COMPOSANTS OPTOELECTRONIQUES

 Les caractéristiques de transmission sur fibres optiques dépendent

du type support employé qui doit avoir des distorsion et des
atténuations de faibles valeurs et du type de dispositif électronique
utilisé pour la transmission de la lumière et sa détection

 Le choix de la fibre optique est le 1er stade pour la réalisation

d’une liaison optique , puis vient le chois des éléments opto-
électronique d’émission et de réception.

 Les dispositifs actuellement utilisés dans les systèmes de

transmission sur fibres optiques sont réalisés avec des matériaux
semi conducteurs , qui ont une caractéristique importante à émettre
une énergie lumineuse ( sources LED ou LASER) ou à générer un
courant électrique proportionnel à l’énergie lumineuse reçue ( photo
détecteurs PIN ou APD ).

1
 Synoptique d’une liaison sur fibre optique

Emetteur Connecteur Cable

Epissure Cable Recepteur

2
 ATTENUATION DE LA FIBRE OPTIQUE EN FONCTION DE LA
LONGUEUR D’ONDE 
 Par un certain dopage : modification de la structure cristalline des semi
conducteurs par l’introduction d’impuretés telles que l’Indium , le Gallium …il
est possible de réaliser des dispositifs en mesure de travailler à des
longueurs d’ondes désirées, correspondantes au type de fenêtre utilisées
Atténuation
(dB/km)
3ème fenêtre
1ère fenêtre 1,5 µm
2ème fenêtre
0,85 µm 1,3 µm

Longueur d’onde
(µm)
3
 Différents types de sources
 Les sources à large spectre (lampes incandescentes).
 introduisent une dispersion chromatique très importante :
- Très faibles bandes passantes
- Diagrammes de  rayonnement quasi omni directionnels (très faibles
couplages
 Les sources à spectre réduit (diodes laser et diodes
electroluminiscentes
 En télécommunications optiques , la nécessité d’utiliser des bandes
passantes plus larges impose le choix de sources à spectres réduits telles
que les diodes laser (DL) et les diodes electroluminiscentes (DEL)
- Diagrammes de  rayonnement quasi omni directionnels (très faibles
couplages
- Les sources DL et LED ont réalisées à partir de jonction PN polarisée en
direct . le principe de l’émission est du à la recombinaison des paires
electron-trou .
 La DEL est une source incohérente elle présente un spectre d’émission
assez large et un diagramme de rayonnement moins directif, utilisée
essentiellement dans les systèmes de transmission qui nécessitent pas de
très grandes bandes passantes.
 La DL est une source cohérente , utilisée dans les systèmes de
transmission à très grandes distances (faible largeur spectrale ,bande
passante importante ) 4
PARAMETRES CARACTERISTIQUES DES SOURCES
OPTIQUES.
Les principaux paramètres qui caractérisent les sources optiques sont :

 Largeur spectrale
 Durée de vie de la source
 Intensité lumineuse émise
 Fréquence de modulation.

5
PARAMETRES CARACTERISTIQUES DES SOURCES OPTIQUES.
 Longueur d’onde
 Pour optimiser l’utilisation des fibres , il est nécessaire que la source
émette des ondes optiques à la longueur d’onde ou la fibre présente
un minimum d’atténuation ainsi qu’un minimum de dispersion . il faut
s‘assurer de la disponibilité de détecteurs à ces longueurs d’ondes .
 Pour la fibre en silice (SiO2) , il existe principalement trois fenêtres
de transmission qui se situent à 0,85 μm , à 1,3 μm et à 1,5 μm

 Intensité lumineuse(Puissance de sortie)

 Le niveau de puissance émise a une grande influence sur la portée
de la liaison
 Pour augmenter la portée de liaisons optiques ,on doit émettre la
plus grande puissance possible sans dépasser un certain seuil au
delà duquel la fibre se comporte comme un élément non linéaire.
- Le seuil de non linéarité est d’environ de 20 Kw/cm2 pour la silice .
- Les sources disponibles dans le domaine des télécommunications
émettent des puissances quelques dBm ) très inférieures au seuil de
non linéarité .

6
 Dimensions
 les dimensions des sources optiques doivent être comparables à
celles de la fibre .
 l’idéal serait que toute la puissance émise par la source soit
totalement injectée dans le cœur de la fibre .
 Effet de concentration énergétique
 le diagramme de rayonnement de l ‘onde émise doit être le plus
directif possible afin d’assurer le meilleur couplage entre la source
et la fibre.
 Largeur spectrale
 La largeur spectrale intervient ,sur la bande que peut transmettre
une fibre .
 Pour augmenter la bande passante de la fibre , il est nécessaire
de minimiser la dispersion chromatique , ce qui conduit à utiliser
des sources de faibles largeurs spectrales .

7
De la largeur du spectre d’émission dépend l’effet de
dispersion chromatique . Donc de la bande passante

LED

0,1-5nm
LASER

850 λ(nm)

30 nm pousr LED fonctionnant à 800-900nm

100 nm pour LED fonctionnant à 1300 nm
2 nm pour le LASER.
8
 Durée de vie pour une source optique
 La durée de vie d’une source est un paramètre important pour la
fiabilité d’un système de transmission.
107 mn pour les LED
105 mn pour les LASER

 La dégradation des caractéristiques de ces dispositifs déterminent la

durée de vie moyenne d’exploitation , cette dernière est strictement liée à
la température de fonctionnement de la jonction.

9
 Fréquence de modulation

 Paramètre important :Fréquence maximale à laquelle sont

modulés les LED et les LAZER est un

 Différente dans les deux dispositifs

- Pour la Led est de l’ordre de 10-150MHZ
- Pour le Laser peut aller jusqu'à 50ghz.

10
 Niveaux d’énergie
 Chaque atome d ’un cristal est caractérisé par un niveau d ’énergie. Les
niveaux très proches de tous les atomes d ’un cristal forment des bandes
d ’énergie.
 Dans les semi-conducteurs, à la température du zéro absolu, il existe une
bande, appelée bande de valence, dont tous les états d ’énergie sont
occupés par des électrons.
 Toutes les bandes supérieures sont vides, en particulier la bande de
conduction située immédiatement au dessus de la bande de valence.
 Ces deux bandes sont séparées par une largeur Eg (g pour gap=fossé)
appelée bande interdite

11
 PRINCIPE DE L’EMISSION ET DE L’ABSORPTION

 L’absorption et l’émission d’énergie sont obtenues à partir de la

transition des électrons d’un niveau d’énergie vers un autre niveau
La longueur d’onde de la radiation émise (absorbée) est liée à la
différence d’énergie entre ces deux niveaux

12
 PRINCIPE DE L’EMISSION ET DE L’ABSORPTION

 L’absorption et l’émission d’énergie sont obtenues à partir de la

transition des électrons d’un niveau d’énergie vers un autre niveau
La longueur d’onde de la radiation émise (absorbée) est liée à la
différence d’énergie entre ces deux niveaux

C
ΔE = EC – EV = hν = h
λ

ΔE : bande interdite (GAP) en eV ou en joules

EC : niveau d’energie de la bande de conduction.

EV : niveau d’énergie de la bande de valence.
h : constante de Planck : h = 6,62.10-34 J.S
C : vitesse de la lumière : C = 3 .108m/s
λ : longueur d’onde de la radiation lumineuse émise ou absorbée
13
 ABSORPTION

 Sous l ’effet de l ’agitation thermique, ou de tout apport d ’énergie

extérieure,par exemple provenant d ’un photon, un électron peut
s’arracher à son atome d’origine pour se déplacer librement dans le
cristal. L ’électron passe ainsi de la bande de valence à la bande de
conduction

 Cet électron laisse dans la bande de valence une lacune d’électron

appelée Trou qui se déplace aussi lorsqu ’un électron voisin le
remplit. L ’atome est alors dans un état excité.

14
Émission
 Un électron excité situé dans la bande de conduction peut passer
vers le niveau d’énergie plus bas en émettant un photon dont la
fréquence de rayonnement est donnée par :

C ΔE EC - EV

ΔE = hν = h ν = =
λ h h

 Selon que la désexcitation se fasse avec ou sans apport extérieur

(photon) nous distinguons deux types d’émission :

 Émission spontanée
 Émission stimulée

15
 ÉMISSION SPONTANEE
 Un atome dans l ’état fondamental n’émet pas de lumière. Par contre
un atome excité est dans un état instable. Il tend à revenir
spontanément dans son état fondamental en libérant la quantité
(quantum) d ’énergie qu ’il a reçue sous la forme d ’une radiation
lumineuse (photon)

 Cette émission de photon est appelée émission spontanée

 L’énergie du photon émis est 
 L’émission spontanée se fait de façon aléatoire et donne naissance à
des radiations incohérentes
 Les photons ainsi créés ne sont lies par aucune relation de phase
 Ce type d’émission se traduit par une faible directivité et une faible puissance

 Les LED émettent de la lumière incohérente par émission spontanée 16

 EMISSION STIMULEE

 Un atome dans l ’état excité frappé par un photon peut retomber

dans
l’état fondamental en émettant un autre photon. Il s ’agit d’émission
stimulée
 Ce nouveau photon produit par émission stimulée a la même
longueur d ’onde,la même phase, le même état de polarisation et la
même directivité spatiale que le photon incident. La lumière émise par
émission stimulée est cohérente

 Le LASER émet de la lumière cohérente par émission stimulée

17
 EMISSION STIMULEE:CONDITIONS
 Pour favoriser l’émission stimulée et obtenir l ’effet Laser deux
conditions doivent être réalisées

 Il faut qu ’il y ait suffisamment d’électrons dans le niveau d’énergie

supérieur (état excité). Pour cela il faut créer une inversion de
population, qui consiste à mettre suffisamment d ’électrons dans la
bande de conduction. Dans les semi-conducteurs,on obtient cette
inversion de population par pompage optique ou électrique.

 Il faut qu ’il y ait suffisamment de photons excitateurs. Pour cela on

oblige l ’énergie lumineuse à s ’accumuler sur place en enfermant le
semiconducteur dans une cavité résonnante de type Fabry Perrot

18
Émission optique dans les semi-conducteurs
 Niveaux d’énergies
Un semi-conducteur est caractérise par trois types de niveaux d’énergie :
 niveau de valence
 niveau de conduction
 niveau de Fermi

 Semi-conducteur intrinsèque et extrinsèques

 lorsqu’ un semi-conducteur est pur , on dit qu’il est intrinsèque

,son
niveau de fermi se situe exactement au milieu de la bande
interdite
Ec

EF

Ev

Diagramme d’énergie d’un semi-conducteur intrinsèque 19

Semi conducteur dopé
 Doper un semi-conducteur consiste à lui injecter des impuretés
constituées
 soit d’atomes donneurs (semi-conducteur de type N)
 soit d’atomes accepteurs (semi-conducteurs de type P)
 Le dopeur se traduit par le déplacement du niveau de Fermi qui
dépend du type et de la concentration de dopants

SC extrinsèque de type N SC extrinsèque de type P

Ec Ec
EF

EF
Ev Ev

20
 PRINCIPE DE LA JONCTION PN
A partir de deux semi-conducteurs différents (P et N) on peut en les
mettant en contact réaliser une jonction PN 

P N
Atomes donneurs
Atomes accepteurs

Électrons (majoritaires)
Trous (majoritaires)
21
 DIAGRAMME D’ENERGIE D’UNE JONCTION PN
 La différence des niveaux d’énergie entre les deux régions
P et N représente la barrière de potentiel

EcP

EcN

EFP E FN

EvP

EcN

22
 JONCTION PN POLARISEE EN DIRECT
 La polarisation de la jonction en direct permet de diminuer la barrière
de potentiel
 Lorsque les porteurs majoritaires traversent la zone déserte , un
certain nombre de recombinaisons se produisent ,l’énergie cédée par
la recombinaison d’une paire electron-trou est approximativement
égale à celle du GAP(BI)
 la recombinaison peut être :
- soit radiative (création de photon)
- soit non radiative (vibration ou chaleur)

23
 DIAGRAMME D’ENERGIE D’UNE JONCTION PN POLARISEE
 Le phénomène radiatif constitue l’émission spontanée
 les photons émis n’ont entre eux aucune relation de phase
 Leur direction de propagation est aléatoire , ce qui se traduit par une
émission incohérente .
 La quantité de lumière produite est proportionnelle au nombre de paires
electron-trou qui se recombinent dans la jonction PN . elle est donc
proportionnelle au courant de pénétration .
EcN

EcP

EFN

région déserte
EFP (Dépourvue de
porteurs
EVp majoritaires) 24
 HOMOJONCTION ET HETEROJONCTION
 les sources optiques utilisées dans le domaine des
télécommunications sont réalisées à partir des jonction PN polarises
en direct
 la mise en contact de deux semi-conducteurs permet de réaliser une
jonction ( P - N , N – N ou P – P ) que l’on peut classer en
 Homojonction
- Semi-conducteurs utilises sont réalises à partir du même
matériau ( même GAP )
 Hétérojonction
- Semi-conducteurs sont réalisés à partir de matériaux différents
de GAP différents.
 Types d’hétérojonction :
- l’hétérojonction anisotype ( P – N ) .
- l’hétérojonction isotype ( N – N  ou P – P ).
 Les dispositifs réalisés à partir d’hétérojonction sont des
hétérostructures

25
 MATERIAUX UTILISES DANS LES SOURCES OPTIQUES

 Lors de la conception des sources optiques , il faut toujours rechercher le

matériau qui produit le meilleur rendement quantique (semi-conducteur à
bande interdite directe) et un GAP correspondant à la longueur d’onde
souhaitée
 Les matériaux semi-conducteurs utilises dans les dispositifs
optoélectroniques peuvent être classes en :
 Composes primaires  : Ge et Si
 Composes binaires : GaAs et InAs
 Composes ternaires   : ALxGa1-xAs et GaxIn1-xAs
 Composes quaternaires : GaxIn1-xP1-yAsy

 Les composés se différentient par la largeur de la bande interdite qui fixe

la longueur d’onde du signal cree. Cette longueur d’onde est obtenue de
la relation suivante :
C hC
ΔE = hν = h λ=
λ ΔE

hC = 6,62.10-34j.s. 3.108m/s , 1eV = 1,6.10-19 J

26
composé GAP (eV) λ (μm) Type

Si 1,1 1,13 primaire

Ge 0,72 1,72 primaire

GaP 2 ,26 0,55 binaire

GaAs 1,43 0,87 binaire

GaSb 0,73 1,7 binaire

InAs 0,35 3,54 binaire

IsSb 0,2 6,2 binaire

GaxIn1-xAs 1,43 – 0,35 0,87 – 3,54 ternaire

AlxGa1-xAs 1,43 – 0,35 0,87 – 3,54 ternaire

GaxIn1-xP1-yAs 1,36 – 0,35 0,91 – 3,44 Quaternaire

27
 LASER A CAVITE ( FABRY PERROT)
Principe de fonctionnement

Le principe du LASER ( Light Amplifiication by Stimulated Emission of

Radiation ) repose sur deux éléments essentiels :
 un amplificateur d’onde lumineuse
 Une boucle de contre réaction formant le résonateur

 L’amplificateur utilise le principe de l’émission stimulée dans une

jonction PN polarisée en direct.
 Le résonateur « Fabry-Perrot » est constitue d’une cavité formée de
deux miroirs parfaitement parallèles ( faces clivées contenant
l’amplificateur )
 L’injection des porteurs majoritaires dans la jonction PN produit une
inversion de population et provoque :
 une émission spontanée
 une émission stimulée
 L’introduction de la jonction dans la cavité , permet d’obtenir , au
dessus d’un certain seuil de polarisation , un gain supérieur aux pertes
de la cavité.
28
 INVERSION DE POPULATION

 Dans les conditions d’équilibre thermique , le niveau d’énergie le

plus bas Ev contient plus d’électrons que le niveau supérieur Ec.
 L’inversion de population est obtenue lorsqu’on crée un déséquilibre
de la distribution de la population de façon à ce que la population du
niveau d’énergie le plus bas devienne plus faible que celle du
niveau d’énergie le plus élevé
Ec Ec

Ev Ev
Distribution normale Inversion de population
(équilibre thermique)
 Pour réaliser l’inversion de population , il est nécessaire d’exciter l’atome
à l’aide d’une source extérieure appelée pompe
 La transition des électrons vers le niveau d’énergie supérieur doit avoir
une durée de vie de façon à stocker suffisamment d’électrons et réaliser
ainsi l’inversion de population désirée .
29
EMISSION STIMULEE - AMPLIFICATION

30
Amplificateur optique
 L’amplification optique dans le LASER , se produit lorsequ’un photon
heurte un atome dans un état excité , créant l’émission d’un deuxième
photon . ces deux photons créent à leur tour deux autres photons . la
continuation de cet effet crée une multiplication par effet d’avalanche

 Pour que cette amplification ait lieu , il faudrait que les photons crées
soient en phase et se propagent suivant la même direction (cohérence
spatiale )

 Pour achever l’effet LASER , il est nécessaire de concentrer les

photons dans un milieu qui permette de maintenir cette cohérence.
Ceci peut être obtenu en plaçant un miroir à chaque extrémité du
milieu amplificateur

 Le signal optique est amplifie chaque fois qu’il traverse le milieu

résonateur constituant la cavité (Fabry-Perrot). Apres plusieurs aller-
retour , un effet de saturation se produit et l’oscillateur devient stable.

31
 Le signal optique est amplifie chaque fois qu’il traverse le milieu
résonateur constituant la cavité (Fabry-perrot). Apres plusieurs aller-
retour , un effet de saturation se produit et l’oscillateur devient stable
 L’imperfection des deux miroirs (coefficient de transmission non nul)
permet de disposer sur chaque face d’un faisceau lumineux
 le premier faisceau est couple à la fibre
 le deuxième faisceau est utilise pour le contrôle du niveau de
puissance émise .

32
 LASER A DOUBLE HETEROJONCTION

 La deuxième génération de LAZER qui est apparue est celle des

LASER à double hétérojonction fonctionnant avec des courants de
seuil beaucoup plus faibles.cette génération de LASER peut être
utilisée en régime continu
 Ce type de LASER sont conçus en disposant en sandwich , une
fine couche d’arséniure de gallium AsGa entre deux couches
d’AsxGa1-x As de type P et de type N de bande interdite plus
grande

AsxGa1-x As (P)

AsGa (P)
AsGa (P)

AsxGa1-x As (N)

33
 CARACTERISTIQUES DES LASERS
 Les lasers se caractérisent par l ’étroitesse de la longueur d ’onde
qu ’ils émettent. Le spectre émis se compose de plusieurs raies
centrées autour de la longueur d ’onde principale.

 La longueur d ’onde centrale est donnée par la composition du

matériau. Pour les télécommunications on choisit une composition
de GaInAsP qui émette à 1.3 ou 1.55 μm.

 L ’espacement des raies appelé Intervalle Spectral Libre (ISL) est

donné par la longueur L de la cavité Fabry- Pérot, l ’indice n de la
couche active du laser, et la longueur d ’onde centrale λ . L ’ISL est
de l ’ordre du nanomètre

 Exemple : laser émettant à 1.55 μm, de 300 μm de long et d ’indice

n = 3.2.

34
 SPECTRE D’UN LASER

 La cavité résonnante Fabry-Pérot donne un spectre en forme de

peigne
 La longueur d ’onde centrale est donnée par le matériau de la
couche active.
 Seules les longueurs d ’onde du peigne situées autour de cette
longueur d ’onde centrale sont amplifiées par le matériau (sur une
plage typique de 30 nm).

( m)
35
 CARACTERISTIQUE DE PUISSANCE D’UN LASER
 Lorsqu ’un faible courant lui est appliqué, une diode laser émet de la
même manière qu ’une LED par émission spontanée
 Pour obtenir une émission laser, il faut dépasser un certain seuil de
courant nécessaire à créer l ’inversion de population qui consiste à
faire passer suffisamment d ’électrons dans la bande de conduction
 Certains photons émis vont alors générer des photos cohérents qui
vont atteindre les faces clivées du laser en se multipliant. Une partie
des photons est transmise à l’extérieur du laser ,les autres sont
réfléchis dans la cavité en générant de nouveaux photons le nombre
de photons vont se multiplier. On obtient ainsi le phénomène Laser
 En régime laser la caractéristique de puissance émis en fonction du
courant est quasiment droite. A fort courant la courbe s ’éloigne de la
droite à cause de l ’échauffement.
Pout

IS = I0 e ( T / T0)

Is 36
 INFLUENCE DE LA TEMPERATURE

 Les performances des lasers varient en fonction de la température.

 Le courant de seuil du laser augmente avec la température. Il passe
typiquement de 15 mA à 20°C à 23 mA à 50°C
 La pente de la caractéristique de puissance en fonction du courant est
plus faible, le rendement de puissance en fonction du courant est
moindre.
 La longueur d ’onde d ’émission augmente avec la température
 Il est souvent nécessaire de réguler la température des lasers

A)

37
Modulation direct du LASER

38
39
Différents types de LASER

40
Réseaux de Bragg - Structure et spectre d’un laser DFB

41
COUPLAGE LASER - FIBRE

42
 RENDEMENT DE COUPLAGE LASER-FIBRE

 Le rendement de couplage entre un laser de longueur d’onde

λlaser et une fibre optique monomode de rayon de mode longueur
d’onde λ fibre est donné par

2
 2laser . fibre 
   2 

  laser   fibre
2

 Lorsque le laser et la fibre sont parfaitement alignés on ne couple
que 11.3% de la puissance émise par le laser dans la fibre. Et le
moindre défaut d ’alignement va augmenter les pertes très rapidement

43
 COUPLAGE LASER-FIBRE LENTILLEE

 On utilise des fibres lentillées pour améliorer le couplage laser fibre

 Pertes de couplage typiques avec une fibre lentillée 2 dB au lieu de

10dB avec une fibre monomode clivée

44
 MODULE LASER EN BOITIER

 LASER pour télécommunications optiques à 1,55 μm :

Montage en boîtier pour couplage avec la fibre optique
Circuit de refroidissement

 Puissance couplée de 1 à quelques Mw

 Puissance de l ’ordre de 10 mW pour un courant de l ’ordre de 100 mA

45
 PHOTODETECTEURS
 Composant essentiel dans les communications par fibre optique
 Son rôle est de convertir en énergie électrique, la puissance optique
reçue

 Principe de la photodetection
 Sous l’effet d’un photon d’énergie suffisante ,un électron de la
bande de valence est arrache et passe dans la bande de conduction
produisant une paire de porteurs
 Sous l’effet d’un champ électrique ces porteurs sont dissocies et
gênèrent un photo courant
 le photon incident ne peut être absorbe que si son énergie (hν)
est au minimum égale au GAP (ΔE) du matériau : hν ≥ ΔE

état stable création d’une paire création de 46

électron /trou photo-courants
 EXIGENCES

 Avoir une grande sensibilité à la longueur d’onde de fonctionnement

(autour de 0 ,85μm, 1,3 μm et 1,5 μm )
 Posséder une bande passante convenable
 Introduire un bruit minimum
 Reconstituer le signal original avec la plus grande fidélité
 Offrir un bon couplage avec la fibre
 Avoir une bonne stabilité en température
 Avoir une grande fiabilité et un faible coût

47
 CARACTERISTIQUES PRINCIPALES

Les photodétecteurs sont caractérises par :

 le coefficient d’absorption
 la longueur d’onde de coupure
 le rendement quantique
 La sensibilité

48
 TYPES DE PHOTODETECTEURS ET MATERIAUX

 On distingue les photodétecteurs de type PIN et à avalanche

 Photodiode PIN : un photon incident crée au mieux un photo-
électron
 Photodétecteur à avalanche : le photoélectron créé engendre à
son tour des photo-électrons secondaires en nombre aléatoire

 Énergies de bande interdite (Eg) et longueur d ‘onde maximales (l

max ) d’utilisation de matériaux pour photodiodes:

49
 PHOTO DETECTEUR PIN
 Dispositif (homostructure), élaboré à partir d’un seul matériau constitué
d’une jonction PN modifiée par introduction d’une zone intrinsèque
intermédiaire non dopée à laquelle aboutit la partie terminale de la fibre
optique de ligne.
 Par effet de la tension inverse les porteurs de charges positifs et
négatifs crées dans la zone intrinsèque ,attirés respectivement
dans les zones P et N, gênèrent un courant électrique proportionnel
à la puissance optique reçue

p n
Onde lumineuse
Appauvrissement
photons I V De la ZI

FIBRE N p
I
50
 Contact ohmique Couche réfléchissante
Couche anti-reflet

P
Photons Rc
I

E

N
Vp

Contact ohmique

Avantages: meilleur rendement d’absorption à largeur de zone I

moins de pertes.
Inconvénient: couplage fibre-photodiode plus délicat.
51
 RENDEMENT QUANTIQUE

 C’est la probabilité qu’un photon incident crée une paire électron-

trou.
Le rendement quantique externe tient compte:
– Du rendement de couplage entre la fibre et la « puce »
photodiode.
– Du coefficient de transmission de la couche anti-reflet.
– Des caractéristiques géométriques et électriques de la diode.
 C’est le rendement quantique externe qui est disponible pour les
utilisateurs

Rendement quantique externe (e) :

Nbre paires électrons-trous

e   1
Nbre de photons

52
 PHOTO DETECTEUR APD

 Deux modes de réalisation du dispositif APD

 Le 1èr mode de réalisation est similaire à celui des diodes PIN

p I N

APD AVEC COUCHE INTRINSEQUE

 Le 2ème mode ne présente pas de zone intrinsèque , les APD

sont dopés faiblement à proximité de la jonction et fortement
dopés aux extrémités

APD SANS COUCHE INTRINSEQUE

DOPAGE LEGER

DOPAGE LOURD 53
 PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT

 Fonctionnement basé sur l’effet d’avalanche

 S’obtient quand à une jonction PN est appliqué une tension de

polarisation inverse (Vi ) de valeur élevée ( 400 – 500 V ).
 Lorsque le champ électrique établi dans la zone déserte est
suffisamment intense ( polarisation inverse ) ,les porteurs
accélères par ce champ atteignent l’énergie d’ionisation du
matériau et provoquent la rupture des liaisons covalentes ,d’ou
création d’autres paires électrons –trous qui dissociés puis
accélérés par le champ électrique interne vont accentuer le
processus d’avalanche

54
 EFFET D’AVALANCHE

• Le principe de fonctionnement des photo diodes APD ( Avalanche

Photo Détecteur ) se base sur l’effet d’avalanche ; qui s’obtient ,
quand à une jonction PN ; est appliquée une tension de polarisation
inverse (Vi ) de valeur élevée ( 400 – 500 V ).
• Le processus de formation des paires électrons-trous est tout à fait
similaire à celui de la photo diode PIN , mais par l’effet du champ
électrique intense appliqué , les électrons photo générés fortement
accélérés , acquièrent une énergie cinétique qui , sous l’impact des
collisions contre les atomes du réseau cristallin ,sera cédé aux
autres électrons qui passent dans la BC.

55
MERCI POUR VOTRE
ATTENTION

56