T6disparoscr Ep 0506

TEMA 6:TIRISTORES: CIRCUITOS DE CONTROL
UNIDAD N 0. INTRODUCCIN A LA ASIGNATURA UNIDAD N 1. REPASO DE CONCEPTOS Y DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA UNIDAD N 2. AMPLIFICADORES DE POTENCIA UNIDAD N 3. DISPOSITIVOS DE CUATRO CAPAS UNIDAD N 4. CONVERTIDORES
T a r e nE. n i Seg I .P ac n t c e E ps E i r l . E
Leccin 5.- Tiristor Leccin 6.- Gobierno de tiristores y triac
Lilen,H. Tiristores y triac. Marcombo.1998 Thyristor data. Mayo 2000. Onsemiconductor; http://www.onsemi.com Power Semiconductor Application Philips Semiconductor. Thyristores and triac. Capitulo 6. Notas de aplicacin diversos fabricantes (ver apuntes)
J.D.Aguilar Pea;http://voltio.ujaen.es/jaguilar 1
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* Corriente
continua * Corriente alterna * Impulsos o trenes de ondas
Disparo por corriente continua.

Las condiciones requeridas por el dispositivo podemos encontrarlas en grficos tpicos, como el de la figura siguiente, referido a un tiristor de General Electric:
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J.D.Aguilar Pea;http://voltio.ujaen.es/jaguilar
Para el cto de la figura, determinar si la fuente de tensin continua de 6V, es apropiada para el disparo del tiristor BTY79.
Sustituyendo, obtenemos un valor de VSmx = 7V, por lo que podemos decir que la fuente de 6V es apropiada para el correcto funcionamiento del cto.
VS min = R S mx I o +Vo VSmin = 4.25V.

PGAV = 0.5W RGMX = 32 A
PGM VS(mx) = R G (mx) R S(mn) + R G (mx)
2
P VSmx = GAVmx ( R Smn + R Gmx ) R Gmx
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Disparo por corriente alterna

Para el cto de la figura, en el que se representa un control bsico de potencia con disparo por corriente alterna, 1) Calcular el ngulo de disparo para R = 5K, 8K, 10K. 2) Simular mediante PsPice y comparar los ngulos de disparo anteriormente calculados con los obtenidos en la simulacin. 3) Determinar la tensin media entregada a la carga y comparar con la obtenida con PsPice. DATOS: Ve(RM) S = 28.4V; RL = 20 ; D = 1N4148;
11.44 17 28.4 2
SCR 2N1595 IGT = 2mA;VGT = 0.7V
Ve = ( R L + R ) I G + VD + VGK
wt = arcsen
Para R = 5K, sustituimos y determinamos Ve: 5K
Ve = ( 20 + 5K ) 2 10 3 + 0.7 + 0.7 =11.44V

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Para R = 8K wt 26
Para R = 10K wt 33
La curva obtenida mediante PsPice para el caso R = 5K es:
VD = C
10 8 1 Vm se w n t 2 17
Vm (cos180 2
+c s1 o 7
) =12.5V
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EJERCICIO PROPUESTO
En el cto de la figura, Determinar: 1.- Valor del ngulo de disparo del SCR. 2.- Valor instantaneo de la tensin de entrada que produce el apagado del SCR. 3.- Formas de onda asociadas al cto y programa para la simulacin con PsPice. DATOS: VE = 17V; RL = 100 ; R1 = 5.5K ; R2 = 500 ; VD = 0.7V
SCR:
IGT = 2mA; VTM = 1.1V;
VGT = 0.7V; IH = 5mA

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Disparo por impulso o trenes de ondas

La ventaja al introducir un pulso frente a una seal continua, ser la menor potencia que debe disipar la puerta, as como poder ampliar las tolerancias entre las que nos podemos mover. La seal de puerta debe ser aplicada el tiempo necesario hasta que la corriente por el semiconductor alcance el valor de la corriente de enganche Disparo por impulso nico El cebado por impulsos, permite una potencia de pico superior a la potencia media de puerta admisible. Es posible reducir a un valor mnimo el retardo que existe entre la seal de puerta y la subida de la corriente de nodo sincronizacin muy precisa. Se reduce la disipacin de potencia debida a la corriente residual en las proximidades del nivel de cebado.
El cto de puerta debe ser atacado, preferentemente, con un generador de corriente. atacado corriente La corriente de mando > corriente mnima.
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Disparo por trenes de ondas
Que ocurre con carga inductiva
Ampliar la duracin de cada pulso (Curva C). Enviar trenes de impulsos repetitivos hasta el termino de cada
semiciclo (Curva D).
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Disparo por trenes de ondas: Transformador de impulsos N = Nmero de espiras. S = Seccin del cto magnetico. B = Induccin.
U2 = N S
B=
dB dt
U U2 dt 2mx t N S N S
t mx =
N S B mx U 2mx
t mx U 2mx = N S B mx
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Ctos de mando
Los ctos con tiristores y triacs se emplean en aplicaciones en las que el elemento realiza funciones de coduccin: * Todo o nada * Todo o nada proporcional * Control de fase. En el caso en que el tiristor ( triac) trabaje en el modo todo o nada, se nada presentan dos posibilidades: posibilidades Que trabajen como rels estticos.( todo o nada) estticos Que trabajen como variadores de potencia en la carga.
Rels estticos
Variadores de potencia
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Control de fase
SCR TRIAC
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Mando sincrono. (todo o nada )

Detector paso por cero P Comparador Q Interuptor mando S
Modo 1:Carga resistiva

Impulsos de corta duracin
Modo II: Carga inductiva

Impulsos de larga duracin
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Mando sincrono. (todo o nada con margen proporcional )
Control temperatura
Todo o nada con y sin histresis
Todo o nada con banda proporcional

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Mando sincrono. (todo o nada con margen proporcional )

Generador triangular Consigna T
Comparador
Temperatura
Circuito lgico
Amplificador seal
Red
Detector de paso por cero
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Control temperatura, con reduccin del consumo por noche o ausencias

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Sea el circuito de control de potencia de la figura: Dibujar la seal de salida en la carga, para una tensin Ein de 2.5 voltios dc y y seal rampa Vref de 5 voltios de amplitud
Demostrar que
VRMS c arg a = VRMS D siendo D = Ton / T
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Control de disparo por ngulo de conduccin. (Control de fase)

El principio en el que se basa este tipo de control consiste en retardar de manera sistemtica el instante de disparo del dispositivo introduciendo una constante de tiempo, que inicialmente era obtenida mediante circuitos R C, pero que en la actualidad se consigue, entre otras formas, mediante el principio que vamos a estudiar a continuacin.
Circuitos de control de puerta
= arccos
U cm Ur
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Ejemplo: Control sistema trifsico
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http://www.iie.edu.uy/
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Ejercicio propuesto
Rectificador totalmente controlado con cuatro tiristores en los que controlamos el ngulo de retardo en la conduccin y por tanto controlamos la tensin media entregada a la carga. Comentar el funcionamiento del circuito de control y dibujar la seales en los principales puntos del circuito y la seal que tendremos en la carga. Que seal es la que hace que vare el ngulo de retardo?
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Vcc R2 10k Tr1 220 v ac D1 4148 D2 4148 T2 Bc109 R1 18k T1 Bc109
C1 100nF Vcc -Vcc R3 100k P1 25k U1A TL082 -Vcc Vcc TL082 -Vcc 4148 Vcc U2A D3 R4 180
P2 4k7
Figura 1.3 Circuito de control.
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Cto integrado TCA 785 de SIEMENS

Este cto es muy empleado en el control de fase, por lo que se utiliza para el control de tiristores, triacs y transistores. Los pulsos de disparo pueden variar entre 0 y 180. Los ctos ms tpicos en los que se utiliza son: convertidores, control de corriente alterna, etc.
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Comentar los circuitos de control de potencia presentados en las figuras siguientes
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Disparo con elementos semiconductores( disparo por red RC) Datos: V = 220V/50Hz; R = 200K ;
e 1
R2 = 500 ;
C = 0.1 F
XC =
1 1 = = 31830.9 6 wC 2 50 0.1 10
R = R 1 + R 2 = 200.5K
=arctg
XC =9 R
qu inconveniente tiene este circuito?
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UJT( transistor uniunin). Elemento de baja potencia utilizado para control de SCR y triac
Vp=VE>VD+(R1/R1+R2)VBB ( Cond. de disparo)
(R1/R1+R2)=
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Caracteristicas UJT
Vv
Ip
Iv
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Condicin de oscilador de relajacin . Zona de resistencia negativa inestable
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Condicin de oscilador de relajacin . Zona de resistencia negativa inestable
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VP = VBB + VD
PP3
Vp
T PP1
PP2
Oscilador relajacin con UJT T=RCln(1/1-)

PP1
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Determinar en el cto de la figura : 1.- Valores mximo y mnimo de la resistencia R1 + R2, para una correcta oscilacin. 2.- Determinar el valor de los dems componentes. 3.- Simulacin del circuito mediante el programa PsPice.
Datos: VBB = VCC = 20V; CA = 1F; RB1 = 100 VV = 2V; IP = 5A; TD = R min VBB VV IV UJT: = 0.6; 0.01... 0.1s IV = 10mA;
VB P V R mx B a IP
VP = 12.5V.
condicin de oscilacin: oscilacin V VV VBB VP R BB IP IV
Rmx = R1 + R2 = 1.5M ; Rm = R1 = 1.8K n

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Para los requerimientos de oscilacin: TD = 0.01 0.1s ttotal = tON + tOFF tOFF = Tiempo o periodo de carga de C, durante el cual, el tiristor t est bloqueado.tON = Tiempo o periodo de descarga de C. Normalmente, tOFF >> tON , V VV t OFF = R C ln BB VBB VP
VC (t) = VC (final) + [ VC (inicial) VC (final)] e R C TD = 0.01s TD = 0.1s Rm = 11.4K n Rmx = 113.6K
Valores que se encuentran dentro del rango calculado anteriormente.
VBB >>> Vv;
VP = VBB + VD VBB
t OFF = T = R C ln 1 1
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Rp=10k, 100K
Sabrias demostar que el periodo es el indicado y vp? (1.98ms-7.43) (2.85ms-7.47)
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En la figura, se muestra el esquema de un regulador de corriente alterna de onda completa. Observar como es este montaje es posible controlar una seal alterna con un SCR mediante la configuracin del puente y del propio SCR.
1.- Disearlo. 2.- Simular el circuito mediante PsPice. Datos: Ve = 220V;
f = 50Hz; PL = 180W;C = 0.2F; RB1 = 20 ; RB2 = 100 fOSCILAC. = 100 . . . 900Hz; ZENER: Vz = 25V; IF = 2mA; = 0.77 UJT:VD= 0.5V;
Utilizando estas grficas para un valor VB1B2 = VZ = 25V, calculamos los valores de IP, IV, VV.
VP = VBB + VD = 19.75V
TD = 1.5 R C
IP = 1 A; IV = 8.5mA;
VV = 1.72V
R mn = 2.74K
R mx = 5.25M
TD1 =
1 1 = 1.5 R C R mx = R 1 + R 2 = 33.3K TD2 = = 1.5 R C R mn = R 1 = 3.7K f2 f1

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TEMA 6:TIRISTORES: CIRCUITOS DE CONTROL TEMA 9: GOBIERNO DE TIRISTORES
Ve = V0 senwt = 311 sen15 = 80.5V

R3 = V0 VZ 80.5 25 = = 9.25K I 6mA
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Rectificador controlado onda completa en puente
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Cto de control de potencia Rampa Pedestal

El valor del escaln es fijado por una tensin de referencia, de nivel referencia ajustable, siendo la rampa una tensin de referencia que se superpone al valor del escaln necesario para disparar al tiristor en un punto umbral fijo.
VC1=V2 VR3
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Cargador de baterias basado en UJT
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PUT. El Transistor Uniunin Programable es un dispositivo de disparo muy usado en ctos de disparo por puerta para los tiristores. Tiene tres tiristores terminales que se identifican como: ctodo (K), nodo (A) y puerta (G). Es un pequeo tiristor con puerta de nodo Presenta caractersticas de disparo parecidas a las del UJT, cuando es utilizado en los osciladores UJT de relajacin, pero presenta la ventaja de poder ser programado para relajacin determinar el valor de , VP e IV. La operacin del PUT, depende de la tensin que tengamos aplicada entre el nodo y la puerta del dispositivo:
VG =
RB VBB RA + RB
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PUT como oscilador de relajacin. RA, RB y el condensador C, ajustan el retraso de VP.

R An m VB V V = B IV
R A m x VB P V = B IP
t off =C R A ln
1 R +R 2 C R A ln 1 (1 ) R2
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DIAC(Diode Alternative Current)

elemento de pequea potencia utilizado para disparar al triac El Diode Alternative Current es un dispositivo formado por tres capas de silicio con la estructura (npn pnp) y dos terminales principales de conduccin. No tiene terminal de control.
La caracterstica V - I del dispositivo no es lineal, aunque es simtrica en lineal ambos sentidos de circulacin, Es circulacin decir, se trata de un dispositivo bidireccional y simtrico. simtrico
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Disparo por DIAC
Vth Vc VBO
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Este cto sufre un fenomeno de histeresis: para una misma histeresis potencia, el ajuste del potenciometro difiere segn se est reduciendo o aumentando la potencia en la carga. Este fenmeno es producido por la carga residual del condensador.
V2,0 V3,0
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Diseo de la red de temporizacin

Para el diseo de la red de temporizacin deberemos calcular el valor de los componentes R3 C para que el ngulo de conduccin C pueda variar entre los lmites deseados. La resolucin analtica de este tipo de circuitos es laboriosa, por lo que se han confeccionado una serie de curvas para poder llevar a cabo el diseo.
Estas curvas expresan la relacin existente entre el nivel de tensin con que se carga C, normalizada respecto al valor eficaz de la tensin de lnea en funcin del ngulo de conduccin y del parmetro = 2RCf, siendo f la frecuencia de la tensin de la lnea.
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( C1 ) = 2 P1MAX C f
( C 2 ) = 2 P1MIN C f
VP [ VP + V ] VRMS(lnea)
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Disear el cto de control de potencia de onda completa con DIAC, sabiendo que presenta doble constante de tiempo.
TRIAC (MAC3020): VDRM = 400V; MT2 (+), G(+) IGT = 30mA VGT = 2V DIAC ( DB3 ): V(BR) 12 = V(BR) 21 IDRM = 2mA; VTM = 2V; IH = 40mA;
MT2 (-), G(-) IGT = 30mAVGT = 2V = 32V; V12 = V21 = 5V
Fijamos C2 de 0.1 F,
VP [ VP + V ] 32 [ 32 + 5] = = 0.268 VEF(lnea) 220

ngulos de conduccin R2 = ( 0.25
C 1 C 1
= 30 y
C 2
= 150
(C1 ) 3.5 = = 350 K 2 C 2 f 2 ( 0.1 10 6 ) 50
) 3.5 ; (
C 2
R2 =
(C2 )
2 C2 f
0.25 ( 0.1 10 6 ) 50 = 25K 2
El valor de R1 debe ser menor que la valor mximo de R2, por lo que R1 tomar un valor de 100K .
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Vth
Vc
ngulo de conduccin mnimo
ngulo de conduccin mximo

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Acopladores pticos con tiristores

Un acoplador ptico, est constituido por la asociacin dentro de una misma cpsula de un fototiristor y de un diodo LED. Este tipo de LED dispositivos nos va a permitir un buen aislamiento galvnico entre el cto de potencia y el de control. En la figura siguiente tenemos representado el esquema interno de un acoplador ptico con tiristores y su aplicacin al control
Cargas Resistivas
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Cto de control de potencia con opto-acoplador y triac Nos basaremos en el cto de la figura:
En la prctica, RC suele estar comprendido entre los valores 310 y 460 .
VL = R C I GT + VTM (Optoacopl ador)+ VGT (Triac)
RC limita la corriente a travs del optoacoplador. El mximo valor de la corriente permitida a travs del optoacoplador (ITSM ), determina el valor mnimo de RC. Considerando una tensin de red de 110V, cabe esperar un VIN(pk) 187 pico de tensin VIN (pk). R Cmn = = = 155 .8 I TSM 1.2 VIN(pk) = 1.2 110V 2 = 187V
De fabricante VTM = 1.8V y que IGT = 40mA
R C (mx) =
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VIH VTM = 957.75 I GT
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Ejemplo de interface para control digital
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Arrancador esttico de motor corriente alterna
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J.D.Aguilar Arrancador Pea;http://voltio.ujaen.es/jaguilar con cambio de giro
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http://www.ipes.ethz.ch
http://www.iie.edu.uy/
Pantalla tutorial iPES
http://www.epe_asociation.org
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T6disparoscr Ep 0506

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TEMA 6:TIRISTORES: CIRCUITOS DE CONTROL

Leccin 5.- Tiristor Leccin 6.- Gobierno de tiristores y triac

TEMA 6:TIRISTORES: CIRCUITOS DE CONTROL

continua * Corriente alterna * Impulsos o trenes de ondas

Disparo por corriente continua.

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VS min = R S mx I o +Vo VSmin = 4.25V.

P VSmx = GAVmx ( R Smn + R Gmx ) R Gmx

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Disparo por corriente alterna

SCR 2N1595 IGT = 2mA;VGT = 0.7V

Para R = 5K, sustituimos y determinamos Ve: 5K

Ve = ( 20 + 5K ) 2 10 3 + 0.7 + 0.7 =11.44V

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La curva obtenida mediante PsPice para el caso R = 5K es:

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IGT = 2mA; VTM = 1.1V;

VGT = 0.7V; IH = 5mA

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Disparo por impulso o trenes de ondas

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Disparo por impulso o trenes de ondas

Que ocurre con carga inductiva

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Disparo por impulso o trenes de ondas

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Mando sincrono. (todo o nada )

Modo 1:Carga resistiva

Modo II: Carga inductiva

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Mando sincrono. (todo o nada con margen proporcional )

Todo o nada con y sin histresis

Todo o nada con banda proporcional

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Mando sincrono. (todo o nada con margen proporcional )

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Mando sincrono. (todo o nada )

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Mando sincrono. (todo o nada )

Control temperatura, con reduccin del consumo por noche o ausencias

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Mando sincrono. (todo o nada )

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Control de disparo por ngulo de conduccin. (Control de fase)

Circuitos de control de puerta

Ejemplo: Control sistema trifsico

TEMA 6:TIRISTORES: CIRCUITOS DE CONTROL

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Figura 1.3 Circuito de control.

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Cto integrado TCA 785 de SIEMENS

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Comentar los circuitos de control de potencia presentados en las figuras siguientes

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qu inconveniente tiene este circuito?

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Vp=VE>VD+(R1/R1+R2)VBB ( Cond. de disparo)