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Amplification petits signaux transistors

1. Introduction
Amplificateurs
Transistors (1948) AOP (1963)

Faible bruit Hautes frquences 2 aspects :


tude statique : polarisation, point de repos tude dynamique : pour des petits signaux sinusodaux
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1. Introduction
Objectif : prsenter ltage amplificateur comme un quadriple (facilit de mise en cascade)
Ie Ve +Vcc
tage amplificateur

Is Vs

lments caractristiques dun tage amplificateur :


Amplification en tension ( vide ou en charge) : is Amplification en courant : i !
ie
Gains en tension ou en courant en dB :
Av !

vs ve

20 log
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1. Introduction
Impdance dentre : Impdance de sortie :
Ze ! ve ie

vs is

Reprsentation la + courante :
Ie Ve Is Av0 ve Vs

Remarques :
Relation entre Ai, Av, ZL, Ze Capacits de liaison
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2. Gnralits sur lamplification transistors bipolaires


1. Polarisation a) Objectif : dtermination des valeurs des grandeurs de repos : IB0, IC0, IE0, VBE0, VCE0 b) Montages de polarisation classique :
pont de base rsistance
- de rsistances Impdance dentre + gde Pb de stabilit du point de repos
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2. Gnralits sur lamplification transistors bipolaires


c) Aspect graphique : droite de charge statique
Polarisation en pont de base :

quivalents de Thvenin : Vth, Rth


ic ib vbe 6

2. Gnralits sur lamplification transistors bipolaires


Droite statique dentre : ib=f(Vbe) sans RE
vth  vbe ib ! Rth
ic Quadrant de transfert
Vcc/Rc

Quadrant de sortie

ic0

ib0

Droite statique de sortie : ic=f(Vce) sans RE


vCC  vce ic ! RC

ib

Vth/Rth ib0

vce0 vbe0
Vth

Vcc

vce

Quadrant dentre

vbe
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2. Gnralits sur lamplification transistors bipolaires


Transistor bipolaire BC546/547/548/549/550

2. Gnralits sur lamplification transistors bipolaires


d) Aspect calcul : point de repos
On dtermine les coordonnes du point de repos par le calcul en supposant que : Vbe0 = 0,7V ic = ib
Transistor bipolaire BC546/547/548/549/550

2. Gnralits sur lamplification transistors bipolaires


2. tude en dynamique Cas dun transistor bipolaire NPN
En basse frquence Dans la bande passante de lamplificateur Capacits de liaison = courts-circuits Utilisation du schma quivalent de Giacoletto
B r
=h11

C =h21 ib ib =1/h22 E

!F
V

E !cste

! cste

(I h21 ! (I B

( h11 ! (I

! rT

h22 !

(I C ( C

!
I !cste

1 V

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2. Gnralits sur lamplification transistors bipolaires


Lien avec les caractristiques
Pour les transistors actuels, on nglige le terme En rgime de variation le courant ib nest pas toujours dans ce sens
ic Quadrant de sortie
Vcc/Rc

ic0

b I
C

ib

Vth/Rth ib0

b V

CE

ib0

b I
B

vce0 Vcc

vce

b V

vbe0
Vth

BE

Quadrant dentre

vbe

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2. Gnralits sur lamplification transistors bipolaires


Droites de charge dynamiques :
~ ~ v ! f (i ) ~ ~ vC ! f ( iC )

Modification de pentes lies aux capacits de dcouplage

Exemple : montage metteur commun


Petits i e signaux is

ib
RB1// RB2

ve

vs

ve

ib

RC
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vs

2. Gnralits sur lamplification transistors bipolaires


Droite de charge statique : Droite de charge dynamique :
ic
b I
Vcc/Rc
C

vCC vCE iC !  RC  RE RC  RE

~ ! f (~ ) vCE iC ~ !  R v RC i vCE C R  RC

ic0
Vcc

b V
D+ D-

CE

vce

Dynamique de sortie ou excursion D+/D-

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2. Gnralits sur lamplification transistors bipolaires


3. Lien entre polarisation et rgime dynamique Problme dynamique :
La dynamique de sortie dpend du choix du point de repos,
Dynamique symtrique Excursion (D+/D-) maximale

Choix du point de repos


Par le calcul Mthode graphique : mthode de la contre-pente
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2. Gnralits sur lamplification transistors bipolaires


Coefficient r :
1 rT ! 40 v I B 0
Paramtre statique

Paramtre dynamique

IB0 dpend de VT Donc r dpend de la temprature

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3. Transistors FET
a. Caractristiques des FET
Des polarits (canal P ou canal N) Des formes disolement de grille
    Semi-conducteurs jonction JFET Oxyde isolant MOSFET

Des dopages de canal


 enrichissement  appauvrissement
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3. Transistors FET
b. Schma lectrique
MOSFET enrichissement canal N Analogie avec transistors bipolaires NPN
Drain = collecteur Source = metteur Grille = base

JFET

MOSFET appauvrissement

MOSFET enrichissement

FET canal N

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3. Transistors FET
c. Caractristiques

Transistor bipolaire 2N3904

Zone de saturation

Transistor MOSFET VN0106


18 Zone linaire

3. Transistors FET
d. Schma quivalent petits signaux
VGS gm VGS

e. Techniques dtudes des amplificateurs FET


Idem transistors bipolaires
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4. Montages amplificateurs lmentaires transistors bipolaires


1. Montage metteur commun
a) Schma de ltage

Schma quivalent petits signaux

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4. Montages amplificateurs lmentaires transistors bipolaires


b) Av : trs lev

AI : moyen Ze : moyen Zs : lev


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d) Application numrique

4. Montages amplificateurs lmentaires transistors bipolaires


2. Montage metteur commun charge rpartie
a) b) c) d) Schma quivalent petits signaux Av : moyen Zs : lev Application numrique : comparaison avec EC
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4. Montages amplificateurs lmentaires transistors bipolaires


2. Montage collecteur commun (dit suiveur Av 1)
Adaptateur dimpdances Ze = plusieurs k : lev

Zs = qques ; : faible

3.

Montage base commune : non utilis en BF


Ai : faible Ze : faible Zs : lev
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4. Montages amplificateurs lmentaires transistors bipolaires

* Indique une dpendance en temprature

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5. Comportement en frquence
Comportement de type passe-bande
Coupure basse lie aux capacits de liaison et de dcouplage Coupure haute lie aux capacits parasites du transistor

1. Limitation aux frquences basses


2 possibilits pour cette tude :
Dtermination de fC -3dB (composants imposs) Calculer les valeurs des capacits de liaison et de dcouplage pour satisfaire le cahier des charges (fC basse fixe)
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5. Comportement en frquence
a. Effet de la capacit de dcouplage
Exemple : montage metteur commun

ve

vs

Cl1,2 = court-circuit
 Expression de X j[ !  Diagramme de Bode

(Cd ) ?? V ( BPampli)
V

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5. Comportement en frquence
b. Effet de la capacit de liaison
Exemple : montage metteur commun

Av0 Ve Gnrateur dattaque tage amplificateur Charge

VS

Cd = court-circuit  
V Expression de Diagramme de Bode

VS ! eg

??

c. Conclusion [c correspond la plus grande des pulsations

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5. Comportement en frquence
2. Limitation aux frquences hautes
B rx ib B r C C C
0 ib

rx : rsistance daccs la base Cx, C : capacits parasites du transistor bipolaire


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5. Comportement en frquence
a. Dfinition de la frquence de transition
([) : rapport de ie sur ib lorsque vce = 0
B ib rx ib r E C C B
0ib

C ie E

 Expression de ([) ??

Facteur de mrite : [t =

[ avec [F !

1 1 ! 29 rT (CT  C ) rT C

5. Comportement en frquence
b. Calcul dans le cas du montage EC
Schma petits signaux
rx Ve ib r B C C
ib =gm VBE

Vs

 Utilisation du thorme de Miller  Expression de la fonction de transfert ??  Expression de [c ??


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5. Comportement en frquence
c. Conclusion : comparaison de [c et [t
EC : [c << [t CC : [c [t BC : [c [t

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