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Electronique analogique

 Chapitre 0: Généralités : Semiconducteurs

 Chapitre 1: Diode à jonction PN et ses applications

 Chapitre 2: Transistor bipolaire

 Chapitre 3: Transistor à Effet de Champ

 Chapitre 4: Amplificateur opérationnel


Chapitre 0

Généralités: Semiconducteurs
Plan
Rappels sur la structure de la matière
Structure de l'atome
Structure de l'état solide
Bandes d'énergies
Semiconducteur intrinsèque
Génération de paires électron-trou
Recombinaison
Concentration ni des porteurs dans le silicium intrinsèque
Semiconducteur extrinsèque: Dopage
Silicium dopé de type N
Silicium dopé de type P
Structure de la matière : Atome
Atome = Noyau (+) + Electrons (-)
Noyau = Protons (+) + Nucléons ( non chargés)
Atome électriquement neutre
Nombre de Protons = Nombre d’électrons

 Les électrons de coeur : Fortement lié au noyau


 Les électrons périphériques ou de valence: peu lié au
noyau Modèle de BOHR

Niveau d’énergie discret: contient 2n2 électrons


n: Numéro de niveau correspond à une couche
couche (K (n=1), L(n=2), M(n=3)…)

En <0 quelque soit n : il faut produire un travail pour


éloigner un électron de l’atome.
Exemple : Atome de silicium (Z= 14)
K (n=1) = 2.12 = 2
L( n=2) = 2. 22 = 8 4 électrons de K
E3
M(n=3) (peut occuper 2.32=18) : occupe
le reste = 4 8 électrons de K
10 électrons de cœur E2
2 électrons de K
4 électrons de valence E1

Atome de Silicium (Si)


Structure de la matière : Solide

Amorphe: l'ordre n'est que local et non répété.


Matériaux solides
Crisallin:Atomes rangés régulièrement aux noeuds d'un
réseau périodique.

Cristal

Cristaux ioniques (Na+Cl- ).  Cristaux covalents


 Métaux (Li, Ag, Au,...) .
Attraction colombienne. Cristaux moléculaires.
 Conducteurs électriques .
(Colonne IV: C, Si,
 Cristaux isolants et très Ge,Sn…).
 Un électron libre par
dur.  Liaisons de valence.
atome.
 Liaisons moins fortes
que les liaisons
ioniques.
 Propriétés= f(force de
ces liaisons).
Structure de la matière : Bandes d’énergie
Les états énergétiques possibles des électrons du cristal sont représentés par un diagramme de bandes
d’énergie.

électrons
Bande
libre dans le solide
de conduction
Niveau de fermi (Ef) EG Bande interdite
Bande
de valence électrons
lié aux atome

Cristal

 Un électron dont l’énergie est située dans une bande en dessous de la bande de
valence est lié à un atome donné du solide.
 Dans la bande de valence, l’électron est commun à plusieurs atomes.
 L’électron dont l’énergie est comprise dans la bande de conduction circule librement
dans le solide.
 Le gap EG représente la quantité d’énergie minimale nécessaire pour faire grimper un
électron de
de la bande de valence la bande de conduction.
 Ef le niveau dit de Fermi, qui est le niveau énergétique le plus élevé qu’un électron
puisseEGoccuper à 0°K.
est un paramètre essentiel qui permet de distinguer les matériaux isolants,
semiconducteurs et conducteurs.
Différence entre conducteurs, isolants et semi-conducteurs
Dans les isolants et les semiconducteurs, la bande de valence est entièrement pleine à T=0K. La hauteur de la
bande interdite des isolants est plus grande par rapport à celle des semiconducteurs.
Dans les conducteur, la bande de conduction est partiellement remplie.
E

Bande de
conduction
Bande de Bande de
conduction conduction
Bande interdite
Ef Bande interdite
Bande interdite
Bande de Bande de
Bande de valence valence
valence

Conducteur Semiconducteur Isolant

Les semiconducteurs ont une conductivité intermédiaire entre les conducteurs et les isolants.
Ils sont isolants à T=0K.
Semiconducteurs
Structure des semiconducteurs: Silicium intrinsèque

Lors de la formation du cristal un atome de silicium va gagner 4 électrons en formant des liaisons
covalentes qui correspondent à la mise en commun de ses électrons avec les atomes voisins. Ainsi un atome
de silicium qui s'associe avec quatre autres atomes de silicium verra huit électrons sur sa dernière couche.
Liaison covalente
T = 0°K
apparition des porteurs de charge « thermiques »
paires « électrons-trous »
Génération thermique de paires « électron-trou » - Recombinaison

T > 0°K électrons

trous
Génération thermique de paires « électron-trou » - Recombinaison

T > 0°K
Génération thermique de paires « électron-trou » - Recombinaison

T > 0°K
Génération thermique de paires « électron-trou » - Recombinaison

T > 0°K
Génération thermique de paires « électron-trou » - Recombinaison

T > 0°K
Génération thermique de paires « électron-trou » - Recombinaison

T > 0°K
Génération thermique de paires « électron-trou » - Recombinaison

T > 0°K

recombinaison
Concentration des porteurs de charge dans le silicium intrinsèque

n = électrons/cm3
Ec Bande de conduction

Recombinaison Génération de paires


EG = Ec-Ev « électron-trou »

Ev Bande de valence
p = trous /cm3

Pour T> 0 K, des électrons peuvent devenir libre


Loi de masse : n.p =
c'est à dire passer de la bande de valence à la
bande de conduction, où leur concentration est notée n i2 − ( Ec− EFi)
n.
kT
Ces électrons laissent des trous dans la bande de n= Nc e
valence (avec une concentration notée p) eux aussi
libres de se déplacer. − (EFi− Ev)
Un équilibre s’établit entre les phénomènes kT
d’ionisation thermique et de recombinaison ; les p= Nv e
électrons libres et les ions de silicium apparaissant − EG
en quantités égales. La concentration en électrons ( )
3/2 2KT
libres n et en trous libres p sont égales à ni la n= p= ni= AT e
concentration intrinsèque.
Il y a environ 2 paires électron-trou pour 10 milliards d’atome à
température ordinaire (20°C)
Il y a environ dix mille milliards de milliards d’atome (1022) dans un
gramme de silicium, donc deux mille milliards (2x1012) d’électrons
libres par gramme de silicium
Semi conducteur dopé « N »
Semi conducteur dopé « N »
• Introduction d’atomes trivalents, environ 1 pour 10 millions
d’atome de silicium
• Arsenic, antimoine, Phosphine …
Silicium dopé « N »
Silicium dopé « N »

+
Silicium dopé « N »

+
Silicium dopé « N »

+
Silicium dopé « N »

+
Silicium dopé « N »

+
Silicium dopé « N »

+
Concentration des porteurs de charge dans le silicium dopé « N »

Bande de conduction n = Nd
Ec
EFn
ΔEn= EFn - EFi n = Nd: Concentration des donneurs
EFi
EG

Ev
Bande de valence p = ni2/Nd

Les électrons sont les porteurs majoritaires et les


trous les porteurs minoritaires.
Loi de masse : n.p = ni2
La population des électrons libres de la bande de
conduction est beaucoup plus importante que elle
des trous libres dans bande de valence. Nd
Le niveau de Fermi EFn se déplace donc du milieu de EFn− EFi= kT.ln( )
la bande interdite (EFi) vers la bande de conduction. ni
Semi conducteur dopé « P »
Semi conducteur dopé « P »
• Introduction d’atomes trivalents, environ 1 pour 10 millions
d’atome de silicium
• Indium, bore…
Silicium dopé « P »
Silicium dopé « P »

-
Silicium dopé « P »

-
Silicium dopé « P »

-
Silicium dopé « P »

-
Silicium dopé « P »

-
Silicium dopé « P »

-
Silicium dopé « P »

-
Silicium dopé « P »

-
Concentration des porteurs de charge dans le silicium dopé « P »

Bande de conduction n = ni2/Na


Ec
p = Na: Concentration des accepteurs
EFi
EG
ΔEp= EFi - EFp
Ev
Bande de valence p = Na

Les trous sont les porteurs majoritaires et les


électrons les porteurs minoritaires.
La population des électrons libres de la B.C. est Loi de masse : n.p = ni2
beaucoup plus faible que celle des trous libres
dans BV. Na
Le niveau indicateur de Fermi Efp se déplace EFi− EFp= kT ln ( )
du niveau intrinsèque EFi vers la bande de ni
valence.
Chapitre 1

Diode et ses applications


Jonction PN
P N
P N
P N
P N
P N
P N

Zone chargée négativement


P N

Zone chargée positivement


P N

Zone chargée positivement


P N

Zone chargée négativement


P N

Zone dépeuplée de porteurs de charge mobiles


P N

Zone de déplétion

E0
• Les trous, majoritaires dans la région P, diffusent dans la région N.
• Les électrons, majoritaires dans la région N, diffusent dans la région P.

• Au voisinage de la jonction, les électrons et les trous subissent des recombinaisons.

• Dans cette région, les charges des ions (accepteurs ou donneurs) ne sont pas compensées par
celles des porteurs libres.

• Il en résulte une charge d’espace et un champ électrique interne.

• Ce champ s’oppose à la diffusion des porteurs libres.

=⇒ équilibre entre la diffusion et l’entraînement par le champ électrique.


Jonction PN à l'équilibre
Jonction
Na Nd

- - - - - - + + + + + +

- - - - - - + + + + + +

P - - - - - - + + + + + +
N
- - - - - - + + + + + +
+ + + + + +
- - - - - -
Zone de
déplétion Donneurs
Accepteurs
ionisé E0 ionisés

V0
I Is

A l’équilibre:
V0: barrière de potentiel V0 = kT/e ln ( NaNd/ni2)
I : Courant dû aux porteurs majoritaires
Is: Courant dû aux porteurs minoritaires
Jonction PN polarisée en direct

Le fait de polariser la jonction sous une tension V réduit la hauteur de barrière qui
devient : V -V.
Le courant 0du au porteurs minoritaires, indépendant de la hauteur de barrière du potentiel
reste égal à Is:

Le courant du aux porteurs majoritaires


devient:
Au total, il circule du semiconducteur P vers le semiconducteur N , un courant ID appelé
courant direct:

Dès que :
Jonction PN polarisée en inverse

La polarisation en inverse provoque une augmentation de la barrière de potentiel qui


devient: V+V .
Le courant du0 au porteurs minoritaires, indépendant de la hauteur de barrière du potentiel
reste égal à Is:

Le courant du aux porteurs majoritaires


devient:

Le courant total est:

Dès que:
Diode à jonction PN
Caractéristiques courant-tension d’une diode
V0 = 0,6 V pour le Silicium
V0 = 0,3 V pour le Germanium

- IISF Anod Cathod


Zone de e e
conduction
P N
V>V0 V<V0
Zone de
claquage Zone de blocage Id Vd Vd

En direct En inverse
3 zones

Zone de conduction Zone de blocage Zone de claquage


Vd ≥ V0 -Vc < Vd < V0 Vd ≤ - Vc
qV d

I d = I F (e kT
− 1) I d = − I F ≈ − 1nA Effet d'avalanche
Effet Zener
 Composant non-linéaire
Diode à jonction PN

Origine du claquage (destruction de la diode)


Quand la tension appliquée dépasse la valeur spécifiée par le fabricant, le courant décroit très
rapidement. S'il n'est pas limité par des éléments externes, il y a destruction rapide de la diode.

Zone de claquage

2 phénomènes

Effet Zener Effet d'avalanche


Les électrons sont Quand le champ électrique au
arrachés aux atomes niveau de la jonction devient trop
directement par le champ intense, les électrons accélérés
électrique dans la zone de peuvent ioniser les atomes par
transition et créent un chocs, ce qui libère d'autres
courant qui devient vite électrons qui sont a leur tour
intense quand la tension accélérés. Il y' a divergence du
Vd atteint une valeur VZ phénomène, et le courant devient
dite tension Zener. important.
Diode à jonction PN

En technologie, un modèle est une représentation simplifié d’une chose complexe.

Les différents modèles statiques

Modèle idéal Modèle avec seuil Modèle linéarisé

Id Id Id

Vd V0 Vd Vd
Diode bloquée Diode passante Diode bloquée Diode passante Diode bloquée Diode passante
A K A K
Id Id Id Id Id Id

Vd <0 Vd ≥ 0 Vd < V0 Vd ≥ V0 Vd < V0 Vd ≥ V0


A K A K A K V0 A K A K
A K

Id ≥ 0 V0 Rd
Id = 0 Id = 0 Vd = V0 Id = 0
Vd = V0 + Rd Id
Vd = 0 Id ≥ 0
Diode à jonction PN
Influence de la température

qV d

En direct I d = I F (T )(e kT
− 1)

En inverse IF varie très rapidement avec la température. Il est plus important pour le germanium
que pour le silicium, et croit plus vite, ce qui devient rapidement gênant Dans le
silicium, ce courant double tous les 6°C.
Diode à jonction PN
Point de fonctionnement

−1 E
E= V d + R Id I d= Vd+
R R

Équation de la droite de charge statique

L’intersection P entre la droite de charge statique et la


caractéristique de la diode représente le point de
fonctionnement du circuit encore appelé point de
polarisation.
Diode à jonction PN
Fonctionnement en régime variable : régime dynamique
Modèle « petit signal »

Vin = V0 sin (ωt)

id(t) et Vout(t) sont sinusoïdaux. On peut alors considérer que le système travaille en régime linéaire.
Tant que l’on travaille sur la petite portion P1, P2 de la caractéristique de la diode, on peut modéliser cette
dernière, en régime dynamique, par sa résistance Rd.
qV d
∂Vd 1 ∂ I F(e )
KT KT
Rd = = Rd =
∂Id Rd ∂Vd qId

à T= 20 °C , KT/q = 25 mV Id doit être autour du point de repos


Diode à jonction PN

Modèle linéaire « petit signal »

Transformation
« petits signaux »
Diode à jonction PN

Modèle « petit signal »

La diode se bloque : le courant s'annule.


La tension Vd n'est plus, elle aussi sinusoïdale

Si les variations de la tension d’alimentation sont sinusoïdales, celles de vd(t) et de id(t) sont seulement
périodiques. On dit qu’il y a distorsion.

On dit que le système travaille en régime de grands signaux (régime non linéaire).
Applications
Protection à diode contre l'inversion de polarité

Une inversion de la polarité de l'alimentation E n’endommagera pas le système


 Lorsque la polarisation de l'alimentation est inversée , la tension VD est négative et la diode
se comporte comme un interrupteur ouvert.

 La présence de la diode est quasiment sans effet si le branchement de l'alimentation est


correct (diode passante interrupteur ferme)

En fait, la diode passante entraîne une chute de 0,6V : U = E-VD = E- 0,6 V


Applications
Limiteur à diodes
On considère que les diodes sont idéales

Pour Vin > E D1 est passante et D2 bloquée Vout = E


Pour Vin < -E D1 est bloquée et D2 est passante Vout = - E

Pour -E < Vin < E D1 et D2 sont bloquées Vout = Vin


Applications

Alimentations
Le transformateur

Le transformateur assure une isolation galvanique et il est de type abaisseur de tension.

Schéma électrique Relations

On appelle m le rapport de
transformation :

I1 I2

N 2 u2 I 1
u1 u2 m= = =
N 1 u1 I 2
N1 N2
Applications

Redressement mono-alternance

On considère que la diode est parfaite

Vd

i
v (t)
v (t) R u (t)

v (t)= Vp sin (ωt)

u(t)= R i = v(t) - Vd
Applications

Redressement mono-alternance

v (t) 1

v (t) u (t)

u (t)

Pour v(t) ≥ 0 La diode est passante et elle se comporte comme un interrupteur fermé
Vd= 0

u(t) = v(t)
Applications

Redressement mono-alternance

v (t) 1

v (t) R u (t)

u (t)

Pour v(t) < 0 La diode est bloquée, elle se comporte comme un interrupteur ouvert

i=0

u(t) = 0
Applications
Redressement mono-alternance

v (t)

v (t) R u (t)

u (t)

Calcul de la valeur moyenne de u :


1 T
VDC 
T 0
V dt

1 π


 0
Vp sin θ dθ
π

VP
 cosθ
2π 0

2 VP

π
Applications
Redressement double alternance
On considère que les diodes sont idéales

Vd3 Vd1

u(t)
v (t)
v(t) R i

Vd2
Vd4
v (t)= VM sin (ωt)

u(t)= R.i = v(t) – Vd1 – Vd2 = -v(t) – Vd3 - Vd4


Applications
Redressement double alternance

v (t) 1

u (t)

Pour v(t) ≥ 0 D1, D2 passantes et D3,D4 sont bloquées

u(t) = v(t) – Vd1 - Vd2 = v(t) – 0 - 0

u(t) = v(t)
Applications
Redressement double alternance

Vd3

Vd4

Pour v(t) < 0 D1, D2 sont bloquée et D3, D4 sont passantes

u(t)= -v(t) – Vd3 - Vd4 = -v(t)- 0 - 0

u(t) = -v(t)
Applications
Redressement double alternance

 
Vd3 Vd1

u(t)  

v(t) R i

Vd2
Vd4

0 π 2.π
Calcul de la valeur moyenne de u :
1 T
VDC 
T 0
V dt

1 π

π  0
Vp sin θ dθ
π

VP
 cosθ
π 0

2 VP

π
Applications
Filtrage de la tension redressée
ΔT

A t= 0 , la capacité C est déchargée, on a donc vs(t) = vc(t)=0


D'où ve(t) = vD(t) >0 : la diode est passante ve(t) = vs (t) Ainsi, la capacité se charge
t > T/4 ve (t) < vs(t) : la diode est bloquée D'où le réseau RC est isolé :

La capacité se décharge à travers R. Sa tension vs(t) va diminuer jusqu'à l’instant où la tension ve(t)
redevient plus grande que vs(t).
En régime permanent, la tension vs(t) varie entre Vsmax et Vsmin.

Ondulation : Taux d'ondulation :

t = R*C >> T, ainsi la capacité n’a pas le temps de se décharger complètement sur une période T
I ΔT
Q = I T = C V => Q = I ΔT = C ΔV C=
ΔV Cmax
Diode Zener
Caractéristiques courant-tension
Izmin est l'intensité au dessous de laquelle la tension
n'est plus stabilisée.
Izmax est l'intensité au dessus de laquelle, la puissance
P = Vz.Imax dissipée dans la diode devient
V destructrice.
Condition de stabilisation
Izmin < Iz < Izmax

Modèles électriques équivalents

Modèle idéale Modèle linéarisé

V V

V=VZ V = VZ + RZ I

Vz Vz Rz
Diode Zener
Stabilisation de tension

1. Point de fonctionnement

Iz = I - IRL
z

Thévenin
Pour que la diode soit passante, il faut que :
RL
E TH = V
R L+ R p e E TH > V Z R L V e > R LV Z + R p V Z
Rp RL
RTH = R L V e − R LV Z > R p V Z
Rp+ RL
V e− V Z
R p< R L
VZ
Diode Zener

Stabilisation de tension

Application du théorème de superposition


1/ Étude du point de fonctionnement
2/ Étude du régime « petits signaux »
Diode Zener
Stabilisation de tension
1. Régime « petits signaux »

Stabilisation amont Stabilisation aval


Ve variée, RL fixe Ve fixe, RL variée
(ΔVz /ΔVe ) iRL= cte (ΔVz /ΔiRL ) Ve= cte
RL variée
RL =cte Stabilisation de tension ΔV / Δi = R p∥ R
Z RL Z
R L∥ RZ Résistance de
ΔV Z = ΔV e
R p+ RL∥R Z sortie du montage

ΔV Z / ΔV e =
R L∥ RZ ΔV Z / Δi RL ≈ R Z
R p+ RL∥R Z
Diode électroluminescente ou LED (Light Emitting Diode)
Principe de fonctionnement

Région active
(+)
Ec P
Recombinaison hⱱ Lumière EG N
Ev (-)

Région morte

La recombinaison est radiative dans le cas du semi-conducteur à base de GaAs


Pour que ce phénomène de recombinaison radiative se manifeste encore faut-il créer une forte
population d'électrons dans la bande de conduction, et de trous dans la bande de valence. C'est ce
processus qui est appliqué dans les diodes électroluminescentes et dans les diodes lasers, le phénomène
portant le nom d'électroluminescence.

Lorsque la diode est polarisée en direct, elle émet un


flux lumineux proportionnel au courant la traversant.
Si la diode est polarisée en inverse, elle n’émet pas
de rayonnement optique.

Rouge: V0 =1.5V, LED Vert: V0 =2.4 V


Applications : Afficheurs, Éclairage, Écrans OLED ….
Photodiode
Principe de fonctionnement

Ec
hⱱ ≥ EG EG
Ev

Lorsque les photons pénètrent dans le semiconducteur, pourvu qu'il ont une énergie suffisante, peuvent
créer des photoporteurs en excès dans le matériaux. Ces photoporteurs sont des paires d'électrons-trous.
Chaque paire crée se traduit par la circulation dans le circuit extérieur d'une charge élémentaire. On
observe ainsi une augmentation du courant.

Vu que les photocourants créés sont très faible, il faut que la jonction soit polariser en inverse, d'une part
pour éviter le courant en direct de la photodiode qui est beaucoup plus important que les photocourant et
d'autre par pour augmenter son rendement.

Applications : Cellule photovoltaïque, Détecteurs optiques, ...

Symbole
Photocoupleur ou optocoupleur
Principe de fonctionnement

Il combine une LED et une photodiode dans le même boîtier Il isole électriquement le circuit de
sortie de celui d’entrée (découplage). Le faiseux lumineux et le seul contact entre l’entrée et la
sortie.
La lumière émise par la LED bombarde la photodiode et fait circuler dans le circuit de sortie un
courant proportionnel a celui du circuit d’entrée

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