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ECOLE POLYTECHNIQUE DE THIES

1 DEPARTEMENT ELECTROMECANIQUE
OPTION : ENERGIE RENOUVELABLE

Caractérisation des matériaux

THEME
THEORIE DE L’ Extension de la zone de charge
d’espace

Présenté par: Papa Matar DIENE Professeur: Pr SISSOKO


Sokhna fatou GUISSE
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PLAN

INTRODUCTION
I. PRINCIPE
II. ETUDE DE LA JONCTION PN A L’EQUILIBRE
THERMODYNAMIQUE
III.EXTENSION DE LA ZONE DE CHARGE D’ESPACE
IV.ETUDE DE LA JONCTION PN POLARISE
CONCLUSION
3 Introduction
En électronique, la zone de déplétion, aussi appelée zone de charge
d'espace (ZCE), ou zone désertée, correspond à la région qui apparaît dans
une jonction P-N, entre la zone dopée N et la zone dopée P. Lorsque le matériau
semiconducteur est le même pour les deux zones dopées différemment, par
exemple du silicium, cette jonction est appelée homojonction. Quand les
matériaux sont différents, c’est le cas dans des composants à base de composés
semiconducteur III-V, on parle d’hétérojonction. Dans ce dernier cas, il faut une
compatibilité des réseaux cristallins, paramètres de maille voisins, pour
considérer qu’il y ait continuité du cristal. Nous nous limiterons dans le cadre de
ce travail aux homojonctions.
On supposera dans ce qui suit que :
4  les dopages sont constants de part et d’autre,
 la transition du type n au type p est brutale,
 il n’y a pas de rupture du réseau cristallin ; nous définirons dans ce cas une jonction dite
abrupte (variation de profil abrupte), les profils étant de plus constants dans chacune des
zones. La figure ci dessous montre un schéma simplifié d’une telle structure.

Figure 1 : Structure schématique d’une jonction pn.


5 I. Principe
• Une jonction PN est constituée de deux zones respectivement dopées P et N et juxtaposées d'une
façon que nous supposerons abrupte, c'est-à-dire que la transition de la zone P à la zone N se fait
brusquement.
• Lorsque l'on assemble les deux régions, la différence de concentration entre les porteurs des
régions P et N va provoquer la circulation d'un courant de diffusion tendant à égaliser la
concentration en porteurs d'une région à l'autre.
• Les trous de la région P vont diffuser vers la région N laissant derrière eux des atomes ionisés,
qui constituent autant de charges négatives fixes. Il en est de même pour les électrons de la région
N qui diffusent vers la région P laissant derrière eux des charges positives.
• Il apparait aussi au niveau de la jonction une zone contenant des charges fixes positives et
négatives. Ces charges créent un champ électrique E qui s'oppose à la diffusion des porteurs de
façon à ce qu'un équilibre électrique s'établisse.
6 Dans ces conditions les répartitions des
charges, du champ électrique et du potentiel sont
représentées sur la figure ci-contre. La région
dépeuplée de porteurs mobiles est appelée zone
de charge d'espace (ZCE). Elle a une épaisseur
de l'ordre de 0,5 µm. La forme générale de la
densité de charges dépend essentiellement du
profil de dopage de la jonction. Dans le cas idéal
représenté à la figure ci-contre on peut déduire
aisément la forme du champ électrique E(x))
ainsi que du potentiel V(x) par application des
équations de l'électrostatique.
7

Figure 3: Mouvement des charges au niveau de la jonction.


Figure 2: Charge en présence dans la
jonction pn.
 Potentiel de diffusion
8 En supposant que dans la zone de charge d’espace, la concentration de
porteurs libres est négligeable devant la concentration des atomes dopants
ionisés, et en appelant xn et xp les abscisses des limites auxquelles on
retrouve le matériau neutre (type n coté n et type p coté p), la neutralité
globale de la structure permet d’écrire :
Q+ = q.S. ND+ . xn (1)

Q- = -q.S. NA- . xp (2)

 En appelant S, la surface de la jonction étudiée

 Q+, la charge totale de la zone de charge d’espace coté n,

 Q-, la charge totale de la zone de charge d’espace coté p,

Comme la charge totale est nulle, Q+ + Q- = 0 c’est-à-dire que :


+ -
 
Cetterelation fait apparaître clairement que l’extension de la zone de charge d’espace
9 de part et d’autre de la jonction métallurgique est dans le rapport inverse des
concentrations de dopants. Ainsi, si la jonction est dissymétrique (dopages de niveau
différent), ce qui est très fréquent dans les dispositifs, la zone de charge d’espace
s’étend principalement du coté le moins dopé.
A l’équilibre thermodynamique, le courant total pour chaque type de porteur est nul.
Les relations (1) et (2) donnent :
 jn= +qDn + qnμn . E =0 (3)

 jp= -qDp + qpμp . E =0 (4)

Pour chaque type de porteur, la composante de diffusion compense la composante de


dérive.
Rappelons aussi qu’en limite de zone de charge d’espace, la concentration des
électrons du coté n, nno, est égale à ND, et que la concentration du coté p, npo, est égale
à ni2/NA. Par analogie, nous déduisons facilement les concentrations des trous aux
limites.
II. Etude de la jonction pn à l’équilibre
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thermodynamique
 Tension de contact ou tension de diffusion
Des formules (3) et (4), en considérant soit les électrons, soit les trous, on peut déduire la variation du
potentiel induit correspondant à l’intégrale du champ électrique dans la zone de charge d’espace.

(5)
La tension calculée, est la tension de diffusion ou tension de contact, non mesurable
11 extérieurement, que l’on donne habituellement sous la forme de sa valeur absolue (ne
dépend donc pas de l’orientation choisie pour l’axe des x). Cette tension est toujours
orientée de la zone n vers la zone p. Dans le cas de notre calcul, le signe négatif
provient du choix de l’orientation initiale de la zone n vers la zone p.

(6)

 Courant de génération dans la zone de transition d’une jonction PN

(7)

Avec S la section de la diode, q la charge élémentaire de l’électron, ni la densité de


porteur intrinsèque, W l’extension de la zone de charge d’espace et τ la durée de vie des
porteurs.
 Diagramme d’énergie
12 L’analyse du diagramme d’énergie est en pratique un élément très pratique et très puissant
pour comprendre ou prédire le fonctionnement d’un dispositif. Nous verrons ceci plus
particulièrement dans l’étude des transistors.

Figure 4 : Diagramme d’énergie de la jonction à l’équilibre thermodynamique.


13  Champ électrique dans la zone de déplétion

La relation de Poisson liant les grandeurs charges d'espace ρ [C.cm-3] , champ électrique E et potentiel
électrostatique V est (dans le cas à une dimension):
(8)

Où est la permittivité du milieu ( 10-10 F/m pour le silicium).


Dans la zone de déplétion : On a la densité de charge dans la région P (accepteurs chargés négativement)

ρp= - qNA en C.cm-3 et dans la région N (donneurs chargés positivement) ρn= +qND en C.cm-3
14
  
Coté n : → ξ(x)= x + cst 
puisque ξ(-xn) = 0
ξ(x)= x + xn)
(9)
Coté p : : - → ξ(x)= x + cst
puisque ξ(+xp) = 0

ξ(x)=- x - xp)
(10)
III. Extension de la zone de charge d’espace
15 A partir du profil de charge de la figure 5, la figure 6 montre la variation du champ électrique
qui, dans ce cas simplifié, varie linéairement dans chacune des deux zones.
En x = 0, à la jonction métallurgique, le champ électrique est maximal.

Figure 5: Charges de la zone de charge d’espace. La neutralité Figure 6: Variation du champ électrique dans la zone de
électrique globale est respectée, les charges en vis-à-vis étant charge d’espace de la jonction pn. Le champ est maximum à
de même valeur absolue mais de signe opposé. la jonction métallurgique.

(11)
16

Ainsi à partir des équations (9) et (10) nous obtenons:

(12)

(13)
17
L’extension de la zone de charge d’espace totale, W, est égale à la somme des deux zones en
vis-à-vis. W peut être exprimé en fonction de xp et des dopages :

(14)
18
   un semi conducteur dopé en N, on a: ND>>ni ;
Pour
alors: Nn=ND et pn=()
Ces expressions ci-dessus, montrent qu’il est possible de faire une évaluation rapide de
l’extension de la zone de charge d’espace en ne considérant que la zone la moins dopée.
L’erreur est simplement dans le rapport des concentrations de dopants (par exemple 1%).
Une évaluation rapide montre qu’en fonction du niveau de dopage qui varie entre 1014 et
1020 cm-3, W varie à l’équilibre thermodynamique entre une centaine d’Angström et
quelques microns.
IV. Etude de la jonction pn polarisé
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Figure 7 : La jonction PN en polarisation Figure 8 : La jonction PN en polarisation


direct par une tension V indirect par une tension V

En conclusion :
 une diminution du champ électrique par application d’une tension positive sur la zone p, peut créer un
courant important : la jonction est polarisée en direct
 une augmentation du champ électrique par application d’une tension positive sur la zone n, ne crée qu’un
très faible courant : la jonction est polarisée en inverse.
 Polarisation directe et inverse

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De l’analyse précédente, nous
pouvons représenter sur la figure ci-dessous les  Polarisation directe : borne + sur la zone p,
conditions de polarisation directe : pour la polarisation
inverse, il suffit d’inverser le sens du générateur continue. borne – sur la zone n,
le champ électrique appliqué diminue le champ interne
initial, moyen mnémotechnique : positif sur p, négatif
sur n
 Polarisation inverse : borne - sur la zone p,
borne + sur la zone n,
le champ électrique appliqué augmente le champ
interne initial.

Figure 9: Polarisation directe de la jonction pn. Une tension


positive est appliquée sur la zone p. Le champ interne à la
jonction est alors diminué. Le courant peut devenir important en
raison de la possibilité de diffusion des porteurs.
 Effets capacitifs
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Lorsque la tension appliquée varie en fonction du temps, une diode `a jonction pn
peut se comporter comme un condensateur. Deux types de capacités sont associées `a une
jonction pn.
Capacité de jonction
En polarisation inverse, les effets capacitifs sont dus à la variation, en fonction de la tension
appliquée, de la charge électrique des ions découverts dans la région de déplétion. La région
de déplétion subit une modification si la tension de polarisation est augmentée de dv :
v = -V v = -V –dv
La région de déplétion s’agrandit des deux régions grisées, découvrant ainsi une charge
supplémentaire dQ de donneurs ionisés côté n et une charge supplémentaire −dQ
d’accepteurs ionisés côté p. Electriquement parlant, la région de déplétion se comporte d’une
façon analogue comme un condensateur plan dont les deux électrodes métalliques
correspondraient aux régions grisées de charge dQ et −dQ. Selon ce modèle, la capacité de la
jonction a pour expression:
(15)
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où εs est la permittivité ´électrique du semiconducteur, S est la section droite de la diode et W est la largeur de la
région de déplétion quand la diode est polarisée sous une tension −|V |.

(sous une augmentation dv de la tension inverse)


Remarquez que comme la largeur W dépend de la tension inverse appliquée |V |, la capacité Cj dépend
également de |V |. Cela permet d’utiliser une diode polarisée en inverse comme un condensateur dont la
capacité est déterminée par la tension de polarisation |V |. Les diodes conçues `a cet effet sont appelées des
varactors, dont la capacité peut varier entre quelques picofarads et quelques centaines de picofarads.
 Capacité de diffusion
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Le capacité de diffusion Cd apparaît sous polarisation directe et est
associée à la diffusion et au “stockage” des porteurs majoritaires.
Considérons par exemple la diffusion des électrons de la région n vers la région
p. Après avoir franchi la région de déplétion (courant i diff), les électrons
s’accumulent dans la région p où ils sont minoritaires. Ils constituent alors une
charge excédentaire, qui est distribuée sur plusieurs dizaines de microns et qui
persiste jusqu’à ce que les électrons injectés subissent des recombinaisons avec
les trous.
Parallèlement, les trous ayant diffusé dans la région n constituent une charge
excédentaire positive tant qu’ils ne subissent pas de recombinaison. La capacité
Cd est une mesure de la variation de ces charges accumulées de part et d’autre
de la jonction lorsque la tension directe varie. Cette capacité est proportionnelle
au courant direct i ≈ ID et peut atteindre la centaine de picofarads.
Conclusion
A cause de la diffusion des trous de la région p vers la région n et de la diffusion
des électrons de la région n vers la région p, il se crée au voisinage de l’interface
une zone dépourvue de porteurs libres appelés zone de charge d’espace et cette d
de charge va entrainer un champ électrique qui induit un potentiel de tension.
La largeur de la zone de charge d’espace varie en fonction de la tension appliquée
de part et d’autre de la zone.
La jonction PN polarisée en direct permet une diminution du champ électrique par
application d’une tension positive sur la zone p et peut créer un courant important.
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La jonction PN polarisée en inverse conduit à une augmentation du champ
électrique par application d’une tension positive sur la zone n et ne crée qu’un très
faible courant.
25 Références bibliographiques

[1] Chap3: Physique des semi-conducteurs de Mr Idrissa Gaye (physique du


solide en M1 Energie Renouvelable de l’EPT, année 2019-2020.)

[2] https://edu.ens-
rennes.fr/pluginfile.php/1741/mod_label/intro/DocPedagogiques/PhysiqueSC_B
onnaud2003.pdf
26

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Me rci de vot
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