Soutenance – Doctorat/Ph.D
Année: 2017
PLAN
INTRODUCTION GÉNÉRALE
Contexte et Problématique
Hypothèses
Objectifs
1ère PARTIE: Techniques expérimentales
29,0 %
4/59
INTRODUCTION
Ppv (W)
Charge résistive Source de tension
ICC DAR
IPPM
Charge DC
PPM PPPM
Source de courant
MPV
Ipv(A)
A PA
PB
B
PC
C
0
Figure 0.2 – Système PV à connexion
VPPM VOC
Vpv (V)
Figure 0.3 – Différents points de directe
fonctionnement d’un module PV 6/59
INTRODUCTION
Systèmes PV à connexion via un étage d’adaptation
Ipv Is
• Avantage: Permettre
le transfert de
Charge
Vpv Etage Vs
MPV
d’adaptation
puissance maximale
vers la charge, à
Figure 0.4 – Connexion d’un module PV à travers un MPPT.
une charge à travers un étage d’adaptation
• Algorithmes MPPT:
Perturb and Observe (P&O);
Hill Climbing (HC);
Incrément de la Conductance (INC);
Techniques intelligentes: logiques floues et réseau de
neurones artificiels;
Etc.(Hohm et Ropp, 2000; Tse et al., 2004; Sera et al., 2006;
Esaram et Chapman, 2007; Faranda et Leva, 2008)
7/59
INTRODUCTION
Tableau 0.1. Caractéristiques majeures des algorithmes MPPT
Méthode Connaissance Nécessité Mode Complexité Vitesse de Type et nombre Rende
MPPT des d’une mise à d’implémentation d’implémenta recouvrement de capteurs ment
paramètres jour tion du PPM (%)
du MPV périodique
P&O Non Non Analogique ou Faible Variable 1 Capteur 81-96
Numérique Courant
1 Capteur Tension
INC Non Non Numérique Moyenne Variable 1 Capteur 90-98
Courant
1 Capteur Tension
HC Non Non Analogique ou Faible Variable 1 Capteur 95-99
Numérique Courant
1 Capteur Tension
Fraction Oui Oui Analogique ou Moyenne Moyenne 1 Capteur Tension 88
de VOC Numérique
Fraction Oui Oui Analogique ou Moyenne Moyenne 1 Capteur -
de ICC Numérique Courant
Logique Oui Oui Numérique Haute Rapide Variable -
Floue
Réseau Oui Oui Numérique Haute Rapide Variable -
de
Neurones
RCC Non - Analogique Faible Rapide 1 Capteur -
Courant
1 Capteur Tension
Balayage Oui Oui Analogique ou Haute Lentement 1 Capteur -
du Numérique Courant
Courant 1 Capteur Tension
9/59
INTRODUCTION - HYPOTHÈSES
10/59
INTRODUCTION - OBJECTIFS
OBJECTIF GÉNÉRAL
Contribuer à améliorer la performance des algorithmes MPPT
d’un module photovoltaïque au silicium monocristallin sous un
climat tropical chaud.
OBJECTIFS SPÉCIFIQUES
Trouver les modèles mathématiques des paramètres
photovoltaïques d’un module solaire en fonction des
facteurs météorologiques;
Trouver le modèle Simulink® d’un module solaire basé sur
des données expérimentales;
Implémenter des algorithmes MPPT en tenant compte des
variations des paramètres photovoltaïques et des facteurs
météorologiques.
11/59
1ère PARTIE: TECHNIQUES EXPÉRIMENTALES
Contenu
• Conduite expérimentale
• Résultats expérimentaux
• Conclusion partielle
12/59
1ère Partie: Conduite expérimentale
Matériel utilisé
01 module solaire au silicium monocristallin
Tableau I.1. Caractéristiques du module PV H750 Helios
Band gap energy of silicon at 300 K 1.12 eV
Ideality factor of the p-n junction 1.2
Short-circuit current at STC 4.01 A
Open circuit voltage at STC 21.6 V
Current at MPP 3.47 A
Voltage at MPP 17.3 V
Maximum power at STC 60 Wc
Number of series-connected cells 36
01 Charge résistive constante: un rhéostat de 7,5 Ω
13/59
1ère Partie: Conduite expérimentale
Matériel utilisé
01 Pyranomètre pour mesurer l’irradiance
Tableau I.2. Caractéristiques du Pyranomètre
14/59
1ère Partie: Conduite expérimentale
Matériel utilisé
02 modules de mesure ALMEMO® pour la tension et le
courant continus.
Tableau I.3. Caractéristiques des modules ALMEMO ®
Références ZA 9900 AB et ZA 9901 AB
Précision 0,1 % de la petite échelle, ± 2 digits
Echantillonnage 1 kHz
Résolution 12 bits, ± 2048 digits
Durée de mesure/Temps de montée 0,1 s
Cycle de mesure maximal 14 h
Isolation galvanique 1 kV permanent,
Photo I.2.Capteurs de tension et de courant4 kV pendant 1 s
utilisés
Boitier Polystyrène, Dimensions :
L100xl54xH31 mm
Prises Contacts sécurisés Ø4 mm
Tension de service 6 à 14 kV via appareil ALMEMO®
Consommation < 40 mA
15/59
1ère Partie: Conduite expérimentale
Matériel utilisé
16/59
1ère Partie: Conduite expérimentale
Matériel utilisé
01 Centrale d’acquisition de données ALMEMO®.
Tableau I.4. Caractéristiques techniques de l’ALMEMO® 2690-8A
Entrées de mesure 5 entrées ALMEMO® à séparation galvanique par relais statique
(50 V)
Canaux 5 canaux primaires, 19 canaux maximum pour capteurs doubles
et canaux de fonction
Convertisseur AN Delta-Sigma 24 bits, faible puissance 100 mesures/s
Alimentation tension capteur Accu. : 6, 9 ou 12 V, max. 0,5 A
Adaptateur secteur : 12 V, max. 0,5 A
Sorties 2 prises ALMEMO® pour tous les modules de sortie
Afficheur Graphique 128x128 points, 16 lignes
Eclairage : 5 LED blanches 3 niveaux
Clavier 9 touches tactiles silicones (dont 4 touches programmables)
Mémoire EEPROM 1 Mo (200 000 mesures)
Heure et date Temps réel sauvegardé par pile lithium
Photo I.3.L’ALMEMO® utilisé
Boitier L209xP107xH54 mm, ABS (max. +70 °C), 570 g
Indice de protection IP54 en utilisant des connecteurs/capteurs étanches
17/59
1ère Partie: Conduite expérimentale
Dispositif expérimental
Capteur de
Module PV
courant
Charge
résistive
Capteur de
température
Capteur de
tension
Pyranomètre
ALMEMO®
Irradiance (W/m²)
Irradiance (W/m²)
G (W/m²) 900
900
700
700
500 500
300 300
100 100
70
65 TC (°C)
Température (°C)
Température (°C)
TC (°C) 65
60
60
55 55
50 50
45 45
40 40
35 35
30 30
9h30 10h00 10h30 11h00 11h30 12h00 12h30 13h00 13h30 14h00 14h30 15h00 9h30
10h00 10h30 11h00 11h30 12h00 12h30 13h00 13h30 14h00 14h30 15h00
Heure Locale Heure Locale
Journée du 28-02-2014 à Ngaoundéré, Cameroun
Irradiance (W/m²)
1100
G (W/m²)
900
700
500
300
100
70
TC (°C)
Température (°C)
65
60
55
50
45
40
35
30
9h30 10h00 10h30 11h00 11h30 12h00 12h30 13h00 13h30 14h00 14h30 15h00
Heure Locale
900 G (W/m²)
Irradiance (W/m²)
900
700
700
500
500
300
300
100
100
2.25
Ipvmes (A) 15
Courant mesuré (A)
Vpvmes (V)
1.75
1.5 12
1.25
1
9h30 10h00 10h30 11h00 11h30 12h00 12h30 13h00 13h30 14h00 14h30 15h00 9
9h30 10h00 10h30 11h00 11h30 12h00 12h30 13h00 13h30 14h00 14h30 15h00
Heure Locale
Heure Locale
20/59
1ère Partie: Résultats expérimentaux
Effet de la température sur le courant et sur la tension
Température (°C)
Température (°C)
55 55
50 50
45 45
40 40
35 35
30 30
2.25 15
Ipvmes (A) Vpvmes (V)
Courant mesuré (A)
1.75
12
1.5
1.25
1 9
9h30 10h00 10h30 11h00 11h30 12h00 12h30 13h00 13h30 14h00 14h30 15h00 9h30 10h00 10h30 11h00 11h30 12h00 12h30 13h00 13h30 14h00 14h30 15h00
Heure Locale Heure Locale
21/59
1ère Partie: Conclusion partielle
Contenu
• Introduction
monocristallin
• Conclusion partielle
23/59
2ème Partie: Caractérisation et modélisation
d’un panneau PV au silicium monocristallin
Hypothèses à vérifier:
Les paramètres intrinsèques d’un module solaire changent
avec les facteurs météorologiques;
24/59
2ème Partie: Introduction
25/59
2ème Partie: Introduction
26/59
2ème Partie: Extraction des paramètres PV
Méthode d’extraction des paramètres PV développée
V pv RS I pv
I pv I ph I S exp 1 (Eq. II.1)
nN SCVt
nN SCVt R I V pv RS I ph RS I S
I pv I S I ph LambertW S S exp (Eq. II.3)
RS nN SCVt nN SCVt
27/59
2ème Partie: Extraction des paramètres PV
Début
Lire
Lire les
les données
données expérimentales:
expérimentales:
G,
G, T
TCC,, IIPVmes
PVmes et
et V
VPVmes
PVmes
jj =
=00
Initialisation
Initialisation des des paramètres:
paramètres:
R S0(j),
RS0 (j), IIS0
S0(j),
(j), n (j), ΔR
n00(j), (j), ΔI
ΔRSS(j), ΔISS(j),
(j),
Δn(j),
Δn(j), R Smax(j),
RSmax (j), IISmax
Smax(j)
(j) et
et n max(j)
nmax (j)
jj =
= jj +1
+1
jj < Non
< Dim(I PVmes))
Dim(IPVmes
Oui
ii =
=00
ii =
= ii +
+11
ii <= Non
R
RSS(j),
(j), IISS(j)
(j) et
et n(j)
n(j) <= N
Nitit
Oui
Calcul:
Calcul:
Non R
RSS(j)
(j) ==RRSS(j)
(j) +ΔR
+ΔRSS(j)
(j)
IISS(j)
(j) =
= IISS(j)
(j) +ΔI
+ΔISS(j)
(j)
Oui εε <
< 1e-8 n(j)
1e-8 n(j) == n(j)
n(j) +Δn(j)
+Δn(j)
R
RSS(j)
(j) >
>R Smax(j)
RSmax (j)
Calcul:
Calcul: Non Oui
IISS(j)
(j) >
> IISmax
Smax(j)
(j)
IIPV et εε
PV et
n(j)
n(j) >>n max(j)
nmax (j)
Fin
I pvmes I pv 2
2.250
Ipvmes
2.125
(Eq.
I
II.4)
pv
2.000
Courants (A)
0.004
Température (°C)
900
55
700 50
45
500
40
300 35
100 30
1.5
1.5 n
n
Facteur d'idéalité
Facteur d'idéalité
1.25 1.25
1 1
0.75 0.75
0.5
9h30 10h00 10h30 11h00 11h30 12h00 12h30 13h00 13h30 14h00 14h30 15h00 0.5
9h30 10h00 10h30 11h00 11h30 12h00 12h30 13h00 13h30 14h00 14h30 15h00
Heure Locale
Heure Locale
30/59
2ème Partie:Résultats et discussion:Courant inverse IS
Température (°C)
900
55
700 50
500 45
40
300
35
100 30
5e-6 5e-6
IS (A) IS (A)
4e-6 4e-6
Courant IS (A)
Courant IS (A)
3e-6 3e-6
2e-6 2e-6
1e-6 1e-6
0 0
9h30 10h00 10h30 11h00 11h30 12h00 12h30 13h00 13h30 14h00 14h30 15h00 9h30 10h00 10h30 11h00 11h30 12h00 12h30 13h00 13h30 14h00 14h30 15h00
Heure Locale Heure Locale
31/59
2ème Partie:Résultats et discussion:Courant inverse IS
5.0e-6
y(x) = a*(x + 273) 3*exp[b*(c - 1/(x+273)]
4.5e-6 a = 2.7941e-015
b = 10991
4.0e-6 c = 0.003355
R2 = 0.99818
3.5e-6
Valeurs extraites de Is
Courant Is (A)
3.0e-6 fitting
2.5e-6
2.0e-6
1.5e-6
1.0e-6
0.5e-6
0
30 35 40 45 50 55 60 65 70
Température Tc (°C)
Figure II.7. Variation de Is en fonction de la température
1 a = 2,7941×10 -15 A/K3
y ( x) a( x 273)3 exp b c (Eq. II.5) b = 10991 K
x 273 c = 0,003355 K-1
qEg 1
3
TC 1
I S I Sref exp (Eq. II.6) (Bencherif et al., 2012;
T nk TCref TC Yordanov et al., 2010)
Cref
32/59
2ème Partie:Résultats et discussion:Résistance série RS
Température (°C)
900
55
700 50
500 45
40
300
35
100 30
1 1
RS (Ohms) RS (Ohms)
Résistance RS (Ohms)
Résistance RS (Ohms)
0.8 0.8
0.6 0.6
0.4 0.4
0.2 0.2
9h30 10h00 10h30 11h00 11h30 12h00 12h30 13h00 13h30 14h00 14h30 15h00 9h30 10h00 10h30 11h00 11h30 12h00 12h30 13h00 13h30 14h00 14h30 15h00
Heure Locale Heure Locale
33/59
2ème Partie:Résultats et discussion:Résistance série RS
1.8
Valeurs extraites de Rs
1.6
y(x) = A*exp(B*(x/1000)) + C
A = 3.5714
1.4 B = -4.2242
C = 0.26285
Résistance Rs (Ohms) 1.2
R2 = 0.99859
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
200 300 400 500 600 700 800 900 1000
Irradiance G (W/m²)
+ Iexp .mat
TemperatureIph
.mat Rp v -
Measured current Imeas .
s
Number of PV modules
in [IL ]
series
Rload
Rs.mat
[n ]
Rs
[Iph ]
Series resistance u
n1 [Nsc] e
[Np ]
[Ns]
1 [I]
4.01 Is cn
A.mat n
Ideality factor
Expression de Iph =G/Gref .[Iscref+Ki (Tc -Tcref )]
[G]
Is.mat
-C- Is
1000
Diode reverse
Ki saturation Gref [Iph ]
current
[Tc ]
[Iscn] PV module
298
2,00 2,00
Intensités de Courant (A)
1,50 1,50
1,25 1,25
1,00 1,00
0,75 0,75
0,50 0,50
0,25 0,25
0 0
9h30 10h00 10h30 11h00 11h30 12h00 12h30 13h00 13h30 14h00 14h30 15h00 9h30 10h00 10h30 11h00 11h30 12h00 12h30 13h00 13h30 14h00 14h30 15h00
Heure Locale Heure Locale
Journée du 28-02-2014 à Ngaoundéré, Cameroun
2,75
Ipvsim (A)
2,50 Ipvmes (A)
Ipvlit (A)
2,25
2,00
Intensités de courant (A)
1,75
1,50
1,25
1,00
0,75
0,50
0,25
0
9h30 10h00 10h30 11h00 11h30 12h00 12h30 13h00 13h30 14h00 14h30 15h00
Heure Local e
37/59
3ème Partie: Mise au point d’algorithmes MPPT
d’un panneau PV
Contenu
• Implémentation des algorithmes MPPT
o Algorithme Perturb and Observe
o Algorithme Hill Climbing
o Algorithme Incrément de la Conductance
• Modélisation du système PV
• Résultats et discussions
o Algorithme Perturb and Observe
o Algorithme Hill Climbing
o Algorithme Incrément de la Conductance
• Conclusion partielle
38/59
3ème Partie: Mise au point d’algorithmes MPPT
d’un panneau PV
Hypothèse à vérifier:
La performance des algorithmes MPPT est améliorée quand
les variations des paramètres intrinsèques du module solaire
sont prises en compte.
39/59
3ème Partie: Algorithmes MPPT: P&O
Plus utilisé et plus commercialisé car simple à implémenter
(Alsadi et Alsayid, 2012 ; Abdulkadir et al., 2013 ; Brito et al., 2013 ; Sahu
et al., 2014 ; Saxenal et Gupta, 2014)
Le système
s'approche
du PPM DPpv < 0
Ppv (W)
DPpv > 0
DV > 0 DV > 0
0
Vpv (V)
MEASURE
entry:
Ppv=Vpv*Ipv; P1=0; V1=0; Measure:
k=0;
during: Vpv(k) and Ipv(k)
•
P1=P1+Ppv; V1=V1+Vpv; k++;
exit: Limites: Instabilité
Pf=P1/k; Vf=V1/k; D=0.3; Calculate:
after(100,clk)
Ppv(k) =
Vpv(k)*Ipv(k) (« pas » élevé) ou
CALCULATE
entry: Yes
Lent (« pas » faible)
Ppv(k) - Ppv(k-1) = 0
deltaP=Pf-Pprev;
No
3 deltaV=Vf-Vprev;
d=D;
Yes No
2[deltaP<0] Ppv(k) - Ppv(k-1) < 0
1[deltaP>0]
[deltaV<0]
Yes 2 No Yes No
Vpv(k) - Vpv(k-1) < 0 1 2 Vpv(k) - Vpv(k-1) < 0
1
[deltaV>0]
[deltaP==0]
Vref = Vref + ΔV Vref = Vref - ΔV Vref = Vref - ΔV Vref = Vref + ΔV
INC DEC
entry: entry:
d = d + deltad; d = d - deltad;
Update:
Ppv(k-1)
Vpv(k-1)
RETURN Ipv(k-1)
entry:
Pprev=Pf; Vprev=Vf; D=d;
Return
MEASURE
• Perturbation du rapport cyclique (Abdulkadir et al., 2013 ; Brito
entry:
Measure:
Is = 0; Vs = 0; k = 0;
Vpv(k) and Ipv(k)
et al., 2013) during:
Is=Is+Ipv; Vs=Vs+Vpv; k++;
exit:
If=Is/k; Vf=Vs/k; D=0.3;
Calculate:
• Limites: Instabilité
after(100,clk)
Ppv(k) = Vpv(k)*Ipv(k)
(« pas » élevé) ou
Yes
1
CALCULATE
entry: No
Lent (« pas » faible)
Pf =
Ppv(k) > Vf*If;
Ppv(k-1)
d=D;
2
D = D + ΔD D = D - ΔD
[Pf-Pprev==0] 2
1
[Pf-Pprev>0]
Output duty
cycle D
INC DEC
entry: entry:
d = d + deltad; d = d - deltad;
Update:
Ppv(k-1)
Vpv(k-1)
RETURN
Ipv(k-1)
entry:
Iprev=If; Vprev=Vf; D=d;
Return
I pv I pv
, PF à droite du PPM. Décrémenter la tension
V pv V pv
I pv I pv
, PF au PPM. Conserver la tension
V pv V pv
43/59
3ème Partie: Algorithmes MPPT: INCF
• INC à pas fixe Start
Calculate:
dVpv = Vpv(k) - Vpv(k-1)
dIpv = Ipv(k) - Ipv(k-1)
No Yes
dVpv = 0
Yes Yes
dIpv/dVpv = -Ipv/Vpv dIpv = 0
No No
Yes Yes
dIpv/dVpv > -Ipv/Vpv dIpv > 0
No No
D = D - ΔD D = D + ΔD D = D - ΔD D = D + ΔD
Update:
Vpv(k-1)
Ipv(k-1)
Return
Ppv (k ) Ppv (k 1)
D N (Eq. III.1) Calculate:
No No
D(k) = D(k-1) D(k) = D(k-1) - Dstep D(k) = D(k-1) + Dstep D(k) = D(k-1) - Dstep D(k) = D(k-1) + Dstep D(k) = D(k-1)
Update:
Vpv(k-1)
Ipv(k-1)
D(k-1)
Return
CALCULATE
entry:
deltaV=Vm-Vprev;
deltaI=Im-Iprev;
deltaP=Pm-Pprev;
D=Np*abs((1-1/(1+exp(-a*(deltaP-c)))));
2
1 [deltaV==0]
1 1
2 2
[deltaI==0]
[deltaI/deltaV==-Im/Vm]
2 1
1 2 [deltaI>0]
[deltaI/deltaV>-Im/Vm]
RETURN
entry:
Vprev=Vm; Iprev=Im; Pprev=Pm; dprev=d;
Rs.mat Rs +
v [Vpv]
-
Series resistance [IL]
[D] d
i
+
+ - 1
4.01 Iscn
36 Nsc
- 2
Cells in series - V-
1.2
[VLoad]
A.mat n [PLoad] DC-DC Converter Load
Ideality factor [iLoad]
[IL] Iin Iout [iLoad]
[Vmes] [Pmes]
Is.mat Is
Measure Current
[Pmes]
Diode reverse saturation [PLoad]
current [imes] Powers [VL] [VLoad]
Vin Vout
PV module
Measure Voltage
Puissances (W)
35 35
30 30
25 25
20 20
15 15
10 10
5 5
0 0
9h30 10h00 10h30 11h00 11h30 12h00 12h30 13h00 13h30 14h00 14h30 15h00 9h30 10h00 10h30 11h00 11h30 12h00 12h30 13h00 13h30 14h00 14h30 15h00
Heure Locale Heure Locale
48/59
3ème Partie: Résultats: HC
Puissances (W)
35 35
30 30
25 25
20 20
15 15
10 10
5 5
0 0
9h30 10h00 10h30 11h00 11h30 12h00 12h30 13h00 13h30 14h00 14h30 15h00 9h30 10h00 10h30 11h00 11h30 12h00 12h30 13h00 13h30 14h00 14h30 15h00
Heure Locale Heure Locale
49/59
3ème Partie: Résultats: INCF
Puissances (W)
35 35
30 30
25 25
20 20
15 15
10 10
5 5
0 0
9h30 10h00 10h30 11h00 11h30 12h00 12h30 13h00 13h30 14h00 14h30 15h00 9h30 10h00 10h30 11h00 11h30 12h00 12h30 13h00 13h30 14h00 14h30 15h00
Heure Locale Heure Locale
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3ème Partie: Résultats: INCV
1
D N P 1 Np = 0,0002; a = 0,05; c = 150
1 exp[ a(Ppv c)]
(Jae-Hoon et Won-Pyo,
2013)
Journée du 23-01-2014 à Ngaoundéré, Cameroun Journée du 26-02-2014 à Ngaoundéré, Cameroun
60 60
55 55
50 50
45 45
40 40
Puissances (W)
Puissances (W)
35 35
30 30
25 25
20 Pmes (W) 20 Pmes (W)
15 15 PINCV Var. (W)
PINCV Var. (W)
10 10 PINCV Fixe (W)
PINCV Fixe (W)
5 5
0 0
9h30 10h00 10h30 11h00 11h30 12h00 12h30 13h00 13H30 14h00 14h30 15h00 9h30 10h00 10h30 11h00 11h30 12h00 12h30 13h00 13h30 14h00 14h30 15h00
Heure Locale Heure Locale
51/59
3ème Partie: Discussion
• Etude comparative des algorithmes MPPT
Puissances (W)
30 30
20 20
(a)
10 10 (b)
(c)
(d)
0 0
9h30 10h00 10h30 11h00 11h30 12h00 12h30 13h00 13h30 14h00 14h30 15h00 9h30 10h00 10h30 11h00 11h30 12h00 12h30 13h00 13h30 14h00 14h30 15h00
Heure Locale Heure Locale
Paramètres PV fixes Paramètres PV variables
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3ème Partie: Discussion
• Etude comparative des algorithmes MPPT
Tableau 0.1. Caractéristiques majeures des algorithmes MPPT
Méthode Connaissance Nécessité Mode Complexité Vitesse de Type et nombre Rende
MPPT des d’une mise à d’implémentation d’implémenta recouvrement de capteurs ment
paramètres jour tion du PPM (%)
du MPV périodique
P&O Non Non Analogique ou Faible Variable 1 Capteur 81-96
Numérique Courant
Tableau III.4. Comparaison de l’énergie moyenne journalière 1 Capteur Tension
INC Non Non Numérique Moyenne Variable 1 Capteur 90-98
Paramètres PV Fixes (Contraints) Variables (libres)Courant
1 Capteur Tension
HCDifférents
Non (a)
Non (b)Analogique
(c) ou (d)Faible (a)Variable (b) (c)
1 Capteur (d) 95-99
Numérique Courant
algorithmes MPPT 1 Capteur Tension
Fraction Oui Oui
Puissance
de VOC
29 27 Analogique
29
Numérique
ou
34Moyenne 43 Moyenne
401 Capteur Tension
43 51 88
maximale
Fraction Oui de la Oui Analogique ou Moyenne Moyenne 1 Capteur -
journée Oui
de ICC
Logique
(W) Oui
Numérique
Numérique Haute Rapide
Courant
Variable -
Energie moyenne
Floue 167 153 167 195 225 206 225 263
Réseau Oui Oui Numérique Haute Rapide Variable -
dejournalière, E
(Wh/j)
Neurones
RCC Non - Analogique Faible Rapide 1 Capteur -
(a) : P&O, (b) : HC, (c) : INCF et (d) : INCV Courant
1 Capteur Tension
Balayage Oui Oui Analogique ou Haute Lentement 1 Capteur -
du Numérique Courant
Courant 1 Capteur Tension
(Hohm et Ropp, 2000 ; Tse et al., 2004 ; Sera et al. 2006) 53/59
3ème Partie: Conclusion partielle
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CONCLUSION GÉNÉRALE ET PERSPECTIVES
1 G
RS A exp B
C
y ( x) a( x 273) exp b c
3
G
x 273 ref
a = 2,7941×10-15 A/K3; b = 10991 K; c = 0,003355 K-1 A = 3,57 Ω; B = - 4,22; C = 0,26 Ω
Energie moyenne 167 153 167 195 225 206 225 263
journalière, E (Wh/j)
•
La performance des algorithmes MPPT dépend des
facteurs météorologiques.
L’algorithme INC à pas variable est plus performant que tous les
autres algorithmes MPPT commercialisés.
Perspectives
• Faire les mêmes études sur les autres technologies des
cellules PV (3ème génération qui abonde sur le marché).
• Réaliser et concevoir les cartes MPPT tenant compte de la
variation de RS.
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PUBLICATIONS ET CONFERENCES
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REMERCIEMENTS
Dieu Tout-Puissant.
UNIVERSITÉ DE NGAOUNDÉRÉ.
Toute ma famille.
58/59
MERCI POUR VOTRE
AIMABLE ATTENTION
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