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Etude d’équipements

Composants à semi-conducteurs

GEII-1ER DAHBI Sanae


Composants à semi-conducteurs
 Diode simple
• Après les composants passifs (obéissant à la loi d’Ohm généralisée), nous
commençons à étudier les composants actifs (permettant d’augmenter la
puissance d’un signal ou d’en modifier la forme)

• Le premier de ces composants est la diode jonction.

• Une diode est un dipôle réalisée par la jonction de deux semi-conducteurs:

₋ un dopé P qui constitue l ’anode


₋ l'autre dopé N qui constitue la cathode. N P

Cathode Anode
• Une diode est un élément semi-conducteur
unidirectionnel non commandé
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 Diode simple: Modèle d’une diode
• Modèle idéale

En polarisation directe c’est-à-dire si UA>UK. La diode se comporte alors comme


un interrupteur fermé.

En polarisation inverse (UA<UK). La diode est équivalente à un interrupteur


ouvert.

Une diode idéale ne dissipe donc aucune puissance

Mode passant
Vd=0 et Id>0

Mode bloqué
Vd<0 et Id=0
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 Diode simple: Modèle d’une diode
• Modèle réel
- En polarisation inverse, le courant inverse est très
faible mais il croît rapidement avec la température
de la jonction.

- En polarisation directe, au-delà de la tension de


seuil (VS≈0,6V pour le silicium), la diode est
conductrice. On peut définir en chaque point P de la
caractéristique une résistance statique(trait bleu):
RS=V/I et une résistance dynamique (trait vert) :
rD=dV/dI.

Mode passant

Mode bloqué
Composants à semi-conducteurs
 Diode simple: Modèle d’une diode
• Modèle réel
La caractéristique I=f(U) est une exponentielle. La relation entre I et U est de la
forme

 Is est le courant de saturation de la diode


U est la tension appliquée à la diode
n est un coefficient d’identité et dépend du semi-conducteur utilisé 1<n <2
est la tension thermodynamique où:
T est sa température absolue de fonctionnement, mesurée en °K
e est la charge élémentaire de l’électron 1,6.10 −19 C
k est la constante de Boltzman: k=1,38.10 −23 J/°K
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 Diode simple: Modèle d’une diode
• Modèle réel
₋ Lorsque V > 0, la fonction exponentielle l'emporte rapidement sur le nombre 1.

₋ Si V >> nkT/e (c'est à dire si V >> 50mV, à la température ambiante), alors


l'intensité est considérée exponentielle.
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 Diode simple: Modèle d’une diode
• Modèle réel
Si V<0, la fonction I(V) tend rapidement vers une valeur constante puisque
l'exponentielle devient très petite.
Composants à semi-conducteurs
 Diode simple: Modèle d’une diode
• Modèle réel
Lors du dimensionnements d’une diode, il faut prendre soin des paramètres
suivants:

₋ Courant direct Id
₋ Courant de pointe
₋ Tension directe Vd
₋ Tension inverse VR
Composants à semi-conducteurs
 Diode simple: Applications
• Diode de redressement simple alternance
La diode, présentant une résistance pratiquement infinie lorsqu’elle est polarisée en
inverse, peut être utilisée pour obtenir un courant unidirectionnel à partir d’un
courant alternatif tel que le courant sinusoïdal.
Dans le circuit de la figure, la diode est passante quand le potentiel de son anode est
supérieur de 0,6 V à celui de sa cathode. Si on néglige les effets dus à la tension de
seuil, la charge Ru est traversée par du courant uniquement pendant les alternances
positives
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 Diode simple: Applications
• Diode de redressement double alternance avec diodes
Pour procéder au redressement des deux alternances, il faut utiliser un
transformateur ayant deux enroulements secondaires identiques reliés en série et
qui délivre deux tensions opposées:e1=V.sinωt et e2=–e1.Le point commun aux
deux enroulements sert de référence de potentiel

Si e1>0 alors e2<0: la diode D1 conduit et la diode D2 est bloquée. Lors de la


demi-alternance suivante, la situation est inversée.
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 Diode simple: Applications
• Diode de redressement double alternance avec diodes
La méthode précédente ne nécessite que deux diodes mais impose l’utilisation d’un
transformateur spécial à point milieu. L’utilisation de 4 diodes permet l’emploi d’un
transformateur conventionnel. Ce montage constitue le pont de Graëtz. Il est
commercialisé sous la forme d’un dispositif compact muni de 4 bornes. Pendant
chaque alternance 2 diodes sont conductrices: la chute de tension dans le pont vaut 2
fois la tension seuil

Mais dans ce cas, chaque diode n’est


soumise en inverse qu’à la tension V. Il
n’est pas indispensable d’utiliser un
transformateur mais alors il n’y a plus
d’isolation galvanique entre le secteur et
le reste du montage.
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 Diode Zener
 • Une diode Zener est une diode qui a un comportement normale en polarisation
direct

• En polarisation inverse, lorsque la tension atteint une valeur Vz, la diode


commence à conduire en inverse un courant important Iz

• La caractéristique directe est une exponentielle

• La caractéristique en inverse est une droite de pente appelée résistance


dynamique en inverse
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 Diode Zener : applications
• Stabilisateur de tension (Ecrêtage)
 Soit le montage suivant où la diode Dz est caractérisée par une tension Uz

Si E < Uz alors I=0 et U=0


Si E > Uz alors I= et U = Uz =cste
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 Diode Varicap

₋ Une diode varicap est une diode qui lorsqu’elle est polarisée en inverse, se
comporte comme une capacité variable,

₋ La capacité est commandé par la tension inverse à la diode

- Les varicaps trouvent leurs applications dans :

• Les circuit d’accord de fréquence


• Régulation automatique de la fréquence
• Circuit de la modulation des signaux
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 Diode Varicap
Soit une jonction PN, lorsqu’on polarise la jonction PN en inverse. Une zone de dite
de déplétion (zone de charge d’espace) se développe au sein de la jonction PN

 La zone de déplétion est équivalent à un condensateur d’épaisseur W de valeur

C=
S: surface plane d’une armature
W: l’épaisseur qui sépare les deux armatures. Le condensateur charge de valeur de
la capacité lorsque W change
ε: Etant la permittivité du diélectrique selon le champ de polarisation inverse
appliquée à la jonction (différence de potentiel entre P et N ), la capacité C change
de valeur et elle vaut:

𝛄: facteur de forme (0,6<𝛄<0,8)


Composants à semi-conducteurs
 Diode Schottky
- Dans les diodes Schottky, la jonction P-N est remplacée par la jonction d’un
métal avec un semi-conducteur peu dopé (de type N car les porteurs sont plus
mobiles). Si le métal (anode) est positif par rapport à la zone N (cathode) la
jonction est conductrice.

- Cette diode qui ne fait intervenir qu’un seul type de


porteurs, présente une capacité beaucoup plus faible
que les diodes classiques.)
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 Diode Schottky
- Le courant dans la diode schottky est exponentielle avec une tension de seuil
faible entre 0,25V et 0,3V

- Le courant en inverse dans la diode schottky est pratiquement nul, ce qui fait des
diodes schottky de très bon commutateur rapide,
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 Diode Schottky

Les diodes schottky sont utilisées:

• En électronique de commutation rapide hautes fréquence


• Démodulation des signaux
• En électronique de puissance par la vertu de leur commutation rapide
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 Diode Electroluminescente DEL ou LED
• Une DEL ou (LED: light emitting diode) est une diode qui est lorsqu’elle est
polarisée en direct émet de la lumière

• La lumière émise par une DEL peut être monochromatique ou polychromatique

• Lorsque la lumière est monochromatique ( une seul couleur ou pas de couleur


comme le cas des diodes ultra-violet ou infrarouge), on dit que l’onde émise est
cohérente et possède une seul longueur
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 Diode Electroluminescente DEL ou LED : Applications

• Diode avec différents couleurs utilisées comme lampe témoins

• Production des infra-rouge et ultra-violet

• Production des lasers

• Excitation des bases des phototransistors


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 Photodiode
• Ce sont des diodes qui, lorsqu’elles sont polarisées en inverse et éclairées par
de la lumière, font passer un courant en inverse

• Ils sont utilisées dans les détecteurs:


- Détection infra-rouge
- Détection ultra-violet
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 Transistors Bipolaires: Structure

• Un transistor à jonction bipolaire (BJT) est un composant à semi-conducteur


constitué de 2 jonctions PN, très proches l'une de l'autre.

• Une diode ordinaire étant elle-même constituée d'une unique jonction P-N, on
pourrait dire qu'un transistor contient 2 diodes.

• Un transistor est formé de 3 zones (NPN ou PNP selon son type), tel qu'illustré
sur le dessin ci-dessous. Chaque "zone" est reliée à une électrode: base (B),
émetteur (E), collecteur (C).
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 Transistors Bipolaires: Symbole

NPN PNP

Vbe>0 , Vbc<0 et Vcb>0 Vbe<0 , Vbc>0 et Vcb<0

Vce = Vcb + Vbe Vce = Vcb + Vbe

Vce>0 Vce<0
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 Transistors Bipolaires: Fonctionnement
• On fait le raisonnement sur un transistor NPN

• Le transistor fonctionne si l’effet transistor a eu lieu. Cet effet ne peut avoir lieu
que si les deux conditions suivantes sont réunies:
₋ Jonction base-emetteur polarisée en direct
₋ Jonction base-collecteur polarisé en inverse,
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 Transistors Bipolaires: Fonctionnement
• Effet Transistor: la jonction B-E est polarisée en direct, une quantité importante
d’é est injectée dans la base (région P) au même temps que la quantité de trous
injectée dans la région N (émetteur).

• La base devient alors riche en électron. Quand on polarise la jonction B-C en


inverse , les électrons stockées dans la base (région P) sont prêt à être conduit
sous le champ inverse, dans le collecteur. Donc un courant fort circule à travers
la jonction B-C polarisé en inverse: c’est l’effet transistor. Le collecteur collecte
presque tous les électrons émis par l’émetteur.

  + 𝐼  𝐶 =𝛽 𝐼 𝐵

 𝐼 𝐸 ≈ 𝐼 𝐶
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 Transistors Bipolaires: Fonctionnement
Le transistor sera toujours considéré comme un quadripôle (Tripole dont une
électrode est commune à l’entrée et à la sortie)

Le transistor est un quadripôle; il a donc une entrée et une sortie.


On étudie un transistor NPN.

Nous avons 3 courants et 3 tenions dans un


transistor qui ne sont pas tous indépendants

Il y’a différentes manières de représenter le


quadripôle « transistor »: par une matrice
impédance, où matrice admittance ou une matrice
hybride
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 Transistors Bipolaires: Fonctionnement
La meilleure représentation du quadripôle « transistor » est la matrice hybride H.

  𝑉 𝐵𝐸 =h11 𝐼 𝐵+ h12 𝑉 𝐶𝐸
  =
{ 𝐼 𝐶 =h2 1 𝐼 𝐵+ h2 2 𝑉 𝐶𝐸

  Très souvent, on prend ==0


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 Transistors Bipolaires: Fonctionnement
 Dans la jonction Base-Emetteur: (En direct)

• = or = ( - 1)

• =()=

→=

• On définit le paramètre de transfert par: =


= = = =
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 Transistors Bipolaires: Fonctionnement

Un transistor possède, on l'a vu, trois connexions, ou "pattes". On procède toujours


(ou presque) de manière à ce qu'il y ait une patte commune à l'entrée et à la sortie
du montage, d'où trois montages possibles:

– émetteur commun: la patte commune est l'émetteur,


l'entrée est la base et la sortie le collecteur;

– base commune: la patte commune est la base, l'entrée est


l'émetteur et la sortie le collecteur;

– collecteur commun: la patte commune est le collecteur,


l'entrée est la base et la sortie l'émetteur
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 Transistors Bipolaires: transistor Emetteur- commun
 L’émetteur est commun à l’entrée et à la sortie. On a donc 4 caractéristique :

• Caractéristique d’entrée
• Caractéristique de sortie
• Gain en courant
• Caractéristique De transfert

Ces caractéristiques sont tracées


ci-après:

La polarisation d’un transistor


consiste à choisir un point de
fonctionnement : Ce point de
fonctionnement appelé point
de polarisation détermine 4
points sur les caractéristiques
du transistor
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 Transistors Bipolaires: transistor en régime dynamique petit signaux
L’étude dynamique consiste à provoquer des perturbations autour du point de
fonctionnement à l’entrée et voir leur influence à la sortie du transistor

Exemple:
Les perturbations du point de fonctionnement sont causées par le générateur
alternatives eg
Pour voir l’effet des perturbations, il faut établir le
schéma qui valent du montage en dynamique. Le
transistor est remplacé par son modèle dynamique en
petit signaux:
  =

 = = 0 d’où le schéma équivalent en régime petit


signaux:
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 Transistors Bipolaires: transistor en régime dynamique petit signaux

Dans le montage précèdent, pour établir le schéma équivalent en régime petites


signaux, on doit:

• Remplacer le transistor par son schéma équivalent ( en paramètre hybride)


• Court-circuite les condensateurs de liaison et de découplage
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 Transistors Bipolaires: transistor en régime dynamique petit signaux

 On obtient par le schéma équivalent un quadripôle (L’électrode émetteur est commun
à l’entrée et à la sortie) dont on peut calculer:

• Le gain en tension =
• Le gain en courant =
• L’impédence d’entrée =
• L’impédence de sortie =