Vous êtes sur la page 1sur 39

REPUBLIQUE ALGERIENNE DEMOCRATIQUE ET POPULAIRE

MINISTERE DE L’ENSEIGNEMENT SUPERIEUR


ET DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE

ECOLE NATIONALE POLYTECHNIQUE DE CONSTANTINE

MEMOIRE
PRESENTE POUR OBTENIR LE DIPLOME DE MASTER ET D’INGENIORAT
EN GENIE DES MATERIAUX
OPTION : Matériaux Avancés

Etude des guides d'ondes planaires en couches minces de ZnO dopées


et non dopées de Mg : de la solution solide au nanocomposite

Présenté par :
Encadré par :
Mr ZEMIECHE Abdelmalik
Dr. BOUACHIBA Yacine

Mr GUELLIL Nabil Année universitaire : 2019/2020


01 Introduction
Plan de la présentation
02 Partie expérimentale

03 Résultats et discussion

04 Conclusion
Introduction
L’oxyde de zinc

ZnO est un semi-conducteur de type n avec une bande interdite directe

Une large bande Transparence


interdite (3,37 eV) élevée dans la
gamme visible

Indice de
réfraction Une bonne
variant entre stabilité
1,7 et 2,2 chimique
Structure cristalline de l'oxyde de zinc

L’oxyde de zinc peut cristalliser sous trois formes:

La structure Wurtzite

La structure Zinc blende

La structure Rock–Salt

 La structure hexagonale de type Wurtzite


Les cellules solaires Guides d’ondes
et les photopiles

Photocatalyseurs Capteurs de gaz


Applications du ZnO
Guides d'ondes planaires
Un guide d'ondes plan est un système
physique qui confine et propage la lumière
dans un matériau diélectrique homogène

Les conditions de guidage

  >,

Schéma d’un guide d’onde plan


Les avantages de spray pyrolyse

Très simple et peu coûteuse

Très faible consommation d’énergie

Bonne qualité et une bonne uniformité sur une large surface

La vitesse de dépôt est considérable


L’effet de dopage sur les différentes propriétés

Les propriétés électriques La structure en bandes d’énergie Les propriétés structurales

La structure en bandes d’énergie

l'apparition des niveaux donneurs l'apparition des niveaux accepteurs


Les propriétés électriques

Modification sur la conductivité ,la


mobilité et la concentration des charges

Les propriétés structurales

Dilaté ou comprimé le réseau cristallin

Séparation de phase
Partie expérimentale
m-lines
UV-Visible
Effet Hall
DRX
Techniques de
caractérisations
1 2 3
UV-Visible
Effet Hall

Phases
m-lines

DRX
cristallines et Taille des Les
paramètres de grains déformations
maille
UV-Visible

Effet Hall
m-lines

DRX
La concentration La résistivité Le coefficient
des porteurs de et la mobilité de Hall
charges
La transmittance

UV-Visible
Effet Hall
Le coefficient d’absorption
m-lines

DRX
Le gap optique

L’énergie d’Urbach
01
L’indice de réfraction

UV-Visible
Effet Hall
m-lines

DRX
02
L’épaisseur de la couche
Résultats et discussions Master
DRX
ZnO polycristallin de type
9000 Wurtzite

(002)
8000 (002) Le pic le plus intense // à l’axe c
7000
Intensité (u.a)

6000
 La taille des grains
5000

4000
Le parameter de maille c = 5,1903 Å

(103)
3000
(101)
(100)

(102)

(112)
(110)
2000

1000
20 30 40 50 60 70
2q (°)

Spectre de DRX de film mince de ZnO


Eff e t H a l l
m ique
ac t Oh
Cont
  < 0  ZnO type N

0,3

Vab
0,2 Vbc
Vcd
Vda
0,1

Tenssion (V)
Les propriétés semi-conductrices du film ZnO 0,0

Échantillons Concentration des Mobilité (𝜇) Résistivité (𝜌) Coefficient de -0,1

porteurs de charges [cm2.v-1. s-1] [Ω.cm] Hall moyenne


-0,2
() [Cm-3] () [cm3.c-1]
ZnO
ZnO -5,737×10 14
-5,737×1014 5,728×10
5,728×102
2
19
19 -1,088×10
-1,088×104
4 -0,3
-0,10 -0,05 0,00 0,05 0,10
Intensité (μA)

21
Les courbes V=f(I) de film ZnO
UV-Visible
100
Forte transmittance 60
à 82% [400-800 nm].
80
Transmittance (%)

60

40
Forte absorption
20
λ < 400 nm

0
300 400 500 600 700 800
Longueur d'onde (nm)

Spectre de transmission optique de film ZnO


Détermination de la largeur de la bande interdite

2 méthodes

La méthode de
La méthode de Tauc
la 1ère dérivée

200
0.005

Eg=3.24 eV
0.004
(αhu)2 (nm-1 eV)2

0
0.003

dT/du
0.002
-200
Eg=3.26 eV
0.001

0.000 -400
2.5 3.0 2.8 3.0 3.2 3.4

hu (eV) hu (eV)

  Courbe en fonction de hυ de film ZnO  Tracé de la 1ère dérivée de la transmittance :


en fonction de .
Energie d’Urbach
  La loi d'Urbach

-3

Eu=72.8943 meV
-4

Eu se manifeste à -5

ln(a )
travers la présence -6

des défauts qui


-7
probablement se
localisent au niveau -8

de la bande interdite 3.0 3.2 3.4

hu (eV)

  Courbe en fonction de de film ZnO


- l i n e s
m

  2 modes TE1,9500 =409,9 nm

2 modes TM1,9528=426,8 nm

faible largeur des pics  bonne


qualité de guidage optique

Modes optiques guidés des films minces de ZnO


Résultats et discussions Ingéniorat
DRX
MgZnO polycristallin de type
Wurtzite

(002) Le pic le plus intense // à l’axe c


19500
ZnO pur
ZnO:Mg(5%)
15600
ZnO:Mg(10%)

Intensité (u.a)
ZnO:Mg(15%)
11700
ZnO:Mg(20%)
(002)

ZnO:Mg(30%)
7800 Décalage des pics vers la droite
(101)
(100)

(102)

(103)
(110)

T a u x d e d o p a g e d e M g ( m o l. % )
(112)
3900

Le pic (002) disparu pour un dopage de


30%
M gO (200)

20 30 40 50 60 70 80
L’apparition d’un nouveau pic (200) de
2θ (°)
l’MgO  séparation de phase

Spectres de DRX des couches minces de ZnO dopées par


différents pourcentages de dopant Mg.
La taille des grains, D
45

0,40 FWHM
D
Relation inverse entre D et FWHM
Largeur à mi-hauteur FWHM (°)

40

Taille de grain D (nm)


0,35
35

0,30
  Faible taux de dopage 
30

0,25
25
  pour 15 % Mg  bonne cristallinité
0,20 20

 pour 20 % Mg  possibilité de formation de


0 5 10 15 20 25 30

Taux de dopage de Mg (mol.%) MgO en faible quantité

Evolution de la taille des grains et FWHM en fonction Pour 30 % Mg  séparation de phase


de la concentration
Le MgO ralentie le mécanisme de la
croissance des grains de ZnO
Paramètres de maille et les déformations

  a, b, et

  Le paramètre c  forces de compression ()


3,246 10 15

5,190 c 10
3,244
a
(Å) a

(Å) c

D éfo rm a tio n sealo(1n0-4.εa)


D é fo r m a tiosenlo n c(1 0-4.εc)
5
εc
C o n sta n te d e m a ille
C o n sta n te d e m a ille

3,242 5,185
0
εa
3,240 -10 -5
5,180
3,238 -10
-20
3,236
5,175 -15

-20
L’allure des déformations est similaire à
3,234 5,170 -30
-25 ceux des paramètres de maille
3,232 -30
5,165 -40
0 5 10 15 20 25 30
Taux de dopage de Mg (mol.%)

Le paramètre a se bascule entre diminution


et augmentation
L’évolution des paramètres de maille (a et c), et celui de
déformation en fonction de taux de dopage.
u, c/a,b1 , α et β

“ 0,3815
u
b1
108,6
c/a et α suivent le même allure

b1, β et u suivent le même allure


P a r a m è tr e d e p o s itio n , u

110,8
c/a 1,605
1,972
L o n g u e u r d e lia is1 o(Ån ,) b

0,3810 a

A n g le d e lia isbo (°)


b

n,
A n g le d e lia isao n(°),
110,7
108,4

R a tio c /a
0,3805 1,600
1,970 110,6

0,3800 108,2
1,595 110,5

1,968
0,3795 110,4

1,590 108,0
0 5 10 15 20 25 30
Taux de dopade de Mg (mol.%)

nos valeurs obtenues sont


proches à celles théoriques
longueur de liaison, paramètre de position, ratio c/a et angles de
liaison en fonction de taux de dopage
0,3

Mesures par l’effet Hall


Vab
0,2 Vbc
Vcd
Vda
0,1
Tenssion (V)

0,0

-0,1 ZnO pur


-0,2
 Mg interstitiel  Comportement
ique diélectrique du MgZnO
Contact Ohm
-0,3
-0,10 -0,05 0,00 0,05 0,10
Intensité (μA)

10
Vab
Vbc
5
Vcd
Vda
Mesures semiconductrices des couches minces de MgZnO.
Tenssion (V)

  Concentration des Mobilité Résistivité Constante de Hall


0
Echantillons charges libres

-5
ZnO:Mg(5%)

-10
ZnO pur -57,37 572,8 19 -1,08
-0,10 -0,05 0,00 0,05 0,10
Intensité (μA)
ZnO:Mg(5%) -1,11 333 1688 -56,21
Courbes V=f(I) des couches minces
ZnO pur et ZnO:Mg(5%)
Analyse UV-Visible
Spectres de la transmittance
100

Région
Région de
de forte
forte transmittance :
transmittance :
80
Transmittance (T%)

60
 Pour un taux de 0-20 mol.%, la transmittance 
ZnO pur
ZnO:Mg(5%)
ZnO:Mg devient diélectrique
40
ZnO:Mg(10%)
ZnO:Mg(15%)
ZnO:Mg(20%)
 L’intensité des ondulations  quand le taux de dopage 
20
ZnO:Mg(30%) phénomènes d’interférences

0
 Pour un taux de 30 mol.%, la transmittance 
300 400 500 600 700 800
l’effet de séparation de phase et l’effet de la
Longueur d'onde (nm)
concentration (le film devient plus épais)

Spectres de la transmission optique des couches Région


Région de
de l’absorption
l’absorption fondamental :
fondamental :
minces de MgZnO
Bleu shift  élargissement du gap optique (comportement
diélectrique)
1500 ZnO pur
ZnO:Mg(5%)
ZnO:Mg(10%)
La bande interdite
1250 ZnO:Mg(15%)
Eg augmente
(a hu)2 (1012eV2.m-2)

ZnO:Mg(20%)
ZnO:Mg(30%)
1000
  MBC se déplace vers le niveau de vide   le gap
750

500  Pour un taux de 30 mol.%, séparation de phase  le gap


250

0
2,8 3,0 3,2 3,4 3,6 3,8 Les deux méthodes sont bien compatible
Energie du photon hu (eV)

3,55 3,55
  Tracé de Tauc : en fonction de ℎ𝜈
Tauc
3,50 3,50
1er dérivé
3,45

Méthode de 1er dérivé


ZnO pur 3,45
400

Méthode de Tauc
ZnO:Mg(5%)
ZnO:Mg(10%)
ZnO:Mg(15%) 3,40
ZnO:Mg(20%) 3,40
200
Eg augmente
ZnO:Mg(30%)
3,35
3,35
dT/dhu

0
3,30
3,30

-200 3,25
3,25
3,20
-400 0 5 10 15 20 25 30

Taux de dopage de Mg (mol.%)


3,0 3,2 3,4 3,6 3,8

Energie du photon hu (eV)


Variation du gap optique de ZnO en utilisant les deux méthodes
  Tracé de en fonction de
-4

L’énergie d’Urbach
-5
Ln(a )

ZnO pur
ZnO:Mg(5%)
-6 ZnO:Mg(10%)
ZnO:Mg(15%)
ZnO:Mg(20%)
ZnO:Mg(30%)

-7

3,55 120

3,0 3,2 3,4 3,6 3,8


3,50
Energie du photon hu (eV) Eg 110

Energie d'Urbach (meV)


Eu
3,45
Courbes de des couches minces de ZnO

Gap optique (eV)


  100

non dopées et dopées Mg 3,40


90
3,35

L’énergie d’Urbach traduise le désordre due aux 3,30


80

défauts dans la bande interdite  influe sur la


3,25 70
manière de liaison entre les atomes de Zn et O.
0 5 10 15 20 25 30

Taux de dopage de Mg (mol.%)

Aucune relation entre Eg et Eu  Mg dans


La variation de l'énergie d'Urbach et du gap
les sites interstitiels et dans les joins de optique en fonction du taux de dopage en Mg
grains
Mesures de guidage optique
425

410
(a) 340
(a)

Intensité (u.a)
328

Intensité (u.a)
255
246

170
164

85

T a u x d e d o p a g e d e M g ( m o l.% )
TE0

T a u x d e d o p a g e d e M g ( m o l.% )
82
TE1
TE0
TE1 TE
0

TE0

TE1

TE1 TE0
-30 -20 -10 0 10 20 30 40
-40 -20 0 20 40 Angle d'incidence (°)
Angle d'incidence (°)

Modes optiques guidés TE dans les couches minces d’oxyde de zinc non dopé et dopé magnésium

Pour un taux de 0 à 15 mol.%, L’apparition de deux modes Pour un taux de dopage de 20 mol.%, l’excitation
guidés dans chaque polarisation (deux en TE et deux en TM). d’un seul mode dans chaque polarisation (TE0 et TM0)

  L’épaisseur de nos échantillons 420 nm


500 500

(b) (b)
400 400
TM0

Intensité (u.a)
Intensité (u.a)
300 300

TM0
200 200
TM1
TM0
100 100
TM1

T a u x d e d o p a g e d e M g ( m o l.% )
T a u x d e d o p a g e d e M g ( m o l .% )
TM1
TM0
TM0

TM1

-40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40


Angle d'incidence (°) Angle d'incidence (°)

Modes optiques guidés TM dans les couches minces d’oxyde de zinc non dopé et dopé magnésium.

Les deux modes présentent un profile intense et étroit Pour un taux de 30 mol.%, disparition total des modes
 une bonne qualité de guidage optique guidés (le couplage optique devient trop difficile) la
formation d’un nanocomposite ZnO/MgO
Indice de réfraction

1,96   n (TE) n (TM)  comportement anisotropique


1,96

1,94
n(TE)

Indice de réfraction mode TM


Indice de réfraction mode TE

n(TM) 1,94

1,92
1,92
  Taux de dopage  indice de réfraction
1,90
1,90

1,88
1,88

1,86 1,86
n (TE) est toujours supérieur à n (TM)
1,84 1,84
0 5 10 15 20

Taux de dopage de Mg (mol.%)

La variation de l’indice de réfraction en fonction


du taux de dopage
Conclusion générale
• Les couches minces de MgZnO ont été déposées sur des substrats en
verre par la méthode spray pyrolyse. Les propriétés structurales,
semiconductrices, optiques et optogéometriques ont été étudiées par des
différentes techniques de caractérisations: la DRX, mesure par effet hall,
la spectphotorométrie UV-Visible et la méthode m-lines.
• La structure wurtzite pour le MgZnO est confirmées par la DRX.
• La résistivité électrique augmente et la densité de charge diminue lorsque
le taux de dopage augmente
• Les couches de MgZnO sont transparentes dans le visible et opaques
dans l’UV.
• Les films de MgZnO sont des guides d’ondes bi-modales pour les deux
polarisations TE et TM.
Merci!
Pour votre attention

39

Vous aimerez peut-être aussi