•Un regulador de Tensión es un diodo pn

Estática: Es la relación voltaje-corriente cuando el

operando con polarización inversa hasta la
diodo opera con corriente continua. La resistencia
tensión de ruptura. Antes de ocurrir la
estática es igual a la inversa de la pendiente de la línea
ruptura el diodo presenta una alta
que une el punto de operación con el origen.
resistencia. De esta manera la tensión de
ruptura limita o regula la tensión.

Dinámica: Es la resistencia de la unión ante pequeñas

señales de corriente alterna. Se define como la inversa
de la pendiente de la característica tensión-corriente,
no es constante y depende de la tensión de trabajo.

•Es un componente
electrónico cuya resistencia
óhmica disminuye cuando el
voltaje que se le aplica
Inversa (RR): posee un valor muy grande (orden de aumenta; tienen un tiempo
los Megaohms) por lo que puede considerarse de respuesta rápido y son
infinita. utilizados como limitadores
de picos voltaje. Son
fabricados básicamente con
oxido de zinc.
•Es un tipo de diodo que basa su
funcionamiento en el fenómeno que hace
que la anchura de la barrera de potencial
en una unión PN varíe en función de la
tensión inversa aplicada entre sus
extremos. Al aumentar dicha tensión,
aumenta la anchura de esa barrera,
disminuyendo así la capacidad del diodo.
De este modo se obtiene un condensador
variable controlado por tensión. Los valores
de capacidad obtenidos van desde 1 a 500
pF.
 •Gráfico logarítmico-logarítmico de la
•Varias distribuciones de
Capacidad de la capa de vaciamiento en
impurezas para Varactores función de la tensión de polarización inversa.
Factor de Calidad Q
del Varactor en
función de varias
frecuencias para
diversas tensiones
de polarización. Se
ha agregado el
circuito equivalente.
•Se diseñan para procesos de conmutación con velocidades ultra altas.
•Los dispositivos se clasifican en dos tipos: Diodos de unión pn difusos y Diodos de contacto metal-
semiconductor.
•El circuito equivalente de ambos tipos se pueden representar por el del diodo varactor.•
•El Tiempo de recuperación total (t1+t2) de un diodo de unión se puede reducir sustancialmente introduciendo
centros de recombinación, tal como Au en Si.•Aunque el tiempo de recuperación es directamente proporcional al
tiempo de vida, desafortunadamente con esta técnica no se puede reducir el tiempo de recuperación hasta cero, si
se introducen una gran cantidad de centros de recombinación Nt, debido a que la generación de la corriente inversa
de uniones pn es proporcional a Nt.
•En semiconductores de banda prohibida directa tal como GaAs, el tiempo de vida de los portadores minoritarios es
generalmente mas pequeños que el del Si. Con esta característica se obtiene diodos de unión pn de GaAs para
velocidades ultra altas.
• El tiempo de recuperación de estos dispositivos está en el orden de 0.1nS o menos.
•Para Si el tiempo de recuperación práctico está en el rango de 1 a 5nS.
•El diodo de contacto metal-semiconductor (Diodo Schottky) muestra una característica para velocidades ultra
altas. Debido a que los diodos Schottky son dispositivos de portadores mayoritarios, se desprecia el efecto de
almacenamiento de portadores minoritarios.
•El diodo de almacenamiento de carga se diseña para almacenar carga
durante la conducción en la dirección de polarización directa y conmuta para
conducir por un corto período en la dirección inversa.•
El diodo de recuperación de paso, es un tipo de diodo que conduce en la
dirección inversa por un corto período, corta abruptamente la corriente
después de haberse disipado la carga almacenada. Este corte de corriente
dentro de un rango de pico segundos, generando un frente de onda creciente
rápidamente, rica en armónicos
•Este tipo de diodos se usan en la generación de armónicos y de impulsos
•Otros tipos de diodos de almacenamiento de carga se fabrican de Si con
portadores minoritarios con tiempo de vida relativamente grandes, dentro de
un rango de 0.5 hasta 5μS.
•Se puede notar que los tiempos de vida son unas 1000 veces mas grandes
que para diodos de conmutación rápidas.
•Es un diodo que presenta una región P fuertemente dopada y otra región
N también fuertemente dopada, separadas por una región de material que
es casi intrínseco. Este tipo de diodos se utiliza en frecuencias de
microondas, es decir, frecuencias que exceden de 1 GHz, puesto que
incluso en estas frecuencias el diodo tiene una impedancia muy alta
cuando está inversamente polarizado y muy baja cuando esta polarizado
en sentido directo.
 Densidad de Carga
espacial en las uniones p-
i-n y p-π-n.

•Distribución de impurezas
en las uniones p-i-n y p-π-n.

•Distribución de campo en las uniones p-i-n y p-π-n.

•Capacidad de la capa de vaciamiento
Resistencia serie en
y resistencia serie en función de la
función de la corriente
tensión inversa.
inversa.
Caída de tensión en la región intrínseca •Curva característica en polarización directa
de la unión p-i-n en función de W/La, Corriente-Tensión, a-Solo recombinación, b-
donde W es la anchura de la región i y Incluyendo dispersión de portadores, c-
La es la longitud ambipolar de difusión. Incluyendo recombinaciones de Auger.
Diagrama de Banda de Energía de dos
semiconductores aislados asumiendo •Diagrama de Bandas de Energía de
neutralidad de carga espacial en cada una Heterounión anisótropa n-p ideal
región. en equilibrio térmico.
 Diagrama de Banda de
•Diagrama de Bandas de Energía Diagrama de Banda de Energía de una
para una Heterounión isótropa n- Energía de una Heterounión p-p.
n ideal. Heterounión p-n.
 •Una heterounión es un único cristal de
material semiconductor en el cual existiría
un plano a través del cual la "identidad" de
los átomos de los que tal cristal está
constituido cambia bruscamente.

Diagrama de Banda de Energía

en equilibrio.

Variante compuesta
•Diagrama de Energía
bajo polarización directa
para una estructura
compuesta diente de
sierra.
Diagrama de
Banda de
Energía par una
súper
estructura sin
dopado de
GaAs(1.42eV) y
Al0.3Ga0.7As.

•Diagrama de
Banda de
Energía para
una súper
estructura con
modulación Movilidad en función de la temperatura de
del dopado. una barrera de GaAs con una súper
estructura con modulación de dopado.