Transistores PUT y UJT.

Alexander Salas
Adrián Bolaño
Raúl Rincón
 Transistor PUT.

El transistor PUT (uni-unión programable)

es un dispositivo PNPN de cuatro capas,
con tres terminales: Cátodo K, ánodo A y
compuerta G. En la figura de la derecha
se muestra el esquema y el símbolo del
PUT. Se designa a un elemento cuyo
comportamiento es similar al UJT, con la
diferencia que la relación “n” puede
programarse mediante un divisor de
tensión.
 Polarización.

La disposición básica para su polarización se muestra en la siguiente

figura:
 Asumiendo que la corriente de
compuerta es muy pequeña y
tiende a cero (), puede
obtenerse la siguiente expresión:

Donde:
 Curva característica.

 En las características del transistor PUT

pueden distinguirse tres regiones:
1. La región de corte ().
2. La región de conducción ().
3. La región de inestabilidad que las
separa.
Como en el transistor UJT el potencial de
disparo necesario para activar el dispositivo
es:
Aplicación.

•El  PUT es utilizado como oscilador de relajación.

Si inicialmente el condensador está descargado
la tensión será igual a cero. A medida que
transcurre el tiempo este adquiere carga, cuando
se alcanza el nivel NP de disparo, el PUT entra
en conducción estableciendo una corriente . En
el instante en que el cae prácticamente a cero y
la corriente aumenta; el condensador comienza a
descargarse y la tensión cae a casi 0, luego, el
dispositivo se abre y regresa a las condiciones
iniciales.
Hoja de datos del transistor PUT 2N6027.
 Transistor UJT.

El transistor UJT (transistor de unijuntura –

Unijunction transistor) es un dispositivo con un
funcionamiento diferente al de otros transistores.
Es un dispositivo de disparo. Es un dispositivo que
consiste de una sola unión PN que es utilizado
para hacer osciladores.
Físicamente el transistor UJT consiste de una
barra de material tipo N con conexiones eléctricas
a sus dos extremos (B1 y B2) y de una conexión
hecha con un conductor de aluminio (E) en alguna
parte a lo largo de la barra de material N. En el
lugar de unión el aluminio crea una región tipo P
en la barra, formando así una unión PN.
 Curva característica.

Región de corte Bajo voltaje y baja corriente

de emisor.
Región de resistencia negativa Al polarizar el
UJT su resistencia interna disminuye con un
comportamiento similar a la de una resistencia
negativa.
Región de saturación La corriente del emisor
es mayor que la corriente de valle. Si no se
verifican las condiciones del punto de valle, el UJT
entrará en la región de corte.
 Aplicación.

Una de las aplicaciones del UJT más común es como generador de

pulsos en diente de sierra. Estos pulsos resultan muy útiles para
controlar el disparo de la puerta de TRIACS y SCR.
También se utiliza en el oscilador de relajación el cual es un circuito
que sirve para generar señales para dispositivos de control de potencia
como Tiristores o TRIACs:
1. El capacitor se carga hasta llegar al voltaje de disparo del transistor
UJT, cuando esto sucede este se descarga a través de la unión E-B1.
2. El capacitor se descarga hasta que llega a un voltaje que se llama de
valle (Vv) de aproximadamente 2.5 Voltios.
3. Con este voltaje el UJT se apaga (deja de conducir entre E y B1) y el
capacitor inicia su carga otra vez.
Hoja de datos del transistor UJT 2N2646.
 Referencias.

• http://www.udb.edu.sv/udb/archivo/guia/electronica-tecnologico/ele
ctronica-de-potencia/2013/i/guia-6.pdf
.
• http://electronicaluismarinlel.blogspot.com/p/blog-page.html.
• https://html.alldatasheet.com/html-pdf/115985/CENTRAL/2N6027/29
3/1/2N6027.html
.
• https://unicrom.com/transistor-ujt-unijuntion-transistor-dispositivo-di
sparo/
.
• https://www.ceduvirt.com/resources/3.El%20UJT.pdf.
• https://unicrom.com/funcionamiento-de-un-ujt/.
• https://prezi.com/5qc-ysyjgizw/transistores-ujt-y-put/.
• https://es.slideshare.net/AlRo5/transistor-ujt.