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Le principe de la pulvérisation

cathodique

É L A B O R É PA R :
KARAOUD IMEN
DAHSA RAKIA
M AT H L O U T H I A M E N I
Introduction
Le principe de la pulvérisation
cathodique

L’appareillage
La pulvérisation
diode
La pulvérisation
triode
La pulvérisation magnétron

Les avantages et les


inconvénients
Les domaines
d’application
Introduction

Les techniques de dépôts physiques en phase vapeur,


appelés PVD (en anglais : Physical Vapor Deposition), sont
des techniques d’élaboration de couches minces. Elles
peuvent êtres divisées en plusieurs parties selon le
procédé mis à profit pour l'obtention de la couche mince:

La pulvérisation L’évaporation L’implantation


cathodique sous vide ionique
La pulvérisation cathodique
Définition
La pulvérisation cathodique est un phénomène d'éjection des
particules à partir de la surface d'un matériau, lorsque celui-ci est
bombardé par un flux de particules énergétiques.
On distingue deux types de
pulvérisation cathodique

Dans chacun de ces cas la cible peut


être constituée d'un élément simple
ou bien d'un composé

La pulvérisation La pulvérisation
simple réactive

Dans la pulvérisation simple Dans le cas de la pulvérisation


l'atmosphère de la décharge est cathodique réactive l'atmosphère du
chimiquement neutre, c'est-à-dire plasma est réactive, c'est-à-dire que
que l'on produit un vide de 10-6 l'on introduit un certain pourcentage
torr. On injecte ensuite le gaz de gaz actif dans l'argon, par exemple
d'argon pur pour créer le plasma. de l'oxygène O2 ou de l'azote N2.
Le principe de fonctionnement

Le mécanisme de
pulvérisation est un
processus purement
mécanique de transfert
de quantité de
mouvement des
particules incidentes aux
atomes de la cible.
1-Ce processus se
déroule toujours dans
2-Les ions de à vide où
une chambre
bombardement sont
l'on place la cible et le
souvent ceux de l’argon
substrat.
que l’on mélange avec un
autre gaz réactif,
3-L'application qui sont
d'une
introduitvariant
tension dans ladechambre
500 à
à vide.volts sur l’électrode
5000
porte cible, produit une
plasma décharge
4-Les ionsélectrique
présentsqui
ionise l'argon par
dans
5-Les le plasma sont
particules
collisions électroniques et
attirés par
pulvérisées lasont
déclenche alors
cathode,
la
et par transfert
diffusées
formation de
dansplasma.
d'un toute
quantité deUn certain
l’enceinte.
mouvement
nombre d’entreéjectent
elles
On utilise l’argon comme gaz de décharge en des
sontatomes de la
recueillies cible.
sur le
raison de son inertie chimique, sa faible substrat, sur lequel
énergie d’ionisation et son faible coût. elles forment une
couche mince.
Le mécanisme d'arrachement des atomes de la cibles
par des particules ionisées est le suivant :

Collision des ions incidents sur Emission d’atomes ou


la cible qui aboutit à un d’agrégats avec une énergie
transfert d’énergie cinétique cinétique donnée qui se
et de quantité de déposent sur le substrat et
mouvements. font croître un film mince de
matériau cible.
pour la pulvérisation cathodique:
https://www.youtube.com/watch?v=noHrDL3YUhE 
La pulvérisation cathodique du matériau à déposer est
obtenue à l’aide de plasma qui est l’effet d’une
décharge électrique dans un gaz.

Alors c’est quoi


un plasma?
Le plasma, appelé aussi décharge luminescente ,est
souvent qualifié comme étant le quatrième état de
la matière. Il représente dans l’univers 99% de la
matière visible. C’est un gaz électriquement neutre,
mais conducteur et généré par excitation d'origine
électrique, magnétique ou thermique.

Pour la pulvérisation cathodique on


s’intéresse aux plasmas dont le
dégréé d'ionisation est faible,
typiquement inferieur à 10-4 .
Les constituants du plasma
Les particules
neutres
(atomes et
molécules)

Les photons
Le Les électrons
plasma

Les ions
Rendement de pulvérisation:
Le rendement de pulvérisation S est défini comme le rapport
du nombre d'atomes pulvérisés de la cible à celui du
nombre d'ions incidents. Il est fonction de :
 L'énergie des ions incidents (celle-ci est proportionnelle à la
tension appliquée à la cible),
La nature (chimique et cristallographique) de la cible,
L'angle d'incidence des ions par rapport à la cible,
 La nature du gaz,
L'état physico-chimique de la surface de la cible
(contamination).
Appareillage
1- Le réacteur
4
2- Pompe primaire à
palettes
5
3- Hublot
4- Le moteur des
2
porte-échantillons
1
internes
3
5- Capot

Équipement de pulvérisation cathodique type SCM 650 (ALCATEL)


Le réacteur est constitué d'un cylindre en acier
inoxydable, fermé à chaque extrémité par une platine
robuste et indéformable de même nature pour éviter
l’écrasement dû à la pression atmosphérique extérieure

Son capacité
volumique est de 100
L, capacité offrant la
possibilité de disposer
trois cibles de 20 cm de
diamètre.
Cette installation
comporte aussi un hublot
sur la paroi latérale pour
une bonne visualisation
de l'intérieur de l'enceinte
et en particulier du
plasma autorisant un
diagnostic visuel régulier
de la décharge.
Les enceintes sont reliées à un système de
pompage afin d’établir le vide au sein du
réacteur.
Ils se composent d’une pompe à palettes
d’une capacité d’aspiration d’environ 10
m3 .s -1 pour l’obtention du vide primaire (7
Pa) associés à une pompe turbo moléculaire
offrant un pompage de 0,45 m3 .s -1.
Le porte-substrat est muni d'un système de
rotation motorisé permettant de renouveler
la surface d'impact du substrat rencontrée
par le flux de vapeur métallique.
Il maintient les échantillons en regard et à
une distance de 12 cm de la cible.
Cette distance substrat-cible est
fixe.
La diversité des formes de cibles de la pulvérisation
cathodique (circulaires, rectangulaires, Delta, tubulaires...)
et des matériaux utilisés permet de créer tous types de
couches minces.
Il existe différents types de systèmes de pulvérisation
cathodique, suivant le mode de création du plasma ou la
nature de la cible (conductrice ou isolante):

Pulvérisatio Pulvérisatio
n diode n triode

Pulvérisatio
Pulvérisatio
n par
n
faisceau
La magnétron
d’ion
pulvérisation
cathodique
La pulvérisation diode

La pulvérisation cathodique diode en courant continu DC:


Il s'agit de la pulvérisation cathodique sans renforcement
magnétique

Le système de pulvérisation de type diode


Ce dispositif est
composé d'une
enceinte à vide où
règne
La une froide,
cathode
sur laquelle le
pression
L'anode,
résiduelleà sur
matériau
pulvériser
inférieureest
laquelle se fixé,
à 10-3
est reliée
torr, dans aulaquelle
pôle
trouve
négatif le
d'un
Les
ontions
été du gaz
disposées
substrat,
générateur
neutre est
de
deux électrodes
tension continue de
généralement
bombardent
planes,
quelques cathode
kilovolts.et
violemment
reliée la la cible
anode, àdistante
polarisée
masse.
de quelques
négativement,
centimètres.
pulvérisant ainsi les
atomes de surface
Schéma de principe de la pulvérisation qui vont se déposer
cathodique diode sur le substrat.
Les limites du dispositif diode

Le système de pulvérisation cathodique DC diode présente l'avantage
d'être très simple à mettre en œuvre.

Son inconvénient majeur est lié à la nécessité d'utiliser une valeur élevée
de la pression (10-1 ou 10-2 torr ) pour entretenir une décharge stable.

En effet aux pressions élevées, on observe dans les films déposés la
présence en quantité non négligeable d'impuretés, en provenance
principalement :

De l'atmosphère résiduelle ; par exemple


Du gaz de bombardement, par de la vapeur d'eau, de l'oxygène ou des
exemple de l'argon occlus dans les molécules organiques, qui ne peuvent
couches être totalement éliminés du fait de la
faible dynamique de pompage dans la
gamme de pression considérée.

La vitesse de dépôt est faible alors cet ancien procédé est peu performant.
 L’accumulation des charges positives apportées par
les ions à la surface de la cible interdit toute
pulvérisation

La pulvérisation des
matériaux isolants
Les matériaux nécessite donc une
isolants ne polarisation alternative
peuvent pas être de la cible:
élaborés par ce pulvérisation
procédé. cathodique RF
La pulvérisation cathodique haute fréquence:
En pulvérisation cathodique radiofréquence (RF),
le champ électrique continu est remplacé par un
champ électrique radiofréquence (fixée par
convention à 13,56 MHz) qui permet de déposer
avec un seul appareil des couches minces
conductrices, semi-conductrices et isolantes.
Enceinte de pulvérisation diode RF.
La tension d’attraction des ions est alternative c’est-à-dire
que pendant l’alternance négative, les ions vont pulvériser
la cible et pendant l’alternance positive, les électrons vont
neutraliser les charges positives accumulées sur la cible.
De cette manière, les charges sont éliminées d’une
alternance à l’autre, pour ne pas s’y accumuler.
Si l'on ajoute un champ magnétique continu au
champ électrique haute fréquence, on peut
maintenir une décharge stable jusqu'à quelques
10-4 torr .

Ceci est un avantage considérable car le libre


parcours moyen des molécules gazeuses est
d'environ 50 cm. La plupart des atomes
éjectés de la cible ne rencontreront pas les
molécules du gaz résiduel.
La puissance RF fournie à l'électrode doit passer par un
transformateur d'adaptation d'impédance.
Celui-ci contiendra à la fois des condensateurs et une
bobine d'inductance et fournira de la puissance par
l'intermédiaire d'un condensateur de blocage DC.
 L'inclusion de ce condensateur de blocage est
importante.
Système de décharge
relativement élevé

Des taux de revêtement


relativement élevés

Peut déposer aussi bien des


Le système matériaux conducteurs que
RF est : des matériaux isolants

Le seul besoin supplémentaire de


conducteurs de pulvérisation est un
condensateur de blocage pour éviter un
court-circuit entre la cible et la terre.
La pulvérisation triode

Système de pulvérisation cathodique Triode


Dans le procédé diode le plasma se faisait entre la cible
et le porte-substrats, alors que dans le procédé triode, le
plasma est créé puis entretenu indépendamment de la
cible.
Dans les procédés diode DC ou haute
fréquence, le plasma est produit au moyen
d'une décharge à cathode froide. Ce procédé
de production des ions exige l'utilisation de
tensions relativement élevées ce qui est un
inconvénient dans certains cas. De plus il n'y a
pas assez d'électrons pour ioniser le plasma.
Dans le système de
pulvérisation
cathodique DC triode
on produit la
décharge au moyen
d’électrons émis par
Une anode dite anode
une cathode chauffée
primaire est placée en
grâce à un filament de
face du filament de
tungstène qui
tungstène et portée à
supporte une très
un potentiel de +150
haute
En température
voyageant vers de
volts.
2500°C.
l'anode, les électrons
percutent des atomes
du gaz d'argon de
l'enceinte
Le . Le gazpeut
porte substrat
d'argon
lui aussi est
êtreionisé
portéetà
créepotentiel
un le plasma par le
choc des électrons.
faiblement négatif
afin d'attirer des
d'ions du plasma.
Ceci permet
d'améliorer la qualité
des films déposés.
L'efficacité de ce dispositif peut être améliorée par
l'application d'un champ magnétique longitudinal
superposé au champ électrique permet d'allonger les
trajectoires électroniques en les spiralant et
d'augmenter ainsi leur probabilité d'ionisation par
collision.
Ce champ magnétique a également pour effet de
concentrer le plasma dans la zone centrale de
l'enceinte.
L'ensemble constitué par le filament, l'anode et la bobine
générant le champ magnétique, est un dispositif
générateur de plasma indépendant de la cible et du
substrat.
Le potentiel de la cible n'ayant aucune influence sur le
maintien de la décharge, on pourra se contenter de
tensions faibles (500 à 1500 volts ou moins), ce qui annule
les risques de claquage.

Cette indépendance de la cible par rapport au plasma fait


que l'on pourra déplacer la cible au-dessus de l'anode ou
lui donner n'importe quelle forme (ce qui n'est pas le cas
avec des procédés diodes).
Le substrat lui aussi peut être déplacé à volonté et se
présenter sous n'importe quelle forme.
Dans le système triode, la décharge peut être
entretenue à une pression plus faible que dans
le montage DC diode : de l'ordre de 10-3 à 10-4
torr, ce qui est un avantage du point de vue de la
contamination des couches par le gaz utilisé pour
former le plasma.
L’inconvénient de cette technique est la réaction
qui peut se produire entre l’émetteur
thermoélectronique et le plasma.
La pulvérisation magnétron

Ce type de pulvérisation
fonctionne avec un magnétron
qui utilise des champs forts
électriques et magnétiques pour
emprisonner des électrons près
du son surface qui est connu
comme la cible
 Le principe de ce type de pulvérisation est basé
sur un procédé diode classique .
 Ce procédé est mis en œuvre sous une
atmosphère raréfiée établie grâce à un groupe
de pompage permettant de travailler à basse
pression.
 La seule différence avec un procédé diode
classique réside dans l’utilisation d’un magnétron.
Un dispositif
magnétron est
constitué de deux
Ils créent un
aimants
champ
permanents de
magnétique
polarité inverse
La combinaison
parallèle à lala
situés sous
de ces deux
surface
cible de la cible
effets permetaude
et orthogonal
piéger
champ
le champ les
électrique.
électrons
magnétique par les
lignes
augmentede champ
la
densité du
L’ augmentation
plasma
le au de
demagnétron
vitesse
voisinage
permet de la
pulvérisation.
d’entretenir
cathode
Et croissance la
décharge pour de
des couches
plus faibles
minces
pressions de
travail, et améliore
la qualité des
revêtements
La pulvérisation magnétron
peut être effectuée en
utilisant une ou plusieurs
cathodes qu’on appelle «dual
magnétron» pour déposer
des multicouches.
Revêtements décoratifs par système de pulvérisation
magnétron SP1000
Cette machine peut appliquer des revêtements
métallisant sur des pièces en plastique, en céramique,
en verre et en métal.
La pulvérisation magnétron peut
être livrée avec une cible
cylindrique .
L'efficacité de la puissance de
déposition a été doublée par
rapport à celle obtenue par
pulvérisation magnétron
conventionnelle
Le fonctionnement
Le gaz Ar qui est activé dans
1 le plasma forme des ions Ar+.

Les ions Ar+ expulsent les


2 atomes métalliques de la cible.

Un champ magnétique déséquilibré


3 introduit les ions Ar autour du
substrat.
Application d’une tension négative sur le
4 substrat pour attirer les ions Ar qui induisent
de l'énergie active aux atomes métalliques
qui se déposent sur le substrat.

Des films métalliques solides


5 sont formés sur le substrat.
Les instruments de mesure
de vide
Les pompes à
vide

Chambre de
pulvérisation

Les cathodes de Les composants


pulvérisation électriques

Alimentation électrique
Différentes couleurs réalisées par pulvérisation magnétron
Les détails techniques

Système de pompage :Pompes turbomoléculaires ou pompe à


diffusion + pompe mécanique.
La durée de pompage: De l'atmosphère à 5.10ˉ²Pa moins de 8 minutes
Vide limite:5.10ˉ⁴
La température de fonctionnement: température ambiante
Mode de travail : Mode automatique ou manuel, par 10,4 (ou 15)
pouces Ecran tactile PLC
Puissance global: 10-100 KW
Instruments facultatifs :
1. Contrôleur d'épaisseur de revêtements
2. Détecteur de fuites
Magnéton circulaire

Les magnétrons circulaires


sont plus communément
trouvés dans les systèmes
confocaux de traitement
par lots à plus petite
échelle.
Magnéton linéaire

Pour ceux qui doivent


revêtir des substrats
extrêmement larges ou qui
doivent atteindre des
débits extrêmement
élevés, les systèmes de
pulvérisation magnétron
linéaire offrent la solution
parfaite.
Les avantages de la pulvérisation magnétron
Plus utilisée au niveau industriel
Elle permet la fabrication de
car elle permet d’obtenir des
couches minces de matériaux
vitesses de pulvérisation
complexes, tels que les alliages,
importantes, une meilleure
ce qui n’est pas aussi aisé par
uniformité des dépôts et une
évaporation sous vide.
bonne reproductibilité.

Un plasma dense peut être Réalisation d’un dépôt d’un matériau


formé à basse pression (< 0,7 hors équilibre thermodynamique:
Pa). Les ions peuvent alors être l'énergie nécessaire à la réaction est
accélérés du plasma à la apportée par les espèces ionisées de
cathode avec des pertes la phase plasma et non sous forme
thermique par chauffage
d'énergie moindres
Les électrons générés par le La région du plasma est fortement
plasma et les électrons confinée dans la zone d'environ 60 mm
secondaires pulvérisés sont sur le surface cible, la concentration
étroitement confinés près de la plasmatique diminue rapidement à
surface cible par le champ mesure que la distance de la surface
magnétique cible augmente.

A ce moment, la
pièce à usiner ne
Les inconvénients peut être placée
que dans une
plage de 50 à 100
mm de cibles pour
renforcer l'effet du
bombardement
ionique.
Domaines d’application :
 Les métallisations pour la production des semi-conducteurs,
 Les couches transparentes conductrices pour les écrans
électroluminescents
 Les résistances à couches minces,
 Les couches optiques à longue durée de vie telles que les miroirs
pour gyroscopes à lasers
 Les couches dures pour les outils
 Les dépôts en continu sur des rouleaux de films plastiques pour
des applications architecturales (contrôles thermiques, maisons
solaires, …).
Merci pour
votre attention