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V.

Semiconducteurs à l'équilibre

Matériaux semiconducteurs
Semiconducteurs intrinsèques
Semiconducteurs extrinsèques

Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Matériaux

Matériaux semiconducteurs
Résistivité : Métaux  < 10-4 cm
Isolants  > 1010 cm
Semiconducteurs 10-4 <  < 1010 cm

ln  SC pur Grande influence :


- de la préparation des échantillons
- des perturbations extérieurs
SC impur
Quels sont les matériaux qui
1/T présentent ces comportements ?

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V. Semiconducteurs : Matériaux
Groupe GAZ
1A RARES
1 1,008 2 4,003

H He
1s1 1s2

1 Hydrogène 2A numéro atomique masse atomique 3A 4A 5A 6A 7A Hélium


3 6,939 4 9,012 4 9,012 5 10,81 6 12,01 7 14,01 8 15,99 9 18,99 10 20,18

Li Be Be B C N O F Ne
1s 22s1 1s 22s 2 structure électronique 1s22s 2 symbole solide artificiel 1s 22s 22p1 1s 22s 22p2 1s 22s22p3 1s22s 22p4 1s22s22p5 1s22s22p6

Lithium Beryllium Beryllium liquide Bore Carbone Azote Oxygène Fluor Néon
2 11 23,00 12 24,31 nom gaz 13 26,98 14 28,09 15 30,97 16 32,06 17 36,45 18 39,95

Na Mg Al Si P S Cl Ar
(Ne)3s 1 (Ne)3s 2 (Ne)3s 23p1 (Ne)3s 23p2 (Ne)3s23p3 (Ne)3s 23p4 (Ne)3s 23p5 (Ne)3s 23p6

3 Sodium Magnésium 3B 4B 5B 6B 7B /------------------------8------------------------\ 1B 2B Aluminium Silicium Phosphore Soufre Chlore Argon


19 39,10 20 40,08 21 44,96 22 47,90 23 50,94 24 52,00 25 54,94 26 55,85 27 58,93 28 58,71 29 63,55 30 65,38 31 69,72 32 72,59 33 74,92 34 78,96 35 79,91 36 83,80

K Ca Sc Ti V Cr Mn Fe Co Ni Cu Zn Ga Ge As Se Br Kr
(Ar)4s1 (Ar)4s2 (Ar)3d14s 2 (Ar)3d24s 2 (Ar)3d34s 2 (Ar)3d54s 1 (Ar)3d54s2 (Ar)3d64s2 (Ar)3d74s 2 (Ar)3d84s2 (Ar)3d104s 1 (Ar)3d104s 2 (Ar)3d104s 24p1 (Ar)3d104s 24p2 (Ar)3d104s24p3 (Ar)3d104s 24p4 (Ar)3d104s 24p5 (Ar)3d104s24p6

4 Potassium Calcium Scandium Titane Vanadium Chrome Maganèse Fer Cobalt Nickel Cuivre Zinc Gallium Germanium Arsenic Sélénium Brome Krypton
37 85,47 38 87,62 39 88,91 40 91,22 41 92,91 42 95,94 43 98,91 44 101,1 45 102,9 46 106,4 47 107,9 48 112,4 49 114,8 50 118,7 51 121,8 52 127,6 53 126,9 54 131,3

Rb Sr Y Zr Nb Mo Tc Ru Rh Pd Ag Cd In Sn Sb Te I Xe
(Kr)5s 1 (Kr)5s 2 (Kr)4d15s2 (Kr)4d25s 2 (Kr)4d45s 1 (Kr)4d55s 1 (Kr)4d55s 2 (Kr)4d75s 1 (Kr)4d85s 1 (Kr)4d105s 0 (Kr)4d105s 1 (Kr)4d105s 2 (Kr)4d105s25p1 (Kr)4d105s25p2 (Kr)4d105s 25p3 (Kr)4d105s 25p4 (Kr)4d105s 25p5 (Kr)4d105s 25p6

5 Rubidium Strontium Yttrium Zirconium Niobium Molybdène Technétium Ruthénium Rhodium Palladium Argent Cadmium Indium Étain Antimoine Tellure Iode Xénon
55 132,9 56 137,3 57 198,9 72 178,5 73 180,9 74 183,9 75 186,2 76 190,2 77 192,2 78 195,1 79 197,0 80 200,6 81 204,4 82 207,2 83 209,0 84 210 85 210 86 222

Cs Ba La* Hf Ta W Re Os Ir Pt Au Hg Tl Pb Bi Po At Rn
(Xe)6s1 (Xe)6s2 (Xe)5d16s 2 (Xe)4f145d26s 2 (Xe)4f145d36s 2 (Xe)4f145d46s 2 (Xe)4f145d56s 2 (Xe)4f145d66s 2 (Xe)4f145d76s 2 (Xe)4f145d106s 0 (Xe)4f145d106s1 (Xe)4f145d106s 2 (Xe)4f145d106s 26p1 (Xe)4f145d106s 26p2 (Xe)4f145d106s 26p3 (Xe)4f145d106s 26p4 (Xe)4f145d106s 26p5 (Xe)4f145d106s 26p6

6 Césium Barium Lanthane Tantale Tungstène Rhénium Osmium Iridium Platine Or Mercure Thalium Plomb Bismuth Polonium Astate Radon
87 223 88 226 89 227

Fr Ra Ac**
(Rn)7s 1 (Rn)7s 2 (Rn)6d17s 2

7 Francium Radium Actinium

* 58 140,1 59 140,9 60 144,24 61 145 62 150,35 63 152,0 64 157,3 65 158,9 66 162,5 67 164,9 68 167,3 69 168,9 70 173,0 71 175,0

Ce Pr Nd Pm Sm Eu Gd Tb Dy Ho Er Tm Yb Lu
Lanthanides (Xe)4f25d06s 2 (Xe)4f35d06s 2 (Xe)4f45d06s 2 (Xe)4f55d06s2 (Xe)4f65d06s 2 (Xe)4f75d06s2 (Xe)4f75d16s2 (Xe)4f95d06s 2 (Xe)4f105d06s 2 (Xe)4f115d06s 2 (Xe)4f125d06s 2 (Xe)4f135d06s 2 (Xe)4f145d06s 2 (Xe)4f145d16s 2

6 Cérium Praséodyme Néodyme Prométhium Samarium Europium Gadolinium Terbium Dysprosium Holmium Erbium Thulium Ytterbium Lutétium

** 90 232,0 91 231 92 238,0 93 237,1 94 244 95 243 96 247 97 247 98 251 99 254 100 257 101 256 102 254 103 257

Th Pa U Np Pu Am Cm Bk Cf Es Fm Md No (Lw)
Actinides (Rn)5f06d27s 2 (Rn)5f26d17s 2 (Rn)5f36d17s 2 (Rn)5f56d07s2 (Rn)5f66d07s 2 (Rn)5f76d07s2 (Rn)5f76d17s2 (Rn)5f76d27s 2 (Rn)5f96d17s 2

7 Thorium Protactinium Uranium Neptunium Plutonium Américium Curium Berkélium Californium Einsteinium Fermium Mendéléviuml Nobélium Laurencium

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V. Semiconducteurs : Matériaux

Matériaux semiconducteurs : Colonne IV : Si, Ge, C, …


III - V : GaAs, InSb
II - VI : CdTe, …

Structure électronique :
Si : (Ne)3s23p2 : 4 électrons de valence
Ge : (Ar)3d104s24p2 : 4 électrons de valence
En moyenne
Ga : (Ar)3d104s24p1 : 3 électrons de valence
4 électrons
As : (Ar)3d104s24p3 : 5 électrons de valence
de valence
Etc.

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Structure cristallographique :

Structure diamant Structure Zincblende


Si,Ge,C GaAs, InSb
Structure cfc
4 plus proches voisins (ppv) avec une
coordination tétraédrique
Quelques II-VI : structure wurtzite, NaCl
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V. Semiconducteurs : Matériaux

Si, cfc, a = 5,431 Å

Atomes en (0;0;0)
et (¼; ¼;¼)
Si : 4 électrons de valence

8 électrons / maille
Hybridation sp3
Les 4 électrons de chaque Si forment
des liaisons covalentes avec les 4 ppv

Distance entre ppv : 2,33 Å


4 électrons de valence + structure cfc avec motif
Semiconducteur, Pourquoi ?
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Réponse : Structure de bande


kz

1ère Zone de Brillouin


d'une structure cfc

L

 ky
X  
K
Point  : Centre de zone
Point X : Bord de zone dans la direction 100
et équivalentes
Point L : Bord de zone dans la direction 111
kx et équivalentes
Point K : Bord de zone dans la direction 110
et équivalentes
Direction  : Direction 100 et équivalentes
Direction  : Direction 111 et équivalentes
Direction  : Direction 110 et équivalentes

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Structure de bandes de Ge, Si et GaAs

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Ingénierie du gap : Alliages ternaires - quarternaires

Alliages de type AlxGa1-xAs

Variation du gap en , X et
en L pour un alliage
AlxGa1-xAs en fonction de x

Autres substitutions possibles

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Composés III-V : paramètre de maille en fonction du gap


et de la longueur d'onde correspondante.

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Électrons et Trous : Structure de bandes


Semiconducteur : 2 bandes séparées par un gap
Bande de Valence (BV) <=> Bande de Conduction (BC)
Ordre de grandeur : Si : Eg = 1,12 eV
GaAs : Eg = 1,42 eV
T=0K: BV pleine, BC vide

g(E), f(E)
T=0K

EV EF EC

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A T > 0 K, le taux d'occupation des états est donné par la


distribution de Fermi-Dirac: 1
f E  
Attention : Jargon ! E  EF
1  exp
kBT
EF = µ !!!

Quelques électrons passent de la BV à la BC,


Ils sont thermiquement activés

g(E), f(E)
T>0K

EV EF EC

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Pour les propriétés de transport :

Quelques électrons dans la BC Leur nombre est très inférieur


Quelques trous dans la BV au nombre d'états disponibles
Les électrons : en bas de la BC
Les trous : en haut de la BV

Il faut connaître les masses effectives en bas de la BC


en haut de la BV
g(E), f(E)
T>0K

EV EF EC

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Masse effective dans la BC : Matériau à gap direct (ex. GaAs)


Le minimum est situé en 
 2E
2 est isotrope (ne dépend pas de la direction)
k
 2 2
Développement de E(k) autour de  E  EC  *
k
2 mC
, i.e. une loi de style électrons libres caractérisés
par une masse effective isotrope mC*

Surface E - EC = const.
Sphère centrée en 
de rayon 2 mC*
k 2
 E  EC 

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Masse effective dans la BC : Matériau à gap indirect (ex. Si, Ge)

Le minimum n'est pas situé en 


Pour Si : à 0,85 X
Pour Ge : en L sur le bord de zone
Pour Si : 6 minima (6 * (100))
Pour Ge : 8 minima (8 * (111))
La masse effective n'est pas isotrope
Relation de dispersion :
2 2
E  EC   k
* i
i1,2,3 2 mi

En principe 3 masses effectives mi*

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En réalité : pour des raisons de symétrie :


Pour Si : 1 masse longitudinale ml* suivant (100) T
1 masse transverse mt* suivant deux directions (100)
Pour Ge : 1 masse longitudinale ml* suivant (111) T
1 masse transverse mt* suivant deux directions (111)
Les surfaces E - EC = const. : ellipsoïdes de rotation

Ge
Si
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Masse effective dans la BV : E


Le maximum est situé en 
k
3 bandes se trouvent près du maximum  hh
La bande spin-orbite (SO) à quelques lh
dizaines de meV en dessous de EV (négligeable) SO

2 bandes confondues en  mais avec des courbures différentes
Une bande de trous lourds : mhh*
Une bande de trous légers : mlh*

Les masses effectives sont presque isotropes

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Densité d'états et masse effective de densité


3
d'états
1 2 
Un électron occupe un volume de   dans l'espace des k
2 L 
(Conditions aux limites périodiques)
BC pour un matériau à gap direct :
2 2
La relation de dispersion s'écrit : E  EC  *
k
2 mC
Dans une sphère de rayon k on peut placer N électrons avec :
4 3
k 3 3
k
N 3 1  2mC*  2
L3 N 3
1  2 
3
32 ou n  3   2
2 

  E  EC  2

  L 3   
2 L 

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Si E augmente de dE il y aura dn électrons/unité de volume de plus


La densité d'état est *
3
2
dn  2m
1  dC  1
g E    2 2

  E  EC  2
dE 2   

mdC* : masse effective de densité d'état = mC*


BC pour un matériau à gap indirect
2 2
Pour un minimum : E  EC   k
* i
i1,2,3 2 mi

La surface E - EC = const. : ellipsoïde avec les trois axes :

2 mi*
ki 
 2

E  EC 
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4
V ( E )  k1 k 2 k3  3 8 m1 m2 m3   E  EC  2
4 1 3
Le volume de l'ellipsoïde :
* * * 2

3 3
V (E)
Dans ce volume, on peut placer N électrons avec : N (E)  3
1  2 
 
V (E) 2 L 
n
4 3
La densité d'états pour un ellipsoïde est :
dn  E 
1
1
 
1
 
gE   2 3 8m1*m2*m3* 2 E 
 EC 2
dE 2 
Avec M ellipsoïdes dans la 1ère Zone de Brillouin,
la densité d'états totale est :
1
M M : Multiplicité
 
1
g E   2 3 8m1*m2*m3* 2 E 
 EC 2
(Multivalley)
2 
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Définition : Masse effective de densité d'états


3
1 *
M 1  2 mdC 2
 
1 ! 1
g E   2 3 8m1*m2*m3* 2 E 
 EC 2  2 2 
E 
 EC 2
2  2   
1
En conséquence : *
mdC   
M2m1*m2*m3* 3

Exemples
1 masse longitudinale ml*
2 masses transverses mt*
6 ellipsoïdes : M = 6

 
1
* 2
mdC  M2ml*mt* 3
ml* = 0,98 m0 mt* =0,19 m0
*
mdC  1,08 m0
Si
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1 masse longitudinale ml*


2 masses transverses mt*
8 demi - ellipsoïdes : M = 8/2 = 4
 
1
* 2
mdC  M2ml*mt* 3
ml* = 1,64 m0 mt* = 0,082 m0
*
Ge mdC  0,56 m0

Remarque : Les masse effectives sont généralement données


en unités de la masse de l'électron libre
m0 = 9,1093897 10-31 kg

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BV - Combinaisons des trous lourds et des trous légers

La densité d'état est la somme des densités des 2 bandes :


* 3 * 3
 2m 2m
1  hh  2  lh  2
   1
g E   ghh  E   glh  E   2  2    2    EV  E  2
2       
* 3
!1  2mdV  2 1
Définition de la masse
 2  2   EV  E  2
2    effective de densité d'états

3 3 2
*  * 2
mdV   mhh 2
 mlh*  3
 

Pour le Si : mhh* = 0,49 m0; mlh* = 0,16 m0

mdV* = 0,55 m0
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V. Semiconducteurs : Matériaux
En résumé :
Masse effective
2 1 Masse effective
* 2   En  de densité d'états
m    2 
 k 
*
BC gap direct mC*  m* isotrope mdC  mC*

 
1
BC gap indirect mt* M minima * 2
mdC  M2ml*mt* 3
ml*

*
mhh trous lourds 3 3 2
BV *
mdV   mhh
* 2
 mlh* 2
 3
mlh* trous légers  

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V. Semiconducteurs : Semiconducteurs intrinsèques

Semiconducteurs intrinsèques
E
Définitions :
EC
n = n(T) : Nombre des électrons
Eg
dans la bande de conduction EV=0
à température T k
p = p(T) : Nombre des trous
dans la bande de valence
à température T
EC : Énergie minimale de la BC (indépendante du nombre de minima)
EV : Énergie maximale de la BV

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V. Semiconducteurs : Semiconducteurs intrinsèques

Concentration des porteurs : électrons dans la BC


E

Avec la notion de la densité d'états :


3 EC
1 Eg

 2m
1  dC 
*
 2 
E 
 EC 2 dE
n T    g E  f E  dE  22   2  E
 E  EF 
EV=0
k
EC  exp C1 
E  EC  kBT 
Changement de variable : x 
3 kBT 1
* 3
1  2mdC 2 x 2 dx
n T   2  2   kBT  2 
2    0
1  exp x   
EF  EC
avec   F1 2   
kBT
Intégrale de Fermi - Dirac
Pas de solution analytique mais 2 cas limites
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V. Semiconducteurs : Semiconducteurs intrinsèques
EC  EF
L'approximation de Boltzmann :     1
kBT
Signification : EF est beaucoup plus petit que EC et se situe
à l'intérieur du gap E  EF
On a : x     1
kBT
1
  1
x 2 dx
F1 2      1  exp x     exp   x  x 2 dx
0 0
 1
EF  EC EF  EC 
 exp  e x x 2dx  exp
kBT 0
kBT 2
On obtient pour la concentration des électrons :
3
*
EF  EC  mdC kBT  2
n  NC exp avec NC  2 2 

kBT  2 
Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Semiconducteurs intrinsèques
3
*
EF  EC  mdC kBT 2
n  NC exp avec NC  2 2 

kBT  2 

NC : densité d'états effective de la BC


En remplaçant les constantes :
3 3
*
 m
25  dC 
2T
NC  2,5 10     m
2
3
m   300 
 0 
Exemples numériques :
Si : NC = 2,8 1025 m-3
Ge : NC = 1,04 1025 m-3
GaAs : NC = 4,7 1023 m-3
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V. Semiconducteurs : Semiconducteurs intrinsèques

Interprétation de l'approximation de Boltzmann :


La statistique de Fermi - Dirac est remplacée par la statistique
de Maxwell - Boltzmann
1 EF  E
f E    exp
E  EF kBT
1  exp
kBT
Il y a tellement peu d'électrons (<< 1025) par rapport à la densité
d'états (~ 1030), que le principe de Pauli ne se manifeste plus
Boltzmann

Fermi

E V E F EC
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V. Semiconducteurs : Semiconducteurs intrinsèques
EF  EC
Approximation des électrons libres :   1
kBT
EF se situe à l'intérieur de la BC :
Semiconducteur dégénéré !
1 Intégrale de Fermi - Dirac
 3
x 2 dx 2 2
10

F1 2       
0
1  exp x    3
3
*
ou 1  2mdC 2 3
n   E  E  2
3   
2 2 F C

1/2
1

F
3
2
EF  EC  *
 2 2
3 n 
2 mdC
Même résultat que pour 0.1

les électrons libres de masse mdC*


EF

Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Semiconducteurs intrinsèques

Concentration des porteurs : trous dans la BV E

Avec la notion de la densité d'états :


3 1 EC
EV EV
 2m
1  dV 
*
 2  EV  E  2 dE
Eg
p T    g E  1  f E   dE  22   2     EF  E 
EV=0
k
 1  exp 
 kBT 
EV  E
Changement de variable : x 
3 kBT 1
* 3
1  2mdV 2 x 2 dx
p T   2  2   kBT  2 
2    0
1  exp x   
EV  EF
avec   F1 2   
kBT
Intégrale de Fermi Dirac
Pas de solution analytique mais 2 cas limites
Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Semiconducteurs intrinsèques
EF  EV
L'approximation de Boltzmann :     1
kBT
Signification : EF est beaucoup plus grand que EV et se situe
à l'intérieur du gap
EV  EF 
F1 2     exp
kBT 2

On obtient pour la concentration des trous :


3
*
EV  EF  mdV kBT  2
p  NV exp avec NV  2 2 

kBT  2 

Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Semiconducteurs intrinsèques

3
*
EV  EF  mdV kBT 2
p  NV exp avec NV  2 2 

kBT  2 

NV : densité d'états effective de la BV


En remplaçant les constantes :
3 3
*
 m
25  dV 
2T
NV  2,5 10     m
2
3
m   300 
 0 
Exemples numériques :
Si : NV = 1,04 1025 m-3

Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Semiconducteurs intrinsèques
EV  EF
Approximation des électrons libres :   1
kBT
EF se situe à l'intérieur de la BV :
Semiconducteur dégénéré !
1
 3
x 2 dx 2 2
F1 2      1  exp x     3 
0
3
* 2
1  2mdV  3
ou p 2 2

  EV  EF  2
3   
3
2
EV  EF  *
32 2
p  
2 mdV
Même résultat que pour les "trous" libres de masse mdV*

Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Semiconducteurs intrinsèques

Position du niveau de Fermi


Chaque électron de la BC vient de la BV en laissant un trou
n=p
1.2 1.2 1.2

1 1 1

0.8 0.8 0.8

0.6 0.6 0.6

0.4 0.4 0.4

0.2 0.2 0.2

0 0 0
-1.5 -1 -0.5 0 0.5 1 1.5 2 2.5 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1 1.5 2 2.5 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1 1.5 2 2.5

EF se situe vers le milieu du gap


L'approximation de Boltzmann s'applique
Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Semiconducteurs intrinsèques

EF  EC EV  EF
n  NC exp p  NV exp
kBT kBT
*
EC  EV kBT NV EC  EV 3kBT mdV
EF   ln   ln *
2 2 NC 2 4 mdC

Concentration des porteurs intrinsèques :


Le produit  Eg ! 2
EV  EC
np  NCNv exp  NCNv exp ni
kBT kBT
ne dépend que de T, mais pas de EF
On appelle : concentration de porteurs intrinsèque
 Eg
n i  NCNv exp
2 kBT
Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Semiconducteurs intrinsèques
 Eg
n i  NCNv exp
2 kBT
Pour un SC intrinsèque : n = p = ni
T = 300 K : pour Si : ni = 1,45 1016 m-3
pour GaAS : ni = 1,79 1012 m-3

Effet de compensation :
Pour une température donnée :

n2i =np = const.

Si n augmente, p doit diminuer et vice versa !

Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsèques

Semiconducteurs extrinsèques

Pour le Si : ni = 1,45 1016 m-3 Pour avoir un SC intrinsèque,


il faut une purification du
Il y a ~ 5 1028 atomes/m3
cristal > 10-12

Impossible !!! Il y a des impuretés et des défauts

Supposition : La densité de défauts et d'impuretés dans le SC


est suffisamment faible pour ne pas modifier la structure de
bandes du SC pur, mais ils donnent lieu à des niveaux d'énergie
discrets.
Matériau parfait : SC intrinsèque
Matériau avec impuretés : SC extrinsèque

Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsèques

Les niveaux extrinsèques se situent dans le gap :

- niveaux voisins des limites de bandes (shallow levels)


- niveaux profonds proche du milieu du gap (deep levels)
- niveaux donneurs
- niveaux accepteurs

Les niveaux profonds seront traité ultérieurement !

Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsèques

Donneurs : (Dopage de type n)


Si : 4 ppv
On remplace un atome de Si par un atome pentavalent :
As : 5 électrons 4 électrons sont pris dans les liaisons
Le 5ème électron gravite autour l'ion de As+
Schématiquement :
C'est l'équivalent d'un atome d'H
Si - - Si - - Si
- - - - -
- - -
Si - - As+ - - Si As+
- - -
- - -
Si - - Si - - Si

Milieu diélectrique

Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsèques

1  e2
Le potentiel d'interaction s'écrit : V 
4 0 r
La solution de l'équation de Schrödinger pour ce genre de
systèmes est connue !
e 4me*
Énergie de liaison : Ed  
2 4 0  
2

4 0  2
"Rayon" de l'orbite : rB 
me*e2
Comparaison :

H =1 me* = m0Ed = -13,6 eV rB = 0,53 Å

Si  = 12 me* = 0,4 m0 Ed = -0,04 eV rB = 13 Å

Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsèques

Chaque atome d'As ajoute un niveau d'impureté à Ed


en-dessous de EC (Concentration ND)
E
T=0K
BDC
EC
ED Ed

EV
BDV

Quelques énergies de liaison


EC-ED (meV) P As Sb

Si 45 49 39
Ge 12 13 10

Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsèques

Accepteurs : (Dopage de type p)


Si : 4 ppv
On remplace un atome de Si par un atome trivalent :
B : 3 électrons 3 électrons sont pris dans les liaisons
dans la 4ème liaison il y a une place libre

Schématiquement :
C'est l'équivalent d'un atome d'H inversé
Si - + Si - - Si
- - - +
- - -
Si - - B- - - Si B-
- - -
- - -
Si - - Si - - Si

Milieu diélectrique

Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsèques

Le calcul se fait de la même manière que pour les donneurs


Chaque atome d'Al ajoute un niveau d'impureté à EA
Au-dessus de EV (Concentration NA)
T=0K E
BDC
EC

EA
EV
BDV

Quelques énergies de liaison

EA (meV) B Al Ga

Si 45 57 65
Ge 11 10 10
Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsèques

Compensation :
SC avec ND Donneurs et NA Accepteurs
T=0K E
BDC
EC
ED Ed

EA
EV
BDV

Si ND > NA ==> SC type n

Si NA > ND ==> SC type p

Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsèques

Occupation des niveaux d'impuretés à T > 0 K

L'occupation des niveaux d'impuretés suit la statistique de


Fermi - Dirac, mais il faut tenir compte de :

- les différents états de charge

- les différents états de spin

- et les combinaisons possibles entre eux

Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsèques

Donneurs :
Concentration ND = ND0 + ND+
E Le nombre de niveaux de
BDC
EC donneurs neutres :
ED Ed
0 1
état état ND  ND
ionisé neutre 1  ED  EF 
EV
1  exp 
BDV gD  kBT 

gD : facteur de dégénérescence (pour des donneurs monovalents


et deux états de spin possible, gD = 2)

Nous cherchons ND+ parce que cela correspond au nombre


d'électrons qui sont passés dans la BC

Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsèques

Nombre de donneurs ionisés :


ND
ND  ND  ND0 
 EF  ED 
1  gD exp 
 kBT 
Ln ND+ Deux comportement limites :
ii) i) EF  ED
ND i)  1
kBT
 ND  ED  EF 
T2
ND  exp 
T1 < T2 T1 gD  kBT 
ED EF EF  ED
ii)  1
kBT
ND  ND
Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsèques

Accepteurs :
Nombre d'accepteurs ionisés NA-
= Nombre de trous dans la BV
E
BDC
EC NA
état état NA 
ionisé neutre  EA  EF 
1  gA exp 
EA
EV
 kBT 
BDV

Ln NA-
gA : facteur de dégénérescence
NA (accepteurs monovalents, 2 états
de spin et deux bandes : gA = 4)
T2
T 1 < T2
T1

EA EF
Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsèques

Équation de neutralité électrique : (ENE)


(Détermination de la position du niveau de Fermi)
Bilan du nombre total des électrons dans un semiconducteur dopé :
On a :
N atomes du SC ==> 4N électrons

ND atomes donneurs ==> 5ND électrons

NA atomes accepteurs ==> 3NA électrons

Au total : 4N + 5ND +3NA électrons

Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsèques

4N  5ND  3NA 
4N  p  3 NA  NA   4NA  5 ND  ND   4ND  n

Accepteurs Accepteurs Donneurs Donneurs


BV BC
neutres ionisés neutres ionisés
 4N  3NA  5ND  p  NA  ND  n

p  ND  n  NA

Remarque : les calculs de n et p du paragraphe précédent restent


valables, c'est la position du niveau de Fermi
qui change.

Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsèques

Résolution de l'équation de neutralité électrique :


On a : p  ND  n  NA
ND
Avec : ND

 EF  ED 
1  gD exp 
 kBT 
 NA Solution analytique
NA  rigoureusement
 EA  EF 
1  gA exp  impossible !
 kBT 
Si Boltzmann s'applique mais on peut regarder
EF  EC
n  NC exp ce qui se passe dans
kBT
des cas particuliers
EV  EF
p  NV exp
kBT
Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsèques

1er exemple SC type n, i.e. NA = 0 : p  ND  n
1er cas : ND + = ND i.e. EF << ED Ionisation complète des donneurs
p  ND  n
n2  nND  ni2  0
pn  ni2
ND  ND2  4ni2
n
2ND
2 possibilités :
ni2
i) ND >> ni n = ND ; p
n
EF  EC ! ND
n  NC exp  ND EF  EC  kBT ln
kBT NC
Tous les électrons de la BC proviennent des donneurs
Régime de saturation Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsèques

ii) ND << ni n = p = ni
Comme pour un SC intrinsèque
EC  EV kBT NV  Eg
EF   ln n i  NCNv exp
2 2 NC 2 kBT
Régime intrinsèque

Température limite :
La transition entre les deux régimes aura lieu pour Ti définit par :
 Eg
ND  NCNv exp
2 kBTi
Attention : solution pas simple car NC, NV sont
donnés en fonction de T
Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsèques

2ème cas : ND + /= ND i.e. EF ~ ED


Température limite par rapport au régime précédent :
NC
EF = E D EC  ED  kBTg ln
ND
L'équation de neutralité électrique s'écrit :
 ND
n  ND 
 EF  ED 
Si T << Tg, i.e. EF-ED >> kBT 1  gD exp 
 kBT 
 EF  EC  ND  ED  EF 
NC exp   exp 
 kBT  gD  kBT 

ED  EC kBT ND NCND   EC  ED 
EF   ln n exp
2 2 gDNC gD 2kBT

Régime du gel Physique du Solide


V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsèques

En résumé :

intrinsèque extrinsèque E

EC
Ln n ~Eg
ED
EF(T)
saturation gel
EFi
Ln ND
~(EC-ED)
EV

1/Ti 1/Tg 1/T Tg Ti

Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsèques

2ème exemple SC type p, i.e. ND = 0 : p  n  NA


On retrouve les mêmes régimes que pour un SC type n
- Régime intrinsèque
EC  EV kBT NV  Eg
EF   ln p  n  n i  NCNv exp
2 2 NC 2 kBT

- Régime de saturation
N ni2
EF  EV  kBT ln V p = NA ; n
NA p

- Régime de gel
EV  EA kBT gANV NV NA   EA  EV 
EF   ln p exp
2 2 NA gA 2kBT

Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsèques

En résumé :

intrinsèque extrinsèque E

Ln p ~Eg EC

saturation gel
EFi
Ln NA
EF(T)
~(EA-EV)
EA
EV
1/Ti 1/Tg 1/T Tg Ti

Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsèques

Technique de solution de l'équation de neutralité électrique :


solution graphique semiquantitative qui permet de voir quelles
sont les approximations qu'on peut faire
 ND
ND  Diagramme de Schockley :
 EF  ED 
1  gD exp 
 kBT 
On considère EF comme variable,
N
NA  A
T comme paramètre et on trace
 EA  EF 
1  gA exp  les 4 fonctions dans un même
 kBT  diagramme semi-log
EF  EC Ensuite on construit les fonctions
n  NC exp
kBT p+ND+ et n+NA- et on trouve leur
EV  EF intersection.
p  NV exp
kBT
Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsèques

Exemple : SC type n
1,E+25
Matériau GaAs
Gap d'énergie 1,42 eV 1,E+24
-3
NC (300K) 4,70E+23 m
-3
1,E+23
n
NV (300K) 7,00E+24 m
1,E+22
Température 300 K
1,E+21
Donneurs
-3 1,E+20
1,00E+17 m
p+ND+
ND
EC -ED 0,05 meV 1,E+19

gD 1 1,E+18

p (m -3)
1,E+17

L'ENE : EF
1,E+16

1,E+15

p  ND  n 1,E+14

1,E+13
p
1,E+12

1,E+11

1,E+10
0 0,5 1
EF (eV)

Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Résumée
Un semiconducteur est caractérisé par un gap dans sa structure de bandes entre les
états occupés à T = 0K (Bandes de Valence) et les états vides (Bande de conduction).

le gap peut être direct (GaAs) ou indirect (Si).

A T > 0K, quelques électrons peuvent être activé thermiquement dans la BdC à
partir de la BdV en y laissant des trous.

La masse effective de densité d'états est la moyenne pondérée des composantes du


tenseur de masse effective calculé à partir de la structure de bandes, pour décrire
la répartition des porteurs dans les bandes.
Dans l'approximation de Boltzmann :
Pour un SC non dégénéré, la concentration des électrons dans la BdC est :
3
EF  EC  m* kBT 2
n  NC exp avec NC  2 dC 2 
 
kBT  2 
Pour un SC non dégénéré, la concentration des trous dans la BdV est :
3
EV  EF  m* kBT 2
p  NV exp avec NV  2 dV 2 
 
kBT  2 
Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Résumée
La condition de neutralité électrique s'écrit : n = p et le niveau de Fermi se situe à :
*
EC  EV kBT NV EC  EV 3kBT mdV
EF   ln   ln *
2 2 NC 2 4 mdC

La concentration de porteur intrinsèque est donné par :


EV  EC  Eg ! 2  Eg
np  NCNv exp  NCNv exp ni n i  NCNv exp
kBT kBT 2 kBT
Semiconducteurs extrinsèques :
Dopage type n : ajout de niveau donneurs proche du minimum de la BdC
Dopage type p : ajout de niveau accepteurs proche du maximum de la BdV

Nombre de donneurs ionisés : Nombre d'accepteurs ionisés :


ND NA
ND  NA 
 E  ED   E  EF 
1  gD exp F  1  gA exp A 
 kBT   Bk T 
La position du niveau de Fermi est fixé par la condition de neutralité électrique :
p  ND  n  NA

Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Résumée
Exemples de solutions particulières :

type n type p
ND >> NA NA >> ND

NCND   EC  ED  NVNA   EA  EV 
n exp p exp
gD 2kBT gA 2kBT
gel
ED  EC kBT N EV  EA kBT gANV
extrinsèque

EF   ln D EF   ln
NC 2 2 gDNC 2 2 NA
EC  ED  kBTg ln
ND ni2 ni2
n  ND p  p  NA n
n p
saturation N NV
EF  EC  kBT ln D EF  EV  kBT ln
NC NA
 Eg
ND  NCNv exp
2 kBTi
n  p  ni EC  EV kBT NV
EF   ln
2 2 NC
intrinsèque  Eg
n i  NCNv exp
2 kBT

Physique du Solide