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ELECTRONIQUE FONDAMONTALE

COURS ENSEIGNE PAR

Dr Nasreddine HAÏNE

electronic.fondam.phys.usthb@gmail.com
Laboratoire LPM équipe diélectrique
faculté de Physique
USTHB

Dr Nasreddine HAÏNE 1
III. Diodes à semi-conducteurs

Dr Nasreddine HAÏNE 2
Diodes SO
à M Sommaire
se M
III.1 L es semi-conducteurs
m A
III.1.1. Rappels sur la structure de l’atome
i- I
III.1.2. Structure d’un cristal
c R
III.1.3. Le modèle de bande
o E
III.1.4. Semi-conducteurs purs ou intrinsèques
n
III.1.5. Ionisation thermique. Génération de paires électrons-
d
trous
u
III.1.6. Phénomène de recombinaison électrons-trous
ct
III.1.7. Concentrations intrinsèque s des électrons et des trous
e
III.1.8. Densité d’états électronique en énergie
ur
III.1.9. Population des bandes
s
III.1.10. Loi d’action
III.1.11 .Semi-conducteurs dopés
III.1.11.1 Dopés N
III.1.11.2. Dopés P
III.1.12. Densités de courant
III.1.12.1. Phénomène de conduction
III.1.12.2. Phénomène de diffusion
III.1.12.3. Densité totale
III.2. Jonction semi-conductrice
III.2.1. Formation d’une jonction PN
III.2.2. Etude de la jonction en court-circuit
III.2.3. Jonction polarisée en inverse
III.2.3.1. Courant inverse de saturation
3
III.2.3.2. Capacité deHAÏNE
Dr Nasreddine transition
Diodes SO
à M
III.2.4. Jonction polarisée en direct
se M
III.2.4.1. Relation courant tension de la jonction PN
m A
III.2.4.2. Capacité de diffusion de la jonction PN
i- I
III.2.5. Caractéristique courant tension d’une diode
c R
III.3. La diode dans les circuits.
o E
III.3.1. Régime statique
n
III.3.2. Régime dynamique
d
III.3.3. Résistance dynamique
u
III.3.4. Redressement
ct
III.3.4.1. Simple alternance
e -Redressement sur résistance
ur
III.3.4.2. double alternances
s
-Redressement à l’aide d’un transformateur à prise
médiane
-Redressement à l’aide d’un pont de diodes ( pont de
Graetz)
III.3.5. Filtrage
III.3.5. 1.Filtrage d’une tension redressée mono-alternance
III.3.5. 1.Filtrage d’une tension redressée double-alternance
III.3.5. Ecrêtage
III.3.5 .Diodes Zener
III.3.5 .1. Caractéristiques
III.3.5 2. point de fonctionnement (ou de polarisation)
III.3.5 .3Applications
-Régulation de tension
-Diodes Zener utilisées pour la mise en forme de signaux.
Diodes Les
à s III.1 Les semi-conducteurs
se e
m m III.1.1. Rappels sur la structure de l’atome
i- i
c -
o c
n o
d n
u d
Particules chargées
Z protons
ct u négativement qp =Z |e|
e c noyau
ur t N neutrons Particules non chargées
s e Atome
u neutre Z électrons Particules chargées négativement qe = -Z |e|
r
s

e est la charge élémentaire = -1.6 10-19 C


Diodes Les
à s Les électrons gravitent autour du noyau avec des énergies
se e
m m discrètes E1 , E2 , E3 ,…, En
i- i
c -
o c
n o
d n
u d
ct u
e c
ur t
s e
u
r
s
Diodes Les
à s Représentation énergétique
se e
m m Chaque niveau d’énergie est représenté par une couche
i- i
c - électronique circulaire
o c Les électrons occupent ces couches
n o
d n
Energie (eV)
u d
ct u
0 Couches électroniques
En M
e c
ur t En-1
L
s e
u K
r E3
s Différents
niveaux
E2 d’énergie

Cas du silicium Si (Z= 14)


E1 La couche M n’est pas saturée, elle
peut recevoir 4 électrons
supplémentaires (règle de l’octet)
Diodes Les
à s
se e
m m
i- i
c -
o c 2 types d’électrons
n o
d n
u d
ct u
e c
ur t
s e Électrons internes qui Électrons périphériques ou de
u occupent les couches valence, ils occupent la couche
r
s internes. Ces électrons sont
externe. Ces électrons sont
fortement liés au noyau faiblement liés au noyau
Diodes Les
à s
III.1.2. Structure d’un
se e cristal
m m Un cristal est constitué d’un ensemble d’atomes dont les
i- i
c -
noyaux sont répartis régulièrement dans l’espace.
o c
n o
d n La cohésion des atomes est assurée par la mise en commun
u ddes électrons de valence pour former des liaisons covalentes.
ct u
e c
ur t REPRESENTATION COPLANAIRE du Si
s e
u
r
s
Si Si Si

Si Si Si

Si Si Si
Diodes Les
à s
se e
REPRESENTATION SPATIALE du Si
m m
i- i
c -
o c
n o
d n
u d
ct u
e c
ur t
s e
u
r
s

Structure Diamant
Diodes Les
à s
III.1.3. Le modèle de
se e bande
m m
i- i
c - 0
Bandes
o c E permises
n o E
3
d n
u d E2
ct u
e c E1 N atomes: Couplage
Ec
ur t entre les niveaux
s e d’énergie EV
u
r
s

E3
E2

E1
Bandes
interdites
Diodes Les
à s  Les bandes permises sont formées de niveaux d’énergie très
se e rapprochés, on peut considérer ces bandes comme continues.
m m
i- i
c -  Le nombre d’électrons dans une bande permise est limité.
o c
n o
 Les électrons du cristal comblent en priorité les états d’énergie les
d n
u d plus basses.
ct u
e c  La bande de valence (notée BV) est la dernière bande saturée.
ur t
s e  La bande de conduction (notée BC) est la bande non saturée ou vide
u
r qui suit juste la bande de valence.
s
 Un électron dont l’énergie est située dans une bande en dessous de la
BV est lié à un atome donné du cristal

 Un électron (dont l’énergie est située) dans la BV est commun à


plusieurs atomes du cristal

 Un électron (dont l’énergie est située) dans la BC circule librement


dans le cristal.
Diodes Les
à s
se e  Energie du gap Eg = Ec - Ev
m m
i- i E
c -
o c
n o
d n Ec
u d
ct u
e c 0 < Eg ⩽3 eV
ur t EV
s e
u
r
s

Gap à 300°K (eV) Gap à 0°K (eV)

Si pur (diamant) 1.12 1.16


Ge pur (diamant) 0.66 0.75
Diodes Les
à s
se e
III.1.4. Semi-conducteurs purs ou intrinsèques
m m
i- i
c -
o c On arrive à fabriquer des semi-conducteurs avec un
n o haut degré de pureté , moins d’1 atome étranger
d n
u d pour 1011 atomes de semi-conducteurs
ct u
e c
ur t
s e
u
r
s

Semi-conducteurs purs ou
intrinsèques
Les
s Semi-conducteurs purs ou
e
m intrinsèques
i
-
c Éléments simples: Structure diamant
o
n
Si (silicium) groupe IV A Z=14
d Ge (germanium) groupe IV A Z=32
u
c Composés III-V: Hybridation sp3
t
e Ga As : Ga (galium) groupe III A Z=31 et As (arsenic) groupe V A Z=33
u Ga P: Ga (galium) groupe III A Z=31 et P (phosphore) groupe V A Z=15
r In As: In (indium) groupe III A Z= 49 et As (arsenic) groupe V A Z=33
s
Ga Sb : Ga (galium) groupe III A Z=31 et Sb (antimoine) groupe V A Z=49
Al Sb: Al (aluminium) groupe III A Z=13 et Sb (antimoine) groupe V A Z=49

Composés II-VI
Cd Te: Cd (cadnium) groupe II A Z=48 et Te (tellure) groupe VI A Z=52
Diodes Les
à s
III.1.4.1. Ionisation thermique. Génération de paires
se e électrons-trous
m m
i- i
c -
A T=0 °K
o c Tous les électrons sont tous engagés dans les liaisons covalentes
n o
d n
u d En termes énergétiques on dira que tous les électrons sont dans la BV
ct u
e c
ur t
s e la BV est pleine et La BC vide
u
r
s
T Agitation thermique

Désordonne la structure rigide du SM

Rupture de quelques liaisons covalentes

Création de porteurs: électrons et trous


Les
s
e E électron
m
i BC
- Ec
c
o BI Eg
n EV
d BV
u
c trou électron
t
e
u Energie minimale pour briser une liaison covalente:
r Eminimale= Eg
s

Dans le modèle des bandes,


ceci revient à faire « grimper » un électron de la BV à un des niveaux de la BC

Création d’un trou dont Création d’un électron dont


l’énergie est située dans la BV l’énergie est située dans la BC

Création d’une paire électron-trou


Les
s 2 types de transition
e
m
i E(k)
-
c
o
n
d 1 2
u
c
t 0 p/a k
e
(Vecteur d’ondes)
u
r
s

 transition directe à k=0 (Dk =0)

 transition indirecte à k=0→ k = p/a (Dk 0)


Les
s
Expressions de l’énergie aux extrema de la transition directe (k=0)
e
m Au voisinage de Ec
i 0
-
c
o
n
d
u
c
t
e
u
r
s Qu’on peut exprimer en fonction de la quantité de mouvement:
Les
s
e
m
i
-
c
o
n
d
u
est la masse effective de l’électron dans la BC
c
t Au voisinage de Ec
e
u
r
s

est la masse effective du trou dans la BV


Les
s
III.1.4.3. Phénomène de recombinaison électrons-trous
e
m
i Lors de son déplacement l’électron libre passe à proximité d’un ion positif,
- peut être capturé par ce dernier afin de rétablir sa liaison covalente.
c Ce phénomène appelé phénomène de RECOMBINAISON compense le
o phénomène de génération
n
d
u
c Dans le modèle des bandes,
t Cela veut dire que l’électron de la BC, libère sa place pour venir combler une
e
u
place libre de la BV, neutralisant ainsi un trou
r
s
E électron
Lorsque l’électron
e- descend de BC à BV, il
Ec restituera le surplus
Eg d’énergie (Eg) sous de
EV chaleur ou sous forme
e+ d’un rayonnement
(photon)
trou
Les
s
III.1.4.4. Concentrations intrinsèques ni des électrons et des
e trous
m
i
A T° constante
- Equilibre dynamique entre
c
o GENERATION et RECOMBINAISON
n
d
u
c
t
e Concentration Concentration de
u
d’électron libre dans
r
s
la BC par unité de = trous dans la BV par
unité de volume
volume p0
n0

n0 = p0 = ni
Les
s
e
m
i
-
c
o
n
d Semi-conducteur pur ni (cm-3) à T=300°K
u
Si 1,45 1010
c
t Ge ≈ 2 1014
e
GaAs ≈ 2 106
u
r
s
Les
s III.1.4.6. Densité d’états électronique en énergie
e
m
i
-
E
c
o
n
d
dE
u
c
t
e
u
r Dans la BC
s
Nombre de places disponibles dans la tranche E et E+dE pour les électrons
gc (E)=
dE
Dans la BV
Nombre de places disponibles dans la tranche E et E+dE pour les trous
gv (E)=
dE
Les
s
e On montre (mécanique quantique) que pour un semi-
m
i
conducteur isotrope, ces deux densités aux voisinage de Ec et
- Ev sont égales:
c
o
n
d
u
c
t
e
u
r
s
Les
s
e
m E
i
-
c
o
n gc (E)
d
u
c
t
e Ec
u Eg
r EV
s

gv (E)

g(E)
Les
s
e
III.1.4.7. Occupation des bandes
m
i
- Electrons et trous obéissent à la statistique de Fermi-Dirac
c
o
n La probabilité pour qu’un état d’énergie E soit occupé par un
d
u
électron à une température T est donnée par la fonction de
c Fermi-Dirac
t
e
u
r
s

Potentiel chimique des particules dans la matière pure


Les
s
e La probabilité pour qu’un état d’énergie E soit occupé par un
m trou à une température T est donnée par:
i
-
c
o
n
d
u
c
t
e
u
r
s
Les
s
e
m
i
-
c
f v (E), f c (E)
o
n
d
u
c
t
e 1
u
r
s

1/2

Ev E Ec E
Fi
Les
s
e Densité d’électrons:
m
i C’est le produit de la densité d’état par la probabilité
-
c
d’occupation de cet état
o
n
d
u
c
t
e
Concentration d’électrons:
u
r
s
Les
s
e Densité de trous:
m
i C’est le produit de la densité d’état par la probabilité
-
c
d’occupation de cet état
o
n
d
u
c
t
e
Concentration de trous:
u
r
s
Les
s
e
m
n v, n c
i
-
c
o
n
d
u
c
t
e
u
r
s

Ev Ec
Aire sous la courbe= p0 Aire sous la courbe= n0
Les
s Loi de masse
e
m
i
-
c
o
n
d
u
c
t
e
u
r
s
Les
s
e
m
i
-
c
o
n
Position du niveau de Fermi intrinsèque EFi
d
u Calculons le rapport des deux concentrations
c
t
e
u
r
s
Les
s
e
m
i
-
c
o
n A T= 0 °K Le niveau de Fermi intrinsèque est au milieu de la BI
d
u
c
t
A T 0 °K Le niveau de Fermi intrinsèque se déplace sauf s’il y a
e égalité entre les masses effectives. Cette correction reste faible
u
r
devant Eg /2
s
Les
s
e
m
i
-
c Aire sous la courbe E
o
n
d
u
c

Ec
t
e
Ec
Eg/2
u
r EFi
s Eg/2
EV

Ev
n v, n c

Aire sous la courbe


Les
s
III.1.5. Semi-conducteurs dopés ou extrinsèques
e
m III.1.5.1 Semi-conducteurs dopés N
i
- On obtient un SM de type N en dopant le cristal de SM avec des atomes
c possédant 5 électrons de valence (V colonne: P, As ).
o
n
d Ce rajout se fait pendant la formation du cristal en concentration très
u faible: 1 atome de dopant pour 1010 atome du SM.
c
t
e L’atome (dopant) s’associe à 4
u Si Si Si atomes du SM. L’électron inutilisé
r est très faiblement lié à l’atome
s pentavalent, une très faible
P+ Si énergie suffit pour le libérer. Il se
Si
retrouve libre dan la BC

L’atome qui a fourni un électron


Si Si Si est appelé atome donneur. Cet
atome a perdu sa neutralité pour
devenir un ion positif fixe

A la T° ordinaire, la quasi-totalité des atomes donneurs sont ionisés


Les
s
e
Concentrations des porteurs de charges
m
i Nd : concentration du dopant ( indice d indique que le dopant est donneur)
-
c
o Neutralité:
n
d
u
c
t
e
u
Concentration des charges positives Concentration des charges négatives
r
s

Loi de masse:
La loi de masse énoncée dans le cas des SM intrinsèques reste valable les SM extrinsèques
Les
s
e
m
i
-
c
o
n
d
u
c
t
e
u
r
s
Cas usuel:

Les électrons sont les porteurs majoritaires et les trous les porteurs minoritaires
Les
s
e Position du nouveau niveau de Fermi EFn
m
i
-
c
o
n
d
u
c
t
e
u
r
s
Les
s
e
m
SM dopé N
i
-
c E
o
n
d
u
c

Ec
t Ec
e EFn
u
r EFi
s
EV Ev
n v, n c
Les
s
III.1.5. Semi-conducteurs dopés ou extrinsèques
e
m III.1.5.1 Semi-conducteurs dopés P
i
- On obtient un SM de type N en dopant le cristal de SM avec des atomes
c possédant 3 électrons de valence (IV colonne: B).
o
n
d Ce rajout se fait pendant la formation du cristal en concentration très
u faible: 1 atome de dopant pour 1010 atome du SM.
c
t
e Il maque un électron à l’atome trivalent
u Si Si Si pour réaliser les liaisons avec les 4 atomes
r du SM qui l’entourent. Les électrons
s participant aux liaisons sont indiscernables
B- Si les uns des autre. Tout se passe comme si
Si
un des atomes du SM avait cédé un
électron à l’atome trivalent, créant ainsi un
trou dans la BV
Si Si Si
L’atome qui capte un électron est appelé
atome accepteur. Cet atome a perdu sa
neutralité pour devenir un ion négatif fixe
A la T° ordinaire, la quasi-totalité des atomes accepteurs sont ionisés
Les
s
e
m
SM dopé P
i
-
E
c
o
n
d
u
c

Ec
t Ec
e
u
r EFi
s EFp
EV
Ev
n v, n c
Les
s
e
Evolution de n en fonction de la T°
m
i
-
c
o
n
d
u
c
t
e
u
r
s
Les
s
III.1.11. Densités de courant
e III.1.11.1. Phénomène de conduction
m
i Lors de l’application d’un champ électrique E, les porteurs
- sont soumis à des forces électrostatiques. La vitesse de
c
o l’ensemble est proportionnelle au champ électrique.
n V2 > V 1
d
V2 > V 1
u E
c V1 V2 V1 E V2
t
e Vn= - mnE Vp= mpE
u
r
s Jn Jp
Vecteur densité de courant :

Jn= - ne Vn=mn ne E Jp= pe Vp=mp pe E

Jn= sn E Jp= sp E

mn mobilité des électrons de la BC mp mobilité des trous de la BV


sn conductivité des électrons de la BC sp conductivité des trous de la BV
Les
s La mobilité
e
m
i
-
m dépend de la T° , de E et de la concentration de dopage Nd (Na)
c
o Mobilités des électrons et des trous pour différents SM à T= 300 °K
n
d SM mn (cm2V-1s-1) mp (cm2V-1s-1)
u
c Ge 3900 1900
t
Si 1500 475
e
u GaAS 8500 400
r
s

car l’agitation thermique augmente les


 T° m chocs qui s’opposent au déplacement

 A T° ordinaire mp < mn

 mn résulte des déplacements directs des électrons de la BC


Les
s
e  mp résulte des déplacements successifs des trous de la BV
m
i E
-
c
o
n Si Si
Si 1
d
u
c
t Si Si
Si
e
u
r
s
Si Si Si

Le trou obtenu par ionisation thermique, se déplace par


déplacements successifs sous l’action du champ électrique E,
de la gauche vers la droite.
Les
s
e Densité de courant de conduction totale
m
i
-
c
o
n
d
u Conductivité électrique
c
t
e
u
r
s
SM dopé N:

SM dopé P:
Diodes Les
à s
se e V2 > V 1
m m
i- i V1 E V2
c -
o c
n o
d n 0 d x
u d
Variation d’énergie d’un porteur de charge:
ct u
e c Électron:
ur t
s e Trou:
u
r E
s E

Ec

Ev

0 d x
Les
s III.1.11.2. Phénomène de diffusion
e
m SM dopé P
i On crée une
- surpopulation
c d’électrons
o
n
(minoritaire)
dans cette région
x
d
u Sens de diffusion (sens inverse du vecteur densité de courant)
c
t Les électrons vont se déplacer de la zone la plus concentrée vers la moins
e concentrée : on dit que les électrons diffusent
u
r
s Par définition:
La densité de courant de diffusion est proportionnelle au gradient de concentration des
électrons

où Dn est la constante de diffusion des électrons. Elle est reliée à la mobilité par:

(relation d’Einstein)
Les
s Les électrons en excès sont recombinés par la forte population
e
m des trous majoritaire du SM dopé P. la population des électrons
i en excès diminue selon la loi:
-
c
o
n
d
u
c n (x)
t
e n (0)
u
r
s

0
Ln x

Ln longueur de diffusion des électrons


Les
s III.1.11.2. Phénomène de diffusion
e
m SM dopé N
i On crée une
- surpopulation de
c tous
o
n
(minoritaires)
dans cette région
x
d
u Sens de diffusion (sens du vecteur densité de courant)
c
t Les trous vont se déplacer de la zone la plus concentrée vers la moins
e concentrée : on dit que les tous diffusent
u
r
s
Par définition:
La densité de courant de diffusion est proportionnelle au gradient de concentration des
trous

où Dp est la constante de diffusion des trou


s. Elle est reliée à la mobilité par:
(relation d’Einstein)
Les
s Les trous en excès sont recombinés par la forte population des
e
m électrons majoritaires du SM dopé P. la population des trous en
i excès diminue selon la loi:
-
c
o
n p(x)
d
u p(0)
c
t
e
u
r
s

0
Lp x

Lp longueur de diffusion des trous


Les
s III.1.11.3. Densité de courant totale
e
m
i
-
c
o
n
d
u
c
t
e
u
r
s
III.2. Jonction semi-conductrice
III.2.1. Formation d’une jonction PN
Diffusion des électrons + recombinaison

P N

Diffusion des électrons + recombinaison

Le phénomène de diffusion est un phénomène transitoire


Les trous diffusent du SM P vers le SM N , ils laissent derrière eux des ions négatifs fixes
Les électrons diffusent du SM N vers le SM P , ils laissent derrière eux des ions positifs fixes

Création d’une zone de charge d’espace (ZCE) ou zone de déplétion d’épaisseur


w0 vide de porteur de charge (recombinaison)
Joncti
o
n Création d’un champ électrique E0 et d’une ddp VF dans la ZCE
semi-
c VF
o
n P N
d
u
ct
ri
ce
s

E0
w0
Ce champ électrique favorise le déplacement des minoritaires:
Les électrons minoritaires du SM P se déplacent par conduction (grâce au
champ E) vers le SM N
Les trous minoritaires du SM N se déplacent par conduction (grâce au
champ E) vers le SM P
Ce phénomène de conduction (porteurs minoritaires) en sens contraire de la
diffusion équilibre (dynamique) ainsi le phénomène de diffusion (porteurs
Joncti
o Dans le cas d’un SM non soumis à une ddp et à l’équilibre thermique, quelque soit
n son dopage P ou N, les niveaux de Fermi associés E Fn et EFp restent alignés dans le
semi- schéma des bandes
c VF
o
n
d
u
P E0 N
ct
ri
ce
s
Eg/2
EFi

EFp EFn
EFi

Eg/2

w0
Joncti
o Modèle de la charge abrupte
n
semi- r
c
o
n
d
u xp
ct
ri
xn x
ce
s

Neutralité:

La charge d’espace s’étend du coté le moins dopé


Joncti
o Modèle de la charge abrupte
n
semi- r
c
o
n
d
u xp
ct
xn x
ri
ce
s

E0
xp xn
x

x
xp xn
Joncti
o
n
semi-
c
o
n
d On montre que dans ce modèle la largeur de la ZCE est donnée par:
u
ct
ri
ce
s
Joncti
o Etude de la jonction en court-circuit
n
semi- VF
Les électrons se déplacent
c
o E0 d’un niveau E1 vers un
n niveau E2 tel que E1 E2
(b)
d
u EFi P N
ct
ri
ce (a)
s
EFi

EFp EFn
EFi

(a)

(b)

Les trous se déplacent Sens (a) : Conduction ohmique


d’un niveau E1 vers un w0 (minoritaires)
niveau E tel que E E Sens (b) : Diffusion (majoritaires)
Joncti
o  Le courant IS (noté (a) ) correspondant aux porteurs
n minoritaires des zones N (trous) et P (électrons) qui se
semi-
c présentent aux bordures de ZCE et qui sont entrainés par le
o champ électrique local E0 , respectivement dans les zones P
n
d et N. La population de ces porteurs est proportionnelle à ni2:
u
ct
ri et
ce
s

 Le courant (noté (b) ) ayant pour origine les porteurs


majoritaires des zones N (trous) et P (électrons) très voisins
de la ZCE dont l’énergie est suffisante pour passer la hauteur
e VF . Ce courant conduit à un courant de la forme:

Les 2 courants ((a) et(b) ) se compensent ( Itotal =0) ⇒


Joncti
o
n
Etude de la jonction en polarisation inverse
semi-
c VF+ Uinv ( > VF)
o
n P N
d
V1 V2
u
ct
ri
ce
s

E (> E0)
w (>w0)

Uinv =V2-V1 V2 > V 1

Les porteurs majoritaires


ne peuvent plus diffusés

Il ne reste que la conduction des porteurs minoritaires


Joncti
o
n
Etude de la jonction en polarisation inverse
semi- VF+Uinv
c
o E0
n
d
u
P N
ct
ri
ce
s (a)
EFp

EFn
(a)

w
Sens (a) : Conduction ohmique
Joncti
o
n
Etude de la jonction en polarisation inverse
semi-
c
o La jonction PN est dite bloquée.
n
d
u Le courant de saturation IS la traversant est très faible:
ct
ri
ce
s

Où A est une constante du matériau et


m=2 pour Ge et m=1.5 pour le Si et GaAs
Joncti
o
n
Etude de la jonction en polarisation inverse
semi-
c Capacité de transition CT de la jonction bloqué
o
n VF+Uinv
d
u P
ct
ri
ce
s

E
w(Uinv)
w(Uinv)
Joncti
o
n w(Uinv)
semi-
c
o
n
d
u
ct
ri
ce
s
Joncti
o
n
semi-
c
o
n
d
u
ct
ri
ce
s

CT qui dépend de la température T à des valeurs typiques comprises entre:


Joncti
o III.2.3.3. Avalanche et effet
n
semi- Zener
c
o
2 processus réversibles qui produisent une augmentation
n brutale du courant de la jonction PN polarisée en inverse par
d
u
une tension suffisante Uz (tension de claquage)
ct
ri
ce L’avalanche par multiplication Le claquage par effet Zener
s

Le champ électrique intense


Collisions des porteurs minoritaires
avec les atomes du SM
Arrachement des électrons des
Rupture de liaisons covalentes du SM liaisons covalentes

Création de nouveaux porteurs


Création de nouveaux porteurs

Ces nouveaux porteurs acquièrent de


l’énergie grâce au champ électrique Augmentation du courant
Joncti
o III.2.4. Jonction polarisée en direct
n
semi-
c VF- Uinv (<VF)
o
n P N
d
V1 V2
u
ct
ri
ce
s
E (< E0)
w (<w0)

Udir =V2-V1

>>
Le nombre des porteurs majoritaires Le nombre des porteurs minoritaires qui
qui diffusent augmente traverse cette barrière diminue
Joncti
o P N
n
semi- V1 V2
c
o
n
d
u
ct
E (< E0)
ri w (<w0)
ce
s
 Diffusion des électrons majoritaires du SM N vers le SM P
Ces électrons deviennent minoritaires dans le SM P et se
recombinent avec les trous majoritaires
Appauvrissement en trous dans la zone de recombinaison
diffusion des trous majoritaires du SM P de la zone riche
en trous vers la zone appauvrie du SM P
création de nouveaux électrons trous dans le SM P

Ces électrons sont ramenés du SM P vers le SM N à travers le générateur


pour compenser le déficit en électrons dû à la diffusion des électrons
Joncti
o Le même raisonnement peut se faire du SM N vers le SM P
n
semi-
c  Diffusion des trous majoritaires du SM P vers le SM N
o
n Ces trous deviennent minoritaires dans le SM N et se
d recombinent avec les électrons majoritaires
u
ct Appauvrissement en électrons dans la zone de
ri recombinaison
ce
s diffusion des électrons majoritaires du SM N de la zone
riche en électrons vers la zone appauvrie du SM N

Création de nouveaux électrons trous majoritaires dan le SM N

Ces trous sont ramenés du SM N vers le SM P à travers le générateur


pour compenser le déficit en trous dû à la diffusion des trous

Ces deux phénomènes sont simultanés et


s’accumulent pour former le courant total qui
traverse la diode
Etude de la jonction en polarisation directe
VF-Udir

P E N
Diffusion Diffusion
Trous majoritaires Recombinaison électrons majoritaires
Trous-électrons (b)
(a)

EFn
EFp

(a)
(b) Recombinaison
Diffusion Trous-électrons Diffusion
Trous majoritaires électrons
majoritaires

w
Joncti
o
n Courant traversant la jonction
semi-
c
o
n
d
u
ct
ri
ce
s
Joncti
o
Capacité de diffusion Cd de la jonction PN polarisée en direct
n
semi-
c Le phénomène de recombinaison local de part et d’autre de ZCE
o n’est pas instantané. En effet les électrons injectés dans le SM P se
n recombinent avec les trous présents après un temps moyen tm :
d
u
durée de vie des électrons qui est de l’ordre de la nanoseconde.
ct VF-Udir
ri
ce
s P

Anode: A Cathode: K

ZCE
Zone neutre Zone neutre

Zone Zone
chargée — chargée +
Joncti
o
n
semi-
c Il y a toujours, de part et d’autre de la ZCE , une charge positive dans
o
n la cathode et une charge négative dans l’anode, composées de
d porteurs non recombinés. Ceci est équivalent à la présence d’une
u capacité de diffusion Cd proportionnelle au courant direct I de la
ct
ri
jonction:
ce
s
Joncti Caractéristique d’une jonction PN
o
n
semi- Diode Diode ordinaire
o
c
Zener I (mA)
n
d
u
ct
ri
ce
s
Uz : tension de Zener U (V)

IS :
US : tension de seuil
courant de
Saturation
(quelques mA)

Courant direct dû
aux porteurs majoritaires
Courant inverse dû
aux porteurs minoritaires

Polarisation inverse (U<0) Polarisation directe (U>0)


Joncti
o Symbole d’une diode (ordinaire) semi-conductrice à
n jonction PN hors de la zone dz claquage (U > US )
semi- VF-Udir
c
o
n P
d
u Anode: A Cathode: K
ct
ri
ce
s

E
w

Sens passant

I A K

Anode Cathode
Joncti Symbole d’une diode (Zener) semi-conductrice à jonction PN
o
fonctionnant dan la zone de claquage
n
semi- VF+Uinv
c
o
n P
d
u Anode: A Cathode: K
ct
ri
ce
s

E
w
Sens passant Sens passant
A K I’ A K I’
ou

U’ U’
Joncti
o
n Courant traversant la Diode polarisée en direct
semi-
c
o
n
d
u
ct
ri
ce  Cas usuels:
s

Où :
Le courant de saturation qui est dû essentiellement aux
effets thermiques (génération et recombinaison) est de
l’ordre du mA. Sa valeur double lorsque la température
s’élève de 6 °C pour le Si. Par contre, cette valeur ne dépend
pas de la tension appliquée.
Joncti
o
n
Tension seuil US à T= 300 °K
semi-
c
o
n
d
u
ct
ri
ce
s

Tension de Zener UZ
Joncti
o Effet de la Température sur la caractéristique de la diode
n
semi-
c
o I
n
d
u
ct
ri
ce
s
Uz2 Uz1 Uz2 U

IS1
US2 US1
IS2
Joncti
o
n
semi-
Diodes réelles
c
o La résistance de contact et du matériau SM augmentent la résistance du
n courant direct qui traverse la diode. De ce fait la caractéristique d’une
d diode polarisée en direct, diffère d’une courbe exponentielle. Elle
u
ct présente une partie rectiligne dès que la tension est appliquée entre
ri ses bornes et supérieure à la tension seuil VS.
ce
s
I

U
UZ
IS US

Le courant croit rapidement et n’est


limité que par le circuit extérieur
(résistance de protection)
Joncti
o Diode ordinaire idéale (1 ière
approximation)
n
semi-
c
I
o
n
d U
u UZ
ct
ri
ce Schéma électrique équivalent
s Diode bloquée
U<0
Diode idéale
A K
I A K

Diode passante
U=0
U
A K

La diode idéale agit comme un interrupteur


Joncti
o Diode ordinaire (2 ième
approximation)
n
semi- I
c
o
n
d U
u UZ
ct
US
ri
ce Schéma électrique équivalent
s Diode bloquée
U<US
Diode
A K
I A K
US

U Diode passante
U=US
A K

US
Joncti
o Diode ordinaire (3 ième
approximation)
n
semi- I
c
o
n
d U
u UZ
ct
US
ri
ce
s
Schéma électrique équivalent
Diode bloquée
Diode U<US
A K
A K
RB
US
Diode passante
U≥US
A K

RB
US
a
di Diode Zener idéale (1ière approximation)
o
d
e U’< Uz ⇒ I’= 0 ⇒ la caractéristique est une droite parallèle à l’axe des tensions
ans
le
s
ci
I’ 0 ⇒l U’=Uz ⇒ la caractéristique est une droite parallèle à l’axe des courants
rc
ui U’ UZ 0
ts
Diode passante Diode bloquée

U’=UZ U’<UZ
A K I’ A K
I’=0

Uz Uz

U’ U’

I’
a
di Diode Zener idéale (2ième approximation)
o
U’< Uz ⇒ I’= 0 ⇒ la caractéristique est une droite parallèle à l’axe des tensions
d
e
ans
I’ 0 ⇒l U’< Uz ⇒ la caractéristique est une droite oblique
le
s U’ UZ
ci 0
rc
ui Diode bloquée
ts U’<UZ
Diode passante A RZ K I’=0
U’>UZ
Uz
U’

I’
RZ UZ
A K I’

U’
La
di III.3. La diode ordinaire dans les circuits.
o
d
e
dans
le
s
Applications:
ci
rc  Redressement
ui
ts
 Filtrage

 Ecrêtage
La
di III.3. La diode ordinaire dans les circuits.
o
d
e
dans
III.3.1. Régime statique
le
s Détermination du point de fonctionnement de la diode
ci
rc
ui
Droite de charge:
ts relation entre le courant I traversant la diode et la tension U entre ses bornes
I R

E U

Droite de pente: qui passe par deux points particuliers:


La
Détermination
di
graphique du point de fonctionnement Q de la diode
o
d I
e
dans
Droite (statique)
le
s
Saturation de charge
ci
rc
ui
ts
Q : point de
fonctionnement (statique)

Circuit ouvert

Coordonnées du
point de fonctionnement (statique)
La
di
o
III.3.2. Régime
d dynamique
e On superpose à la tension fixe E, une tension variable e(t)
dans
le Principe de superposition
s
ci
rc
ui
ts

Où:

C’est une droite de pente constante dont l’ordonnée à l’origine varie


La
di
o Si on trace les courbes à différents instants, ce sont des droite
d
e
parallèles à la droite de charge statique (même pente)
dans
le
s I Cas d’une tension harmonique:
ci
rc
ui
ts

0
La
di I Cas d’une tension harmonique:
o
d
e
i(t)
dans
le
s
ci
rc B
ui T
ts
Q
0 T/2

A
U

-e0

e0
0
Excursion du point

e(t)
de fonctionnement

T/2

T
t
La
di
o
Cas d’une tension harmonique à faible amplitude:
d
e
dans Résistance dynamique de la diode rd
le
s
ci
rc L’excursion du point de fonctionnement Q se fait sur un arc de
ui courbe AB qu’on peut confondre à un segment de droite
ts
I

A Q
a

rd dépend du point Q
La
di Expression de la Résistance dynamique de la diode
o
d
e
dans
le
s
ci
rc
ui
ts

Ordre de grandeur: A T: 300°K


La
di
o
Le développement de Taylor de I au voisinage du point de fonctionnement
d permet d’écrire:
e
dans
le
s
ci
rc
ui
ts

Relations linéaires

Dans la 3ième approximation rd =Rb

Conclusion:
 En régime dynamique de faible amplitude la diode est un dipôle
linéaire.

Si la caractéristique de la diode est une droite, la restriction faibles


amplitudes n’est plus nécessaire
a
di
III.3.4. Redressement
o
d
e
ans III.3.4.1. Simple alternance (mono-alternance)
le
s -Redressement sur résistance (en série)
ci
rc I R
ui
ts
e(t)= eM cos(wt) UR
U

1ier cas : Diode idéale


e(t) >0 e(t) < 0
I R R

e(t) UR e(t) U= e(t)


U= 0
I=0

UR = e(t) UR = 0
a
di
o
1ier cas : Diode idéale
d
e
ans
le e(t)
s
ci t
rc T/2 T 3T/2 2T
ui
ts

U R (t)

La courbe de UR est formée d’une succession de demi-sinusoïdes


positives de période T
a
di
o Si on inverse les polarités de la diode dans le montage:
d La courbe de UR est formée d’une succession de demi-sinusoïdes
e
ans
négatives de période T
le
s
ci
e (t)
rc
ui eM
ts
t
T/2 T 3T/2 2T

U R (t)

- eM
a
di
o
2ième cas : Diode (2ième approximation)
d
e e(t) >US e(t) < US
ans
le I R I=0 R
s
ci UR UR
rc e(t) e(t) U= e(t)
U=US
ui
ts
UR = e(t)- US UR = 0
e(t)
eM
eM
US t
T/2 T 3T/2 2T

U R (t)

e M- U S
t
a
di
o
3ième cas : Diode (3ième approximation)
d
e e(t) >US e(t) < US
ans
le I R R
s
ci
RB
e(t) UR
rc U=US e(t) U= e(t)
ui I=0
ts
UR = 0

e(t)
eM
eM
US t
T/2 T 3T/2 2T

U R (t)

e M- U S
t
a
di
o
Remarque :
d
e
ans On retrouve les résultats de la diode idéale:
le La courbe de UR est formée d’une succession de demi-sinusoïdes
s
ci positives de période T
rc
ui
e (t)
ts
t
T/2 T 3T/2 2T

U R (t)

t
a
di III.3.4.2. Double alternances
o
d -Redressement à l’aide d’un transformateur à prise
e médiane
ans
le
s D1
ci
rc
ui
ts e (t)/2
e (t)/2 <> 0
R
e(t) e (t)

e (t)/2 e (t)/2 <> 0


D2

On suppose que les deux diodes sont idéales


a
di
o e (t) > 0 D1 passante et D2 bloquée
d
e
ans
le e (t)/2>0 I (t)
s R
ci
e(t)
rc
ui uR (t)
ts

uR (t) = e1 (t) ⇒ uR (t)>0

e (t) < 0 D2 passante et D1 bloquée

uR (t) I (t)
e(t)
R
e (t)/2 <0

uR (t) = - e1 (t) ⇒ uR (t)>0


a
di
o
d
e
ans
e/2
t
le
s T
ci
rc
ui e2
ts
t
T

uR
t
0 T' T 2T

La période de uR est moitié de celle de e1 ou e2


La - Redressement à l’aide d’un pont de diodes ( pont de Graetz)
di
o
d D4
e D1
dans
le e(t)
s uR (t)
ci D3 D2
rc
ui
ts e(t) < 0⇒ D2 et D4
e(t) > 0⇒ D1 et D3
passantes et D1 et D3
passantes et D2 et D4
bloquées
bloquées

e(t) e(t)
uR (t) uR (t)

uR (t) = e(t) > 0 uR (t) =− e(t) > 0


a
di
o
d
e e
ans t
le T
s
ci
rc
ui
e2
ts t
T

uR
t
0 T' T 2T

La période de uR est moitié de celle de e1 ou e2


a
di
o Filtrage
d
e
ans La fonction « Filtrage » permet de passer d’une tension
le
s variable de signe constant (unidirectionnelle) à une tension
ci sensiblement continue uF.
rc
ui
ts

Cette tension uF étant la somme d’une tension continue UF


(valeur moyenne de uF) et d’une tension d’ondulation uo
(de valeur moyenne nulle).
a
di
o
Filtrage d’une tension redressée mono-alternance
d
e uD=uA-uK
ans
le A K
s
ci
rc
ui
uF R
ts e(t) C

Si uD > US Diode passante Générateur alimente R et C

Si uD < US Diode bloquée C se décharge à travers R


a
di
o
Filtrage d’une tension redressée mono-alternance
d
e Diode passante : uD > uS
ans
le
s
uD=uA-uK
ci
rc US
ui
A RB K
ts

uF R
C

Dans le cas usuel :


a
di
o
d
e
ans
le
s
ci
rc
ui
ts

Dans le cas usuel :


a
di
o
d
e
ans u F (t) e (t)
le
s 1ier maximum
ci
rc
ui
ts
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0

t0

 Les deux courbes sont pratiquement superposables, dans la suite on les


confondra
e(t)> uF (t) de t = 0 jusqu’au 1ier maximum t= t0 , dans cet intervalle de temps
la diode est passante ⇒ e(t) uF (t)

 juste après le 1ier maximum la tension e(t) < uF (t) , la diode est bloquée et le
condensateur commence à se décharger (la courbe en rouge n’a plus lieu d’être)
a
di
o Diode bloquée : e(t) < uF (t)
d
e
ans
le
s
ci
C
rc R uR
uF
ui
ts
La
di
u F (t) e (t)
Décharge
o
d
e
dans
le t
s
ci t0 t1 t2 t3 t4
rc
ui
ts
 De 0 à t0 , e(t)> uF (t), la diode est passante et le condensateur se
charge⇒ e(t) uF (t) .
 De t0 à t1 , la tension e(t) < uF (t) , la diode est bloquée ⇒le condensateur se
décharge.
 De t1 à t2 , e(t)> uF (t), la diode redevient passante et le condensateur se
recharge ⇒ e(t) uF (t)
 De t2 à t3 e(t)< uF (t), la diode redevient bloquée ⇒ le condensateur se
redécharge
 De t3 à t4 , e(t)> uF (t), la diode redevient passante et le condensateur se
recharge ⇒ e(t) uF (t)
 ainsi de suite
La
di
o Dans le cas usuel t=RC >> T et d << T
d
e
dans
On peut assimiler les arcs de sinusoïdes et les branches
le exponentielles à des segments de droites
s
ci
rc uF t2
ui
ts e0

0 t =d t2= T
1 t

( La décharge)

A t = d:
La
di Tension d’ondulation
o
d

dans
e A t = d:
le
s
ci
rc A t = T:
ui
ts
La
di
o
Valeur moyenne
d
e
dans
le
s
uF
ci
rc Aire sous la courbe
ui uF (d)=e0
ts uF (T)

0 t =d T
1 t
La
di Taux d’ondulation
o
d
e
dans
le
s
ci
rc
ui
ts

Application Numérique:
La
di
o
Filtrage d’une tension double alternance
d
e
dans D4 D1
le
s
ci e(t)
rc
ui D2
ts D3
C R uR (t)

Valeur moyenne tension filtrée Taux d’ondulation


La
di -Ecrêteur sur résistance (en paralléle)
o
RS
d
e
dans
le e(t) R
u uR
s
ci
rc
ui Pour que l’écrêteur fonctionne convenablement il faut choisir:
ts

1ier cas : Diode idéale


e(t) >0 e(t) < 0
RS RS

e(t) R e(t) RL
uR uR

uR = 0
a
di
o e(t)
d
e eM
ans
le t
s
ci T/2 T 3T/2 2T
rc
ui
ts

U R (t)

-eM

La courbe de UR est formée d’une succession de demi-sinusoïdes


négatives de période T
a
di Si on inverse les polarités de la diode dans le montage:
o La courbe de UR est formée d’une succession de demi-sinusoïdes
d
e positives de période T
ans
RS
le
s
ci e(t) R UR
rc
ui
ts
e (t)

t
T/2 T 3T/2 2T

U R (t)

Dans les deux cas, en supposant la diode idéale, on ne remarque


pas d’écrêtage , on a tout simplement un redressement simple
alternance
a
di
o
2ième cas : Diode (2ième approximation)
RS
d
e
ans
le e(t) U R UR
s
ci
rc
ui
ts e(t) > US e(t) < US
RS RS

e(t) US R e(t)
UR R UR

UR = U S UR ≈ e(t)
a
di
o
d
e e(t)
ans eM
le
US
s t
ci
rc T/2 T 3T/2 2T
ui
ts

U R (t)

t
US

- eM

La courbe de UR est écrêtée dans sa partie positive: écrêteur positif


a
di Si on inverse les polarités de la diode dans le montage:
o L’écrêtage se fait dans la partie négative de la courbe:
d
e
Écrêteur négatif
RS
ans
le
s U R
ci
e(t) UR
rc
ui
ts e(t) <- US e(t) > - US
RS RS

e(t) R e(t)
- US UR R UR

UR = - U S UR  e(t)
a
di
o
d e(t)
e
eM
ans
le US
t
s
ci T/2 T 3T/2 2T
rc
ui
ts

U R (t)

eM
t

-US
a
di
o
2ième cas : Diode (3ième approximation)
RS
d
e
ans
le e(t) R
U UR
s
ci
rc
ui
ts e(t) > US e(t) < US
RS RS
RB
e(t) R e(t) R
US UR UR

UR  US UR  e(t)
a Exercice n°1:
di RS
o
d
e
ans e(t) D1 R
le D2 L UR
s
ci RS<< RL et RB  0W
rc
US1=US2= 0.7 V
ui
ts Représenter les chronogrammes de e(t) et UR(t) sur 2 périodes

Exercice n°2:
RS

D1 R
e(t) D2 L UR

E1 E2

US1=US2= 0.7 V et E1= E2 RS<< RL et RB1 = RB2  0W


Représenter les chronogrammes de e(t) et UR(t) sur 2 périodes
a
di
o III.3.5 .Diode Zener
d
e
ans Applications
le
s
ci
rc
ui
ts On utilise les diodes Zener:

 pour réguler des tensions continues (Régulation)

pour protéger un circuit en écrêtant les éventuelles surtensions


(Ecrêtage).
a
di III.3.5 .1. Caractéristique
o
d
e I
ans
le
s U
ci U’
rc
UZ
ui IS US
ts

Zone de travail utile


de la diode Zener

I’

En polarisation directe, la caractéristique est celle d’une diode ordinaire

En polarisation inverse, cette caractéristique présente une zone où la


tension est pratiquement constante UZ

 2 V < UZ < 200 V (dépend du dopage et du processus de fabrication)


a
di
o  T Glissement de la caractéristique
d
e U’
ans UZ+ D UZ U UZ + D UZ
Z
le IS
s
ci
rc
ui
ts
S: coefficient de température
T S >0 si UZ <5V I’
T+D T T+D T
S <0 si UZ >7V
S <0 ou S >0 si 5V<UZ <7V
S ≈0 mV/°C pour certaines diodes

 Puissance maximale Pmax à ne pas dépasser (indiqué par le fabricant) sinon


détérioration
a
 protection de la diode : on rajoute en série une résistance qui tient compte de I zmax
di
o
d
e
ans
le
Izmax
s
ci
Emax R
rc
ui
ts
Uz

 Courant minimal Izmin :

Pour que la diode fonctionne dans la zone utile


UZ
U’

Izmin
Zone d’utilisation
en diode Zener
Izmax
I’
a
di point de fonctionnement (ou de polarisation)
o
d I’
e
ans
le E R
s
ci U’ Equation de la droite de charge
rc
ui
ts
U’ E UZ
IS

Izmin
Point de fonctionnement IQ
(ou de polarisation) Q

Icc= E/R
Izmax
I’
a
di III.3.5 .2 Applications
o
d - Régulation de tension
e
ans R
le
s
ci E
rc RL UL
ui
ts
E nettement supérieure à UZ
Problématique:
On veut que UL soit pratiquement constante lorsque:
 E fluctue dans un domaine précis ( par exemple une tension filtrée)

 ou RL varie dans un domaine précis ( lorsqu’on change de charge)

Si la diode est idéale


Les deux conditions sont satisfaites
a
di
o Cas réel: la diode possède une résistance RZ
d
e RZ A
ans
le RZ
s E RL UL
ci UZ
rc
ui B
ts
Appliquons
le théorème de Thevenin
r A

U0 RL UL

B
a
di
Tension de Thevenin
o RS A
d
e
UZ RZ
ans
E U0
le UZ
s
ci B
rc
ui
ts

Résistance de Thevenin
RS I A

RZ U
a r IL
di
o
d U0 RL UL
e
ans
le
B
s
ci
rc
ui
ts
a A
di
o IZ RZ
d E RL UL
e UZ
ans
le
B
s
ci Méthode des nœuds
rc
ui
ts

Si on considère la branche contenant la diode, on peut écrire aussi:


a
di
o
d
e
ans
le
s
ci
rc
ui
Remarque:
ts
 si RZ = 0 (diode idéale)
UL est indépendante des variations de E, de IL ou de RL

 si RZ  0
UL varie et dépend des variations de E, de IL ou de RL

Toutefois, on peut s’arranger pour minimiser les variations de UL


REGULATION
Tension régulée :
a
di
o
REGULATION EN AMONT
d
e RL est constante et E est variable
ans
le
s On définit un facteur de stabilisation K:
ci
rc
ui
ts

Comme :

Dans le cas usuel:


a
di
o
d
e
ans
le
s
ci
rc
ui
ts
a
di
o
REGULATION EN AVAL
d
e E est constante et RL est variable
ans
le
s
ci
rc
Si RL varie IL varie
ui
ts
On définit le facteur suivant:

qui n’est d’autre que la résistance interne de l’alimentation stabilisée


r. Pour le montrer, il suffit d’utiliser la formule (1)
a
di
o
d
Dans le cas usuel :
e
ans
le
s
ci
rc
ui
ts

Quand on utilisera la première formule,


il faut s’assurer que des conditions précédentes sont satisfaites.
a
di
o
Application numérique:
A
d R S?
0 IL20 mA
e
ans
le RZ=3W
s
ci E RL UL
15V  E 20 V
rc UZ=9V
ui
ts 5 mA IZ50 mA

Cas 1 : E est min , IL est max


et IZ est min
Deux cas extrêmes
Cas 2 : E est max, IL est min
et IZ est min
a
di CAS 1
o UL est minimale lorsque: E et IZ sont minimales et IL est maximale
d
e
ans
le
s
ci
rc
ui
ts

A. N.:

Pour cette valeur de RS , Il faut vérifier que lorsque E est maximale


et IL est minimale , IZ ne dépasse pas sa valeur maximale
a
di
o
d
e
ans
le
s
ci
rc
ui
ts A. N.:

Pour RS =240W la diode fonctionnera correctement


a
di
o
Déterminons les variations de RL et UL pour RS1= 240 W
d
e
ans
le
s
ci
rc
ui
ts
a
di
o IMPORTANT: Vérifions si les conditions sont satisfaites:
d
e
ans
le
s
ci
rc
ui
ts

Paramètres de l’alimentation stabilisée pour RS1= 240 W

facteur de stabilisation:

résistance interne :
a
di CAS 2
o
d
UL est maximale lorsque: E et IZ sont maximales et IL est minimale
e
ans
le
s
ci
rc
ui
ts

A. N.:

Pour cette valeur de RS, Il faut vérifier que lorsque E est minimale
et I est maximale , I n’est pas en dessous de sa valeur minimale
a
di
o
d
e
ans
le
s
ci
rc
ui
ts

Pour RS =220W la diode fonctionnera correctement


a
di
o
Déterminons les variations de RL et UL pour RS2= 220 W
d
e
ans
le
s
ci
rc
ui
ts
a
di
o IMPORTANT: Vérifions si les conditions sont satisfaites:
d
e
ans
le
s
ci
rc
ui
ts

Paramètres de l’alimentation stabilisée pour RS2= 220 W

facteur de stabilisation:

résistance interne :
a
di Exemple
o
d
e Diodes Zener utilisées pour la mise en forme de signaux
ans
le RS
s I
ci
rc e(t) I’
D1
ui T
U1
ts -UZ
e(t) RL uL
t
US U
D2 U2

Tracer les chronogrammes de e(t) et uL (t) sur 2 périodes


a
di
o
d
e
ans
e(t) u L (t)
le
s
ci U Z +U S
rc
ui
ts
t

T 2T

-U Z - U S

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