semiconducteur lui-même (ainsi, les mosfet sont plus rapides que les transistor bipolaires et les igbt). Cependant, on utilise souvent les semiconducteurs avec des temps de commutation plus grands que ce que le semiconducteur permet, car une commutation rapide est source :
15 • desurtension lors du blocage à cause des inductances « parasites » en série avec le semiconducteur • de surcourant lors de la mise en conduction à cause notamment des capacités « parasites » en parallèle avec le semiconducteur. Pour commuter rapidement, il faut donc non seulement que le semiconducteur le permette, mais encore qu’il supporte la surtension et le surcourant qui en résultera, ce qui augmentera son prix !
16 Augmentation des pertes de commutation dues au circuit Si le semiconducteur est en série avec une inductance, l’énergie accumulée dans cette inductance, soit Li2 /2 si elle est linéaire, sera inclue dans woff lors du blocage du semiconducteur. De même, si le semiconducteur est en parallèle avec une capacité, l’énergie accumulée dans cette capacité, soit Cu2 /2 si elle est linéaire, sera inclue dans won lors de la mise en conduction du semiconducteur.
