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Cours d’Electronique Analogique

ENSPS - 1ière année. Année universitaire : 2005/2006

Thomas Heiser
Institut d’Electronique du Solide et des Systèmes (InESS)
Campus Cronenbourg
tel: 03 88 10 62 33
email: heiser@iness.c-strasbourg.fr

Version à jour du cours, Archives : énoncés examens


 http://www-iness.c-strasbourg.fr/~heiser/EA/

1
Introduction
• Qu’est-ce que l’électronique ?

Domaine de la physique appliquée qui

exploite les variations de grandeurs électriques pour

capter, transmettre ou analyser des informations.

Le traitement de l’information est généralement assuré par des


circuits électroniques.

2
• Qu’est-ce qu’un circuit électronique ?

Un ensemble de composants (résistances, condensateurs, diodes,

transistors, circuits intégrés: AOP, microprocesseurs, …)

qui agissent sur les courants et tensions électriques

ils engendrent, modifient et utilisent des signaux électriques.

stockage et traitement de
l’information, commande et
contrôle d’appareillage,...

amplificateur, redressement, modulateur ,…


générateur, capteur, compteur,….
3
• L’hiérarchie de l’Electronique
Technologies des composants semiconducteurs
- Conception et modélisation des composants
 physique des semiconducteurs (transport de charge, interfaces,…)
- Fabrication des composants
physique de la matière condensée (croissance cristalline, dopage, …)

Conception de circuits électroniques et microélectroniques


- Conception de circuits fonctionnels
- Conception assistée par ordinateur
 Traitement du signal, algèbre de Boole

Réalisation de systèmes complets


- Architecture des systèmes
- Interfaces avec l’environnement
- Systèmes asservis
4
• Electronique « Analogique » ou « Numérique »

Electronique analogique

- Variation continue des grandeurs électriques

Information  valeurs instantanées I(t) et V(t)

Electronique numérique

- Variation binaire des grandeurs électriques

Codage de l’Information  Niveau d’abstraction supplémentaire

5
• Pour quelles applications ?

Instrumentation

Robotique

Communications

Multimédia

Systèmes informatiques

Cartes mémoires

6
• Pourquoi quels ingénieurs ?

R&D sur les composants électroniques


– réduction des dimensions, introduction de nouveaux matériaux,
nouveaux types de composants: optoélectronique, de puissance,
mémoires, ...

Simulation et programmation
–R&D sur la simulation de la fabrication et du fonctionnement des C.I.

Conception de circuits électroniques et de composants intégrés


–conception, simulation et réalisation de circuits

7
• L’électronique : Un domaine en évolution exponentielle…

En 1947 : le premier transistor


(Shockley, Brattain, Bardeen)

En 1957 : le premier CI (Texas / Kilby)

8
En 1971 : le premier Processeur (Hoff, Faggin, prix 200$)

4004 d’INTEL : 15/11/1971


(2250 Transistors Bipolaires,
108 KHz, 4bits, 604 mots ad.)

9
Aujourd’hui: ATHLON 64 X2 Dual-core => deux processeurs sur un seul chip

Mémoire cache
(SRAM)

233 000 000


Transistors
en
technologie
90nm

Premier processeur Deuxième processeur 10


La « loi » empirique de Moore…

Taille des transistors  Taux d’intégration  Vitesse de calcul


11
et demain…

Transistor
La nano-électronique 25nm
(10nm possible)

Couplage avec la micro-mécanique et l’optique (MEMS, MOEMS)…

12
Les technologies émergentes

Electronique sur plastique

Electronique moléculaire
Une molécule comme composant

13
Mais ça ne se fait pas tout seul...

14
• L’ Electronique à l’ENSPS…
1A: Les bases :
- Electronique Analogique
- Electronique Numérique
- Complément d’électronique
- Physique et technologie des semiconducteurs (ancien « Capteurs »)

2A: Notions avancées :


- Electronique Numérique et Analogique II
- Simulation et modélisation en microélectronique
- Microcontrôleurs

En option :
- Physique des dispositifs électroniques à base de semiconducteurs
- Electronique programmable
- CAO

3A: La spécialisation :
- ENSPS: OPTION ELEC / OPTION PHYSIQUE
- MASTER: micro- et nanoélectronique: du composant au système sur15puce
• Le lien avec les autres enseignements (1A) :

Physique de la matière
 semiconducteurs, théorie des bandes, transport de charges

Systèmes asservis
 systèmes linéaires, circuits à contre-réaction

Traitement du signal
 filtrage, systèmes linéaires, modulation...

16
Contenu du cours d ’électronique analogique

Quelques rappels utiles

1. Les Diodes et applications des diodes

2. Le Transistor bipolaire et applications

3. Les Transistors à effet de champ et applications

Bibliographie
Principes d’électronique, Alberto P. Malvino, McGraw-Hill, 1991
Electronique: composants et systèmes d'application, Thomas L. Floyd, Dunod, 2000
Traité de l’électronique analogique et numérique (Vol.1), Paul Horowitz & Winfield Hill, Elektor,1996
Microélectronique, Jacob Millman, Arvin Grabel, Ediscience International, 1994
17
Logiciel de simulation gratuit: ICAP/4, version demo (www.intusoft.com)
Contenu du cours d ’électronique analogique

et pour s’entraîner

12 séances de travaux dirigés

10 séances de travaux pratiques (4h)

et après …
 Compléments d’électronique (C. Lallement) :
• Electronique et température, composants de puissance
• Amplificateurs opérationnels:
- parfaits et réels
- applications
• Autres composants intégrés (N555):
- interface A/N
- autres applications
18
Rappels utiles
I
Composants linéaires et loi d’Ohm

I
• Résistance électrique = composant linéaire :
V V R
V=RI loi d’Ohm

 Le ”modèle linéaire” ne décrit le comportement réel du composant que dans un


“domaine de fonctionnement (linéaire)” fini.

• Généralisation au “régime harmonique” (variation sinusoïdale des tensions et courants) :

V    Z    I  
C L
composant linéaire :
1 Z     jL
“impédance” : Z   
jC

19
Source de tension, source de courant

Sources idéales :

I
I
source de courant Io
Io V charge
idéale :
V

 le courant fourni par la source est indépendant de la charge

I
V
source de Vo
tension idéale : Vo V charge

I
 la tension aux bornes de la source est indépendante de la charge

20
Sources réelles : domaine de fonctionnement linéaire
ou “domaine de linéarité”
I
source de courant Io  schéma
réelle : équivalent

 Le domaine de linéarité défini la “plage de fonctionnement” du composant en tant que


source de courant

Schéma équivalent: hyp : Vdomaine de linéarité


I
V
 I  Io 
Io Ri V charge Ri

 I  cst  I o
V 
Ri = “résistance interne” tant que I >> courant dans la résistance interne  
 Ri 
(Gi = 1/Ri = conductance interne)

source de “courant” Ri >> V/I = Ze = “impédance d’entrée” de la charge.


21
domaine de linéarité
source de tension
réelle : V
Vo  schéma
équivalent
I

Schéma équivalent:

hyp : Vdomaine de linéarité

I  V  Vo  Ri I
Ri
V charge  V  cst  Vo
Vo
tant que la chute de potentiel aux bornes de Ri est
faible devant V  Ri I  V 

source de “tension”  Ri << Ze


22
Transformation de schéma :

“vu”
en fait... Ri de la avec
I I
charge V
 I o  o = “courant de court-circuit”

charge

charge
Vo V
Io Ri
V (charge remplacée par un
Ri court-circuit)
[Vo = tension en “circuit ouvert” du dipôle]
V Vo V
puisque I  Io     V  Vo  Ri I
Ri Ri Ri

 selon la valeur de Ze/Ri on parle de source de tension (Ze>>Ri) ou source de courant (Ze<<Ri)

Sources liées Lorsque la tension (ou le courant) délivrée par une source
dépend de la tension aux bornes d’un des composants du circuit
ou du courant le parcourant, la source est dite “liée”. Vous verrez
des exemples de sources liées dans le cas des transistors.

23
Théorème de Thévenin

Tout circuit à deux bornes (ou dipôle) linéaire, constitué de résistances, de sources de
tension et de sources de courant est équivalent à une résistance unique RTh en série avec
une source de tension idéale Vth.
A
I Rth
IA

V  Vth
V
= “générateur de Thévenin”

B
B

!
Calcul de Vth: Vth  V  circuit ouvert 

! Vth V  circuit ouvert


Calcul de Rth: Rth  
I  court - circuit  I  court - circuit 

ou Rth  R AB en absence des tensions et courants fournies par les sources non-liées.
[remplacement des sources de tension non-liées par un fil
(Vo=0), et des sources de courant non-liées par un circuit
24
ouvert (Io=0)]
Théorème de Millmann

Considérons le schéma suivant :


V2

R2
Vi
R1 Ri 
V1 Vi
i Ri
V
V 1

i Ri

Théorème utile pour calculer la tension en un nœud d’un circuit …

25
Principe de superposition

Dans le cas des circuits électriques composés exclusivement d'éléments linéaires


(résistances, capacités, inductances, générateurs de tension ou de courant
indépendants ou dépendant linéairement d'un courant, d'une tension...), la réponse
dans une branche est égale à la somme des réponses par chaque générateur
indépendant pris isolément, en inactivant tous les autres générateurs indépendants
(générateurs de tension remplacés par des fils et générateurs de courants par
des interrupteurs ouverts).

! Le circuit peut inclure des composants non-linéaires (diodes ou transistors …), qui
opèrent dans un  domaine restreint où leur comportement est approximativement
linéaire.

 D’où l’intérêt des modèles à segments linéaires ou des modèles à petits


signaux des composants électroniques dont nous parlerons dans ce cours.

26
Analyse statique / dynamique d’un circuit

L’ Analyse statique

… se limite au calcul des valeurs moyennes des grandeurs électriques


(ou composantes continues, ou encore composantes statiques)

= Analyse complète du circuit si seules des sources statiques sont présentes

L’ Analyse dynamique

… ne tient compte que des composantes variables des sources (ou “signaux” électriques,
ou encore composantes alternatives (AC) )

Notation : lettres majuscules pour les composantes continues

lettres minuscules pour les composantes variables


27
Illustration : Etude de la tension aux bornes d’un composant inséré dans un circuit.

R1

ve ve = signal sinusoïdal, à valeur


R2 V(t)=V+v(t) moyenne nulle
VE VE = source statique

Calcul complet

R2
V t  VE  ve  t    R2 VE  R2 ve  t 
R1  R2 R1  R2 R1  R2

V v(t)
Principe de superposition :
Comme tous les composants sont linéaires, le principe de superposition s’applique

 la source statique VE est à l’origine de V et ve est à l’origine de v


28
Analyse statique :
R1
R2
ve  0 VE V V  VE
R2 R1  R2

“schéma statique” du circuit

En statique, une source de tension variable à valeur moyenne nulle correspond à un


court-circuit
R1
Analyse dynamique :
R2
ve R2 v v t   ve  t 
VE indépendant du temps R1  R2

“schéma dynamique”

VE = 0 dans l’analyse dynamique

Une source de tension statique correspond à un “court-circuit


dynamique” 29
Autres exemples:
R1 R2
1)
ve Io R3 V(t)=V+v(t)

Schéma statique R1 R2
R1R3
V Io
V R1  R2  R3
I o R3

Schéma dynamique
R1 R2
R3ve  t 
v t  
ve R3 v R1  R2  R3

Une source de courant statique est équivalent en régime dynamique à un circuit


ouvert. [puisque i(t)=0!]
30
2) ! C = composant linéaire caractérisé par une impédance qui
Val dépend de la fréquence du signal

R1
C

Rg
vg R2 V (t)

Schéma statique : à fréquence nulle C = circuit ouvert

Val R2
R1 V  Val
R1  R2

R2 V

31
Schéma dynamique :
1
Zc 
iC

R2 // R1
v  vg avec Z g  Rg  1
R1 R2 // R1  Z g iC
ZC

vg Rg
R2 v

schéma équivalent dynamique

R2 // R1
pour  suffisamment élevée : Z g  Rg et v vg
R2 // R1  Rg

A “très hautes” fréquences (à préciser suivant le cas), le condensateur peut être


remplacé par un court-circuit.

32
1. Les Diodes

1.1 Définition Id Id

 Caractéristique courant- Vd
tension d’une diode idéale : sous polarisation “directe”
(“Vd0”), la diode = court-circuit
(i.e. conducteur parfait)

Vd
sous polarisation “inverse” (Vd<0)
la diode = circuit ouvert

 Le courant Id ne peut “passer que dans un sens”.

 Ce type de composant est utile pour réaliser des fonctions électroniques telles que le
redressement d’une tension, la mise en forme des signaux (écrêtage, …).

La diode (même idéale) est un composant non-linéaire

 Aujourd’hui la majorité des diodes sont faites à partir de matériaux semiconducteurs


(jonction PN ou diode Schottky, cf cours Phys. et Tech. des SC 1A et Option: Physique des
dispositifs électroniques à base de SC, 2A) 33
1.2 Caractéristiques d’une diode réelle à base de Silicium
hyp: régime statique
(tension et courant Id
indépendants du
140
temps) comportement linéaire
100

60

20
Is
Vo
-2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1 Vd

 Pour Vd <0, la diode se comporte comme un bon isolant : Is ~ 1 pA - 1µA ,


 la diode est dite “bloquée”
 dans ce domaine son comportement est approximativement linéaire
 le courant “inverse”, Is , augmente avec la température

 Pour Vd >> ~0.7, le courant augmente rapidement avec une variation à peu près linéaire
 la diode est dite “passante”
 mais Id n’est pas proportionnel à Vd (il existe une “tension seuil”~ Vo)

34
Id
140

100

60

20

Vo
-2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1 Vd

 Zone « du coude » : Vd [0,~ Vo] : augmentation exponentielle du courant

  V   avec 1 2 (facteur “d’idéalité”)


I d  I s exp d   1
   VT   VT = k • T/e
k = 1,38 10-23 J/K= constante de Boltzmann
e= 1.6 10-19Coulomb, T la température en °Kelvin
Is = courant inverse

 le comportement est fortement non-linéaire


 forte variation avec la température

! VT (300K) = 26 mV / “Diode idéale” car comportement identique à celle prévue pour une jonction PN…
35
Limites de fonctionnement :

 Zone de claquage inverse Id

Ordre de grandeur :
VdId=Pmax
Vmax = quelques dizaines de Volts Vmax

Vo Vd
! peut conduire à la destruction pour une
diode non conçue pour fonctionner dans
cette zone.

! Vmax = « P.I. V » (Peak Inverse Voltage) ou claquage par effet Zener


« P.R.V » (Peak Reverse Voltage) ou Avalanche
 Limitation en puissance (1/2W pour les diodes standards)

Il faut que VdId=Pmax

 Influence de T : diode bloquée : Id = IS double tous les 10°C (diode en Si)

diode passante : Vd (à Id constant) diminue de ~2mV/°C

36
1.3 Diode dans un circuit et droite de charge

Point de fonctionnement

 Comment déterminer la tension aux bornes d’une diode insérée dans un circuit et le
courant qui la traverse?
Id
Val Vd Id , Vd, ?
RL VR

 Id et Vd respectent les Lois de Kirchhoff

 Id et Vd sont sur la caractéristique I(V) du composant

 Au point de fonctionnement de la diode, (Id,Vd) remplissent ces deux conditions

37
Droite de charge
V  Vd
 Loi de Kirchoff :   I d  al = Droite de charge de la diode dans le circuit
RL

Caractéristique I(V)

Id
Val/RL
Q
IQ Q= Point de fonctionnement

« Droite de charge »

Vd
VQ Val

 Connaissant Id(Vd) on peut déterminer graphiquement le point de fonctionnement


! procédure valable quelque soit la caractéristique I(V) du composant !

 On peut “calculer” le point de fonctionnement en décrivant la diode par un modèle simplifié.

38
1.4 Modéles « statiques » hyp: Id, Vd constants ou à variation lente (pas d’effets transitoires).
=“modèles grands signaux, basses fréquences”
Modèle de “première” approximation: Diode « idéale »

 On néglige l’écart entre les caractéristiques réelle et idéale


Id

pas de tension seuil Id

conducteur parfait sous polarisation directe Vd
 V <0: circuit ouvert
Vd
d

 Schémas équivalents :
Id Ri
pente=1/Ri diode “passante”
Val  Id  0
Val >0 Vd
V
Ri Val I d  al , Vd  0
Ri

Val Id
Ri
diode “bloquée”
Val< 0 Vd Val  Vd  0

Val I d  0, Vd  Val
39
Modèle amélioré de « seconde approximation »

tension seuil Vo non nulle Id


Id


caractéristique directe verticale
Vd
(pas de “résistance série”) Vd
 V <0: circuit ouvert
d
Vo
! Pour une diode en Si: Vo  0,6-0,7 V

schémas équivalents :
 Schémas équivalents Ri
Id diode “passante”
pente=1/Ri
Val
V  Id  0
o

Val >Vo Vd
V  Vo
Ri Vo Val I d  al , Vd  Vo
Ri
Val Id
Ri
diode “bloquée”
Val  Vd  Vo
Val<Vo Vd
Val I d  0, Vd  Val

40
Modèle de 3ième Approximation
Caractéristique réelle
pente = 1/Rf
 tension seuil Vo non nulle Id
 résistance directe R non nulle
f Vd
 V <0: résistance R finie
pente = 1/Rr~0 Modélisation
d r

! Pour une diode en silicium, Vd


Vo = 0,6-0.7V, Rf ~ q.q. 10Rr -2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1 1
Vo
>> M

 Schémas équivalents

schémas équivalents :
Id
Val >Vo : pente=1/Ri
Ri Vo
diode passante
Vd Id
Val Vd  I d  0 et Vd  Vo
Vo Val Rf  Vd  Vo  R f I d
Id
Ri
Val <Vo :
Vd diode bloquée
Val  Vd  Vo
Val Rr
41
Remarques :

V
 Rf  d
Id

 Le choix du modèle dépend de la précision requise.

 Les effets secondaires (influence de la température, non-linéarité de la


caractéristique inverse, ….) sont pris en compte par des modèles plus évolués
(modèles utilisés dans les simulateurs de circuit de type SPICE).

42
Calcul du point de fonctionnement via l’utilisation des schémas équivalents :

Problème: le schéma dépend de l’état (passante ou bloquée) de la diode. Il y a deux schémas


équivalents possibles… Lequel est le bon?

Démarche (pour débutant...):


a) choisir le schéma (ou état) le plus vraisemblable (en vous aidant par
exemple de la droite de charge)

b) calculer le point de fonctionnement Q de la diode

c) vérifier la cohérence du résultat avec l’hypothèse de départ

S’il y a contradiction, il y a eu erreur sur l’état supposé de la diode.


Recommencer le calcul avec l’autre schéma.

Démarche pour étudiants entraînés...


Un coup d’œil attentif suffit pour “deviner” l’état (passant/bloqué) de la diode !
Le calcul de Q se fait tout de suite avec le bon schéma équivalent...

43
Exemple : Calcul de Q du circuit suivant, en utilisant la 2ième approximation pour la diode.

50  hypothèse initiale :  diode passante [Vd >Vo , (Id>0)]

5V 50  0,6V
50  1k ID

5V
50  1k
Diode en Si :Vo = 0.6V
OK!

  I d  1,85 mA
Vd  0,6V

En partant de l’hypothèse d’une diode bloquée:  Vd  2,5V  Vo 

En utilisant la 3ième approximation: (Rf = 15, Rr = 10M)   I d  1,82mA et Vd  0,63V

Rem: Refaites le calcul après avoir remplacée la résistance de 1k par 10… 44
Autres exemples :

1)
Calcul de Id et Vd
50

pour :
Val Rc
a)Val = -5V, Rc = 1k
b) Val = 5V, Rc = 1k
c) Val= 1V, Rc = 1k
Diode au Si
d) Val= 1V, Rc = 10
Conseil: simplifier le circuit d’abord avant de vous lancer dans des calculs

2) D1 D2 50
3)

2V 1V
100 

Diode au Si Diodes au Si

45
1.5 Modèles dynamiques

Modèle petits signaux, basses fréquences

 Variation suffisamment lente pour que ID(VD) soit toujours en accord avec la
caractéristique “statique” de la diode.

Variation de petite amplitude autour du point de fonctionnement statique Q :


 la caractéristique Id(Vd) peut être approximée par la tangente en Q
pente : dI d
 id   vd
dI d dVd Q
Id dVd Q

schéma équivalent dynamique


correspondant au point Q :
I dQ 2|id| Q
Vd
1
dI d
Vo  = “résistance dynamique”
dVd Q
v| de la diode

VdQ

! Ce schéma ne peut être utilisé QUE pour une analyse dynamique du circuit ! 46
 Notation :
1
dI d
rf = = résistance dynamique pour VdQ> 0
dVd V  0
d

1
dI d
rr = = résistance dynamique pour VdQ < 0
dVd V  0
d

 Pour Vd >> Vo, rf  Rf


1
1   Vd 
dI d d  VT  VT
 Pour Vd  [0, ~Vo] , r f   I
 s e  I s  
dVd  dVd   Id
Vd
  
 Pour Vd < 0 , rr  Rr

25
! à température ambiante : rf     1
I d  mA

! proche de Vo la caractéristique I(V) s’écarte de la loi exponentielle


 rf ne devient jamais inférieure à Rf (voir courbe expérimentale, p27)
47
Exemple :
diode: Si, Rf = 10, Vo = 0,6V ,
Rb
1k C 2k Température : 300K

5V Ve
Ra 10µF D 
ve  0,1  sin 103  2  t 
ve Vd(t)

5  0,6
Analyse statique : ID   2,2mA, VD  0,62V
2000

26
Analyse dynamique : rf   12, Z c  16  Ra
2,2

Schéma dynamique :

2k

 vd  1,2  103 sin 103  2  t 
1k
 Amplitude des ondulations résiduelles : 1,2 mV
vd
ve ~ 12

48
Réponse fréquentielle des diodes

 Limitation à haute fréquence :

Pour des raisons physiques, le courant Id ne peut suivre les variations instantanées de Vd
au delà d’une certaine fréquence.

 apparition d’un déphasage entre Id et Vd

 le modèle dynamique basse fréquence n’est plus valable

 Le temps de réponse de la diode dépend :

 du sens de variation (passant bloqué, bloqué passant) (signaux de grande amplitude)

 du point de fonctionnement statique (pour des petites variations)

49
 Variation de Vd de faible amplitude, sous polarisation directe (VdQ >0)

Une petite variation de Vd induit une grande variation Id, c’est -à-dire des charges qui
traversent la diode

A haute fréquence, des charges restent “stockées” dans la diode (elle n’arrivent pas à suivre les
variations de Vd)

~ Comportement d’un condensateur, dont la valeur augmente avec Id


(cf physique des dispositifs semiconducteurs)

Modèle petits signaux haute fréquence (Vd >0) :

rc

 I dQ Ordre de grandeur : Cd ~ 40 nF à 1mA, 300K.


rsc Cd 
T
= “capacité de diffusion”

à basse fréquence : rc + rs = rf

la séparation en deux résistances tient mieux compte des phénomènes physiques en jeu.
50
suite de l’exemple précédent…: A quelle fréquence la capacité dynamique commence-t-elle à
5V influencer la tension vd ?
Rb
1k C 2k Id = 2,2mA  Cdiff ~100nF
Ra 10µF D
ve Vd(t)

Schéma dynamique en tenant compte de C diff : (hyp simplificatrice: rc ~0)

1k rth ~11


v v
~ 12
ve Cdiff vth Cdiff = « filtre » passe-bas

 v 
log 
-3dB
 vth 

log f
f  1  130kHz 51
2rthCdiff
 Variation de Vd de faible amplitude, sous polarisation inverse (VdQ < 0) :

Une variation de Vd entraîne une variation du champ électrique au sein de la diode, qui à son tour
déplace les charges électriques.

A haute fréquence, ce déplacement donne lieu à un courant mesurable, bien supérieur à Is.

Ce comportement peut encore être modélisé par une capacité électrique :

Modèle petits signaux haute fréquence (Vd < 0) :

rr 1
Ct  = capacité de “transition” ou “déplétion”
Vd  Vo

Ordre de grandeur : ~pF

52
 Diode en « commutation » : Temps de recouvrement direct et inverse

Le temps de réponse fini de la diode s’observe aussi en « mode impulsionnel », lorsque la diode
bascule d’un état passant vers un état bloqué et vice-versa.
VQ Vg
Vo t
R -VR
Vo Vd
Vd
Vg
-VR
temps de réponse
Id
(VQ-Vo)/R

-VR/R

le temps de réponse dépend du courant avant commutation.


ordre de grandeur : ps  ns
53
1.6 Quelques diodes spéciales

Diode Zener
Diode conçue pour fonctionner dans la zone de claquage inverse, caractérisée par une tension
seuil négative ou « tension Zener » (VZ)

 Caractéristiques
VZ : tension Zener (par définition: VZ >0)
Id
Imin : courant minimal (en valeur absolue) au delà
-Vz Vd duquel commence le domaine linéaire “Zener”
-Imin
Imax : courant max. supporté par la diode
(puissance max:Pmax ~VZImax)

-Imax

Ordre de grandeur : VZ ~1-100 V , Imin ~0,01- 0,1mA, Pmax  régime de fonctionnement


54
 schémas équivalents
Modèle statique :
hyp : Q  domaine Zener

Rz
Vd 
Id Id
Vz
+
-Vz Vd
-Imin
Q Modèle dynamique, basses fréquences, faibles
pente signaux :
1/Rz
1
 dI 
-Imax rz   d   Rz pour |Id| >Imin
 d Q
dV
 

55
Diode électroluminescente (ou LED)

 Principe : La circulation du courant provoque la luminescence

Fonctionnement sous polarisation directe (V > Vo)

L’intensité lumineuse  courant électrique Id

! Ne fonctionne pas avec le Si (cf. cours Capteurs)

Vo  0.7V ! (AsGa(rouge): ~1.7V; GaN(bleu): 3V)

56
Diode Schottky

Une diode Schottky est une diode qui a un seuil de tension Vo très bas et un temps
de réponse très court.

Diode Varicap
Une varicap est une diode à capacité variable. Elle utilise la variation de C t avec Vd
en polarisation inverse.

Photodiode

Sous polarisation inverse, la photodiode délivre un courant proportionnel à


l’intensité de la lumière incidente.

57
1.7 Applications des Diodes Un aperçu qui sera complété en TD et TP.

Limiteur de crête (clipping)


 Fonction : Protéger les circuits sensibles (circuits intégrés, amplificateur à grand gain…) contre
une tension d’entrée trop élevée ou d’une polarité donnée.

Clipping parallèle
(diode // charge)

Rg

circuit à  Ve ne peut dépasser significativement Vo


Vg Ve Ze protéger

Limite d’utilisation : Puissance maximale tolérée par la diode.

Clipping série :
Rg Ie

circuit à
Vg Ve(t) Ze protéger  Ie ne peut être négatif
58
Protection contre une surtension inductive (ex: ouverture/ fermeture d’un relais)

+20V  ouverture de l’interrupteur : +20V  Protection par diode :


dI
 V L    Vmax<0 ~ - 0.7V
V L dt
V
 VA  +  VA  ~20,7V
I
I
A  risque de décharge électrique ! la conduction de la diode
à travers l’interrupteur ouvert engendre un courant
transitoire et diminue la
! L’interrupteur pourrait être un tension inductive.
transistor...

59
Alimentation
 Objectif: Transformer un signal alternatif en tension continue stable
(ex: pour l’alimentation d’un appareil en tension continue à partir du secteur)

Les fonctions effectuées par une alimentation :

Redressement Filtrage passe-bas Régulation

V>0

V<0

60
Redressement simple alternance
Vs  Vm  0.7
220V
50Hz Vs Rc
(cf avant)
t
Ri =résistance de sortie du transformateur
Vm =amplitude du signal du secondaire

Redressement double alternance (pont de Graetz)

R
D1 Vs V
,i ~1.4V
D2

Vi Vs Rc
t
D3 D4 Vi  1.4V

61
avec filtrage : 50 
R
D1 D2

Rc=10k
Vi Vs
200µF
D3 D4

ondulation résiduelle

Charge du condensateur à travers R


et décharge à travers Rc
 RC << RcC

sans condensateur
avec condensateur

Régulation: utilisation d’une diode Zener (cf TD, TP et chapitre sur les transistors) 62
Autres configurations possibles :
 Utilisation d’un transformateur à point milieu :

! mauvais rendement, puisqu’à


secteur
chaque instant seule la moitié du
~
bobinage secondaire est utilisé

transformateur à
point milieu

 Alimentation symétrique :

+Val

secteur
~ masse

-Val
63
Restitution d’une composante continue (clamping) ou « circuit élévateur de tension »
 Fonction : Décaler le signal vers les tensions positives (ou négatives)
 reconstitution d’une composante continue (valeur moyenne) non nulle

Exemple : Rg C

Vg(t) Vc Vd
D

Fonctionnement : (hyp: diode au silicium)

 Lorsque Vg - Vc > ~0.7V , la diode est passante  Lorsque Vg - Vc < 0.7, la diode est bloquée
Rg C Rg C
I

Vc Vc
Vg Vd ~0.7V Vg Vd

 C se charge et Vc tend vers Vg – 0.7 Vc = constant (C ne peut se décharger!)

 Vd ~ 0.7  Vd = Vg +Vc
~ composante continue
64
 Cas particulier :
Rg C
Vg  Vm sin    t  pour t  0
Vg(t) Vc Vd
Vc  0 pour t  0 (C déchargé) D
 Phase transitoire au cours de laquelle le condensateur se charge

C=1µF
Simulation Rg =1k
Vg f= 100hz
Vc Vm =5V
charge du condensateur

Vd 0.7V

Vd
t (s)

65
Charge de C avec une constante de temps de RgC à chaque fois que la diode est passante

Décharge de C avec une constante de temps RrC

Le circuit remplit ses fonctions, si pour f >>1/RrC (105hz dans l’exemple) :

 en régime permanent: Vd  Vg - Vm

composante continue

Exercice : Modifier le circuit pour obtenir une composante continue positive.

66
Multiplieur de tension
 Fonction : Produire une tension de sortie continue à partir d’un signal d’entrée variable. La
tension continue est généralement un multiple de l’amplitude du signal d’entrée.
Exemple : doubleur de tension
Rg C Vg  Vm sin  2f  t  pour t  0

Vm=10V, f=50Hz, C=10µF


Vg ~ VD1 VRc Rc>> Rg
Cl
Rc=100k.

clamping redresseur monoalternance avec filtre RC


VD1 ,VRc
* En régime établi, le courant d’entrée du
redresseur est faible (~ impédance d’entrée
élevée)

 VRc  2  Vm  1,4  2  Vm

t
* Il ne s’agit pas d’une bonne source de
tension, puisque le courant de sortie (dans Rc)
doit rester faible (~ résistance interne élevée)
régime transitoire / permanent 67
Autre exemples : Doubleur de tension

source
AC
charge

L’impédance d’entrée de la charge doit être >> Rf + Rtransformateur+Rprotection

! source “flottante”  nécessité du transformateur

68
2. Transistor bipolaire

2.1 Introduction
 le Transistor = l’élément “clef” de l’électronique

il peut :
amplifier un signal
 amplificateur de tension, de courant, de puissance,...

être utilisé comme une source de courant

agir comme un interrupteur commandé ( = mémoire binaire)


 essentiel pour l’électronique numérique

...
il existe :
soit comme composant discret

soit sous forme de circuit intégré, i.e. faisant partie d’un circuit plus
complexe, allant de quelques unités (ex: AO) à quelques millions de
transistors par circuit (microprocesseurs)

69
 on distingue le transisor bipolaire du transistor à effet de champ

 différents mécanismes physiques

 Ils agissent, en 1ière approx., comme une source de courant commandé

 transistor bipolaire : commandé par un courant

 transistor à effet de champ: commandé par une tension

Icontrôle I commandé  A  I contrôle I commandé  G  Vcontrôle

Vcontrôle

source de courant source de courant


commandée par un commandée par une
courant tension

A = “gain” en courant G = transconductance.

Idéalement : l’étage d’entrée ne dépend pas de l’étage de sortie. 70


2.2 Structure et fonctionnement d’un transistor bipolaire
 Structure simplifiée

Transistor PNP Transistor NPN


E E
diode « EB » diode « EB »

émetteur
P+ N+
couplage B B
entre les N base P
diodes
P N
collecteur
diode « BC » diode « BC »
C C

Deux « jonctions PN ou diodes » couplées  « effet transistor »

Symétrie NPN/PNP

71
 Effet transistor Conditions de polarisation : Jonction EB : directe
Jonction BC: inverse
= MODE ACTIF du transistor
Exemple: Transisor NPN

RE
E N+ P N C
RC

IE 
e - E IC

VEE IB VCC
B

 si VEE > ~ 0.7V , jonction EB passante  VBE ~ 0.7V, IE >> 0

 La jonction EB est dissymétrique (dopage plus élevé côté E)


 courant porté essentiellement par les électrons (peu de trous circulent de B vers E)

 VCC > 0, jonction BC “bloquée” => champ électrique intense à l’interface Base/Collecteur

 La majorité des électrons injectés par l’émetteur dans la base sont collectés par le champ
 IC ~IE et IB = IE -IC << IE

 En mode actif, IC est contrôlé par IE , et non vice versa…


72
 Premières différences entre le transistor bipolaire et la source commandée idéale...

 Contraintes de polarisation : VBE > ~ 0.7V, VCB > - 0.5V


.

 Symboles
C C IE >0 en mode actif

B B

E E
PNP NPN

Conventions des courants :

IC IC
IB IB

IE IE

NPN
PNP
 IE = IB+IC 73
2.3 Caractéristiques du transistor NPN
VCE
 Choix des paramètres :

Les différentes grandeurs électriques (IE, IB, VBE,VCE, RE IE IC RC


…) sont liées: VEE
VBE IB VCB VCC
différentes repésentations équivalentes des
caractéristiques électriques existent
 Configuration “Base Commune”
( base = électrode commune)

Caractéristiques : IE (VBE,VBC), IC (VBC ,IE)

 Configuration “Emetteur Commun”


(émetteur= électrode commune)

Caractéristiques : IB (VBE , VCE), IC (VCE, IB)

La représentation des caractéristiques en configuration “collecteur commun” est plus rare.

74
Caractéristiques en configuration BC : CAS DU TRANSISTOR NPN

« caractéristique d’entrée »
IE (VBE, VCB) :
hypothèse: diode BC bloquée (mode usuel)

~ caractéristique d’une jonction PN


IE (mA)
 V  
I E  I s exp BE   1
VCB=0 , -15
  VT  
2
! très peu d’influence de IC (resp. VCB)
1

VBE (V)
0.1 0.5

Jonction BE bloqué Jonction BE passante


IE ~ 0, VBE < 0.5 V IE >0, VBE  0.6-0.7V= « Vo »

75
mode actif
IC (VCB, IE) :
Ic (mA) IE (mA) VBE 
2.0

1.5 1.5
1.0 1 IC  I E
0.5 0.5
0
-0.5 1 2 3 VCB (V)
 jonction PN polarisée en inverse
tension seuil de la jonction BC

 pour VCB > ~-0.5V, on a IC =FIE , avec Fproche de 1.


 En mode actif, I B  I E  I C  I E 1   F 

 pour IE = 0, on a IC = courant de saturation inverse de la jonction BC ~ 0


 Transistor en “mode bloqué”

 pour VCB  -0.7, la jonction BC est passante, IC n’est plus controlée par IE
 Transistor en “mode saturé”

Ordre de grandeur : F ~0.95 - 0.99 F = “gain en courant continue en BC”


76
Caractéristiques en configuration EC :
« caractéristique d’entrée »
IB (VBE, VCE) :
hypothèse: diode BC bloquée (mode usuel)

IB (µA) IC
IE

VCE= 0.1V N P E
N
3 IB

1.5
> 1V
0.5
0 VBE (V)
0.1 0.2 0.3

 VBE > 0.6V, jonction PN passante


 IB <<IE  charges non collectées par le champ électrique de la jonction BC
I B  1   F  I E

 Influence non-négligeable de VCE sur F  “Effet Early”

77
IC (VCE, IB) :
Ic(mA)
Ib= 20 µA
2 15µA

10µA
1
5µA
VCE (V)

1 3 5 Transistor bloqué
Transistor saturé Mode actif IC = “ICO”

Mode actif : BE passant, BC bloquée  VBE  0.7V et VCB >~ -0.5 V

 VCE = VCB +VBE > -0.5 + 0.7 ~0.2 V


F
IC   F I E   F  IC  I B   IC  I B " hFE " I B hFE = “gain en courant
1F
continue en EC” = “F”
ordre de grandeur : hFE ~ 50 - 250
! Grande dispersion de fabrication sur hFE.

Effet Early : F tend vers 1 lorsque VCE augmente  hFE augmente avec VCE

Mode saturé : Diode BC passante -> IC ~ indépendant de IB


 hFE diminue lorsque VCE  0 78
 Modes actif / bloqué / saturé
Transistor NPN
Configuration EC :

Mode actif : VBE  0.7V ~ 0.3V  VCE  VCC I c  hFE I B

Mode bloqué : IB  0 VCE  VCC IC  0

Mode saturé : VBE  0.8V VCE  0.2V I c  hFE I B

C B
B IB C B C C

B
 ~0.7V hFE IB
~0.8V ~0.2V

E
E E
E
Mode actif Mode bloqué Mode saturé

VCC = source de tension externe alimentant la maille contenant C et E (cf plus loin) 79
VCE ne peut pas dépasser cette valeur!
Transistor PNP
Configuration EC :

Mode actif : VBE  0.7V ~ 0.3V  VCE  VCC ( 0) I c  hFE I B

Mode bloqué : IB  0 VCE  VCC IC  0

Mode saturé :VBE  0.8V VCE  0.2V I c  hFE I B

C B
B IB C B C C

B
 ~0.7V hFE IB ~0.2V
~0.8V
E
E E
E
Mode actif Mode bloqué Mode saturé

80
 Valeurs limites des transistors

Tensions inverses de claquage des jonctions PN (EB, BC)

Puissance maximale dissipée : Pmax =VCE IC

Courants de saturations inverses :


IC , IB et IE 0 en mode bloqué

ICVCE =Pmax

fiches techniques :
81
 Influence de la température

La caractéristique d’une jonction PN dépend de la température

! les courants inverses (mode bloqué) augmentent avec T

VBE, à IB,E constant, diminue avec T

ou réciproquement : pour VBE maintenue fixe, IE (et donc IC) augmente avec T

Risque d’emballement thermique : T  I C   Puissance dissipée   T  

82
2.4 Modes de fonctionnement du transistor dans un circuit  Point de fonctionnement

 Droites de charges :
Le point de fonctionnement est déterminé par les caractéristiques du transistor et par les lois de
Kirchhoff appliquées au circuit.

Exemple :  Comment déterminer IB, IC, VBE, VCE ?

+VCC Droites de charges :

Rc V  VBE
Vth  Rth I B  VBE  I B  th
Rth
Rth
V  VCE
VCC  RC I C  VCE  I C  CC
Vth RC

83
 Point de fonctionnement

IB
VBEQ 0.6-0.7V, dès que Vth> 0.7V
V  VBE (diode passante
 I B  th
Rth transistor actif ou saturé)

Q
IBQ

VBE (V)
0.1 0.2 0.3
VBEQ

Ic(mA) VCE sat  VCEQ  VCC

Q VCC  VCE sat VCC


I CO  I c  
ICQ  IBQ Rc Rc
V  VCE
I C  CC
RC
Q fixe le mode de fonctionnement du transistor
ICO

VCEsat VCEQ VCE (V)

84
Exemple : Calcul du point de fonctionnement

+VCC=10V
Rc=3k Vcc
Rc
Rth=30k Rth IB

hFE =100
Vth 0.7V hFE IB
Vth =1V

 I BQ  10 µA
 I C Q  1mA On a bien : ~0,3 <VCEQ < VCC

 VCE Q  7V Résultat cohérent avec le mode actif du transistor.

85
 Remplacement de Rth par 3k +VCC=10V
Rc=3k
  I BQ  100µA
Rth=3k
  I C Q  10mA
hFE =100
  VCE Q  20V !!
Vth =1V

Résultat incompatible avec le mode actif

! le modèle donne des valeurs erronnées

Cause :
Ic(mA)  IBQ
En ayant augmenté IBQ,(réduction de Rth) Q
Q a atteint la limite de la zone
correspondant au mode actif
 VCE Q ~ 0.3V

et I CQ  3.2mA

VCEQ VCE (V)

86
 Quelques circuits élémentaires :
t<0 : VBE < 0.7V  Mode bloqué
Transistor interrupteur: +VCC

RC
+VCC RB

Rc “Interrupteur
VBB
ouvert”
0.7V I RC  0
RB
t

t>0 : VBE > ~0.8V, telque RcIc ~VCC


VCE ~qq. 100mV

IC Interrupteur fermé VCC


Vcc
“Interrupteur
Rc
RC fermé”
RB

Interrupteur ouvert
~0.8V ~0.2V <<VCC

VCE V  0.2 VCC


VCC I RC  CC 
VBEmin  0.7 RC RC
Vcc
I Bmin   87
( interrupteur fermé)
Rc hFE RB
Transistor source de courant :

VCC

charge V  0.7V
Rc  I  BB
RE
I “quelque soit” Rc …
tant que le transistor est en mode actif

•E
VBB RE
Domaine de fonctionnement : VBB  0.7V 
 0  VCE  VCC   RC  RE  I C  VCC

Source de courant Vcc


 Rc
max
  RE
I
pour Rc supérieure à Rcmax  transitor saturé

! Rcmin  0

88
Exercices : Calculer le courant dans la charge, la plage de tension

10V
15V

charge 560
10k I

Vz =5,6V
4,7k I
10k charge

89
Transistor, amplificateur de tension : hypothèses :
Point de fonctionnement “au repos” :
+VCC
Transistor en mode actif lorsque vB = 0
(amplificateur “classe A”)
RC
 Amplitude du signal vB suffisamment faible
IC
B pourque le transistor soit à chaque instant actif

 En 1ière approximation :
vB •E
VB  0.7
VSortie  IE   I C  I C  ic (IB <<IC)
RE
VBB RE
v
En négligeant la variation de VBE :  ic  B
RE

Enfin : VSortie  Vcc  Rc I C  VS  vs : S  Vcc  R  I C


avec V

R R
et vs   Rcic   c vb Le “signal”vB est amplifié par le facteur Av   c
RE RE

! Av = “” pour RE =0 ?? voir plus loin pour la réponse...


Comment fixer le point de fonctionnement au repos de manière optimale? 90
2.5 Circuits de polarisation du transistor

 Le circuit de polarisation fixe le point de repos (ou point de fonctionnement statique) du transistor

 Le choix du point de repos dépend de l’application du circuit.

 Il doit être à l’intérieur du domaine de fonctionnement du transisor (IC(B) < Imax,, VCE (BE) <Vmax,....)

 Les principales caractéristiques d’un circuit de polarisation sont :

 sensibilité par rapport à la dispersion de fabrication du transistor (incertitude sur hFE ,… )

 stabilité thermique.
(coefficient de température des différents paramètres du transistor :VBE, hFE,…).

91
 Circuit de polarisation de base (à courant IB constant)
IC
Dispersion de fabrication:
Vcc hFE mal défini
Rc
RC Q1 2 transistors
IC1 même IB différents
RB Q2
VCC IC2

VCE
VCE1 VCE2 Vcc
V  VBE Vcc  0.7
I B  cc 
RB RB

Q : I c  hFE I B et VCE  Vcc  Rc I c

Conséquence : hFE  Ic  VCE

Le point de repos dépend fortement de hFE = inconvénient majeur


 Circuit de polarisation peu utilisé.

Vcc
Exemple : Transistor en mode saturé  RB tel que I B  I Bsat 
Rc hFE
en prenant pour hFE la valeur minimale garantie par le constructeur. 92
 Polarisation par réaction de collecteur

+VCC VCC  0.7


 IC 
R
RC  B
hFE
RC
RB
Le point de fonctionnement reste sensible à hFE

Propriété intéressante du montage :


Le transistor ne peut rentrer en saturation puisque VCE
ne peut être inférieur à 0.7V

V  0.7
Cas particulier : RB=0  I C  CC VCE  0.7V
RC
Le transistor se comporte comme un diode.

93
 Polarisation par diviseur de tension - « polarisation à courant (émetteur) constant »

+VCC
+VCC Vth  Vo
IC  I E  (Vo~0.7V)
RE  Rth / hFE
R1 RC Rc

Rth VCE  VCC   RC  RE  I C

R2 R2
Vth avec Vth  VCC et
R1  R2
RE
Rth  R1 // R2

Rth V  Vo
Peu sensible à hFE : si  RE  I C  th
hFE RE
Bonne stabilité thermique de IC à condition que Vth >>Vo <~> VB >>Vo

Règles « d’or » pour la conception du montage :

• Rth/RE  0.1 hFEmin ou encore R2 < 0.1 hFEmin RE  IR2 10 Ib

• VE ~VCC/3
94
 Diminuer Rth augmente le courant de polarisation IR1
+VCC
Une façon de comprendre la stabilité du montage :
R1 RC
RE introduit une contre-réaction
R2
RE

Augmentation de T IE augmente VE augmente VBE et IE diminuent

contre-réaction
VBE I diminue de 2mV/°C
E
VB ~Vth

95
2.6 Modèle dynamique petits signaux
 Variation de faibles amplitudes autour d’un point de fonctionnement statique
 Comportement approximativement linéaire
 Modèles équivalents

 Caractéristique d’entrée :  V  
I B  I s exp BE   1 hFE
+VCC   VT  
IB
dr
RC oit
ed
ec
IC ha iB
B rg
e
• IBQ Q t
vB
vB •E
VSortie VBEQ VBE
0
0.2 0.4 0.6
VBB RE

vBE
t

Pour vB petit:
I B IE v hie = “résistance d’entrée dynamique” du
ib   vbe  vbe  be transistor en EC
VBE Q hFE  VT " hie "
96
Notation :
h V
" hie "  FE T = “résistance d’entrée dynamique” du transistor en EC
IE

B ib C

hie
vbe

hie « i » pour input, « e » pour EC, h pour paramètre hybride (cf quadripôle linéaire)

! Ne pas confondre hie avec l’impédance d’entrée du circuit complet. (voir plus loin).

! A température ambiante (300K) on a : 26  hFE


hie   
I E  mA

97
 Caractéristique de sortie en mode actif : droite de charge
Ic

ic=hfe ib
En première approximation :
t IBQ+ib
Q IBQ
ic " h fe "ib

B ib ic C
VCE
hie hfeib VCEQ
vce
hfe = gain en courant dynamique
E
 hFE en Q (*)
I c
En tenant compte de l’effet Early: ic  h feib  hoevce où hoe 
VCE Q

B ib ic C
hoe 1 = impédance de sortie du transistor en EC
hfeib
hie
hoe-1
Ordre de grandeur : 100k - 1M
E

98
Le modèle dynamique ne dépend pas du type (NPN ou PNP) du transistor
Note sur hFE et hfe :

droite de charge tangente en Q


Ic
Ic
IB (µA) ic  h feib
20
Q Q
15
droite passant par l’origine
10
1 IC  hFE I B
5
VCE
IB (µA)

on a généralement :
h fe  hFE

sauf à proximité du domaine saturé

99
 Analyse statique / analyse dynamique
Exemple: Amplificateur de tension
VCC VCC
A.N.:
Vcc=15V R1 Rc
R1 Rc
R1=47k
R2=27k statique
Rc=2.4k
RE=2.2k C
vg Vs=VS+vs VS
hFE=100 R2
RE R2
signal RE

composante
continue
Analyse statique : on ne considère que la composante continue des courants et tensions
 C = circuit ouvert (aucun courant moyen circule à travers C).
 Point de fonctionnement statique Q (cf avant)
 R2 
 VCC  VBE  mode actif A. N
R  R2
I EQ   1   ICQ  2.2mA
RE
A.N
100
 VS  VCC  Rc I CQ  10V
Analyse dynamique :
Hypothèses : transistor en mode actif  schéma équivalent du transistor

Schéma dynamique du circuit :


R1 Rc
ib
1 (circuit ouvert)
iC hie
R2 hoe-1
hfeib
vg vs
transistor
RE

en négligeant hoe...

ib
1
iC hie
R1 // R2 hfeib
vg vs
Rc

RE

101
Pour C suffisamment élevée on peut négliger son impédance devant les résistances :

ib

hie
R1 // R2 hfeib
vg vs
i RE Rc

RE

Calcul de la fonction de transfert vs/vg :

 
v g  hieib  RE iRE  hie  h fe RE ib vs

Rc  h fe

Rc
vg hie  RE  h fe h
RE  ie
vs   Rc  h fe  ib h fe

Pour RE >> hie/hfe on retrouve le résultat de la page 94.

102
Autre exemple :
.
R1=10
C DZ = diode Zener avec |VZ|=9,4V
Régulateur de tension IDz Imin = 1 mA
IC
Transistor de puissance DZ
charge: RL  25
hFE  h fe  50
hoe 1
~
Ve = B . IR2
T RL
Vs =VS + vs
15 ± 2V
R2
ondulation résiduelle
= 500
composante
continue

En  statique : Ve = 15V
0.6
VD  VZ et VBE 0.6V  VS  10 V I R2   1,2mA I C  I R1  I DZ  I RL  0.1  I Dz
500
et
10 I
V  VS I RL   0 .4 A I Dz  I R2  I B  0.0012  C
 I R1  e  0 .5 A RL h fe
R1

I
 I DZ  3mA , IC  97 mA et I B  C  2mA
hFE

103
Efficacité de régulation  ondulation résiduelle : Ve varie de ± 2V, quelle est la variation résultante de Vs ?

Etude dynamique du montage : h fe  25mV


I c  100mA  hie   13
I E  mA
R1
.
C

Rz
ib
ve RL vs
hie hfeib
R2

 
i  h fe  1  ib vs Rz  hie Rz  hie

hie <<R2
R1
.
C
i vs   Rz  hie   ib
i

h fe  1

h fe
 0.4

Rz
ve ib RL
vs
hie hfeib

104
R1
.
C
i

0 .4 
ve RL
vs

Rz  hie
v h fe Rz  hie
 s    0,03  1
ve Rz  hie  R Rz  hie  h fe R1
1
h fe

Le même montage sans transistor aurait donnée une ondulation résiduelle de


vs

 Rz  R2  // RL  0.7
ve  Rz  R2  // RL  R1

105
 Modèle dynamique hautes fréquences

Aux fréquences élevées on ne peut pas négliger les capacités internes des jonctions EB et BC.

En mode actif :
 la jonction EB introduit une capacité de diffusion Cd
 la jonction BC introduit une capacité de transition Ct .

Schéma équivalent dynamique hautes fréquences

B Ct
rce iC C
iB’
Cd hfe iB’ ro
hFE rse

! Ces capacités influencent le fonctionnement du transistor aux fréquences élevées et sont


responsable d ’une bande passante limitée des amplificateurs à transistor bipolaire (cf plus loin).

106
2.7 Amplificateurs à transistors bipolaires

2.7.1 Caractéristiques d’un amplificateur amplificateur


+VCC
Rg
ie

Ze il
ve Zs
vg vs

source -VEE vL
RL
charge

 Fonction: amplifier la puissance du “signal”


 tout amplificateur est alimentée par une source d’energie externe (ici: VCC et (ou) VEE)
v
 L’entrée de l’amplificateur est caractérisée par son impédance d’entrée Z e  e
ie
 La sortie agit comme une source de tension vs caractérisée par son impédance de sortie Zs

! Zs = résistance de Thévenin équivalent au circuit vu par RL

107
 Gain en tension :
Rg +VCC
Comme Zs  0 le gain en tension dépend de la charge ie
Ze iL
Définitions ve Zs
vg vs
vL v
Gain “en circuit ouvert” : Av   s source vL
ve R   ve -VEE RL
L
charge

v RL
Gain “sur charge”   : AvL  L  Av
ve RL  Z s

v Ze
Gain “composite”: Avc  L  AvL  Comme Ze   , Avc diffère de AvL
(tient compte de la v g Ri  Z e
résistance de sortie
de la source)

i A Z
 Gain en courant : Ai  L  vL e
ie RL

v i
 Gain en puissance : A p  L L  Avc  Ai
v g ie

108
L’amplificateur “idéal” :

 Gains indépendants de l’amplitude et de la fréquence (forme) du signal d’entrée

 Impédance d’entrée élevée  peu de perturbation sur la source

 Impédance de sortie faible  peu d’influence de la charge

La réalité...

 Domaine de linéarité : distorsion du signal pour des amplitudes trop élevées


Nonlinéarité des caractéristiques électriques des composants
la tension de sortie ne peut dépasser les tensions d’alimentation

 Bande passante limitée : le gain est fonction de la fréquence du signal


capacités internes des composants
condensateurs de liaison
Impédances d’entrée (sortie) dépendent de la fréquence

109
Illustration : système audio

110
2.7.2 Amplificateur à émetteur commun (EC)
 Particularités des amplificateurs EC :

 Le transistor en mode actif

 Le signal d’entrée est appliqué (“injecté”) à la base du transisor

 La sortie est “prise” sur le collecteur

 La borne de l’émetteur est commune à l’entrée et à la sortie  ”Emetteur commun”

 Les différences d’un amplificateur EC à l’autre sont :

 Le circuit de polarisation

 Les modes de couplages avec la source du signal et la charge.

 La présence éventuelle de condensateurs de “découplage” (cf plus loin).

111
Exemple :
VCC
R1 RC
 Polarisation par diviseur de tension

CB  Couplage “capacitif” avec la source, vg, et la charge RL.


CC
RL vs
vg
hypothèses :
R2
RE
 Point de repos du transistor: mode actif
( choix des résistances)

 A la fréquence du signal les impédances condensateurs “de liaison” sont négligeables :

1 1
  R1 // R2 ;  RL
C B CC

! CB est nécessaire pour que le point de fonctionnement statique (vg=0) ne soit pas modifié par la
présence du générateur de signaux.

! Cc évite que la charge “voit” la composante continue de V C, et qu’elle influence le point de repos
du transistor. 112
 Analyse statique : Les condensateurs agissent comme des circuits ouverts
 circuit de polarisation à pont diviseur

 Analyse dynamique :
rB  R1 // R2
rc  RL // RC

RC ie ib
R1
vg rB rc
C hie hfeib
ve vL
vg RL vL
RE iRE
R2 RE 
iRE  h fe  1  ib

 Gain en tension (sur charge): A  v L   rc  h fe Gain en circuit ouvert :


vL Remplacer rc par Rc
ve hie  RE  h fe

113
ie
 Impédance d’entrée :
Ze dépend de l’endroit d’où vous “regardez” l’entrée rB hie h feib
ve
de l’amplificateur.

- Impédance d’entrée vue de la source :


Ze ' 
RE h fe  1 
v
    
Z e  e  rB // hie  h fe  1 RE  rB // h fe RE
ie
 Ze
 schéma équivalent “vu de la source” :

VRE  RE h fe  1  ib 
- Impédance d’entrée vue après les résistances de polarisation :

 
Z e '  hie  h fe  1 RE  h fe RE (hie ~qq. 100 à qq. 1k Ohms)

 Gain en courant : ie iL

h fe vg rB hie
i hfeib rc
Ai  L  
ie
1
 
hie  h fe  1 RE
ve

rB RE

114
 Impédance de sortie :

Zs dépend de l’endroit d’où vous “regardez” la sortie. hfeib Rc RL


 Impédance de sortie vue de la charge (RL): Z s  Rc

Zs’ Zs

Zs de l’ordre de quelques k loin d’une source de tension idéale

 AvL diminue lorsque RL < ~Rc

Parfois RC constitue aussi la charge de l’amplificateur (tout en permettant la polarisation du


transistor)

'
 Impédance de sortie vue de Rc : Z s  " "

! ne tient pas compte de l’effet Early (hoe)

! approximativement vraie tant que le transistor est en mode actif


115
ie iL
Avec l’effet Early :
vg rB hie Rc
1
hfeib hoe
ve vsortie

RE

Zs’

Méthode de calcul possible (en fait la plus simple ici) :

Zs’ = RThAB = résistance entre A et B, avec vg court-circuité


= vs / i s !

A is
ib

1 :  
vs  hoe1 is  h feib  RE  is  ib 
rB hie 1
hfeib hoe
vs  2 : 0  hieib  RE  is  ib 
RE

B
vs 1  h fe RE  RE hie
Z s   hoe 1   
 hie  RE  hie  RE
is 116
 Droite de charge dynamique et dynamique de sortie :

droite de charge dynamique: pente 1/(rc+RE), passe par Qrepos


Ic

vce  vL  RE ic   rc  RE  ic
vce
vce ic
 ic   IBQ
rC  RE droite de charge statique
Q(repos) V  VCE
I C  CC
RC  RE

VCE

vce
t

le point de fonctionnement reste sur une droite de charge dite dynamique

117
La forme du signal de sortie change lorsque le point de fonctionnement touche les limites,
bloquée ou saturée, du domaine linéaire.

rc
vs   rcic  vce  vs  vce
rc  RE

VCEQ
Ic Ic
Q(repos) droite de charge
ICQ
IBQ IBQ

Q(repos)

VCE VCE

VCEQ
 rc  RE  ICQ
vce

Point de repos optimale pour une dynamique maximale : VCEQ   rc  RE  ICQ


118
résumé sous forme d’un schéma 1D (Morgan)

119
 Amplificateur EC avec émetteur à la masse :

RE est nécessaire pour la stabilité du point de fonctionnement statique.

RE diminue considérablement le gain...

“Remède” : découpler (“shunter”) RE par un condensateur en parallèle


 seul le schéma dynamique est modifié.

VCC

R1 RC pour CE ou f suffisamment* élevé :

ie ib
CB CC
vg rB rc
RL vs hie hfeib
vg ve

R2
RE
CE

h
*: RE // C E  ie 120
h fe
 Gain en tension (sur charge):
rc  h fe r le gain dépend fortement de rf
Av L     c >> gain avec RE
hie rf (résistance interne de la fonction BE)
(la contre-réaction n’agit plus en dynamique…)

kT rI
or rf   AvL   c C
IC kT

Le gain dépend de IC  distorsion du signal aux amplitudes élevées

v
 Impédance d’entrée de la base : Z e  e  hie significativement réduit...
ib

 Impédance de sortie : Z  h 1 // R (vue de la charge RL)


s oe c

121
 Droite de charge dynamique et dynamique de sortie :

vce  ic rc “droite de charge dynamique”

Ic
vce
ic
ICQ
Q

droite de charge statique

VCEQ VCE

rc I CQ

Il y a déformation du signal dès que : 


vs  min VCEQ , rc I CQ 
Le point de repos optimal correspond à VCEQ  rc I CQ

122
 L’amplicateur EC en résumé :

Emetteur à la masse :
R R
Gain en circuit ouvert : Av   C h fe   C  1 en valeur absolue
hie rf
Impédance de sortie : Z s  RC (de q.q. k )
Impédance d’entrée de la
base du transistor: Z e  hie (de q.q. k )

Avec résistance d’émetteur (amplificateur « stabilisé »):

RC R
Gain en circuit ouvert : Av    C
r f  RE RE

Impédance de sortie : Z s  RC

Impédance d’entrée de la base:  


Z e  hie  h fe  1 RE (élevée, hfe ~100-200)

L’inconvénient du faible gain peut être contourné en mettant plusieurs étages


amplificateur EC en cascade (cf. plus loin). 123
2.7.3 Amplificateur à collecteur commun (CC) ou encore montage « émetteur suiveur »

 Particularités des amplificateurs CC :

 Le transistor en mode actif

 Le signal d’entrée est appliqué (“injecté”) à la base du transisor

 La sortie est “prise” sur l’émetteur

 La borne du collecteur est commune à l’entrée et à la sortie  ”Collecteur commun”

 Les différences d’un amplificateur CC à l’autre sont :

 Le circuit de polarisation

 Les modes de couplages avec la source du signal et la charge.

 La présence éventuelle de condensateurs de “découplage”.

124
Exemple: VCC

R1  Polarisation par diviseur de tension

C  Couplage “capacitif” avec la source, vg, et la charge RL.


C
B

vg isortie
hypothèse: Mode actif
E
R2
RE vs
RL

Ze

Analyse simplifiée (« 1ière approximation ») :

Mode actif  VBE  0.7V  VE  VB  0.7V  vs  vE  v B  v g

v
 Av  s  1 L’émetteur “suit” la base.
vg

125
 Analyse dynamique : transistor
ientrée ib B C

hie hfeib
R1//R2 iL
E
vg
RE vs RL

Ze
RE RE  kT 
 Gain en tension en circuit ouvert : Av   1  RE  r f  
hie RE  r f  I E
RE 
h fe  1

 Gain en tension sur charge : A  rE


vL  1 avec rE  RE // RL
rE  r f

 
 Impédance d’entrée : Z e  rB // hie  h fe  1 rE  1  
vs
iL RL Z Ze
 Gain en courant : Ai    AvL e   1
ientrée vg RL RL
Ze
126
 Impédance de sortie
hie
ib
is
v
hfeib
vs Zs  s
rB
RE is v  0
vs g

   
vs  RE  is  h fe  1 ib 


  hvs 
  v s RE is  h fe  1

vs  hie  ib   ie 

hie
RE
RE hie h fe  1 hiehie !
Zs    RE //   rf

hie  RE h fe  1  hie
 RE h fe 1 h fe
h fe  1

127
 Dynamique de sortie

VCC
droite de charge dynamique : pente 1/rE
Ic
R1
droite de charge statique
C
C
B Q(repos) V  VCE
I C  CC
isortie RE
vg
E VE  VCC  VCE
R2
RE vs rE I CQ VCE
RL

VEmax  VCC -0.2V VEmin  0 V

Point de repos optimal : VCEQ  rE I CQ

! Le point optimal dépend de la charge.

128
L’amplicateur CC en résumé :
Av  1

Z e  R1 // R2 //( hie  h fe rE )  h fe RE peut être de l’ordre de quelques 100k

Rg  hie Rg  hie
Z s  RE //  inférieure à quelques dizaines d ’Ohms
h fe  1 h fe

RL i Z
Av L  Av  Av Ai  L  Av L e  1  hfe si RE constitue la charge
RL  Z s ie RL
(iL = ic et ie  ib )
Intérêts du montage :
Faible impédance de sortie Impédance d ’entrée élevée

Applications :

« Etage - tampon »  Isolement d ’une source à haute impédance de sortie d ’une charge à basse
impédance.
exemple : 1

Amplificateur de puissance (cf plus loin) 129


2.7.4 Amplificateur à base commune (BC)
 Particularités des amplificateurs BC :

 Le transistor en mode actif

 Le signal d’entrée est appliqué (“injecté”) à l’émetteur du transisor

 La sortie est “prise” sur le collecteur

 La borne de la base est commune à l’entrée et à la sortie  ”Base commune”

VCC

RC hfeib
E C
R1
RL rc
RE hie
ib B

R2 RE
vg

130
hfeib
 Propriétés :
E C

ve RE rc
hie
h fe rc
 Gain en tension : Av L  ib B
hie

Ze Zs
h fe
 Gain en courant : Ai  1
hie
 h fe  1
RE

 Impédance d’entrée : Z e  RE // hie  hie  r f  kT quelques .


h fe  1 h fe  1 I CQ

 Impédance de sortie : Z s  "" (hoe = 0) 1


sinon Z s  hoe comportement en source
de courant

131
Exemple d’application : convertisseur courant - tension

quadripôle équivalent à l’étage BC


R
is
ie
vg
Ze Ai ie RL
Zs

vg vg
ie    vs  RL  is  RL  Ai  ie
R  Ze R tant que RL <<Zs.

~indépendant de Ze tension de sortie  courant d’entrée

! Lorsque vg = 0, (ie=0), la sortie est “vue par la charge” comme une résistance très grande (hoe-1)
(cf. charge active)

132
2.7.5 Influence de la fréquence du signal

On se limitera au montage EC pour illustrer l’influence de la fréquence du signal sur les


performances d’un amplificateur à transistor bipolaire.

Limitation à basse fréquence condensateurs de liaison et de découplage


Limitation à haute fréquence capacités internes au transistor

Basse fréquence C et Ce  court circuit


+VCC filtres passe-haut

RC Rg C ib C
R1

hie hfeib
RG dynamique R1 // R2 RC RL
RL
vg

RE CE
R2 RE

Z E  RE // C E  0
1 ZE diminue le gain
f ci  , avec r  R1 // R2 // Z e  Rg
2 rC (voir ampli stabilisé)
Ze = impédance
d ’entrée de l ’étage 1
Fréquence de coupure inférieure du f co 

montage ~ max f ci , f co  2  RL  RC  C 133
Hautes fréquences

Rg ib
Cbc
hie hfeib Rc // RL
R1 // R2 Cbe

qualitativement: aux fréquences élevées, Cbe court-circuite la jonction base-émetteur  ib diminue


Cbc crée une contre-réaction.

On montre que : Comportement en filtre passe-bas, avec

1
f ch 
 
 h fe

2 Cbe  Cbc 1 
hie

RL  hie // Rg // R1 / 2 
  

134
2.7.6 Couplage entre étages

 Objectif

Coupler plusieurs “étages” pour améliorer les propriétés du circuit...

Exemple : Amplificateur avec


- gain en tension élevé
- faible distorsion
- bonne stabilité (thermique, dispersion)
- impédance d’entrée élevée
- impédance de sortie faible

Solution possible :  stabilité et faible distorsion  EC stabilisé (RE)

 gain élevé  plusieurs étages en cascades

 Ze élevée  étage C.C en entrée

 Zs faible  étage C.C en sortie

Difficultés du couplage :  Polarisation de chaque étage


 Gain sur charge : chaque étage “charge” l’étage précédent
 Réponse en fréquence de l’ensemble (cf. couplage capacitif)
135
 Couplage capacitif
Utilisation de condensateurs de liaison, CL
Exemple: amplificateur à trois étages CC - EC - CC
+VCC

R1 RC R1
R1

CL CL

CL CL
ventrée charge
RE
R2 RE
R2 R2
RE’ CE

C.C. E.C. C.C.

* Les points de fonctionnement des 3 étages sont indépendants (en statique CL = circuit ouvert)
(dans l’hypothèse où la résistance interne de Vcc négligeable…)

* Les paramètres dynamiques (gains, impédances) ne sont pas indépendants


ex: l’impédance d’entrée du 3ième étage (= charge de l’étage E.C.) détermine le
gain sur charge du 2ième étage, etc.
136
+VCC

R1 RC R1
R1

CL CL
T1 T2 T3
CL CL
ventrée charge
RE
R2 RE
R2 R2
RE’ CE

C.C. C.C.
E.C.
ier ier ier
Av L montage  AvL 1 ét.  AvL 2 ét.  AvL 3 ét.

comme Z e E.C  Z sCC et Z eC.C  Z s EC  AvL  étages  Av

Rc h feT2
AvCC  1  AvL montage  Av E.C  
hieT2

137loin)
Inconvénient: les condensateurs imposent une fréquence de coupure basse au montage (cf. plus
Couplage direct

Pas de fréquence de coupure basse


Les circuits de polarisation des différents étages ne sont pas indépendants.

30V
Un exemple :
24k
hfe ~100
5k 27k
T4
T3
vs
T1 ,T2=PNP!! T2 2.4k
T1 680
vg
Av  -10

AvL ~1 2 suiveurs E.C. E.C.


“Darlington” AvL  -40 = gain en circuit ouvert
(2.4k x hfe>> 27k)

Amplificateur de tension stabilisé : Av  AvEC #1  AvEC #2  AvEC #1  AvEC #2


L L

Ze élevée :
T T
 T

Z e  h fe1 Z eT2  h fe1 h fe2  5000  50M  Zs  24 k 138
 Analyse statique :
VCC= 30V
24k
VCC polarise en directe les deux
jonctions EB de T1 et T2 5k 27k
(transistors PNP) 3V T4
En statique, vg = 0
0.7V T3
T1 vs
 VCE  0.7V T
0.7V T2 I E3 2.4k
 T1 en mode actif 680
T1

T
 VCE2  1.4V

 T2 en mode actif

T T T T
 VE 3  0.7V  I C3  I E3  1mA  VCE
3  2.3V  T en mode actif
3

T T T T
 VE 4  2.3V  I C4  I E4  1mA  VCE4  3.6V  T4 en mode actif

I E2
T I E 2  5.7 mA et I E1 
 VC 4  6V hFET2 139
Mais attention…. VCC= 30V
refaisons le calcul avec VBE=0.6V : 24k

5k 27k
T2
 VCE  1.2V 3V T4

 VET3  0.6V 0.6V T3


vs
T
0.6V T2 I E3 2.4k
 I CT3  I ET3  0,88mA  0,9mA
T1 680
T3 vg
 VCE  5.7V au lieu de 3V…

 VET4  5.1V  I CT4  I ET4  2,1mA  2mA

T4
 VCE  18V  T4 en mode saturé !!

Amplification des dérives des composantes statiques

140
 Couplage par transformateur : condensateur d ’accord:
le circuit résonnant, LC, limite la
étage EC transmission aux fréquences
proches de la fréquence de
résonnace
 
 Av   Z c 
 r f 

condensateur de découplage
(masse en alternatif) (EC)

polarisation par
diviseur de
tension

transmission du signal d’un étage à l ’autre par le transformateur

Application majeure: essentiellement en radiofréquences (>500kHz)


exemple: syntonisation d ’une station radiophonique ou d ’un canal de télévision

141
2.7.7 Amplificateurs de puissance
 Impédance de sortie et amplicateur de puissance

Puissance moyenne fournie par l’amplificateur :


Zs
2
 RL 
iL  vs 
vL 2  RL  Z s  RL  vs 2
vs
vL RL P  v L  t   iL  t    
charge 2 RL 2 RL 2 RL  Z s  2

1
cos 2 t  , vL  amplitude du signal
2
étage de sortie dP 2
v
d’un amplificateur Puissance maximale: 
dRL
 0   RL  Z s  Pmax  s
8  Zs
(“adaptation” d’impédance)

! Pour vs constant, Pmax augmente quand Zs diminue


A.N. vs=1V : Zs=10kPmax=0.012mW | Zs=10Pmax=12mW
Rg Etage CC
gain en puissance en conditions
Zs d’adaptation d’impédance avec et
vg Ze vg charge sans étage amplificateur = Zs /Rg
142
 Amplificateur de Darlington
Amplificateur comprenant deux étages émetteur-suiveur montés en cascade
 Gain en tension :
Vcc
“Darlington” L’impédance d’entrée de T1 est très élevée et ne
“charge” pas beaucoup T2
R1
 Av  1
T2
R2  Impédance d’entrée du Darlington :
vg T1
(après les résistances du pont diviseur)
vs
L’impédance d’entrée élevée de T1 constitue la
RE résistance d’émetteur (RE) de T2

Ze  Z e  h fe2  Z eT1  h fe2  h fe1  RE  1


T1: hfe1 T2:hfe2
Ib (T2) très faible  choix de R1 et R2

 Gain en courant :

T T T T T
iE1 iE1 ib1
iE1 iE2
Ai     h fe1  h fe2
T2 T1 T2 T1 T2
ib ib ib ib ib
143
 Impédance de sortie du Darlington :

hieT2
 hieT1
Vcc Z sT2  hieT1 h fe
2 hieT2
 Zs   2
h fe h fe1 h fe1 h fe2
1
R1

T2 T1 kT  h fe1 kT hieT2
puisque hie   
R2 I E T1 e  I E1 e  I E2 h fe2
vg 2

I E1 vs
RE I E2  I B1 
I E1
h fe  hFE 
h fe1

h
Etage CC unique : Z s  ie
h fe

Pmax  étage CC avec Darlington   Pmax  simple étage CC 


144
Darlington = “supertransistor” bipolaire….

Existe sous forme de composant discret à trois bornes, nommé transistor Darlington. Il se
comporte comme un seul transistor à gain en courant extrêmement élevé.
(ex: 2N2785: hfe=2000-20000.)

Existe aussi avec des transistors PNP.

Utilisé fréquemment pour les applications d ’isolement entre étages (Ze très élevée, Zs très faible)

Utilisé fréquemment comme étage de sortie des amplificateurs de puissance (Z s très faible)

145
 Amplificateur Push-Pull
 Amplificateur classe A / classe B
Dans les montages amplificateur vus précédemment, les transistors sont à chaque instant
en mode actif
 Amplificateur de “classe A”
Avantages:
faible distorsion (en cas d’amplificateur stabilisé)
simplicité
Inconvénients :
Amplitude de sortie limitée (typ: 0.2<VCE<Vcc  vCEmax~Vcc/2)
Importante consommation en absence du signal : courants de polarisation non nuls

+VCC

R1 RC

Palimentation  Vcc  I CQ  I p 
Ip I CQ
ex: Vcc = 15V, IC=1mA, Ip = 0.1mA => P ~ 15mW
R2
RE en absence de signal…

Amplificateur classe B: transistor bloqué en absence de signal d’entrée. (ex: Push-Pull)


Avantages: Inconvénients :
faible consommation, dynamique de sortie élevée Distorsion du signal 146
 Push Pull
Principe de fonctionnement
Exemple :
 Transistors bloqués au point de repos
(amplificateur « classe B »).

+Vcc R1 et R2 sont telles que (lorsque vg=0) on a

R1 ICNPN
VBE NPN  ~ 0.6 et VEB PNP  ~ 0.6V
B
NPN  Transistors bloqués (de justesse): IB~0 =>IC~0
R2
NPN PNP
P VCE  VEC  VCC NPN VCC PNP
~1.2V VCE   VEC
vg ICNPN  ICPNP Q 2 Q
R2 RL
vsortie
PNP ICNPN ICPNP
B’
R1 ICPNP VP

IB~0 IB~0
IC VCENPN

0 PNP VCC VCEPNP


NPN VCE
VCE Q
-VCC Q 0 147
émetteur suiveur  En présence d’un signal d’entrée chaque transistor
est alternativement actif ou bloqué ( « Push-Pull »)
+Vcc
R1  Si v g>0  NPN actif, PNP bloqué
B V p  VB  0.7V
NPN
 V p  VB  v g
R2
P
~1.2V
vg
R2 RL Droite de charge dynamique
vsortie
IC v
B’
PNP ic   CE droite de charge statique
RL VCEQ ~VCC/2
R1
 Amplitude max : VCC/2

IB=0
VCC/2 VCE

 si vg<0  NPN bloqué, PNP actif …

148
Formation du signal de sortie

IC IC
vg
ib NPN  NPN PNP
h fe RL
VCE
VEC
t

ibPNP

Signal de sortie:
vsortie
NPN actif

t
PNP actif

Plus grand domaine de fonctionnement 149


Difficultés de cet exemple
 positionnement du point de repos

VBEQ trop faible


IC
ICsat
t
t
VCE
transistors bloqués

 Distorsion de croisement : Si VBE trop faible au repos, les deux transistors seront bloquées
pendant une fraction du cycle.

 Risque d’emballement thermique (pas de contre-réaction)

150
Polarisation par diodes
Point de repos
+Vcc choix de R1 : ID ~0
R1 comme VD =Vbe IE ~ID ~0

NPN
Idéalement D1, D2 = diodes de caractéristiques
D1 appariés aux transistors
ID 2  VBE

vg D2 RL
PNP vsortie

R1

Remarques:
 L ’amplificateur Push-Pull existe aussi avec des paires de Darlington
 Zs plus faible  puissance maximale supérieure 151
2.7.8 Amplificateur différentiel
! Deux signaux d’entrée, V+, V- +Vcc
! Sortie = collecteur d ’un transistor
Rc Rc

hypothèse : T1 et T2 appariés (circuit intégré) Vs

RB
 Régime statique :  V  V  0  T1 T2
V IE E RB
IE V
Par symétrie : IE1=IE2=IE RE 2IE
-VEE

Pour RB <<hfeRE : VRB  RB I B  2 RE I E  VEE  0.7  2 RE I E

V  0.7
I E  EE
2 RE

Tension continue en sortie : Vs  VCC  Rc I E

152
 Régime dynamique: +Vcc
 Mode différentiel:
Rc Rc
hyp: V  V " ve " Vs
 I E1  I E  ie 1 et I E2  I E  ie RB
2 T1 T2 RB
avec IE la composante continue du courant émetteur. V E V
Pour de signaux d’entrée de faible amplitude : ie  ie RE
1 2
Par conséquent : I RE  I E1  I E2  2 I E -VEE
Le courant dans RE n’a pas changé, et la tension en E reste constante.
E constitue une masse dynamique !

d ’où le « gain en mode différentiel » :


Rc Rc
v Rc h fe
vs Ad  s   1
ve hie
RB

E RB
ve  ve ! V+ = entrée non-inverseuse
! V- = entrée inverseuse
étage EC
Rc h fe Rc h fe
vs     ve   ve 153
hie hie
 Mode commun:
+Vcc
hyp: V  V  ve  I E1  I E  ie
Rc Rc
et I E2  I E  ie
Vs
 I RE  I E1  I E2  2 I E  ie  RB
T1 T2
 VE  2 RE   I E  ie   2 RE I E  2 RE ie V E RB
V

RE
La tension en E équivaut à celle d’un étage unique
ayant une résistance d ’émetteur double. D ’où le -VEE
schéma équivalent :

Rc Rc

vs
Rc
RB RB vs   ve
2 RE
E E’
ve ve d’où le «gain en mode commun »:

2RE 2RE Rc
Ac    1 pour RE  RC
2 RE

2 étages EC stabilisés indépendants 154


 Signaux d’entrée quelconques :

On peut toujours écrire : V  V V  V


V     Vmc  Vmd
2 2
V  V V  V
V     Vmc  Vmd
2 2

V  V V  V
avec Vmc   et Vmd  
2 2

 v 
D’où, par le principe de superposition : vs  Ad vmd  Ac vmc  Ad  vmd  mc 
 CMRR 

Ad 2h fe RE
où CMMR   = « taux de réjection en mode commun »
Ac hie (common mode rejection ratio)

Intérêts de l’amplificateur différentiel : Entrées en couplage direct (seule vmd est amplifiée)

Ampli. différentielle = étage d’entrée des Amplificateur opérationnel.


Impédance d’entrée et CMRR très élevés

155
 Polarisation par miroir de courant

2h fe RE
Il faut CMRR   1
hie
+Vcc
Choisir RE très élevée pose plusieurs problèmes:

nécessite une augmentation de l’alimentation Rc Rc


pour maintenir Ic (donc le gain) constant Vs

incompatible avec la technologie des circuits RB


T1 T2
intégrés. RB
V V

IEE
! il suffit que RE soit élevée en régime dynamique ! R
Solution = source de courant ( R,D,T3) T3
D IE3
hyp: D et T3 = appariés -VEE
V  VEE  0.7
 I EE  I E3  cc
R

156
« Miroir » de courant
Hyp: la caractéristique I(V) de la diode est identique (appariée) à celle de la jonction BE du transistor

V  0 .7
Val I D  al
R

comme VBE = VD
R
IC = ID

A IC est le « miroir » de ID…


ID IC
 I ne dépend pas du circuit en pointillé
vu de A, le circuit se comporte comme une source de
courant idéal (tant que le transistor est actif)

VD
 en tenant compte de l’effet Early, IC dépend
légèrement de VCE

157
Schémas équivalents du circuit vu de A :

Val schéma statique schéma dynamique


« grands signaux » petits signaux

IC=ID +VCE . hoe iC=vCE . hoe


A
ID IC

ID R ~hoe-1 R ~hoe-1

VD

 R > 100 k

158
Schéma équivalent de l’ampli différentiel:
en dynamique
+Vcc

Vs vs

IEE hoe-1 hoe-1

-VEE

hoe-1 (effet Early de T3) est de l’ordre de quelques 100k


En dynamique, hoe-1 joue le même rôle que RE et augmente considérablement CMRR.

159
Exemple d’application

Thermostat

160
Exemple d’application

Thermostat

« charge active »

R
0.5mA

B
A

Figure 2.76
paire différentielle

source de courant

161
Exemple d’application

Thermostat
Si VA> VB

R
0.5mA

B
A

Figure 2.76
paire différentielle

source de courant

162
Exemple d’application

Thermostat
0.6V 0.6
Si VA> VB I  6A
0.1

R
0.5mA

B
A

Figure 2.76
paire différentielle

source de courant

163
Exemple d’application

Thermostat
Si VA< VB 0V I  0A

R
0.5mA

B
A

Figure 2.76
paire différentielle

source de courant

164
3. Transistors à effet de champ ou FET (field effect transistor)
3.1 Introduction
 Caractéristiques de base

 Composant à trois bornes : S, D et G, (parfois quatre: substrat)

 Un courant (ID) peut circuler de VGS


VDS
la source S au drain D via le
“canal” (zone dans le G
S D
semiconducteur, proche de
l’interface avec la grille): ID
canal
 Le courant circulant dans la grille (IG) est négligeable. substrat (Si)
=> IS = ID !

 ID , à VDS constant, est commandé par la tension


de grille – source (VGS) ”effet du champ”
électrique

 FET à canal N : courant porté par les électrons, de S vers D


(sens positif de ID: de D vers S)
 FET à canal P : courant porté par les trous, de S vers D
(sens positif de ID: de S vers D) 165
 Allure générale des caractéristiques “de sortie” : I D VDS  VGS

ID

Régime
Mode actif
linéaire
VGS = cst

~résistance
~ source de
modulée par
courant
VGS
commandée par
VGS

VDS
166
limite de zones
 Différences entre FET et transistor bipolaire :

 IG << IB
 Impédance d’entrée très grande (parfois > 10 14)
 Montages de polarisation plus simples

 Régime linéaire
 pente = f(VGS)  résistance variable (pas d’équivalent pour le bipolaire)
 VDSsat > VCEsat : tension résiduelle du transistor en mode saturé plus élevée.

 Régime de saturation (mode actif)


 ID commandé par une tension
dI
 transconductance g m  d (au lieu de hfe)
dVgs
Dispersion de fabrication plus élevée sur gm que sur hfe

 Caractéristiques « transverses » en mode actif :


 Bipolaire : à VCE cst, IC =IB ou IC = IE

 FET: à VDS cst, ID = f(VGS) = relation non-linéaire


 dépend du type de FET….

167
 Différences entre FET et transistor bipolaire :

figure 3.2 p 115

168
 Différents types de FET

 JFET : FET à jonction : La grille et le canal forme une jonction PN

S D S D

G G

JFET à canal P JFET à canal N

Transistor « normalement passant »

ID est maximal pour VGS = 0, et diminue lorsqu’on augmente VGS (en valeur absolue).
ID est nulle lorsque VGS dépasse une valeur limite VGSoff.

Canal P : VGS > 0  la charge positive sur la grille repousse les trous

Canal N : VGS < 0  la charge négative sur la grille repousse les électrons

169
 MOSFET (Métal Oxyde Semiconducteur – FET) à enrichissement :

La grille et le canal forment un condensateur à “plaques //”, l’isolant étant l’oxyde du silicium.

substrat G substrat
G

S S

MOSFET : canal N canal P

transistor « normalement bloqué ».

ID est nul lorsque VGS = 0 et augmente dès que VGS dépasse une valeur seuil Vs

Canal P : Vs < 0  la charge négative sur la grille attire les trous

Canal N: Vs > 0  la charge positive sur la grille attire les électrons

170
La ligne pointillée indique que le canal est inexistant tant que V GS < Vseuil

Le substrat est généralement relié à la source.

Les transistors MOSFET à appauvrissement :


• comportement similaire au JFET, mais VGS >0 (canal N) autorisé
• très peu utilisés
• non traités en cours.
D’autres symboles sont parfois utilisés pour les mêmes composants
Exemples:

171
 Caractéristiques d’un JFET à canal N : Conditions de fonctionnement : VGS  0 , VDS  0

VDS sat  VGS  VP


ID (mA) VGS=0
VDS  VDS sat 16 I DSS
12
transistor 8
VGS=-1V
bloqué
4
0
VGS(V) -2 -1.5 -1 -0.5 2V 4 6 8 VDS (V)
P
VGSoff
2
Régime de saturation Pour VDS  VDS sat :

 VGS
V
I D  I DSS 1  GS



  k V V
GS GS off 
2 k
I DSS
VGS off 2
 off 

Régime « linéaire » Pour VDS  VDS sat : 


 
V 
I D  2k  VGS  VGSoff  DS   VDS
 2 

pour VGS < VGSoff, ID  0, transistor bloqué.

pour VGS >0, le courant IG augmente rapidement (zone non utilisée).


172
tension de « pincement » VP ~ - VGSoff
 Caractéristiques d’un MOSFET à canal N :

VDS sat  VGS  VS


VDS  VDS sat
ID ID

transistor
bloqué
VGS(V)
Vs VDS (V)

Régime de saturation Pour VDS  VDS sat : I D  k  VGS  Vs  2

Pour VDS  VDS sat : I D  2k  VGS  Vs   DS   VDS


V
Régime « linéaire »
 2 

pour VGS < VS, ID  0, transistor bloqué

VGS-VS = « tension d’attaque de grille ». 173


En résumé : VDS  VDS sat

VGSoff Vs Vs VGSoff

174
3.2 Schémas équivalents petits signaux
 Régime linéaire : VDS  VGS  VP
ID

VDS
G D

= RDS

S
résistance fonction de VGS


Pour VGS > VP , et VDS <VGS +VP : RDS  avec k = constante
 V 
k  VGS  VP   DS  dépendant du composant
 2 
Condition: VDS suffisamment faible (<VGS+VP ), souvent inférieure à 0.5V.
Dans ces conditions, Source et Drain peuvent être inversés.

JFET: “RDS(on)” = RDS pour VGS  0 MOSFET enrichissement: “RDS(on)” = RDS pour VGS élevée (~10V).

ordre de grandeur: RDS on  0.05  10k  


RDS off  RDS VGS  VGS off (canal N)  M 175
 Régime de saturation :
ID
Pour VDS  VDS sat , ID est commandée par VGS Q  VGS

I D  k VGS  VS  2
VDS
ID est commandé par VGS

id  g m v gs avec g m   I D =“transconductance”
 VGS V ID (mA)
DS
16
12
schéma linéaire équivalent: Q 8
G id D 4

v gs g m v gs vds 0
 VGS(V) -2 -1.5 -1 -0.5
VGSoff
S
tient compte de l’augmentation de vds avec id
(équivalent de l’effet Early)

caractéristique ID(VGS) non-linéaire : gm (VDS) 176


JFET

 V 
g m  g mo 1  GS , avec g  2 I DSS
 VGS  mo = pente pour VGS=0
 off  V GS off

gm varie linéairement avec VGS .

MOSFET à enrichissement

g m  2k VGS  Vs 


Ordre de grandeur : gm=1 - 10 mA/V (mS ou mmho) g m 1  0.1  1k 

177
3.3 Quelques circuits de polarisation
Objectif : fixer le point de fonctionnement au repos

 Polarisation automatique par résistance de source d’un JFET:

+VDD

RD 1 ID ID V  VDS
ID   VGS I D  DD
ID RS RD  RS
IG  0 G D
S
RG ID Q  VGS
Q
Q’
RS Q’

VGS VP VDS
VGSQ VDSQ
Dipersion de fabrication
2
 V 
I D  I DSS 1  GS  
 VGS  
 off    ID , VGS , VDS .
V 
I D   GS  178
RS 
 Polarisation par réaction de drain (MOSFET à enrichissement)

+VDD
V  VDS I G  0  VGS  VDS
I D  DD
RD RD
RG
ID ID
Q
D . VGS 
S
VGS(V) VDS (V)
VDD

I G  0  VGS  VDS

179
3.4 Applications des FET
 Sources de courant à JFET
+VDD

VGS  0  I D  I DSS
charge

Avantage du JFET: polarisation de la grille inutile.

Inconvénient : dispersion de fabrication sur I DSS.

IDSS= augmente avec VDS  résistance de sortie non infinie

I
Source de courant ajustable par la résistance variable.
2
 V 
I D  I DSS 1  GS  
 VGS  
 off    ID
R V 
I D   GS 
R 
180
Source de courant à plus grande impédance de sortie

+VDD
T2 et T1 tel que IDSS(T2) > IDSS(T1)

charge

T2 T1 I = IDSS (T1 )

 VGS (T2) est telle que ID(T2) = IDSS(T1)


VDS(T1) =VGS(T2)
T1

influence de le charge sur VDS(T1) atténuée

source de courant ordinaire I varie moins avec la charge


 impédance de sortie plus grande.

181
 Amplificateur source commune

Exemple : VCC  hypothèse: Mode actif , C très élevées

RD JFET

C C vg vgs
D vs RD vs
RG gmvgs
S
vg
RG
RS C Ze Zs

Gain en tension (circuit ouvert) : Av   g m RD

Impédance d’entrée : Z e  RG (RG peut être prise très grande, de l’ordre du M ou plus)

Impédance de sortie : Z S  RD

gm = fonction de VGS  distorsion “quadratique”


182
Stabilisation par une résistance de source :

VCC
JFET
RD
vg vgs gmvgs RD
D RG vs
S vs
vg
RG rS
rS

RS

Gain en tension : v g  v gs  rs g m v gs et vs   g m v gs RD
v g R RD
d’où : Av  s   m D  
vg 1  rs g m 1
 rs
gm

L’influence de gm sur le gain est réduite si rs>>1/gm. Le gain en tension est plus faible.

rs introduit une contre-réaction: v gs  v g  rs vs

(vs et vg en opposition de phase, Av <0) 183


 Amplificateur drain commun (ou « source suiveuse »)

ve G JFET D
VCC
vg vGS
RG gmvGS
D S
vg S
RS vs
RG
RS vs Ze

Zs

g m RS RS
Gain en tension (circuit ouvert) : Av   1
1  g m RS g m 1  RS

Impédance d’entrée : Z e  RG
vsc.o. Rs Rs g m 1
Impédance de sortie : Zs     Rs // g m 1
isc.c g m Rs  1 Rs  g m 1

184
 Résistance commandée

Pour VGS > VGSoff et VDS <VGS +VP : RDS 
 V 
k  VGS  VP   DS 
 2 

ex:

R
vsortie RDS
 vsortie  ventrée
ventrée RDS  R

= atténuateur variable, commandé par Vcom

En choississant R  RDS on , vsortie varie entre ~0 et ventrée


Vcom
Imperfection:
RDS dépend de VDS  réponse non-linéaire

185
Amélioration possible: 
RDS 
 V 
k   VGS  VP   DS 
 2 

R
vsortie
ventrée
VDS Vcom
 VGS    I G  0
R1 2 2

1
R1  RDS 
k Vcom  VP 
Vcom

Linéarité presque parfaite

186
Application: Commande électronique de gain

Etage EC avec rE =RDS (//200k//5.6k)


exemple: 15V

5k
75k

1µF signal de sortie


signal
d’entrée

50k
5.6k
R 5k
Av   c  
rE RDS  Vcom  // 5,6k
1µF
100k  Av  
5k
RDS Vcom 

 Vcom  V p 
Vcom
100k
il faut RDS< 5.6k
amélioration possible: charge active pour R E.

187
 Interrupteur à FET

Exemple d’application:

(Convertisseur N-A
cf Morgan)

188
 Inverseur logique

CMOS=« Complementary MOS) »

aucun courant drain circule,


quelque soit le niveau de sortie

189
 Fonction logique de base : la porte NAND
A B C InA InB Q1 Q2 Q3 Q4 Out
0 0 1 0V 0V O O F F 5V
0 1 1 0V 5V O F O F 5V
1 0 1 5V 0V F O F O 5V
1 1 0 5V 5V F F O O 0V

190
191
192