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Sources photoniques

Chapitre 2 : DELs / LEDs


Diodes Electroluminescentes
LEDS

1. Rappel : Recombinaisons
Recombinaisons radiatives

LEDs Photodétecteurs Lasers

Chap 2 - LEDs Sources photoniques - M2 EEA 3


Emission spontanée

 L’émission spontanée ne requiert pas la présence préalable d’un


champ électromagnétique (de photons).

 L’émission spontanée est un phénomène désordonné, aléatoire. En


particulier, toutes les directions d’émission et de propagation sont
équiprobables.

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Recombinaisons spontanées dans les semiconducteurs

 Recombinaisons non-radiatives « SRH » :


– Taux de recombinaisons : RSRH = A n
– durée de vie : SRH

 Recombinaisons radiatives :
– Taux de recombinaisons : Rrad = B n2
– durée de vie : rad

 Recombinaisons non-radiatives « Auger »:


– Taux de recombinaisons : RAuger = C n3
– durée de vie : Auger

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Recombinaisons spontanées dans les semiconducteurs

 L’ensemble des recombinaisons


spontanées est régi par:

 R = RSRH + Rrad + RAuger = An + Bn2 + Cn3.

 Durée de vie des porteurs: 

1 1 1 1
  
SRH
rad
1 1  1

Auger
Chap 2 - LEDs
 non rad
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Recombinaisons spontanées dans les semiconducteurs

 Recombinaisons non-radiatives « SRH » :


– Dépend de la qualité du matériau, des
hétérostructures élaboration

 Recombinaisons radiatives :
– Propriété intrinsèque choix du semiconducteur
dessin de la structure
 Recombinaisons non-radiatives « Auger »:
– Dépend de la structure de bandes
bandgap engineering

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Emission spontanée dans les semiconducteurs

 Pour augmenter les performances d’une LED on va


chercher à favoriser l’émission spontanée au
niveau de la jonction :
– Favoriser la « rupture d’équilibre »
– Favoriser le « recouvrement » e- - h

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LEDS

2. Rendements
Rendement quantique interne

nbre de photons émis dans la zone active /


int  nbre
s d' électrons injectés dans la zone
active / s

P
int  Iint h

e
Avec :
 Pint = puissance lumineuse émise par zone active
 h = énergie du photon (de la transition)
 I = courant injecté
 e = charge électron
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Rendement quantique interne

1
 int  R rad  1 
1rad
R rad  R non rad  rad non


rad

ou encore :

1
 
1 rad
int

 non
rad

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Rendement d’extraction

 Les photons émis par la zone active sont émis de façon


aléatoire dans la zone de jonction (émission spontanée).
 Ces photons se propagent dans la LED et peuvent :
– être re-absorbés : band-gap engineering
– se réfléchir aux interfaces (en particulier semiconducteur/air)
– être émis : extraction

 L’extraction des photons est une sévère limitation à la


performance des LEDs (cf. exemple plus loin)

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Rendement d’extraction

nbre de photons sortant de la LED /


extraction  nbre
s de photons émis par la zone active /
s

P
 h  P
extraction
Pint h Pint

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Rendement quantique externe

nbre de photons sortant de la LED /


ext  nbres d' électrons injectés ds la zone
active / s

P
ext  Ih  int x extraction
e

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Rendement à la prise

puissance émise par la LED


  puissance d'  wall - plug efficiency (WPE)
alimentation

P
  IV

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LEDS

3. Rendement d’extraction
Cône d’extraction

 Le rayonnement émis par la zone active va devoir traverser


l’interface semiconducteur – air pour être utile….
 Un photon émis ds le cône d’angle < c va sortir, alors que pour
  c il va y avoir réflexion totale.

  = 90°
air : nair
sc : nsc  c

source source

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Cône d’extraction

 Loi de Snell – Descartes :

n sc
sin   n air sin 
 Pour l’angle critique c :  = 90°

sin   n air
x sin 90 n air
c

n sc n sc
 Donc :

  arcsin n air
c

n sc
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Probabilité d’échappement des photons

 Considérons une source émettrice ponctuelle.


 Les photons émis dans le cône d’extraction, cad avec
 < c, sortent du sc, les autres sont
totalement réfléchis.
 Tous les photons émis dans ce cône sortent par une
calotte sphérique de surface A.

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Probabilité d’échappement des photons

 c
A   dA 02.r sin .r.d  2
r (1 )
c
 2 cos
Emission spontanée = émission équiprobable dans toutes
les directions de l’espace = surface totale d’émission
= 4 r2.
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Probabilité d’échappement des photons

2 r 2 (1 cosc )
P extrait
 P source
4 r 2
x

P
1
 extraction
extrait
 (1
cos 2
)
c

Psource

avec :
  arcsin
n air
c
n sc

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Probabilité d’échappement des photons

3 2r

1 x  ... 2 (2r)!
(r!) x
2r1
2r
 ... 
arcsin x  x  2 3  1 2 x

cos x  x2!
2
 4
x4!  ...  1 x2
2

1
donc:

n air
et 1  n air 

2

 c  cos c 
2  
nsc 1
n sc

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Probabilité d’échappement des photons
2
1 1 n air
 extraction  2 (1  )c 2
cos 4
nsc
 Exemples :
– GaAs : nsc ~ 3.5  extraction ~ 2 % !!
– GaN : nsc ~ 2.5  extraction ~ 4 % !!

 Si on utilise un sc « nu » le rendement d’extraction


est toujours très faible.

 Il faut alors adapter la géométrie du


composant, l’encapsuler, etc.. pour augmenter extraction.

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LEDS

4. Amélioration du rendement d’extraction


Encapsulation avec dôme epoxy
2

 extraction 
1nair 2  extraction  si " nair
4 sc
n "

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Forme de la LED

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Forme de la LED

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Texturation de la surface

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Packaging

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LEDS

5. Spectre d’émission
Spectre d’émission

 Le spectre émis dépend du gap du sc émetteur et de la


température de fonctionnement du composant.

 En prenant en compte la densité d’états et le distribution des


porteurs on montre que le spectre d’émission a les propriétés
suivantes :
– largeur à mi-hauteur : FWHM = 1.8 kT
– maximum d’émission : E = Eg + ½ kT

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Spectre d’émission

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Spectre d’émission

FWHM  (h ) 
1.8kT
(m)  1.24  h 
1.24
 )(eV
d (hh  )
1.24 

2
d
d   
2
d
1.24 (h )
  
2

(h 1.24
)

  1.45  kT 2

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Spectre d’émission
  1.45  kT 2

Plus la longueur d’onde émise est grande, plus le


spectre émis est large :

• λ = 450 nm  λ = 8 nm
• λ = 650 nm  λ = 18 nm
• λ = 1.3 µm  λ = 64 nm

N.B.: cette largeur du spectre émis reste inférieure à la


perception « monochromatique » de l’œil humain.

Ex: « rouge » ~ 630 – 730 nm

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LEDS

6. Champs d’applications
Champs d’applications

 Communications courtes distances : IR


– Sur fibres optiques
– En espace libre

 Affichage : visible

 Eclairage : blanc

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