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Généralités: Semiconducteurs
Plan
Rappels sur la structure de la matière
Structure de l'atome
Structure de l'état solide
Bandes d'énergies
Semiconducteur intrinsèque
Génération de paires électron-trou
Recombinaison
Concentration ni des porteurs dans le silicium intrinsèque
Semiconducteur extrinsèque: Dopage
Silicium dopé de type N
Silicium dopé de type P
Structure de la matière : Atome
Atome = Noyau (+) + Electrons (-)
Noyau = Protons (+) + Nucléons ( non chargés)
Atome électriquement neutre
Nombre de Protons = Nombre d’électrons
Cristal
électrons
Bande
libre dans le solide
de conduction
Niveau de fermi (Ef) EG Bande interdite
Bande
de valence électrons
lié aux atome
Cristal
Un électron dont l’énergie est située dans une bande en dessous de la bande de
valence est lié à un atome donné du solide.
Dans la bande de valence, l’électron est commun à plusieurs atomes.
L’électron dont l’énergie est comprise dans la bande de conduction circule librement
dans le solide.
Le gap EG représente la quantité d’énergie minimale nécessaire pour faire grimper un
électron de
de la bande de valence la bande de conduction.
Ef le niveau dit de Fermi, qui est le niveau énergétique le plus élevé qu’un électron
puisseEGoccuper à 0°K.
est un paramètre essentiel qui permet de distinguer les matériaux isolants,
semiconducteurs et conducteurs.
Différence entre conducteurs, isolants et semi-conducteurs
Dans les isolants et les semiconducteurs, la bande de valence est entièrement pleine à T=0K. La hauteur de la
bande interdite des isolants est plus grande par rapport à celle des semiconducteurs.
Dans les conducteur, la bande de conduction est partiellement remplie.
E
Bande de
conduction
Bande de Bande de
conduction conduction
Bande interdite
Ef Bande interdite
Bande interdite
Bande de Bande de
Bande de valence valence
valence
Les semiconducteurs ont une conductivité intermédiaire entre les conducteurs et les isolants.
Ils sont isolants à T=0K.
Semiconducteurs
Structure des semiconducteurs: Silicium intrinsèque
Lors de la formation du cristal un atome de silicium va gagner 4 électrons en formant des liaisons
covalentes qui correspondent à la mise en commun de ses électrons avec les atomes voisins. Ainsi un atome
de silicium qui s'associe avec quatre autres atomes de silicium verra huit électrons sur sa dernière couche.
Liaison covalente
T = 0°K
apparition des porteurs de charge « thermiques »
paires « électrons-trous »
Génération thermique de paires « électron-trou » - Recombinaison
trous
Génération thermique de paires « électron-trou » - Recombinaison
T > 0°K
Génération thermique de paires « électron-trou » - Recombinaison
T > 0°K
Génération thermique de paires « électron-trou » - Recombinaison
T > 0°K
Génération thermique de paires « électron-trou » - Recombinaison
T > 0°K
Génération thermique de paires « électron-trou » - Recombinaison
T > 0°K
Génération thermique de paires « électron-trou » - Recombinaison
T > 0°K
recombinaison
Concentration des porteurs de charge dans le silicium intrinsèque
n = électrons/cm3
Ec Bande de conduction
Ev Bande de valence
p = trous /cm3
+
Silicium dopé « N »
+
Silicium dopé « N »
+
Silicium dopé « N »
+
Silicium dopé « N »
+
Silicium dopé « N »
+
Concentration des porteurs de charge dans le silicium dopé « N »
Bande de conduction n = Nd
Ec
EFn
ΔEn= EFn - EFi n = Nd: Concentration des donneurs
EFi
EG
Ev
Bande de valence p = ni2/Nd
-
Silicium dopé « P »
-
Silicium dopé « P »
-
Silicium dopé « P »
-
Silicium dopé « P »
-
Silicium dopé « P »
-
Silicium dopé « P »
-
Silicium dopé « P »
-
Concentration des porteurs de charge dans le silicium dopé « P »
Zone de déplétion
E0
• Les trous, majoritaires dans la région P, diffusent dans la région N.
• Les électrons, majoritaires dans la région N, diffusent dans la région P.
• Dans cette région, les charges des ions (accepteurs ou donneurs) ne sont pas compensées par
celles des porteurs libres.
- - - - - - + + + + + +
- - - - - - + + + + + +
P - - - - - - + + + + + +
N
- - - - - - + + + + + +
+ + + + + +
- - - - - -
Zone de
déplétion Donneurs
Accepteurs
ionisé E0 ionisés
V0
I Is
A l’équilibre:
V0: barrière de potentiel V0 = kT/e ln ( NaNd/ni2)
I : Courant dû aux porteurs majoritaires
Is: Courant dû aux porteurs minoritaires
Jonction PN polarisée en direct
Le fait de polariser la jonction sous une tension V réduit la hauteur de barrière qui
devient : V -V.
Le courant 0du au porteurs minoritaires, indépendant de la hauteur de barrière du potentiel
reste égal à Is:
Dès que :
Jonction PN polarisée en inverse
Dès que:
Diode à jonction PN
Caractéristiques courant-tension d’une diode
V0 = 0,6 V pour le Silicium
V0 = 0,3 V pour le Germanium
En direct En inverse
3 zones
I d = I F (e kT
− 1) I d = − I F ≈ − 1nA Effet d'avalanche
Effet Zener
Composant non-linéaire
Diode à jonction PN
Zone de claquage
2 phénomènes
Id Id Id
Vd V0 Vd Vd
Diode bloquée Diode passante Diode bloquée Diode passante Diode bloquée Diode passante
A K A K
Id Id Id Id Id Id
Id ≥ 0 V0 Rd
Id = 0 Id = 0 Vd = V0 Id = 0
Vd = V0 + Rd Id
Vd = 0 Id ≥ 0
Diode à jonction PN
Influence de la température
qV d
En direct I d = I F (T )(e kT
− 1)
En inverse IF varie très rapidement avec la température. Il est plus important pour le germanium
que pour le silicium, et croit plus vite, ce qui devient rapidement gênant Dans le
silicium, ce courant double tous les 6°C.
Diode à jonction PN
Point de fonctionnement
−1 E
E= V d + R Id I d= Vd+
R R
id(t) et Vout(t) sont sinusoïdaux. On peut alors considérer que le système travaille en régime linéaire.
Tant que l’on travaille sur la petite portion P1, P2 de la caractéristique de la diode, on peut modéliser cette
dernière, en régime dynamique, par sa résistance Rd.
qV d
∂Vd 1 ∂ I F(e )
KT KT
Rd = = Rd =
∂Id Rd ∂Vd qId
Transformation
« petits signaux »
Diode à jonction PN
Si les variations de la tension d’alimentation sont sinusoïdales, celles de vd(t) et de id(t) sont seulement
périodiques. On dit qu’il y a distorsion.
On dit que le système travaille en régime de grands signaux (régime non linéaire).
Applications
Protection à diode contre l'inversion de polarité
Alimentations
Le transformateur
On appelle m le rapport de
transformation :
I1 I2
N 2 u2 I 1
u1 u2 m= = =
N 1 u1 I 2
N1 N2
Applications
Redressement mono-alternance
Vd
i
v (t)
v (t) R u (t)
u(t)= R i = v(t) - Vd
Applications
Redressement mono-alternance
v (t) 1
v (t) u (t)
u (t)
Pour v(t) ≥ 0 La diode est passante et elle se comporte comme un interrupteur fermé
Vd= 0
u(t) = v(t)
Applications
Redressement mono-alternance
v (t) 1
v (t) R u (t)
u (t)
Pour v(t) < 0 La diode est bloquée, elle se comporte comme un interrupteur ouvert
i=0
u(t) = 0
Applications
Redressement mono-alternance
v (t)
v (t) R u (t)
u (t)
1 π
2π
0
Vp sin θ dθ
π
VP
cosθ
2π 0
2 VP
π
Applications
Redressement double alternance
On considère que les diodes sont idéales
Vd3 Vd1
u(t)
v (t)
v(t) R i
Vd2
Vd4
v (t)= VM sin (ωt)
v (t) 1
u (t)
u(t) = v(t)
Applications
Redressement double alternance
Vd3
Vd4
u(t) = -v(t)
Applications
Redressement double alternance
Vd3 Vd1
u(t)
v(t) R i
Vd2
Vd4
0 π 2.π
Calcul de la valeur moyenne de u :
1 T
VDC
T 0
V dt
1 π
π 0
Vp sin θ dθ
π
VP
cosθ
π 0
2 VP
π
Applications
Filtrage de la tension redressée
ΔT
La capacité se décharge à travers R. Sa tension vs(t) va diminuer jusqu'à l’instant où la tension ve(t)
redevient plus grande que vs(t).
En régime permanent, la tension vs(t) varie entre Vsmax et Vsmin.
t = R*C >> T, ainsi la capacité n’a pas le temps de se décharger complètement sur une période T
I ΔT
Q = I T = C V => Q = I ΔT = C ΔV C=
ΔV Cmax
Diode Zener
Caractéristiques courant-tension
Izmin est l'intensité au dessous de laquelle la tension
n'est plus stabilisée.
Izmax est l'intensité au dessus de laquelle, la puissance
P = Vz.Imax dissipée dans la diode devient
V destructrice.
Condition de stabilisation
Izmin < Iz < Izmax
V V
V=VZ V = VZ + RZ I
Vz Vz Rz
Diode Zener
Stabilisation de tension
1. Point de fonctionnement
Iz = I - IRL
z
Thévenin
Pour que la diode soit passante, il faut que :
RL
E TH = V
R L+ R p e E TH > V Z R L V e > R LV Z + R p V Z
Rp RL
RTH = R L V e − R LV Z > R p V Z
Rp+ RL
V e− V Z
R p< R L
VZ
Diode Zener
Stabilisation de tension
ΔV Z / ΔV e =
R L∥ RZ ΔV Z / Δi RL ≈ R Z
R p+ RL∥R Z
Diode électroluminescente ou LED (Light Emitting Diode)
Principe de fonctionnement
Région active
(+)
Ec P
Recombinaison hⱱ Lumière EG N
Ev (-)
Région morte
Ec
hⱱ ≥ EG EG
Ev
Lorsque les photons pénètrent dans le semiconducteur, pourvu qu'il ont une énergie suffisante, peuvent
créer des photoporteurs en excès dans le matériaux. Ces photoporteurs sont des paires d'électrons-trous.
Chaque paire crée se traduit par la circulation dans le circuit extérieur d'une charge élémentaire. On
observe ainsi une augmentation du courant.
Vu que les photocourants créés sont très faible, il faut que la jonction soit polariser en inverse, d'une part
pour éviter le courant en direct de la photodiode qui est beaucoup plus important que les photocourant et
d'autre par pour augmenter son rendement.
Symbole
Photocoupleur ou optocoupleur
Principe de fonctionnement
Il combine une LED et une photodiode dans le même boîtier Il isole électriquement le circuit de
sortie de celui d’entrée (découplage). Le faiseux lumineux et le seul contact entre l’entrée et la
sortie.
La lumière émise par la LED bombarde la photodiode et fait circuler dans le circuit de sortie un
courant proportionnel a celui du circuit d’entrée